目 錄一、企業(yè)級(jí)需求高，儲(chǔ)價(jià)格全面上漲 5（一）DRAM：務(wù)置動(dòng)回，25Q4DRAM價(jià)漲預(yù)上修 5（二）NANDFlash：給優(yōu)化企級(jí)求，價(jià)強(qiáng)上漲 6二、AI服務(wù)器大幅提存儲(chǔ)要求，驅(qū)動(dòng)新輪新大周期 8（一）廠資開增，器NAND和DRAM應(yīng)占持增長 8（二）DRAM:功存需日旺，26統(tǒng)DRAM新產(chǎn)有限 101GraceCPU率先應(yīng)用LPDDR5X102、HBM位收貢遠(yuǎn)超統(tǒng)DRAM，26統(tǒng)DRAM新產(chǎn)有限 （三）受121、高量eSSD占比幅升低遲動(dòng)PCIe5.0滲率升 122、KVCache量長出HBM承上，卸至DRAM和SSD 133、HDD應(yīng)短嚴(yán)北美CSP步用SSD齊HDD需缺口 15三、相關(guān)標(biāo)的 161、波：業(yè)業(yè)實(shí)現(xiàn)量長合Zilia構(gòu)建外長極 162、明：級(jí)SSD部分品始樣消級(jí)內(nèi)已現(xiàn)產(chǎn)貨 163、農(nóng)創(chuàng)“品”驅(qū)展子司普存發(fā)企級(jí)儲(chǔ) 174、易新國存器IC設(shè)龍，極定制新賽道 185、維儲(chǔ)建AI側(cè)存綜競(jìng)力智穿戴儲(chǔ)入比增 186DDR5SPDEEPROM197、蕓技產(chǎn)SSD主控片先商全布局臻善 198、京正車存領(lǐng)先業(yè)積局3DDRAM199、冉份：NORFlash后之，力規(guī)闊市場(chǎng) 2010、東股：土SLCNAND領(lǐng)企，“存算聯(lián)技生態(tài) 21四、風(fēng)險(xiǎn)提示 211、儲(chǔ)品格動(dòng)響 212、游求及期 21圖表目錄圖表1 DDR5粒型號(hào)貨趨（元） 5圖表2 DDR4粒型號(hào)貨趨（元） 6圖表3 25Q3~25Q4DRAM模合價(jià)漲預(yù)測(cè) 6圖表4 TLC存wafer現(xiàn)貨（元） 7圖表5 業(yè)場(chǎng)SSD價(jià)（元） 7圖表6 2021-2026E全八大CSP本出總額 8圖表7 2023-2026年AI服務(wù)出增及比 8圖表8 AI行段需求 9圖表9 NANDFlash分布 10圖表10 DRAM用布 10圖表Llama370B化推吞量 圖表12 Llama370B準(zhǔn)化遲能 圖表13 HBM/統(tǒng)DRAM位出占比 圖表14 HBM/統(tǒng)DRAM營占比 圖表15 2025年DRAM產(chǎn)能況千片月） 12圖表16 2026EDRAM能情（片/12圖表17 消級(jí)SSD企級(jí)SSD的要比況 12圖表18 服器eSSD量占變化 13圖表19 服器PCIe5.0eSSD透變化 13圖表20 KVCache機(jī)示意圖 14圖表21 華為UMC存架構(gòu) 15圖表22 HDD溫的核介層 15圖表23 NearlineHDD與QLCSSD比較 16一、企業(yè)級(jí)需求高增，存儲(chǔ)價(jià)格全面上漲（一）DRAM：服務(wù)器建置動(dòng)能回暖，25Q4DRAM價(jià)格漲幅預(yù)期上修服務(wù)器建置動(dòng)能回暖，需求拉動(dòng)DDR5價(jià)格穩(wěn)健上揚(yáng)。DDR5方面，海外原廠退出DDR4致DDR4與DDR5價(jià)差大幅收窄，甚至部分料號(hào)已出現(xiàn)倒掛情況。例如七月PCDDR48GB模組價(jià)格已超越同容量的DDR5模組，出現(xiàn)罕見的價(jià)格倒掛。許多PCOEM因爭(zhēng)取不到供給，只能下修D(zhuǎn)DR4機(jī)種的產(chǎn)銷規(guī)劃，并擴(kuò)大DDR5機(jī)種比例。而服務(wù)器領(lǐng)域受到CSP建置動(dòng)能回溫，DDR5產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng)，預(yù)計(jì)未來各類DDR5需求均將進(jìn)一步走強(qiáng)。據(jù)inSpectrumTech數(shù)據(jù)，截至2025年10月17日，DDR516Gb2Gx8/DDR516Gb1Gx16周度現(xiàn)貨價(jià)格分別為8.33/8.48美元，較本輪底部漲幅分別達(dá)94.2%（25.2.14）94.9（52.圖表1 DDR5顆粒主型號(hào)現(xiàn)貨價(jià)趨勢(shì)（元）121086422023/10/132023/11/32023/10/132023/11/32023/11/242023/12/152024/1/52024/1/262024/3/82024/3/292024/4/192024/5/102024/5/312024/6/212024/7/122024/8/22024/8/232024/9/132024/10/42024/10/252024/12/62024/12/272025/1/172025/2/142025/3/72025/3/282025/4/182025/5/92025/5/302025/6/202025/7/112025/8/12025/8/222025/9/122025/10/3DDR55600/640024Gb3Gx8 DDR5-4800/560016Gb2Gx8DDR5-4800/560016Gb1Gx16nSpectrumTech轉(zhuǎn)引自彭原廠持續(xù)推進(jìn)減產(chǎn)轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR4DDR415功耗//DDR5HBMDDR5LPDDR5(X)DDR5SKDDR5和LPDDR5高端產(chǎn)品，舊制程DDR424Q4/DDR4至DDRDDR4inSpectrum數(shù)20251017日，DDR48Gb1Gx8/16Gb2048Mx85.4310.996.（251.1）98.2（253.1圖表2 DDR4顆粒主型號(hào)現(xiàn)貨價(jià)趨勢(shì)（元）121086422022/7/82022/8/122022/9/162022/7/82022/8/122022/9/162022/10/212022/11/252022/12/302023/2/102023/3/172023/4/212023/5/262023/6/302023/8/42023/9/82023/10/132023/11/172024/1/262024/3/12024/4/52024/5/102024/6/142024/7/192024/8/232024/9/272024/11/12024/12/62025/1/102025/2/212025/3/282025/5/22025/6/62025/7/112025/8/152025/9/19DDR4-16Gb-2048Mx8 DDR4-8Gb-1Gx83200DDR4-8Gb-1Gx8白牌 DDR4-16Gb-2048Mx8白牌nSpectrumTech轉(zhuǎn)引自彭25Q4DRAM漲幅預(yù)期可觀，供應(yīng)商收到CSP加單提高調(diào)升報(bào)價(jià)意愿。TrendForce，DRAMServerDRAMHBM，排擠PC、MobileConsumerTrendforce9整體一般型DAM813BM131825年10月，CSP25Q4DRAMDRAM8-13%18-23%圖表325Q3~25Q4DRAM模組合約價(jià)季漲幅預(yù)測(cè)25Q3（E）25Q4（E）第一版25Q4（E）第二版?zhèn)鹘y(tǒng)DRAMup10%~15%up8%~13%up18%~23%傳統(tǒng)DRAM+HBMup15%~20%up13%~18%up23%~28%rendforc26年服務(wù)器出貨量DDR5根據(jù)Trendforce，2026Server4%CSP單機(jī)DRAMDRAMTrendforceServerDDR52026（二）NANDFlash：供給優(yōu)化&企業(yè)級(jí)需求攀升，價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲閃迪率先宣布上調(diào)閃存產(chǎn)品價(jià)格，現(xiàn)貨Flash價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲。2594日，Sandisk10%Sandisk10%259+Flash225年10月29TC閃存26Gb5Gb1Tb價(jià)格分別為3.55.07.4259216.7%/61.3%/27.0%NAND資源價(jià)格幾乎已與24年高位持平。圖表4TLC閃存wafer現(xiàn)貨價(jià)（美元）9876543210閃存256Gb 閃存512Gb 閃存1Tb存市成品920251029PCIe3.0/PCIe4.0SSD報(bào)價(jià)分別為43/4625年9月2日價(jià)格漲幅38.71%/38.55%；1TBPCIe3.0/PCIe4.0SSD報(bào)價(jià)分別為71/75美金，相比25年9月2日價(jià)格漲幅29.09%/29.31%；2TBPCIe4.0SSD報(bào)價(jià)145美金，較9月2日漲幅33.03%。圖表5 行業(yè)市場(chǎng)SSD報(bào)價(jià)（美元）1601401201008060402002025/5/6 2025/6/6 2025/7/6 2025/8/6 2025/9/6 2025/10/6SSD512GBPCIe3.0 SSD1TBPCIe3.0 SSD512GBPCIe4.0SSD1TBPCIe4.0 SSD2TBPCIe4.0存市供給優(yōu)化&企業(yè)級(jí)SSD需求攀升，預(yù)計(jì)25Q4NAND合約價(jià)有望全面上漲。供給角度來FlashServerOEMCSPBlackwell2H25HDDEnterpriseSSDTrendforceNAND25Q45-10%10%PC5-10%25Q4eSSDeSSD。MobileNANDASP5%~10%PC市場(chǎng)：由于PCcSSDPCcSSDcSSDNANDNAND價(jià)NANDFlashPCcSSDCFMcSSD10%。二、AI服務(wù)器大幅提升存儲(chǔ)要求，驅(qū)動(dòng)新一輪創(chuàng)新大周期（一）云廠商資本開支高增，服務(wù)器NAND和DRAM應(yīng)用占比持續(xù)增長AI全球大型云廠商正擴(kuò)大采購英偉達(dá)GPU加速自研AIASIC2025MetaP200Y61.0203年202426GPU、ASICAITrendforceAIServer20%Server17%。圖表6 2021-2026E全八大CSP資本支出總額 圖表7 2023-2026年AI服務(wù)器出貨增速及比6000500040003000200010000

2021 2022 2023 2024 2025E 資本開支（億美金） YoY（%）

70%60%50%40%30%20%10%0%-10%

50%40%35%30%25%20%15%10%

2023 2024 2025E 2026E AI服務(wù)器出貨增速 AI服務(wù)器出貨占比rendforc rendforcAIAI圖表8 AI運(yùn)行階段存儲(chǔ)需求階段I/O特性存儲(chǔ)需求影響數(shù)據(jù)輸入海量順序?qū)懭敫唔樞驅(qū)懭胪掏铝績?yōu)化存儲(chǔ)意味著數(shù)據(jù)輸入過程更加快速數(shù)據(jù)準(zhǔn)備隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)，按順序?qū)懭腩A(yù)處理項(xiàng)小規(guī)模隨機(jī)讀取低延遲，高順序?qū)懭胪掏铝績?yōu)化存儲(chǔ)意味著在模型訓(xùn)練過程中能提供更多的數(shù)據(jù)，使模型準(zhǔn)確性提升模型訓(xùn)練隨機(jī)數(shù)據(jù)讀取多任務(wù)性能和容量可擴(kuò)展性；優(yōu)化隨機(jī)讀?。贿m用于檢查點(diǎn)寫入的高順序?qū)懭胄阅軆?yōu)化存儲(chǔ)可以提升昂貴訓(xùn)練資源（GPU,TPU,CPU）利用率模型部署混合隨機(jī)讀取和寫入處理組件故障的自修復(fù)能力；不中斷的擴(kuò)展和升級(jí)；如果模型持續(xù)微調(diào)，則應(yīng)具備與訓(xùn)練過程相同的特征端側(cè)需要高可用性、良好的服務(wù)能力和可靠性存檔順序及隨機(jī)寫入高寫入性能為了合規(guī)和審計(jì)的目的，需要更好的數(shù)據(jù)保留FM閃存市場(chǎng)《2024-2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)白皮書NAND和DRAM應(yīng)用占比持續(xù)增長。云服務(wù)商適度超前投資AI基礎(chǔ)設(shè)施，為未來長期發(fā)展提前部署存算力資源。服務(wù)器NAND和DRAMNAND202316%2025，服務(wù)器DRAM2023年的32%36%。NANDeSSD以提升性能并降低能耗，25務(wù)器NAND應(yīng)用占比有望達(dá)30%2024-20252025年互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)對(duì)PCIe5.0eSSD需求持續(xù)增加，32TB及以上QLCeSSDCFMPC的NAND應(yīng)用占比分別為30%、31%和14%，而服務(wù)器NAND應(yīng)用202316%202530%。DRAM方面服務(wù)器DDR5及HBM需求攀升年服務(wù)器DRAM應(yīng)用占比有望達(dá)36%隨支持DDR5的IntelEMR與AMDBergamo理平滲提升，疊加搭載NvidiaHopper/Blackwell及AMDMI300等加速芯片的AI服務(wù)器出貨量顯增務(wù)器DDR5及HBM 需實(shí)快攀升據(jù)CFM閃市據(jù)，2024PCDRAM34%32%和14%，DRAM202332%2025年的36%。在64GB及以上DDR5與HBM3e12hi。圖表9 NANDFlash應(yīng)用分布 圖表10 DRAM應(yīng)用分布100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2023 2024 2025E

100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2023 2024 2025E手機(jī) 服務(wù)器 PC 其他 手機(jī) 服務(wù)器 PC HBM 其他

存市場(chǎng)《2024-2025

存市場(chǎng)《2024-2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)白皮書》，DDR5及HBM2024-2025NAND和DRAM12%15%。（二）DRAM:低功耗內(nèi)存需求日益旺盛，26年傳統(tǒng)DRAM新增產(chǎn)能有限1、能耗限制推升低功耗內(nèi)存重要性，英偉達(dá)GraceCPU率先應(yīng)用LPDDR5X數(shù)據(jù)中心建設(shè)面臨能耗問題，低功耗內(nèi)存架構(gòu)至關(guān)重要。隨著AI2028AI加兩倍，從而推動(dòng)美國能源需求極速增長。為應(yīng)對(duì)全球數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的能源需求，先進(jìn)的節(jié)能型硬件技術(shù)至關(guān)重要。通過開發(fā)和采用創(chuàng)新型低功耗內(nèi)存架構(gòu)，數(shù)據(jù)中心可以獲得顯著的性能提升，同時(shí)比傳統(tǒng)DDR5內(nèi)存消耗更少的能源。GraceCPU已采用LPDDR5X。與DDR5LPDDR5XDDR5MetaLlama370BLD5X相比于DR548、73%一代GraceCPU(ECC)的LPDDR5X時(shí)將能效提高5倍，非常適合云、企業(yè)和高性能計(jì)算(HPC)工作負(fù)載。圖表Llama370B標(biāo)準(zhǔn)化推理吞吐量 圖表12 Llama370B準(zhǔn)化延遲性能光官網(wǎng) 光官網(wǎng)針對(duì)AIDRAM10SOCAMM2253月發(fā)布的LPDRAMSOCAMM50%token顯著縮80%RDIMM2、HBM單位元收入貢獻(xiàn)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)DRAM，26年傳統(tǒng)DRAM新增產(chǎn)能有限HBMDRAMHBMDRAMDRAMHBM20245%DRAM19%2026HBM9%DRAM41%的營收。圖表13 HBM/傳統(tǒng)DRAM位元出貨占比 圖表14 HBM/傳統(tǒng)DRAM營收占比

5%

HBM

8%2025E傳統(tǒng)DRAM

9%2026E

19%33%19%33%41%HBM 傳統(tǒng)DRAMrendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook

rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook主要原廠26年均聚焦HBMDRAM2026領(lǐng)域主要擴(kuò)產(chǎn)集中于HBM，整個(gè)行業(yè)的HBMHBMHBM2026之一的總產(chǎn)能用于HBMHBM年規(guī)劃HBM近翻倍。從傳統(tǒng)DRAM1.5萬片5000片/1萬片7000片圖表15 2025年DRAM產(chǎn)能情況（千片月） 圖表16 2026EDRAM產(chǎn)能情況（千片月）0

1501501505550510395285270三星 海力士 美光 長鑫存儲(chǔ) 南亞傳統(tǒng)DRAM HBM

0

15020010040026020280520三星 海力士 美光 長鑫存儲(chǔ) 南亞傳統(tǒng)DRAM HBMrendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook 注：HBMTSV行衡量，TSVHBM）

rendforce《Exploringthefuture:DRAMmarketandtechnologyoutlook 注：HBMTSV行衡量，TSVHBM）（三）NAND:受KVCache卸載&HDD擠占影響，NAND出貨或?qū)⒊霈F(xiàn)爆發(fā)式增長1、中高容量eSSD應(yīng)用占比大幅提升，低延遲驅(qū)動(dòng)PCIe5.0滲透率提升企業(yè)級(jí)SSD主要應(yīng)用于互聯(lián)網(wǎng)、云服務(wù)、金融和電信等客戶的數(shù)據(jù)中心。在數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代，企業(yè)越來越將數(shù)據(jù)視為一項(xiàng)自身核心資產(chǎn)，對(duì)數(shù)據(jù)安全的重視程度越來越高。大量企業(yè)將內(nèi)部信息系統(tǒng)和業(yè)務(wù)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了數(shù)字化升級(jí)，底層數(shù)據(jù)對(duì)內(nèi)關(guān)乎著企業(yè)日常經(jīng)營的穩(wěn)定，對(duì)外決定著信息化業(yè)務(wù)的正常運(yùn)營。固態(tài)硬盤作為數(shù)據(jù)的載體，除了高性能和圖表17 消費(fèi)級(jí)SSD及企業(yè)級(jí)SSD的主要對(duì)比況恒創(chuàng)源招股說明書中高容量eSSD應(yīng)用占比大幅提升，預(yù)計(jì)25年8TB及以上應(yīng)用占比超40%。在數(shù)據(jù)量方面，為確保模型訓(xùn)練的準(zhǔn)確度，所需的數(shù)據(jù)量不斷增長，并且數(shù)據(jù)來源已經(jīng)擴(kuò)展到文8TB/16TBeSSDCFM20248TBeSSD21%，16TB20258TBeSSD8TB占比8Y7pc，6B4Y4pcPCIe5.0SSDAICheckpointCheckpointCheckpoint，大量的數(shù)據(jù)需要快速地從存儲(chǔ)設(shè)備傳輸?shù)絻?nèi)存或計(jì)算單元中，以盡快恢復(fù)程序或任務(wù)的PCIe5.0SSD能夠更快地訓(xùn)練多個(gè)模型，從而加速AI部署。因此在AIPCle5.0esSD應(yīng)用得到青睞。據(jù)CFM數(shù)據(jù)，2024PCe5.0SSD10%202530%。圖表18 服務(wù)器eSSD容量占比變化 圖表19 服務(wù)器PCIe5.0eSSD滲透率變化100%90%80%70%60%50%30%20%10%

2022 2023 2024 2025E

100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%

2022

2023

2024

2025E4TB 16TB及以上 8TB

PCIe5.0 其他FM閃存市場(chǎng)《2024-2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)白皮書 書

FM閃存市場(chǎng)《2024-2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)白皮2、KVCache容量增長超出HBM承載上限，或?qū)⑿遁d至DRAM和SSD歷史tokenCachetokentokenCacheGPU圖表20 KVCache機(jī)示意圖偉達(dá)開發(fā)者官網(wǎng)KVCache容量增長超出HBMCPU和SSDLLMHBM的消耗主要來自模型權(quán)重和KVCache，其中KVCacheLlama27B4096token序列的單次請(qǐng)求，其KVCache將消耗約2GB的HBM，給GPU內(nèi)存帶來顯著壓力。KVCache容量的增長已超過HBM承載上限，頻繁的內(nèi)存溢出可能導(dǎo)致推理過程出現(xiàn)記憶斷片，迫使GPU執(zhí)行重復(fù)計(jì)算，從而引發(fā)延遲和卡頓。然而，并非所有KV緩存數(shù)據(jù)都需要始終保留在GPU內(nèi)存中，在許多實(shí)際應(yīng)用中用戶可能不會(huì)與LLM持續(xù)交互。將KVCache卸載（offloading）到成本更低、容量更充裕的內(nèi)存層級(jí)（如CPUDRAM、SSD）成為業(yè)界核心策略。華為UMC將KVCache緩存進(jìn)行卸載，降低每Token推理成本。華為推出以KVCache為中心的推理加速套件推理記憶數(shù)據(jù)管理器（UnifiedCacheManager，簡稱UMC）。融合了多類型緩存加速算法工具，可以分級(jí)管理推理過程中產(chǎn)生的KVCache記憶數(shù)據(jù)，擴(kuò)大推理上下文窗口，以實(shí)現(xiàn)高吞吐、低時(shí)延的推理體驗(yàn)，降低每Token推理成本。其將實(shí)時(shí)對(duì)話的極熱數(shù)據(jù)存在HBM中（約十GB~百GB級(jí)容量），將短期記憶的熱數(shù)據(jù)存在DRAM中（約百GB~TB級(jí)容量），將長期記憶數(shù)據(jù)與外部知識(shí)等熱溫?cái)?shù)據(jù)存在SSD中（TB級(jí)~PB級(jí)容量），通過多級(jí)緩存解決AI推理體驗(yàn)與成本問題。圖表21 華為UMC存架構(gòu)察者網(wǎng)3、HDD供應(yīng)短缺嚴(yán)重，北美CSP逐步采用SSD補(bǔ)齊HDD需求缺口HDD是數(shù)據(jù)中心冷數(shù)據(jù)的首選，承載近80%存儲(chǔ)容量?，F(xiàn)代數(shù)據(jù)中心根據(jù)不同工作負(fù)載對(duì)性能和成本（TCO）的需求，采用分層存儲(chǔ)策略，組合使用SSD、HDD和磁帶等不同存儲(chǔ)技術(shù)來平衡不同工作負(fù)載的需求。其中SSD性能最強(qiáng)但成本也最高，磁帶提供最低成本但性能最差；HDD則在二者之間取得了平衡。在目前數(shù)據(jù)中心建設(shè)中，HDD是冷數(shù)據(jù)的首選，承載了近80%的存儲(chǔ)容量。圖表22HDD是溫存儲(chǔ)的核心介質(zhì)層部數(shù)據(jù)《HDDsarestillheretostay》推理需求導(dǎo)致Nearline預(yù)計(jì)26年SSD出貨有望趁勢(shì)爆發(fā)。AIAINearlineHDD（）TrendforceHDDNLHDD52CSPCSPHDDQLCSSD出貨可能于2026圖表23 Nearline與SSD比較產(chǎn)品交付周期每GB平均售價(jià)最大容量性能能效NearlineHDD52周0.01532TB弱較低QLCSSD8周0.05-0.06122TB強(qiáng)較高rendforc三、相關(guān)標(biāo)的1Zilia構(gòu)建海外增長極聚焦存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，提供多下游存儲(chǔ)解決方案。類存儲(chǔ)品牌FORESEE、海外行業(yè)類存儲(chǔ)品牌Zilia和國際高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌Lexar（PC等、已與多個(gè)國產(chǎn)CPU256.93+38.6公司已經(jīng)推出多款高速eSSD產(chǎn)品，覆蓋480GB至7.68TB的主流容量范圍，支持1DWPD（每日整盤寫入次數(shù)）和3DWPD2.5英寸到M.2PCIeSSD與SSD兩大CPU25ZiliaZiliaZia3.88Y+.0ZiaZilia拓展了UFSDDR52、德明利：企業(yè)級(jí)SSD部分產(chǎn)品開始送樣，消費(fèi)級(jí)內(nèi)存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨深耕聚焦存儲(chǔ)戰(zhàn)略，構(gòu)筑多樣化產(chǎn)品線并推行差異化策略。在聚焦存儲(chǔ)戰(zhàn)略指導(dǎo)下，德明利不斷完善存儲(chǔ)產(chǎn)品矩陣，拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域與應(yīng)用場(chǎng)景，目前已經(jīng)形成了包括固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)、內(nèi)存條和移動(dòng)存儲(chǔ)在內(nèi)多條存儲(chǔ)產(chǎn)品線。在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，公AISSDAIQLCNAND應(yīng)用與企業(yè)級(jí)SSD兩大方向。針對(duì)QLCQLCNAND介QLCNANDSSD2024消費(fèi)級(jí)內(nèi)存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，加快送樣及驗(yàn)證工作。DDR3DDR4及DDR5LPCAMM2、CAMM2RDIMMSODIMM和UDIMMRDIMM25Q2LPCAMM2（QoS）3、香農(nóng)芯創(chuàng)：分銷+產(chǎn)品共驅(qū)發(fā)展，子公司海普存儲(chǔ)發(fā)力企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)芯片分銷+自研產(chǎn)品互為表里，一體兩翼共驅(qū)發(fā)展。香農(nóng)芯創(chuàng)前身聚隆科技成立于1998年，早期專注于洗衣機(jī)減速離合器等家電核心零部件，2019年基石資本完成對(duì)聚隆科技的要約收購，后公司于2020年開展一系列針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的股權(quán)投資業(yè)務(wù)。2021年，公司完成對(duì)聯(lián)合創(chuàng)泰100%股權(quán)的重大資產(chǎn)收購事項(xiàng)，主營業(yè)務(wù)由洗衣機(jī)減速離合器的生產(chǎn)、研發(fā)、銷售變更為電子元器件分銷，同年更名為香農(nóng)芯創(chuàng)。2023年，香農(nóng)芯創(chuàng)聯(lián)合SK海力士、大普微電子等合作方設(shè)立控股子公司深圳海普存儲(chǔ)，定位企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)。自此，香農(nóng)芯創(chuàng)形成分銷+產(chǎn)品一體兩翼的發(fā)展格局。兼具授權(quán)品牌優(yōu)勢(shì)&客戶資源優(yōu)勢(shì)，分銷業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著。原廠的授權(quán)是代理商在市SKMTKAMD（數(shù)ODM分銷+產(chǎn)品協(xié)同驅(qū)動(dòng)發(fā)展，海普存儲(chǔ)企業(yè)級(jí)模組產(chǎn)品進(jìn)展順利。香農(nóng)芯創(chuàng)在高端存儲(chǔ)領(lǐng)域歷經(jīng)多年耕耘，現(xiàn)已形成分銷+產(chǎn)品一體兩翼的發(fā)展格局。分銷業(yè)務(wù)端，公司已具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、控制芯片、模組等電子元器件產(chǎn)品提供能力，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于云計(jì)算存儲(chǔ)（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器）等領(lǐng)域。在存儲(chǔ)產(chǎn)品以外，香農(nóng)芯創(chuàng)全資子公司聯(lián)合創(chuàng)泰于24年5月公告收到AMD簽署的《AMD經(jīng)銷商確認(rèn)函》，擴(kuò)大分銷業(yè)務(wù)經(jīng)營范圍。產(chǎn)品業(yè)SSDRDIMMDDR4DDR5Gen4eSSD（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器）等領(lǐng)域。目前已完成部分國內(nèi)主要的服務(wù)器平臺(tái)的認(rèn)證和適配工作并正式進(jìn)入產(chǎn)品量產(chǎn)階段。25年8月，香農(nóng)芯創(chuàng)公告擬與無錫靈境云共同發(fā)起設(shè)立無錫新威智算科技有限公司。合資公司設(shè)立完成后，將有利于公司充分發(fā)揮分銷+產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，參與產(chǎn)業(yè)鏈深度合作，拓寬產(chǎn)品銷售渠道并提升綜合競(jìng)爭(zhēng)力。4、兆易創(chuàng)新：國產(chǎn)存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)龍頭，積極布局定制化新興賽道2005MCUMCU2024年NORFlashSLCNANDFlash、DRAMMCUICNORFlash全球SLCNANDFlash全球第六、中國內(nèi)地第一；利基型DRAM全球MCU大廠減產(chǎn)帶來利基型DRAMDRAM產(chǎn)品DRAMDRAM從而在利基型DRAMAIAIPC戶拓展進(jìn)展順利。公司在定制化存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有顯著先發(fā)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)與戰(zhàn)略供應(yīng)商擁有長期良好穩(wěn)定的合作關(guān)系，帶來產(chǎn)能保障和制程優(yōu)勢(shì)。5、佰維存儲(chǔ)：構(gòu)建AI端側(cè)存儲(chǔ)綜合競(jìng)爭(zhēng)力，智能穿戴存儲(chǔ)收入同比高增深耕存儲(chǔ)主業(yè)，積極拓展國內(nèi)外一線客戶。OPPOHMDZTETCLPCSSDAcerHPPCPCSSDMetaRokidAI/AR20余家CPUOEMTier1積極布局AI端側(cè)，構(gòu)建AIAI覆蓋AIAIPCAIAI出UFS、LPDDR5/5X、uMCP等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，并已量產(chǎn)12GB、16GB等大容量LPDDR5XPCAIPC已推出高端DDR5PCIe5.0SSDePOPGoogle、Meta、Rokid備上，其中，公司為Ray-BanMeta提供ROM+RAM82025AIMeta6、聚辰股份：DDR5加速滲透驅(qū)動(dòng)SPD增長，汽車EEPROM打開成長空間DDR5SPDDDR2DDR2/3/4SPDSPD產(chǎn)DDR5套新一代DDR5SPDDDR5DDR5SPD國內(nèi)唯一成熟&系列化汽車EEPROM供應(yīng)商，汽車EEPROM+Nor組合優(yōu)勢(shì)顯著。聚辰股份是國內(nèi)唯一可以提供成熟、系列化汽車級(jí)EEPROM芯片的供應(yīng)商，25年汽車級(jí)EEPROM成功導(dǎo)入多家全球領(lǐng)先的汽車電子Tier1供應(yīng)商，市場(chǎng)份額快速提升，產(chǎn)品的銷量和收入較上年同期實(shí)現(xiàn)高速增長。此外，公司基于在汽車電子市場(chǎng)的客戶資源優(yōu)勢(shì)，順應(yīng)下游客戶同時(shí)提出的汽車級(jí)EEPROM芯片和汽車級(jí)NORFlash芯片需求，通過提供組合產(chǎn)品及解決方案等方式，汽車級(jí)NORFlash芯片亦成功搭載在多款主流品牌汽車中導(dǎo)入市場(chǎng)，汽車電子業(yè)務(wù)自主開發(fā)空間廣闊。7、聯(lián)蕓科技：國產(chǎn)SSD主控芯片領(lǐng)先廠商，全系布局日臻完善全球領(lǐng)先的獨(dú)立主控芯片廠商，業(yè)績穩(wěn)步增長。、PCIe接口固態(tài)硬盤主控芯片及關(guān)鍵核心技術(shù)的突破，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)及企業(yè)級(jí)固態(tài)20249.2025.42%，SSDNAND尚未打入外，全球大部分SSD品牌均有采用公司SSD主控芯片及解決方案；在PC-OEM前裝SSDSSD牌PCSSDSSD合作NANDUFS/eMMCAIoT8、北京君正：車規(guī)存儲(chǔ)領(lǐng)先企業(yè)，積極布局3DDRAM領(lǐng)域車規(guī)存儲(chǔ)領(lǐng)先企業(yè)，產(chǎn)品矩陣豐富&客戶資源優(yōu)質(zhì)。北京君正成立于2005年，起家于MPU2020ISSIADASDelphi、AI3DDRAMPCAIDRAMDRAM等新型存儲(chǔ)芯片可有效滿足AIDRAM3DDRAM在內(nèi)的AID