2025年光纖光纜制造工職業(yè)技能考試練習(xí)題及答案一、單項(xiàng)選擇題（每題1分，共30分。每題只有一個(gè)正確答案，請(qǐng)將正確選項(xiàng)字母填入括號(hào)內(nèi)）1.在光纖預(yù)制棒OVD沉積工藝中，決定包層折射率最關(guān)鍵的原料是（）。A.SiCl?B.GeCl?C.BBr?D.POCl?答案：C2.某拉絲塔采用石墨感應(yīng)爐，爐體最高恒溫區(qū)長(zhǎng)度120mm，若拉絲速度為2500m/min，光纖在恒溫區(qū)內(nèi)停留時(shí)間約為（）ms。A.2.88B.3.12C.4.80D.5.76答案：A3.光纜填充膏的滴點(diǎn)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，試樣在金屬浴中以（）℃/min升溫速率進(jìn)行加熱。A.0.5B.1.0C.2.0D.5.0答案：B4.在ITUTG.652.D光纖中，規(guī)定1383nm衰減系數(shù)應(yīng)≤（）dB/km。A.0.21B.0.28C.0.31D.0.35答案：C5.下列哪一項(xiàng)不是導(dǎo)致光纖PMD系數(shù)增大的直接原因（）。A.纖芯橢圓度B.拉絲張力波動(dòng)C.涂覆層偏心D.石英玻璃OH?含量答案：D6.光纜低溫彎曲試驗(yàn)中，試樣在40℃下保持4h后，芯軸直徑應(yīng)為光纜外徑的（）倍。A.10B.15C.20D.25答案：C7.在光纖帶幾何尺寸測(cè)試中，使用千分尺測(cè)量帶高時(shí)，施加的測(cè)量力為（）N。A.0.5±0.1B.1.0±0.1C.1.5±0.2D.2.0±0.2答案：B8.對(duì)于不銹鋼管式OPGW，若短路電流容量I2t=100kA2·s，鋁包鋼單絲直徑3.0mm，其最小根數(shù)應(yīng)不少于（）。A.6B.8C.10D.12答案：D9.在VAD工藝中，火炬火焰溫度由H?/O?流量比決定，當(dāng)比例由2:1調(diào)至3:1時(shí)，沉積速率將（）。A.增加15%B.增加30%C.下降10%D.基本不變答案：A10.光纜滲水試驗(yàn)中，水位高度1m，保持時(shí)間為（）h無(wú)滲漏為合格。A.1B.3C.6D.24答案：B11.光纖二次被覆PBT材料的熔融指數(shù)測(cè)試條件為（）。A.250℃/2.16kgB.275℃/2.16kgC.250℃/5kgD.275℃/5kg答案：A12.在OTDR雙向平均測(cè)試中，若單向曲線在12.345km處出現(xiàn)0.08dB損耗臺(tái)階，反向同位置臺(tái)階0.12dB，則事件真實(shí)損耗為（）dB。A.0.08B.0.10C.0.12D.0.20答案：B13.下列哪項(xiàng)不是光纜護(hù)套表面噴碼必須包含的信息（）。A.制造年份B.計(jì)米數(shù)C.光纜型號(hào)D.纖芯色譜答案：D14.在光纖拉絲過(guò)程中，若裸纖直徑波動(dòng)±1μm，則涂覆后直徑波動(dòng)一般可控制在（）μm以內(nèi)。A.±2B.±3C.±5D.±8答案：C15.對(duì)于GYTA5324B1光纜，其中“53”表示（）。A.雙層鋼絲鎧裝B.雙層鋼帶縱包C.鋼帶+鋼絲鎧裝D.聚乙烯護(hù)套+鋼帶縱包答案：D16.光纖帶剝離力測(cè)試，三秒剝離速度為（）mm/min。A.500B.1000C.1500D.2000答案：B17.在松套管生產(chǎn)中，若余長(zhǎng)設(shè)計(jì)為0.6%，則冷水槽與熱水槽溫差一般控制在（）℃。A.10B.15C.20D.25答案：C18.光纜沖擊試驗(yàn)落錘質(zhì)量為（）kg。A.1B.3C.5D.10答案：B19.在光纖氫損試驗(yàn)中，試樣在1atm、100℃、2%H?氣氛下放置（）h。A.1B.4C.12D.24答案：D20.下列哪種結(jié)構(gòu)最適合用于深水下1500m無(wú)中繼敷設(shè)（）。A.GYTAB.GYTA33C.GYTS04D.ADSS答案：B21.在光纖拉絲塔中，若采用雙涂覆系統(tǒng)，一次涂覆固化度要求≥（）%。A.70B.80C.90D.95答案：C22.光纜拉伸試驗(yàn)中，長(zhǎng)期拉力為RTS的（）%。A.25B.40C.60D.75答案：B23.在光纖帶并帶生產(chǎn)中，若帶間間隔膠寬度設(shè)計(jì)0.3mm，則并帶模唇開口精度需控制在（）mm以內(nèi)。A.±0.01B.±0.02C.±0.03D.±0.05答案：B24.對(duì)于ADSS光纜，其最大允許弧垂一般按導(dǎo)線弧垂的（）倍設(shè)計(jì)。A.0.8B.1.0C.1.2D.1.5答案：C25.在光纖幾何測(cè)試中，纖芯直徑測(cè)試精度要求±（）μm。A.0.1B.0.2C.0.5D.1.0答案：C26.光纜低溫沖擊試樣長(zhǎng)度規(guī)定為（）mm。A.500B.800C.1200D.1500答案：C27.在不銹鋼管光單元焊接中，常用激光功率為（）W。A.200B.500C.800D.1200答案：C28.光纜護(hù)套炭黑含量測(cè)試，試樣灼燒溫度為（）℃。A.450B.550C.650D.750答案：B29.在光纖帶并帶烘箱中，熱風(fēng)循環(huán)風(fēng)速要求為（）m/s。A.0.5B.1.0C.2.0D.3.0答案：B30.對(duì)于海底光纜，銅導(dǎo)體直流電阻20℃下應(yīng)≤（）Ω/km。A.0.5B.1.0C.1.5D.2.0答案：B二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分。每題有兩個(gè)或兩個(gè)以上正確答案，多選、少選、錯(cuò)選均不得分）31.下列哪些因素會(huì)直接導(dǎo)致光纖宏彎損耗增大（）。A.波長(zhǎng)增加B.彎曲半徑減小C.纖芯直徑增大D.數(shù)值孔徑減小答案：A、B、D32.關(guān)于VAD工藝，下列說(shuō)法正確的是（）。A.沉積方向沿軸向向上B.火炬溫度高于OVDC.需后續(xù)燒結(jié)脫水D.可直接拉制光纖答案：A、B、C33.在光纜型式試驗(yàn)中，以下哪些項(xiàng)目屬于機(jī)械性能試驗(yàn)（）。A.拉伸B.壓扁C.沖擊D.滲水答案：A、B、C34.下列哪些屬于光纖二次被覆材料（）。A.PBTB.PPC.PVCD.LSZH答案：A、B、D35.關(guān)于OPGW結(jié)構(gòu)，下列說(shuō)法正確的是（）。A.光單元可置于中心或?qū)咏gB.鋁包鋼單絲導(dǎo)電率14%IACSC.短路電流決定鋁包鋼根數(shù)D.不銹鋼管可替代鋁包鋼答案：A、B、C36.在光纖帶并帶生產(chǎn)中，導(dǎo)致帶間分離力偏大的原因有（）。A.基帶樹脂粘度偏高B.烘箱溫度偏低C.間隔膠量偏多D.牽引速度過(guò)快答案：A、B、C37.下列哪些屬于光纜環(huán)境性能試驗(yàn)（）。A.溫度循環(huán)B.耐電痕C.耐紫外線D.耐鹽霧答案：A、C、D38.在光纖拉絲過(guò)程中，導(dǎo)致裸纖直徑波動(dòng)的主要原因有（）。A.預(yù)制棒饋送速度不穩(wěn)B.爐溫波動(dòng)C.牽引輪偏心D.涂覆壓力變化答案：A、B、C39.關(guān)于ADSS光纜，下列說(shuō)法正確的是（）。A.無(wú)金屬構(gòu)件B.需考慮空間電位腐蝕C.弧垂設(shè)計(jì)需與導(dǎo)線配合D.可用于35kV以上線路答案：A、B、C40.在光纜護(hù)套生產(chǎn)中，導(dǎo)致表面麻點(diǎn)的原因有（）。A.原料含水B.?？诜e碳C.真空度不足D.冷卻水槽水溫過(guò)高答案：A、B、C三、判斷題（每題1分，共10分。正確打“√”，錯(cuò)誤打“×”）41.光纖預(yù)制棒燒結(jié)時(shí)，He氣流量越大，脫水效果越差。（）答案：×42.在光纜沖擊試驗(yàn)中，落錘高度越高，對(duì)光纜的破壞作用越大。（）答案：√43.光纖帶并帶烘箱溫度越高，帶間分離力一定越小。（）答案：×44.GYTA53光纜可用于直埋、管道、架空多種敷設(shè)方式。（）答案：√45.在OTDR測(cè)試中，死區(qū)越大，對(duì)近端事件的識(shí)別能力越強(qiáng)。（）答案：×46.光纜滲水試驗(yàn)中，若3h無(wú)水滲出即可判定合格，無(wú)需繼續(xù)觀察。（）答案：×47.不銹鋼管光單元焊接時(shí)，焊縫余高越小越好，可不做無(wú)損檢測(cè)。（）答案：×48.在光纖氫損試驗(yàn)后，若1310nm衰減增加≤0.05dB/km，則認(rèn)為合格。（）答案：√49.光纜低溫彎曲試驗(yàn)后，護(hù)套表面允許有微小裂紋，但不得露纜芯。（）答案：×50.對(duì)于ADSS光纜，空間電位越高，護(hù)套材料耐電痕要求越高。（）答案：√四、計(jì)算題（共20分，需寫出計(jì)算過(guò)程，結(jié)果保留兩位小數(shù)）51.某OPGW短路電流容量要求I2t=120kA2·s，鋁包鋼單絲直徑3.0mm，導(dǎo)電率20.3%IACS，密度7.14g/cm3，比熱容0.46J/(g·K)，允許溫升200K。求最小根數(shù)n。（8分）解：?jiǎn)谓z截面積A=πd2/4=7.07mm2=7.07×10??m2單絲質(zhì)量m=A×ρ×L=7.07×10??×7.14×103×1=0.0505kg/m單絲熱容Q=m·c·ΔT=0.0505×0.46×200=4.65kJ/m允許能量E=I2t=120×10?A2·s單絲電阻R=ρ·L/A，ρ=1/γ=1/(20.3%×58)=8.47×10??Ω·mR=8.47×10??×1/(7.07×10??)=0.012Ω/m單絲吸能W=I2Rt，設(shè)總電流I均分n根，則單絲I?=I/n單絲吸能W?=(I/n)2Rt=I2Rt/n2令n·W?=E，即n·I2Rt/n2=I2Rt/n=En=I2Rt/E=120×10?×0.012/4650≈309.68取整n=310根答案：310根52.某海底光纜銅導(dǎo)體截面積50mm2，長(zhǎng)度100km，20℃時(shí)銅電阻率0.01724Ω·mm2/m，溫度系數(shù)0.00393/℃，求55℃時(shí)直流電阻。（6分）解：R??=ρL/S=0.01724×100×103/50=34.48ΩR??=R??[1+α(T?T?)]=34.48×[1+0.00393×35]=34.48×1.13755≈39.23Ω答案：39.23Ω53.某光纜拉伸試驗(yàn)，RTS=80kN，長(zhǎng)期拉力40%RTS，光纖應(yīng)變≤0.25%，光纜標(biāo)距1m，求光纖最大允許伸長(zhǎng)量。（6分）解：ΔL=ε·L=0.0025×1000=2.50mm答案：2.50mm五、簡(jiǎn)答題（每題6分，共30分）54.簡(jiǎn)述OVD工藝沉積疏松體時(shí)，如何通過(guò)調(diào)節(jié)火炬參數(shù)控制折射率剖面。答案：通過(guò)獨(dú)立控制SiCl?、GeCl?、POCl?等原料流量，配合H?/O?比例調(diào)節(jié)火焰溫度，改變沉積顆粒的粒徑與孔隙率；GeCl?增加提高折射率，POCl?降低折射率；火炬掃描速度、距離棒體表面高度影響沉積密度，進(jìn)而調(diào)節(jié)剖面形狀；實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)回光信號(hào)，閉環(huán)調(diào)整原料流量，實(shí)現(xiàn)精確剖面控制。55.說(shuō)明光纖二次被覆PBT材料干燥溫度與時(shí)間設(shè)定依據(jù)，并指出干燥不足對(duì)生產(chǎn)的影響。答案：PBT含水率需≤0.02%，干燥溫度120±5℃，時(shí)間≥4h，依據(jù)為PBT熔融水解敏感性；干燥不足會(huì)導(dǎo)致擠出氣泡、表面粗糙、圓度差，拉伸強(qiáng)度下降，甚至斷纖；水分高溫汽化形成蒸汽泡，冷卻時(shí)留下微孔，影響光纜滲水性能。56.列舉導(dǎo)致ADSS光纜空間電位腐蝕的三種典型原因，并給出防護(hù)措施。答案：原因：1.護(hù)套材料耐電痕等級(jí)不足；2.掛點(diǎn)空間電位高于設(shè)計(jì)值；3.護(hù)套表面污穢形成干帶電弧。措施：選用耐電痕≥4.5kV的TRACKRESISTANTPE；優(yōu)化掛點(diǎn)位置，控制空間電位≤12kV；定期清掃，涂覆防污涂層；增加接地型護(hù)套端頭。57.計(jì)算某OPGW中不銹鋼管光單元在短路時(shí)的溫升步驟，并指出關(guān)鍵參數(shù)來(lái)源。答案：步驟：1.確定I2t值；2.計(jì)算光