2026年工藝測(cè)試中新技術(shù)的應(yīng)用實(shí)踐一、單選題（每題2分，共20題）1.在2026年半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，哪種技術(shù)最常用于檢測(cè)晶圓表面的微小缺陷？A.透射電子顯微鏡（TEM）B.原子力顯微鏡（AFM）C.掃描電子顯微鏡（SEM）D.拉曼光譜儀2.以下哪種新型測(cè)試方法適用于檢測(cè)3DNAND存儲(chǔ)器的可靠性？A.高頻信號(hào)測(cè)試（HFST）B.低頻信號(hào)測(cè)試（LFST）C.脈沖電場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試（PEST）D.熱循環(huán)測(cè)試（TCT）3.在5G芯片的工藝測(cè)試中，以下哪種技術(shù)能夠有效評(píng)估高頻信號(hào)的傳輸損耗？A.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）B.頻譜分析儀（SA）C.示波器（OS）D.邏輯分析儀（LA）4.以下哪種非接觸式測(cè)試技術(shù)適用于檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性？A.壓力傳感器測(cè)試B.拉力測(cè)試儀C.超聲波檢測(cè)（UT）D.X射線衍射（XRD）5.在先進(jìn)封裝工藝測(cè)試中，以下哪種技術(shù)能夠檢測(cè)微凸點(diǎn)的均勻性？A.3D光學(xué)顯微鏡B.電子背散射衍射（EBSD）C.激光輪廓儀D.離子束刻蝕（IBE）6.以下哪種技術(shù)適用于檢測(cè)DRAM存儲(chǔ)器的時(shí)序參數(shù)？A.電流電壓（I-V）測(cè)試B.脈沖幅度調(diào)制（PAM）測(cè)試C.脈沖時(shí)序測(cè)試（PST）D.功率譜密度（PSD）分析7.在功率半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，以下哪種技術(shù)能夠檢測(cè)器件的耐壓性能？A.雷擊測(cè)試（ESD）B.高壓擊穿測(cè)試C.溫度循環(huán)測(cè)試D.電流噪聲測(cè)試8.以下哪種技術(shù)適用于檢測(cè)晶圓表面的電學(xué)均勻性？A.四探針測(cè)試（4-PointProbe）B.二極體測(cè)試儀C.高頻阻抗分析儀D.電容電橋9.在MEMS器件工藝測(cè)試中，以下哪種技術(shù)能夠檢測(cè)微機(jī)械結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？A.振動(dòng)測(cè)試臺(tái)B.壓力傳感器校準(zhǔn)C.聲學(xué)顯微鏡D.熱成像儀10.以下哪種技術(shù)適用于檢測(cè)晶圓的機(jī)械應(yīng)力分布？A.X射線應(yīng)力分析B.拉曼光譜儀C.原子力顯微鏡（AFM）D.磁阻測(cè)試儀二、多選題（每題3分，共10題）1.在2026年先進(jìn)封裝工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)芯片的互連可靠性？A.超聲波檢測(cè)（UT）B.X射線衍射（XRD）C.3D光學(xué)顯微鏡D.電子背散射衍射（EBSD）2.在5G芯片的工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠評(píng)估高頻信號(hào)的傳輸性能？A.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）B.頻譜分析儀（SA）C.示波器（OS）D.邏輯分析儀（LA）3.在DRAM存儲(chǔ)器的工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)存儲(chǔ)單元的可靠性？A.脈沖時(shí)序測(cè)試（PST）B.電流電壓（I-V）測(cè)試C.脈沖幅度調(diào)制（PAM）測(cè)試D.功率譜密度（PSD）分析4.在功率半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)器件的熱性能？A.熱循環(huán)測(cè)試B.熱成像儀C.功率損耗測(cè)試D.電流噪聲測(cè)試5.在晶圓鍵合工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)鍵合的可靠性？A.壓力傳感器測(cè)試B.拉力測(cè)試儀C.超聲波檢測(cè)（UT）D.X射線衍射（XRD）6.在MEMS器件工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)微機(jī)械結(jié)構(gòu)的性能？A.振動(dòng)測(cè)試臺(tái)B.壓力傳感器校準(zhǔn)C.聲學(xué)顯微鏡D.熱成像儀7.在先進(jìn)封裝工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)芯片的散熱性能？A.熱成像儀B.熱阻測(cè)試儀C.功率損耗測(cè)試D.溫度循環(huán)測(cè)試8.在3DNAND存儲(chǔ)器的工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)存儲(chǔ)單元的可靠性？A.高頻信號(hào)測(cè)試（HFST）B.低頻信號(hào)測(cè)試（LFST）C.脈沖電場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試（PEST）D.熱循環(huán)測(cè)試（TCT）9.在晶圓電學(xué)均勻性測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)電學(xué)參數(shù)的穩(wěn)定性？A.四探針測(cè)試（4-PointProbe）B.二極體測(cè)試儀C.高頻阻抗分析儀D.電容電橋10.在半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，以下哪些技術(shù)能夠檢測(cè)器件的可靠性？A.雷擊測(cè)試（ESD）B.高壓擊穿測(cè)試C.溫度循環(huán)測(cè)試D.電流噪聲測(cè)試三、判斷題（每題1分，共20題）1.原子力顯微鏡（AFM）適用于檢測(cè)晶圓表面的微小缺陷。（對(duì)）2.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）適用于檢測(cè)低頻信號(hào)的傳輸損耗。（錯(cuò)）3.超聲波檢測(cè)（UT）適用于檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性。（對(duì)）4.電子背散射衍射（EBSD）適用于檢測(cè)微凸點(diǎn)的均勻性。（錯(cuò)）5.3D光學(xué)顯微鏡適用于檢測(cè)DRAM存儲(chǔ)器的時(shí)序參數(shù)。（錯(cuò)）6.高壓擊穿測(cè)試適用于檢測(cè)功率半導(dǎo)體的耐壓性能。（對(duì)）7.四探針測(cè)試（4-PointProbe）適用于檢測(cè)晶圓表面的電學(xué)均勻性。（對(duì)）8.振動(dòng)測(cè)試臺(tái)適用于檢測(cè)MEMS器件的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。（對(duì)）9.X射線應(yīng)力分析適用于檢測(cè)晶圓的機(jī)械應(yīng)力分布。（對(duì)）10.頻譜分析儀（SA）適用于檢測(cè)5G芯片的高頻信號(hào)傳輸性能。（對(duì)）11.脈沖時(shí)序測(cè)試（PST）適用于檢測(cè)DRAM存儲(chǔ)單元的可靠性。（對(duì)）12.熱成像儀適用于檢測(cè)功率半導(dǎo)體器件的熱性能。（對(duì)）13.拉力測(cè)試儀適用于檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性。（錯(cuò)）14.聲學(xué)顯微鏡適用于檢測(cè)MEMS器件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)性能。（對(duì)）15.熱阻測(cè)試儀適用于檢測(cè)先進(jìn)封裝芯片的散熱性能。（對(duì)）16.脈沖電場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試（PEST）適用于檢測(cè)3DNAND存儲(chǔ)器的可靠性。（對(duì)）17.高頻阻抗分析儀適用于檢測(cè)晶圓電學(xué)參數(shù)的穩(wěn)定性。（錯(cuò)）18.雷擊測(cè)試（ESD）適用于檢測(cè)半導(dǎo)體器件的可靠性。（對(duì)）19.電容電橋適用于檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性。（錯(cuò)）20.邏輯分析儀（LA）適用于檢測(cè)5G芯片的高頻信號(hào)傳輸性能。（錯(cuò)）四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）1.簡(jiǎn)述2026年半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，原子力顯微鏡（AFM）的主要應(yīng)用場(chǎng)景。2.解釋5G芯片工藝測(cè)試中，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）的作用及其優(yōu)勢(shì)。3.描述在3DNAND存儲(chǔ)器工藝測(cè)試中，高頻信號(hào)測(cè)試（HFST）和低頻信號(hào)測(cè)試（LFST）的區(qū)別及其應(yīng)用場(chǎng)景。4.說(shuō)明在功率半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，熱循環(huán)測(cè)試和熱成像儀的協(xié)同作用及其對(duì)器件可靠性的評(píng)估意義。五、論述題（每題10分，共2題）1.結(jié)合2026年先進(jìn)封裝工藝測(cè)試的發(fā)展趨勢(shì)，論述多種測(cè)試技術(shù)的協(xié)同應(yīng)用對(duì)提升芯片性能的意義。2.分析在晶圓電學(xué)均勻性測(cè)試中，四探針測(cè)試（4-PointProbe）和高溫電容電橋（HCC）的互補(bǔ)作用及其對(duì)半導(dǎo)體制造的影響。答案與解析一、單選題1.B.原子力顯微鏡（AFM）解析：AFM能夠檢測(cè)晶圓表面的微小缺陷，包括納米級(jí)別的凹凸和裂紋，適用于半導(dǎo)體工藝測(cè)試中的表面形貌分析。2.C.脈沖電場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試（PEST）解析：PEST技術(shù)通過(guò)施加脈沖電場(chǎng)，能夠有效評(píng)估3DNAND存儲(chǔ)器的可靠性，特別是電場(chǎng)應(yīng)力下的存儲(chǔ)單元性能。3.A.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）解析：VNA適用于檢測(cè)5G芯片的高頻信號(hào)傳輸損耗，能夠提供精確的S參數(shù)測(cè)量，評(píng)估射頻電路的性能。4.C.超聲波檢測(cè)（UT）解析：UT技術(shù)通過(guò)超聲波檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性，能夠發(fā)現(xiàn)鍵合層的空洞、裂紋等缺陷，適用于非接觸式檢測(cè)。5.A.3D光學(xué)顯微鏡解析：3D光學(xué)顯微鏡能夠檢測(cè)微凸點(diǎn)的均勻性，提供高分辨率的表面形貌圖像，適用于先進(jìn)封裝工藝測(cè)試。6.C.脈沖時(shí)序測(cè)試（PST）解析：PST技術(shù)通過(guò)施加脈沖信號(hào)，能夠精確檢測(cè)DRAM存儲(chǔ)器的時(shí)序參數(shù)，包括上升沿和下降沿時(shí)間。7.B.高壓擊穿測(cè)試解析：高壓擊穿測(cè)試能夠評(píng)估功率半導(dǎo)體器件的耐壓性能，檢測(cè)器件在高壓下的絕緣能力和擊穿電壓。8.A.四探針測(cè)試（4-PointProbe）解析：4-PointProbe技術(shù)能夠檢測(cè)晶圓表面的電學(xué)均勻性，通過(guò)測(cè)量電阻率，評(píng)估材料的電學(xué)性能。9.A.振動(dòng)測(cè)試臺(tái)解析：振動(dòng)測(cè)試臺(tái)能夠檢測(cè)MEMS器件的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，評(píng)估微機(jī)械結(jié)構(gòu)在振動(dòng)環(huán)境下的性能穩(wěn)定性。10.A.X射線應(yīng)力分析解析：X射線應(yīng)力分析能夠檢測(cè)晶圓的機(jī)械應(yīng)力分布，提供精確的應(yīng)力測(cè)量結(jié)果，適用于半導(dǎo)體工藝測(cè)試。二、多選題1.A.超聲波檢測(cè)（UT）、C.3D光學(xué)顯微鏡、D.電子背散射衍射（EBSD）解析：UT、3D光學(xué)顯微鏡和EBSD均能夠檢測(cè)先進(jìn)封裝芯片的互連可靠性，分別從聲學(xué)、光學(xué)和微觀結(jié)構(gòu)角度進(jìn)行分析。2.A.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）、B.頻譜分析儀（SA）、C.示波器（OS）解析：VNA、SA和OS均能夠評(píng)估5G芯片的高頻信號(hào)傳輸性能，分別提供S參數(shù)、頻譜和時(shí)域波形分析。3.A.脈沖時(shí)序測(cè)試（PST）、B.電流電壓（I-V）測(cè)試、C.脈沖幅度調(diào)制（PAM）測(cè)試解析：PST、I-V測(cè)試和PAM測(cè)試均能夠檢測(cè)DRAM存儲(chǔ)單元的可靠性，分別評(píng)估時(shí)序、電學(xué)和幅度性能。4.A.熱循環(huán)測(cè)試、B.熱成像儀、C.功率損耗測(cè)試解析：熱循環(huán)測(cè)試、熱成像儀和功率損耗測(cè)試均能夠檢測(cè)功率半導(dǎo)體器件的熱性能，分別評(píng)估熱穩(wěn)定性、熱分布和熱效率。5.A.壓力傳感器測(cè)試、B.拉力測(cè)試儀、C.超聲波檢測(cè)（UT）解析：壓力傳感器測(cè)試、拉力測(cè)試儀和UT均能夠檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性，分別從壓力、拉力和聲學(xué)角度進(jìn)行分析。6.A.振動(dòng)測(cè)試臺(tái)、B.壓力傳感器校準(zhǔn)、C.聲學(xué)顯微鏡解析：振動(dòng)測(cè)試臺(tái)、壓力傳感器校準(zhǔn)和聲學(xué)顯微鏡均能夠檢測(cè)MEMS器件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)性能，分別從動(dòng)態(tài)響應(yīng)、校準(zhǔn)和聲學(xué)角度進(jìn)行分析。7.A.熱成像儀、B.熱阻測(cè)試儀、C.功率損耗測(cè)試解析：熱成像儀、熱阻測(cè)試儀和功率損耗測(cè)試均能夠檢測(cè)先進(jìn)封裝芯片的散熱性能，分別評(píng)估熱分布、熱阻和熱效率。8.A.高頻信號(hào)測(cè)試（HFST）、B.低頻信號(hào)測(cè)試（LFST）、C.脈沖電場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試（PEST）解析：HFST、LFST和PEST均能夠檢測(cè)3DNAND存儲(chǔ)器的可靠性，分別評(píng)估高頻、低頻和電場(chǎng)應(yīng)力下的性能。9.A.四探針測(cè)試（4-PointProbe）、B.二極體測(cè)試儀、C.高頻阻抗分析儀解析：4-PointProbe、二極體測(cè)試儀和高頻阻抗分析儀均能夠檢測(cè)晶圓電學(xué)參數(shù)的穩(wěn)定性，分別評(píng)估電阻率、二極體特性和阻抗特性。10.A.雷擊測(cè)試（ESD）、B.高壓擊穿測(cè)試、C.溫度循環(huán)測(cè)試、D.電流噪聲測(cè)試解析：ESD、高壓擊穿測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試和電流噪聲測(cè)試均能夠檢測(cè)半導(dǎo)體器件的可靠性，分別評(píng)估抗靜電、耐壓、熱穩(wěn)定性和噪聲性能。三、判斷題1.對(duì)解析：AFM能夠檢測(cè)晶圓表面的微小缺陷，包括納米級(jí)別的凹凸和裂紋，適用于半導(dǎo)體工藝測(cè)試中的表面形貌分析。2.錯(cuò)解析：VNA適用于檢測(cè)高頻信號(hào)的傳輸損耗，而非低頻信號(hào)，其原理基于射頻電路的S參數(shù)測(cè)量。3.對(duì)解析：UT技術(shù)通過(guò)超聲波檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性，能夠發(fā)現(xiàn)鍵合層的空洞、裂紋等缺陷，適用于非接觸式檢測(cè)。4.錯(cuò)解析：EBSD主要用于檢測(cè)材料的微觀結(jié)構(gòu)，如晶粒取向和相分布，不適用于檢測(cè)微凸點(diǎn)的均勻性。5.錯(cuò)解析：3D光學(xué)顯微鏡主要用于檢測(cè)表面形貌，而DRAM存儲(chǔ)器的時(shí)序參數(shù)需要通過(guò)專(zhuān)門(mén)的時(shí)序測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)量。6.對(duì)解析：高壓擊穿測(cè)試能夠評(píng)估功率半導(dǎo)體器件的耐壓性能，檢測(cè)器件在高壓下的絕緣能力和擊穿電壓。7.對(duì)解析：4-PointProbe技術(shù)能夠檢測(cè)晶圓表面的電學(xué)均勻性，通過(guò)測(cè)量電阻率，評(píng)估材料的電學(xué)性能。8.對(duì)解析：振動(dòng)測(cè)試臺(tái)能夠檢測(cè)MEMS器件的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，評(píng)估微機(jī)械結(jié)構(gòu)在振動(dòng)環(huán)境下的性能穩(wěn)定性。9.對(duì)解析：X射線應(yīng)力分析能夠檢測(cè)晶圓的機(jī)械應(yīng)力分布，提供精確的應(yīng)力測(cè)量結(jié)果，適用于半導(dǎo)體工藝測(cè)試。10.對(duì)解析：SA適用于檢測(cè)5G芯片的高頻信號(hào)傳輸性能，能夠提供頻譜分析，評(píng)估信號(hào)的頻率成分和強(qiáng)度。11.對(duì)解析：PST技術(shù)通過(guò)施加脈沖信號(hào)，能夠精確檢測(cè)DRAM存儲(chǔ)器的時(shí)序參數(shù)，包括上升沿和下降沿時(shí)間。12.對(duì)解析：熱成像儀能夠檢測(cè)功率半導(dǎo)體器件的熱性能，提供熱分布圖像，評(píng)估器件的散熱效果。13.錯(cuò)解析：拉力測(cè)試儀主要用于檢測(cè)鍵合層的機(jī)械強(qiáng)度，而非鍵合的可靠性，超聲波檢測(cè)更適用于可靠性評(píng)估。14.對(duì)解析：聲學(xué)顯微鏡能夠檢測(cè)MEMS器件的微機(jī)械結(jié)構(gòu)性能，通過(guò)超聲波檢測(cè)微結(jié)構(gòu)的振動(dòng)和缺陷。15.對(duì)解析：熱阻測(cè)試儀能夠檢測(cè)先進(jìn)封裝芯片的散熱性能，評(píng)估芯片的熱阻和散熱效率。16.對(duì)解析：PEST技術(shù)通過(guò)施加脈沖電場(chǎng)，能夠有效評(píng)估3DNAND存儲(chǔ)器的可靠性，特別是電場(chǎng)應(yīng)力下的存儲(chǔ)單元性能。17.錯(cuò)解析：高頻阻抗分析儀主要用于測(cè)量高頻電路的阻抗特性，不適用于檢測(cè)晶圓電學(xué)參數(shù)的穩(wěn)定性。18.對(duì)解析：ESD測(cè)試能夠評(píng)估半導(dǎo)體器件的抗靜電能力，檢測(cè)器件在靜電放電下的損傷情況。19.錯(cuò)解析：電容電橋主要用于測(cè)量電容值，不適用于檢測(cè)晶圓鍵合的可靠性。20.錯(cuò)解析：邏輯分析儀主要用于測(cè)量數(shù)字信號(hào)的時(shí)序和邏輯狀態(tài)，不適用于檢測(cè)5G芯片的高頻信號(hào)傳輸性能。四、簡(jiǎn)答題1.原子力顯微鏡（AFM）的主要應(yīng)用場(chǎng)景AFM在2026年半導(dǎo)體工藝測(cè)試中的主要應(yīng)用場(chǎng)景包括：-晶圓表面缺陷檢測(cè)：檢測(cè)納米級(jí)別的凹凸、裂紋、顆粒等缺陷，為工藝優(yōu)化提供依據(jù)。-材料形貌分析：評(píng)估薄膜、多層結(jié)構(gòu)等材料的表面形貌，確保材料質(zhì)量。-微機(jī)械結(jié)構(gòu)表征：檢測(cè)MEMS器件的微結(jié)構(gòu)形貌，評(píng)估其制造精度和性能。-電學(xué)特性測(cè)量：結(jié)合導(dǎo)電AFM，檢測(cè)表面電學(xué)性質(zhì)，評(píng)估器件的電學(xué)性能。2.矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）的作用及其優(yōu)勢(shì)VNA在5G芯片工藝測(cè)試中的作用是測(cè)量射頻電路的S參數(shù)，評(píng)估其傳輸和反射特性。優(yōu)勢(shì)包括：-高頻性能：支持高達(dá)THz級(jí)別的頻率測(cè)量，滿(mǎn)足5G芯片的高頻需求。-精度高：提供精確的S參數(shù)測(cè)量結(jié)果，確保電路性能的可靠性。-功能豐富：支持多種測(cè)量模式，如S1P、S2P等，滿(mǎn)足不同測(cè)試需求。-自動(dòng)化測(cè)試：可集成到自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)中，提高測(cè)試效率。3.3DNAND存儲(chǔ)器工藝測(cè)試中，高頻信號(hào)測(cè)試（HFST）和低頻信號(hào)測(cè)試（LFST）的區(qū)別及其應(yīng)用場(chǎng)景HFST和LFST的區(qū)別在于測(cè)試頻率和目的：-HFST：測(cè)試頻率高達(dá)GHz級(jí)別，評(píng)估存儲(chǔ)單元在高頻信號(hào)下的性能，如頻率響應(yīng)、噪聲特性等，適用于3DNAND存儲(chǔ)器的動(dòng)態(tài)性能測(cè)試。-LFST：測(cè)試頻率較低，評(píng)估存儲(chǔ)單元的低頻特性，如時(shí)序參數(shù)、電荷保持時(shí)間等，適用于基礎(chǔ)性能測(cè)試。應(yīng)用場(chǎng)景：HFST用于評(píng)估3DNAND存儲(chǔ)器在高頻應(yīng)用下的可靠性，如高速讀寫(xiě)場(chǎng)景；LFST用于基礎(chǔ)性能測(cè)試，確保存儲(chǔ)器的基本功能。4.功率半導(dǎo)體工藝測(cè)試中，熱循環(huán)測(cè)試和熱成像儀的協(xié)同作用及其對(duì)器件可靠性的評(píng)估意義熱循環(huán)測(cè)試和熱成像儀的協(xié)同作用體現(xiàn)在：-熱循環(huán)測(cè)試：通過(guò)反復(fù)的溫度變化，評(píng)估器件的熱穩(wěn)定性和機(jī)械應(yīng)力，檢測(cè)潛在的故障點(diǎn)。-熱成像儀：實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)器件在不同溫度下的熱分布，提供直觀的熱成像圖像，幫助識(shí)別熱熱點(diǎn)和散熱問(wèn)題。協(xié)同作用：通過(guò)熱循環(huán)測(cè)試和熱成像儀的聯(lián)合使用，可以全面評(píng)估功率半導(dǎo)體器件的熱性能和可靠性，確保器件在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和壽命。五、論述題1.結(jié)合2026年先進(jìn)封裝工藝測(cè)試的發(fā)展趨勢(shì)，論述多種測(cè)試技術(shù)的協(xié)同應(yīng)用對(duì)提升芯片性能的意義2026年先進(jìn)封裝工藝測(cè)試的發(fā)展趨勢(shì)表明，多種測(cè)試技術(shù)的協(xié)同應(yīng)用對(duì)提升芯片性能具有重要意義：-多技術(shù)融合：通過(guò)結(jié)合超聲波檢測(cè)