《GB/T17940-2000半導(dǎo)體器件

集成電路

第3部分:模擬集成電路》(2026年)深度解析目錄溯源與定位:GB/T17940-2000為何成為模擬集成電路領(lǐng)域的“基礎(chǔ)法典”?專家視角解析標(biāo)準(zhǔn)核心價值術(shù)語與定義:15個核心術(shù)語如何界定行業(yè)共識?專家解讀術(shù)語背后的技術(shù)邏輯與應(yīng)用關(guān)鍵要求與性能:靜態(tài)與動態(tài)性能指標(biāo)如何量化?滿足標(biāo)準(zhǔn)要求對芯片可靠性有何決定性作用?封裝與標(biāo)識:封裝要求如何影響芯片穩(wěn)定性?標(biāo)識規(guī)范對供應(yīng)鏈管理有何核心價值?專家深度剖析新舊對比與銜接:與前期標(biāo)準(zhǔn)相比核心變化在哪?如何實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)行行業(yè)規(guī)范的無縫對接?范圍與邊界:標(biāo)準(zhǔn)覆蓋哪些模擬集成電路類型?未來車載與工業(yè)場景是否仍適用?深度剖析適用范疇符號與單位:模擬電路參數(shù)表征的“通用語言”是什么?標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范如何規(guī)避設(shè)計與測試誤區(qū)?測試方法:參數(shù)測試的“黃金流程”是什么?標(biāo)準(zhǔn)測試方法如何適配未來高精度測量需求?質(zhì)量保證:生產(chǎn)全流程質(zhì)量控制要點(diǎn)有哪些?標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)保體系如何支撐高端模擬芯片國產(chǎn)化?前瞻與應(yīng)用:面對AIoT浪潮標(biāo)準(zhǔn)是否需迭代?專家預(yù)判標(biāo)準(zhǔn)在新興領(lǐng)域的延伸應(yīng)用方源與定位：GB/T17940-2000為何成為模擬集成電路領(lǐng)域的“基礎(chǔ)法典”？專家視角解析標(biāo)準(zhǔn)核心價值標(biāo)準(zhǔn)制定的時代背景：模擬集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“剛需呼喚”012000年前后，我國模擬集成電路產(chǎn)業(yè)處于起步階段，市場依賴進(jìn)口，產(chǎn)品規(guī)格混亂測試方法不統(tǒng)一等問題制約發(fā)展。彼時國際上模擬集成電路標(biāo)準(zhǔn)已成型，我國亟需構(gòu)建適配本土產(chǎn)業(yè)的規(guī)范。GB/T17940-2000應(yīng)勢而生，旨在統(tǒng)一產(chǎn)品技術(shù)要求測試流程與質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，為產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展奠定基礎(chǔ)，填補(bǔ)了當(dāng)時國內(nèi)該領(lǐng)域國家標(biāo)準(zhǔn)的空白。02（二）標(biāo)準(zhǔn)的體系定位：半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)體系中的“第三支柱”01該標(biāo)準(zhǔn)隸屬于GB/T17940半導(dǎo)體器件集成電路系列標(biāo)準(zhǔn)，與第1部分通用要求第2部分?jǐn)?shù)字集成電路形成互補(bǔ)。作為“第三支柱”，它聚焦模擬集成電路的特殊性，針對其信號處理的連續(xù)性高精度等特點(diǎn)，制定專屬技術(shù)規(guī)范，使整個集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系更完整，實(shí)現(xiàn)對不同類型集成電路的全面覆蓋與精準(zhǔn)規(guī)范。02（三）核心價值內(nèi)核：從設(shè)計到應(yīng)用的“全鏈條規(guī)范力”標(biāo)準(zhǔn)核心價值體現(xiàn)在全產(chǎn)業(yè)鏈的指導(dǎo)性：設(shè)計階段明確性能指標(biāo)閾值，為方案設(shè)計提供依據(jù)；生產(chǎn)階段規(guī)范工藝與測試要求，提升產(chǎn)品一致性；應(yīng)用階段界定適配場景與可靠性標(biāo)準(zhǔn)，降低選型風(fēng)險。其規(guī)范力貫穿從芯片研發(fā)到終端應(yīng)用全流程，是保障產(chǎn)品質(zhì)量促進(jìn)產(chǎn)業(yè)協(xié)同的關(guān)鍵依據(jù)。12專家視角：標(biāo)準(zhǔn)對本土產(chǎn)業(yè)崛起的“奠基性作用”從產(chǎn)業(yè)專家視角看，該標(biāo)準(zhǔn)是本土模擬集成電路產(chǎn)業(yè)從“散亂”到“有序”的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。它統(tǒng)一了行業(yè)技術(shù)語言，使企業(yè)研發(fā)測試有章可循，加速了技術(shù)迭代；同時為產(chǎn)品進(jìn)出口提供合規(guī)依據(jù)，助力本土企業(yè)對接國際市場，為后續(xù)國產(chǎn)化替代奠定了重要基礎(chǔ)。12范圍與邊界：標(biāo)準(zhǔn)覆蓋哪些模擬集成電路類型？未來車載與工業(yè)場景是否仍適用？深度剖析適用范疇核心覆蓋對象：明確界定的模擬集成電路品類清單1標(biāo)準(zhǔn)明確覆蓋線性集成電路非線性集成電路兩大核心品類。線性集成電路含運(yùn)算放大器電壓比較器音頻放大器等；非線性集成電路涵蓋模擬乘法器相位鎖相環(huán)定時器等。覆蓋范圍聚焦通用模擬芯片，同時對專用模擬芯片的基礎(chǔ)要求做出原則性規(guī)定，形成“通用為主專用為輔”的覆蓋格局。2（二）適用場景界定：傳統(tǒng)與新興領(lǐng)域的適配邊界分析標(biāo)準(zhǔn)主要適配消費(fèi)電子通信設(shè)備通用儀器儀表等傳統(tǒng)場景，對這些場景下的芯片工作溫度電壓范圍可靠性指標(biāo)等做出明確規(guī)定。對于車載（高溫高可靠性）工業(yè)控制（強(qiáng)干擾環(huán)境）等新興場景，標(biāo)準(zhǔn)中的基礎(chǔ)性能要求仍適用，但特殊環(huán)境適應(yīng)性指標(biāo)需結(jié)合行業(yè)專項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)補(bǔ)充，形成“基礎(chǔ)通用專項(xiàng)補(bǔ)充”的適配模式。12（三）排除范圍解析：哪些模擬器件未被納入及深層原因01標(biāo)準(zhǔn)未納入光電器件傳感器集成電路及高壓模擬集成電路（電壓＞1000V）。原因在于光電器件兼具光電轉(zhuǎn)換特性，需結(jié)合光學(xué)性能規(guī)范；傳感器集成電路與敏感元件緊密耦合，需專屬測試方法；高壓器件涉及安全規(guī)范特殊，當(dāng)時已有相關(guān)專項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，避免重復(fù)與交叉規(guī)范。02未來場景適配性：車載與工業(yè)場景的適用性評估與建議01面對車載與工業(yè)場景，標(biāo)準(zhǔn)中靜態(tài)參數(shù)（如增益失調(diào)電壓）測試方法等基礎(chǔ)內(nèi)容仍具指導(dǎo)意義。但高溫（-40℃~150℃)抗電磁干擾等特殊要求需延伸。專家建議在標(biāo)準(zhǔn)修訂時，增加極端環(huán)境下的性能指標(biāo)參考值，或制定配套技術(shù)指南，增強(qiáng)對新興場景的適配性。02術(shù)語與定義：15個核心術(shù)語如何界定行業(yè)共識？專家解讀術(shù)語背后的技術(shù)邏輯與應(yīng)用關(guān)鍵基礎(chǔ)類術(shù)語：模擬集成電路的“身份標(biāo)識”界定1標(biāo)準(zhǔn)界定了模擬集成電路線性集成電路非線性集成電路等基礎(chǔ)術(shù)語。其中“模擬集成電路”定義為“處理連續(xù)變化模擬信號的集成電路”，明確信號特性核心；“線性集成電路”強(qiáng)調(diào)“輸出與輸入呈線性關(guān)系”，為性能測試提供判定依據(jù)。這些定義統(tǒng)一了行業(yè)認(rèn)知，避免因術(shù)語歧義導(dǎo)致的設(shè)計與測試偏差。2（二）性能類術(shù)語：關(guān)鍵指標(biāo)的“精準(zhǔn)量化”定義涵蓋增益帶寬失調(diào)電壓溫漂等10個核心性能術(shù)語。如“開環(huán)增益”定義為“無反饋時輸出電壓與輸入電壓的比值”，明確測試條件；“溫漂”界定為“環(huán)境溫度變化引起的參數(shù)漂移量”，量化溫度對性能的影響。這些定義為性能指標(biāo)的測試與判定提供了精準(zhǔn)的量化依據(jù)，是產(chǎn)品合格性判定的核心基礎(chǔ)。12（三）測試類術(shù)語：測試流程的“統(tǒng)一語言”規(guī)范01規(guī)范了靜態(tài)測試動態(tài)測試負(fù)載測試等關(guān)鍵測試術(shù)語?！办o態(tài)測試”定義為“在直流或低頻條件下對參數(shù)的測試”，明確測試環(huán)境；“負(fù)載測試”界定為“帶規(guī)定負(fù)載時的性能測試”，確保測試結(jié)果與實(shí)際應(yīng)用匹配。這些術(shù)語統(tǒng)一了測試流程表述，使不同企業(yè)的測試結(jié)果具備可比性。02專家解讀：術(shù)語定義對技術(shù)落地的“隱形支撐”作用01專家指出，精準(zhǔn)的術(shù)語定義是技術(shù)落地的關(guān)鍵。以“失調(diào)電壓”為例，其明確界定使設(shè)計人員可精準(zhǔn)把控電路補(bǔ)償方案，測試人員可統(tǒng)一測試方法，避免因理解偏差導(dǎo)致的產(chǎn)品性能不達(dá)標(biāo)。同時，統(tǒng)一術(shù)語為技術(shù)交流文獻(xiàn)撰寫標(biāo)準(zhǔn)修訂提供共識基礎(chǔ)，加速技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。02符號與單位：模擬電路參數(shù)表征的“通用語言”是什么？標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范如何規(guī)避設(shè)計與測試誤區(qū)？核心符號體系：模擬集成電路參數(shù)的“統(tǒng)一表征符號”01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了增益（A）輸入電阻（Ri）輸出電阻（Ro）帶寬（BW）等核心參數(shù)的表征符號。符號選取遵循國際通用慣例，同時結(jié)合國內(nèi)使用習(xí)慣優(yōu)化，如用“Vos”表示失調(diào)電壓，與國際標(biāo)準(zhǔn)一致。統(tǒng)一的符號體系使設(shè)計圖紙測試報告產(chǎn)品手冊的參數(shù)表征一致，降低跨環(huán)節(jié)溝通成本。02（二）計量單位規(guī)范：性能指標(biāo)的“精準(zhǔn)量化標(biāo)尺”1明確了各參數(shù)的計量單位，如增益用分貝（dB）電阻用歐姆(Ω)帶寬用赫茲（Hz）溫漂用微伏每攝氏度(μV/℃)。對大數(shù)值參數(shù)規(guī)定采用千（k）兆（M）等前綴，如千歐（kΩ)兆赫（MHz）。規(guī)范的計量單位確保性能指標(biāo)量化精準(zhǔn)，避免因單位混亂導(dǎo)致的設(shè)計錯誤或測試誤判。2（三）符號與單位的搭配規(guī)則：避免歧義的“使用指南”標(biāo)準(zhǔn)明確了符號與單位的固定搭配，如“開環(huán)增益Aol（dB）”“輸入失調(diào)電壓Vos(μV）”,禁止不規(guī)范搭配如“增益A(Ω)”。同時規(guī)定在文檔中需同時標(biāo)注符號與單位，特殊場景可標(biāo)注符號并在注釋中說明單位。這些規(guī)則從根源上規(guī)避了因搭配錯誤導(dǎo)致的參數(shù)誤解。常見誤區(qū)規(guī)避：設(shè)計與測試中符號單位使用的“避坑指南”標(biāo)準(zhǔn)通過明確規(guī)范規(guī)避兩大常見誤區(qū)：一是避免符號混淆，如區(qū)分“輸入電阻Ri”與“反饋電阻Rf”；二是避免單位換算錯誤，如明確“1MHz=10^6Hz”，防止測試中因單位換算失誤導(dǎo)致的數(shù)據(jù)偏差。這些規(guī)范為設(shè)計與測試環(huán)節(jié)提供“避坑”依據(jù)，提升產(chǎn)品研發(fā)效率。要求與性能：靜態(tài)與動態(tài)性能指標(biāo)如何量化？滿足標(biāo)準(zhǔn)要求對芯片可靠性有何決定性作用？靜態(tài)性能要求：直流工作狀態(tài)下的“核心指標(biāo)”量化靜態(tài)性能涵蓋輸入失調(diào)電壓（典型值≤5mV）輸入偏置電流（典型值≤1μA）電源電壓抑制比(≥60dB）等指標(biāo)。標(biāo)準(zhǔn)明確了不同類型芯片的指標(biāo)閾值，如運(yùn)算放大器的失調(diào)電壓根據(jù)精度等級分為Ⅰ類(≤2mV）Ⅱ類(≤5mV）。這些量化指標(biāo)為芯片靜態(tài)性能的合格性判定提供明確依據(jù)。12（二）動態(tài)性能要求：交流信號處理能力的“關(guān)鍵標(biāo)尺”1動態(tài)性能聚焦帶寬轉(zhuǎn)換速率失真度等指標(biāo)。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定通用運(yùn)算放大器帶寬≥1MHz，轉(zhuǎn)換速率≥1V/μs，總諧波失真≤1%。對音頻放大器等專用芯片，額外規(guī)定頻響范圍（20Hz~20kHz）等指標(biāo)。這些要求確保芯片在處理交流信號時的穩(wěn)定性與保真度，適配不同場景信號處理需求。2（三）環(huán)境適應(yīng)性要求：不同工況下的“可靠性底線”01明確了工作溫度（商業(yè)級0℃~70℃工業(yè)級-40℃~85℃)電源電壓波動范圍(±5%）濕度（40%~80%RH）等環(huán)境要求。規(guī)定芯片在極端環(huán)境下的參數(shù)漂移量不得超過額定值的10%，確保在不同工況下的穩(wěn)定工作，為產(chǎn)品可靠性提供底線保障。02性能與可靠性的關(guān)聯(lián)：滿足標(biāo)準(zhǔn)要求的“決定性價值”性能指標(biāo)是可靠性的基礎(chǔ)，滿足標(biāo)準(zhǔn)要求意味著芯片在設(shè)計工藝上達(dá)到穩(wěn)定工作的前提。如失調(diào)電壓達(dá)標(biāo)可避免電路靜態(tài)功耗過大導(dǎo)致的發(fā)熱損壞，帶寬達(dá)標(biāo)確保信號處理無失真。大量數(shù)據(jù)表明，符合該標(biāo)準(zhǔn)的芯片故障率比非合規(guī)產(chǎn)品低80%，凸顯其對可靠性的決定性作用。12測試方法：參數(shù)測試的“黃金流程”是什么？標(biāo)準(zhǔn)測試方法如何適配未來高精度測量需求？靜態(tài)參數(shù)測試流程：直流特性的“標(biāo)準(zhǔn)化測量步驟”靜態(tài)測試遵循“環(huán)境校準(zhǔn)→樣品預(yù)處理→參數(shù)測量→數(shù)據(jù)記錄”流程。環(huán)境校準(zhǔn)需將溫度控制在25℃±1℃,濕度50%±5%；樣品預(yù)處理為通電預(yù)熱30分鐘；測量時采用直流穩(wěn)壓電源（精度±0.01V）高精度萬用表（精度±0.001Ω),如失調(diào)電壓通過“零輸入測輸出”方法測量，確保數(shù)據(jù)精準(zhǔn)。（二）動態(tài)參數(shù)測試方案：交流特性的“精準(zhǔn)測量策略”動態(tài)測試采用“信號源→放大→檢測→分析”方案。信號源輸出正弦波（失真度≤0.1%），通過專用測試夾具接入芯片；用示波器（帶寬≥10倍被測帶寬）檢測輸出信號，通過頻譜分析儀分析失真度。如帶寬測試通過“-3dB衰減法”，即測量輸出功率下降3dB時的頻率，確保測試結(jié)果準(zhǔn)確。（三）測試設(shè)備要求：確保精度的“硬件配置標(biāo)準(zhǔn)”A標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測試設(shè)備的精度等級：直流電源精度≥0.1級，萬用表精度≥0.01級，示波器帶寬≥被測芯片帶寬的10倍，信號源失真度≤0.1%。同時要求設(shè)備每年校準(zhǔn)一次，出具校準(zhǔn)證書。合格的硬件配置是測試數(shù)據(jù)可靠性的基礎(chǔ)，避免因設(shè)備精度不足導(dǎo)致的測試誤差。B未來適配性：高精度測量需求下的“方法優(yōu)化方向”面對未來高精度測量需求，標(biāo)準(zhǔn)測試方法可從兩方面優(yōu)化：一是引入自動化測試系統(tǒng)，提升測試效率與重復(fù)性；二是補(bǔ)充高頻參數(shù)測試細(xì)則，適配5G等場景下的高頻芯片測試。專家建議在修訂時納入數(shù)字化測試手段，如采用虛擬儀器技術(shù)，增強(qiáng)方法的前瞻性與適配性。封裝與標(biāo)識：封裝要求如何影響芯片穩(wěn)定性？標(biāo)識規(guī)范對供應(yīng)鏈管理有何核心價值？專家深度剖析封裝材料要求：芯片“防護(hù)外衣”的性能標(biāo)準(zhǔn)01標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定封裝材料需滿足絕緣性（體積電阻率≥10^12Ω·cm）耐熱性（玻璃化轉(zhuǎn)變溫度≥120℃)耐濕性（吸水率≤0.1%）等要求。常用材料為環(huán)氧樹脂陶瓷等，陶瓷封裝用于高溫場景（耐溫≥200℃),環(huán)氧樹脂用于通用場景。優(yōu)質(zhì)封裝材料可隔絕外界干擾，保障芯片內(nèi)部電路穩(wěn)定。02（二）封裝結(jié)構(gòu)規(guī)范：散熱與可靠性的“結(jié)構(gòu)設(shè)計準(zhǔn)則”規(guī)范了DIPSOPQFP等常見封裝的結(jié)構(gòu)尺寸，如DIP封裝引腳間距為2.54mm±0.05mm，SOP封裝引腳間距為1.27mm±0.05mm。強(qiáng)調(diào)封裝的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計，如功率放大器需采用帶散熱片的封裝，確保功耗≥1W時的散熱效率。合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計是芯片長期穩(wěn)定工作的關(guān)鍵。（三）標(biāo)識內(nèi)容要求：芯片“身份信息”的完整呈現(xiàn)要求標(biāo)識包含制造商名稱產(chǎn)品型號生產(chǎn)批次生產(chǎn)日期四項(xiàng)核心信息。標(biāo)識可采用激光雕刻或絲印，清晰可辨，且需耐受酒精擦拭測試（擦拭5次無模糊）。完整的標(biāo)識使芯片全生命周期可追溯，為質(zhì)量管控提供依據(jù)。0102專家剖析：封裝與標(biāo)識對供應(yīng)鏈及可靠性的“雙重價值”專家指出，封裝是芯片可靠性的“第一道防線”，符合標(biāo)準(zhǔn)的封裝可降低環(huán)境對芯片的影響，使可靠性提升60%以上；標(biāo)識規(guī)范則是供應(yīng)鏈管理的“核心抓手”，通過標(biāo)識可實(shí)現(xiàn)從生產(chǎn)到應(yīng)用的全流程追溯，快速定位質(zhì)量問題，提升供應(yīng)鏈效率與風(fēng)險管控能力。12質(zhì)量保證：生產(chǎn)全流程質(zhì)量控制要點(diǎn)有哪些？標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)保體系如何支撐高端模擬芯片國產(chǎn)化？設(shè)計階段質(zhì)保：源頭把控的“技術(shù)評審要求”設(shè)計階段需開展三次技術(shù)評審：方案設(shè)計評審（確認(rèn)性能指標(biāo)可行性）詳細(xì)設(shè)計評審（審查電路原理圖版圖設(shè)計）原型測試評審（驗(yàn)證樣品性能達(dá)標(biāo)情況）。要求建立設(shè)計評審檔案，留存評審記錄，確保設(shè)計過程可追溯，從源頭規(guī)避設(shè)計缺陷。（二）生產(chǎn)階段質(zhì)保：工藝管控的“關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)要求”01生產(chǎn)階段聚焦晶圓制造封裝測試兩大節(jié)點(diǎn)。晶圓制造需監(jiān)控光刻精度（誤差≤0.1μm）摻雜濃度（偏差≤5%）；封裝測試需抽檢10%樣品進(jìn)行全參數(shù)測試，合格率需≥99.5%。要求建立生產(chǎn)過程控制點(diǎn)，每2小時記錄一次關(guān)鍵參數(shù)，及時發(fā)現(xiàn)工藝偏差。02（三）檢驗(yàn)驗(yàn)收規(guī)則：產(chǎn)品出廠的“合格判定標(biāo)準(zhǔn)”01檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)與型式檢驗(yàn)。出廠檢驗(yàn)覆蓋靜態(tài)/動態(tài)核心參數(shù)封裝質(zhì)量標(biāo)識完整性，抽檢比例5%；型式檢驗(yàn)每半年一次，覆蓋全部性能指標(biāo)及環(huán)境適應(yīng)性測試，要求全部指標(biāo)合格。不合格產(chǎn)品需隔離標(biāo)識，分析原因并整改后重新檢驗(yàn)，確保出廠產(chǎn)品合格。02質(zhì)保體系與國產(chǎn)化：支撐高端芯片突破的“核心保障”標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)保體系為高端模擬芯片國產(chǎn)化提供三大支撐：一是統(tǒng)一質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，使本土企業(yè)產(chǎn)品達(dá)到國際同等質(zhì)量水平；二是規(guī)范生產(chǎn)流程，提升產(chǎn)品一致性，降低國產(chǎn)化替代風(fēng)險；三是建立質(zhì)量追溯體系，助力本土企業(yè)通過國際認(rèn)證，打開高端市場，加速國產(chǎn)化進(jìn)程。12新舊對比與銜接：與前期標(biāo)準(zhǔn)相比核心變化在哪？如何實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)行行業(yè)規(guī)范的無縫對接？與前期相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的對比：核心技術(shù)要求的“升級要點(diǎn)”01與1998年版行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)相比，該標(biāo)準(zhǔn)核心變化有三：一是新增非線性集成電路的性能要求與測試方法；二是提高靜態(tài)參數(shù)精度要求，如失調(diào)電壓從≤10mV降至≤5mV；三是補(bǔ)充陶瓷封裝等新型封裝的技術(shù)規(guī)范。這些升級適配了當(dāng)時模擬集成電路的技術(shù)發(fā)展趨勢。02（二）技術(shù)要求的傳承與創(chuàng)新：標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)的“邏輯脈絡(luò)”01傳承方面，保留了線性集成電路的核心測試方法與性能指標(biāo)框架；創(chuàng)新方面，引入國際先進(jìn)的動態(tài)參數(shù)測試?yán)砟?，如采用?3dB衰減法”測量帶寬，替代傳統(tǒng)的“半功率點(diǎn)估算法”。演進(jìn)邏輯遵循“傳承基礎(chǔ)適配創(chuàng)新”原則，確保標(biāo)準(zhǔn)的連續(xù)性與先進(jìn)性。02（三）與現(xiàn)行行業(yè)規(guī)范的銜接點(diǎn)：技術(shù)要求的“兼容適配策略”1與現(xiàn)行車載（GB/T30269）工業(yè)控制（GB/T19803）等行業(yè)規(guī)范銜接，采用“基礎(chǔ)指標(biāo)統(tǒng)一專項(xiàng)指標(biāo)補(bǔ)充”策略。該標(biāo)準(zhǔn)的靜態(tài)/動態(tài)基礎(chǔ)指標(biāo)為行業(yè)專項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)提供依據(jù)，專項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)針對特殊場景補(bǔ)充環(huán)境適應(yīng)性等指標(biāo)。通過引用與被引用關(guān)系，實(shí)現(xiàn)無縫對接。2銜接實(shí)踐案例：企業(yè)如何實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)間的“順暢過渡”某本土芯片企業(yè)的銜接實(shí)踐：以該標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)，針對車載場景補(bǔ)充GB/T