WT2000少子壽命儀檢測主講教師：目錄CONTENTS01.查詢國家檢測標準02.檢測原理及方案03.檢測組織實施04.檢測結(jié)果分析查詢國家標準PART01一、查詢國家標準檢測原理及方案PART02二、檢測原理及方案（一）WT2000少子壽命測試儀設(shè)備結(jié)構(gòu)二、檢測原理及方案（二）主要的檢測功能少子壽命測量（微波光電導(dǎo)衰減法）。光誘導(dǎo)電流測量。光反射率測量。方塊電阻測量（表面光電壓法）。體電阻率測量（渦流法）。二、檢測原理及方案（三）測試原理對硅片的少子壽命進行快速、無接觸、無損傷測量。具體地說，是使用波長為904nm的激光激發(fā)硅片（對于硅，注入深度大約為30um）產(chǎn)生電子-空穴對，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，當(dāng)撤去外界光注入時，電導(dǎo)率隨時間指數(shù)衰減，通過微波探測硅片電導(dǎo)率隨時間的變化就可以得到少數(shù)載流子的壽命。微波光電導(dǎo)衰減法測試材料：硅、鍺等。樣片電阻率范圍：0.1-1000Ω·cm。激光波長：904nm。光斑直徑：1mm。少子壽命測試范圍：0.1μs-30ms。二、檢測原理及方案（四）性能指標掃描步長：0.5，1，2，4，8，16mm。測試分辨率：0.1%。測試時間：30ms/數(shù)據(jù)點?？蛇M行單點或連續(xù)掃描（mapping）測試。二、檢測原理及方案（四）性能指標樣品表面需要鈍化處理。μ-PCD測出來的少子壽命值，包含了體壽命和表面壽命，是兩者綜合作用的結(jié)果。二、檢測原理及方案（五）對樣品的要求1τmeas1τbulkτsurf+τdiff1==τsurfd2S=τdiffπ2Dn.pd2=τdiff為少子從樣品體內(nèi)擴散到表面所需時間。τdiff為因表面復(fù)合產(chǎn)生的表面壽命。τmeas為樣品的測試壽命。d為樣品厚度。Dn，Dp分別為電子和空穴的擴散系數(shù)。S為表面復(fù)合速度。二、檢測原理及方案（五）對樣品的要求在樣品厚度（體少子壽命）一定的情況下，表面復(fù)合速率越大，則在測試高體壽命樣品時，測量值與實際的體壽命值的偏差會約大；而對于低體壽命的樣品（如體壽命為幾個μs），這種偏差會降低很多。檢測組織實施PART03三、檢測組織實施（一）鈍化處理通常采用化學(xué)鈍化處理來對硅片便面進行鈍化，鈍化前先對硅片進行預(yù)處理，在HF+HNO3（95%HNO3+5%HF）中浸泡1分鐘，然后用碘酒進行鈍化。碘酒的濃度控制在0.2~5%，例如在100ml無水乙醇中加入1g碘作為鈍化液。將硅片裝入透明密封膠帶中，注入鈍化液使硅片兩面都被浸潤。測量時將鈍化包裝的硅片放在測試臺上測量即可。為了獲得樣品真實的體壽命值，最好對樣品表面進行鈍化處理。三、檢測組織實施（一）鈍化處理01準備好碘酒、塑料管和吸管02將硅片放入塑料袋中03將配好的碘酒均勻地涂在硅片的正反面04驅(qū)趕出袋中的氣泡并封好袋口。隨后，便可以進行測試三、檢測組織實施（二）少子壽命儀檢測檢測結(jié)果分析PART04四、檢測結(jié)果分析撰寫檢測報告書小結(jié)SUMMARY01微波法檢測的基本原理；02樣品表面鈍化處理。最后，我們來回顧一下本小節(jié)的內(nèi)容：思考THINKING