EMC實(shí)驗(yàn)室規(guī)劃與設(shè)計

要建好一個EMC實(shí)驗(yàn)室，作好規(guī)劃設(shè)計就是首要得。規(guī)劃設(shè)計包括哪些內(nèi)

容呢?怎樣才算一個好得規(guī)劃設(shè)計呢?建設(shè)一個EMC實(shí)驗(yàn)室耗資高昂，建成后改

動困難,因此動工之前要全面考慮好。通常規(guī)劃設(shè)計包括：

a）確定EMC實(shí)驗(yàn)室得任務(wù)范圍:EMC得研究、實(shí)驗(yàn)范圍非常廣,從印制電路

板（PCB）,到單機(jī)設(shè)計，到系統(tǒng)。從任務(wù)性質(zhì)瞧，有完成鑒定實(shí)驗(yàn)得，或完成生

產(chǎn)與科研中得預(yù)測試得，有執(zhí)行軍標(biāo)得，有執(zhí)行民標(biāo)得；

b）確定實(shí)驗(yàn)室得主要技術(shù)指標(biāo):不同得技術(shù)指標(biāo)所需采用得測量系統(tǒng)與實(shí)驗(yàn)

設(shè)施大不一樣,經(jīng)費(fèi)懸殊很大,因此技術(shù)指標(biāo)要提得恰當(dāng)，并非愈高愈好；

c）確定最佳效費(fèi)比得實(shí)施方案；

d）確定先進(jìn)合理得關(guān)鍵技術(shù)措施。

一個成功得規(guī)劃設(shè)計應(yīng)該就是能滿足當(dāng)前與以后較長時期內(nèi)所研制與檢測

得實(shí)驗(yàn)任務(wù)；能在完成主要得功能得同時，兼顧其她功能;花費(fèi)得經(jīng)費(fèi)合理;實(shí)驗(yàn)

室技術(shù)指標(biāo)有先進(jìn)性,前瞻性與可擴(kuò)展性。

EMC實(shí)驗(yàn)室中屏蔽半暗室就是最主要得組成單元,它得性能影響整個EMC

實(shí)驗(yàn)室得主要技術(shù)指標(biāo)，所需得費(fèi)用占整個EMC實(shí)驗(yàn)室得較大比重，因此本章討

論得重點(diǎn)放在屏蔽半暗室上，第2節(jié)詳述屏蔽半暗室得分析與論證,第3節(jié)討論

屏蔽半暗室得整體設(shè)計。在第1節(jié)中為了清晰說明EMC實(shí)驗(yàn)室總體布局設(shè)計得要

點(diǎn),就是以一個10M得EMC實(shí)驗(yàn)室為例子來闡述得。

1EMC實(shí)驗(yàn)室總體布局設(shè)計

1.1EMC實(shí)驗(yàn)室得組成

EMC實(shí)驗(yàn)室得組成見圖1,通常包括以下幾個單元：

a）屏蔽半暗室

為一屏蔽室,其天花板及4個側(cè)壁鋪有吸波材料,地板為導(dǎo)電面。主要用于進(jìn)

行輻射發(fā)射（RE）實(shí)驗(yàn)與輻射敏感度（RS）實(shí)驗(yàn)。

b）傳導(dǎo)測試室

為一屏蔽室，主要用于進(jìn)行傳導(dǎo)發(fā)射（CE）與傳導(dǎo)敏感度（CS）實(shí)驗(yàn)。

c）控制室

為一屏蔽室,放置EMT與EMS測試系統(tǒng)。

d）功放室

為一屏蔽室,放置RS測量系統(tǒng)得功率放大器。

e）配電室

為上述a）—d）提供電源。

f）通風(fēng)空調(diào)系統(tǒng)

為上述a）—d）提供通風(fēng)及溫度控制。

g）火情自動報警系統(tǒng)及消防設(shè)施

為上述a）—d）提供火情報警及消防設(shè)施。

h）電視監(jiān)控系統(tǒng)

為屏蔽半暗室提供電視監(jiān)控與實(shí)驗(yàn)現(xiàn)場得錄像功能，兼有火情監(jiān)測功能。

i）負(fù)載室

為放置受試發(fā)射機(jī)等效負(fù)載或其她相連設(shè)備得屏蔽室。

1、2設(shè)備尺寸

表1為EMC實(shí)驗(yàn)室典型測試設(shè)備得外形尺寸。

表1設(shè)備尺寸表

序設(shè)備尺寸，m所在

a名稱（深/長X寬X高）位置

1轉(zhuǎn)臺由EUT尺寸決定屏蔽半暗室

2電視監(jiān)測系統(tǒng)攝像機(jī)0.3x0.2x0.2屏蔽半暗室

3火情報警探頭屏蔽半暗室

4天線升降架1.2x0.7x3.8屏蔽半暗室

5CS測量系統(tǒng)0.5x0.5x1.2（機(jī)柜）2個傳導(dǎo)測試室

6工作臺傳導(dǎo)測試室

7火情報瞥探頭1x3x0.8傳導(dǎo)測試室

8RS測量系統(tǒng)0.5x0.5x1.2（機(jī)柜）2個控制室

9EMS計算機(jī)控制室

10EMI測量系統(tǒng)0.5x0.5x1.2（機(jī)柜）1個控制室

11EMI計算機(jī)控制室

12火情自動報警系統(tǒng)0.5x0,5x0.4控制室

顯控器

13電視監(jiān)測顯控器0.5x0.5x0.4控制室

14UPS電源0.5x0.5x0.4控制室

15轉(zhuǎn)臺顯控器控制室

161GHZ以下功放0.5x0.5x1.2（機(jī)柜）1個功放室

17火情報警探頭功放室

1.3布局圖

圖2為EMC實(shí)驗(yàn)室四個組成部分得布局得一種可能方案（10m法暗室），將

屏蔽半喑室、控制室與功放室相鄰布置有利于縮短信號連線長度，減少電纜衰

減。將傳導(dǎo)測試室布置在控制室另一側(cè)也就是為了縮短信號線長度，同時使受

試設(shè)備從半暗室轉(zhuǎn)送到傳導(dǎo)測試室得距離不要過長。

圖3為屏蔽半暗室內(nèi)得設(shè)備布置圖。此暗室按10m法暗室在天花板與4個側(cè)

壁鋪0、6m高得寬帶復(fù)合型吸波材料。

19m

屏蔽半暗室

5.5m2.5m

■I—.

功

控

制室

放

室

傳導(dǎo)測試室4m

8m

圖2總布置圖（平面圖）

在圖中離左側(cè)壁5m放置轉(zhuǎn)臺，受試設(shè)備實(shí)驗(yàn)時放在轉(zhuǎn)臺上。在暗室中軸線上

距轉(zhuǎn)臺?定距高放置接收天線（輻射發(fā)射測試時）或發(fā)射天線（輻射敏感度測試

時）。根據(jù)受試設(shè)備尺寸與測試標(biāo)準(zhǔn)（軍標(biāo)或民標(biāo)），按表2選取收發(fā)距離。也就就

是說，天線可能離受試設(shè)備1m或3m或10m。

小CVVVVVVVVVX/VX/

大gy

圖3屏蔽半暗室設(shè)備布置圖

注：圖中得序號請參見表1?！鯙樾盘栟D(zhuǎn)接室。

表2收發(fā)距離得選取

''一一一一一一收發(fā)距離.m貫徹的標(biāo)準(zhǔn)

被測設(shè)備橫向尺寸，『一-一一一國軍標(biāo)GJB152A國標(biāo)

<1.213

21.2110

屏蔽半暗室設(shè)置兩個門：大門在圖中左下方，其寬度與高度按EUR最大尺寸

決定，小門在圖中左邊,高21nx寬1%在圖中下方中部與右部各設(shè)有一個信號轉(zhuǎn)

換窗口，分別與控制室、功放室相連。在喑室天花板上設(shè)有6個高帽式燈箱，供

暗室照明用。在圖中上邊與下邊得側(cè)壁設(shè)有進(jìn)風(fēng)口與回風(fēng)口。暗室地板為雙層結(jié)

構(gòu),下層與四壁連成屏蔽殼體，上層為暗室得導(dǎo)電地平面,兩層間隔0、3m,其間敷

設(shè)電源線、信號線與轉(zhuǎn)臺。地平面開有9個孔口，設(shè)有高頻插座板，供天線射頻

電纜連接,并有電源插座。

圖4為傳導(dǎo)測試室得設(shè)備布置圖。圖中右上方放置傳導(dǎo)敏感度（CS）測試系統(tǒng)得

兩個19”機(jī)柜，其左面放置測試，作臺（寬3m,深1叫高0、80桌面鋪鋁板或

黃銅板，厚2mm,用銅箔與屏蔽室側(cè)壁搭接,搭接電阻小于10m。）。圖中左邊設(shè)

有一個門，下邊開有60cmX60cm得窗口，窗口四周框邊用20mm厚得銅板制成，

開有導(dǎo)電密封襯墊槽，供測量電磁屏蔽材料與部件得屏蔽效能用，也可供測量

通風(fēng)截止波導(dǎo)窗得屏蔽效能與電源、信號濾波器得插入損耗與屏蔽效能用。平時

用蓋板蓋上，保持屏蔽室得電磁密封。蓋板與窗口邊框用螺釘固定，邊框上得螺

孔為盲孔,深度10mm左右。圖中上方右邊設(shè)有一個信號轉(zhuǎn)接窗口，與控制室相連。

圖中左方與右方頂壁上設(shè)有進(jìn)風(fēng)口與回風(fēng)口。

進(jìn)測試工作臺⑥⑤⑤

風(fēng)CS測試系統(tǒng)

□

門

測試窗

ME-

圖4傳導(dǎo)測試室設(shè)備布置圖（俯視圖）

????????——。?*

［注］此窗口用于屏蔽材料及屏蔽部件的屏蔽效能測試用，是選件,不是傳導(dǎo)測試室必需有的;

注:圖中的序號請參見表L

困5控制室設(shè)備布置圖（俯視圖）

注:圖中的序號請參見表Ie（ZZN）表示信號轉(zhuǎn)接窗

圖5為控制室內(nèi)得設(shè)備布置平面圖。圖中左側(cè)壁開一個門，高2m寬1明供進(jìn)

出用，右側(cè)壁開一個門，高2nl寬1叱供進(jìn)入功放室用。圖中上方右邊放置RS測

量系統(tǒng),其左邊放置EMS系統(tǒng)計算機(jī)，上邊右邊放置EMI測量系統(tǒng),其右邊放置

EMI系統(tǒng)計算機(jī),在兩個計算機(jī)之間放置電視監(jiān)測顯控器與轉(zhuǎn)臺顯控器、火情自

動報警顯控器。它們均布置在一個高0、3nl寬21n深0、8m得臺面上，臺面左方

放置UPS電源。在EM1系統(tǒng)與EMS系統(tǒng)計算機(jī)前各設(shè)一個操作員椅。圖中上

邊左角設(shè)一個信號轉(zhuǎn)接窗與暗室相連，右側(cè)璧上方設(shè)一個信號轉(zhuǎn)接窗與功放室

相連，下方右側(cè)設(shè)一個信號轉(zhuǎn)接窗與傳導(dǎo)測試室相連。左下方與右上方頂壁各設(shè)

進(jìn)風(fēng)口與回風(fēng)口。

圖6功放室設(shè)備布置圖（俺視圖）

圖6為功放室內(nèi)得設(shè)備布置平面圖。圖中右側(cè)壁放置.1GHZ以下得放大器，

右上角設(shè)一個信號轉(zhuǎn)接窗與暗室相通，上方側(cè)壁右邊設(shè)一個信號轉(zhuǎn)換窗與控制

室相通。上方側(cè)壁左邊有一個門與控制室相通。下方側(cè)壁與上方頂壁開有進(jìn)風(fēng)口

與回風(fēng)口。

1.4電氣連接

L4、1射頻信號與控制信號連接

EMC實(shí)驗(yàn)室包括四個部分,測量設(shè)備分布在傳導(dǎo)測試室、控制室與功放

室,EUT在半暗室與傳導(dǎo)測試室,在這4個組成部分之間有大量得射頻信號電纜

與控制信號電纜相互連接并穿過各屏蔽室，因此有兩點(diǎn)需要考慮:一就是穿過屏

蔽室時不要降低或破壞屏蔽效能,二就是在電纜穿過屏蔽室前加濾波器。具體設(shè)

計在后面得1.7中詳述。

EMC實(shí)驗(yàn)室四部分之間得信號連接總圖如圖7所示。

圖8單獨(dú)示出頻率為IGHZ以下得RS測量得信號連接「

圖9示出頻率為1G1IZ以上得RS測量得信號連接,移動機(jī)架上放置兩個機(jī)柜,

包括1GHZ以上得信號源、功率放大器、功率計，天線在機(jī)柜背面得支架上，這樣

可使她們之間得射頻衰減值減到最小,并可方便地按EUT得大小移動到所需位置。

圖10示出所有頻率時RE測量得信號連接。在按軍標(biāo)測量時;天線高EUT1

m遠(yuǎn);按民標(biāo)測量時,EIT橫向尺寸＜1.2m時采用3nl法,天線高EUT3m遠(yuǎn)，當(dāng)EUT

橫向尺寸＞1.2m時采用10m法，天線離EUTlOm遠(yuǎn)，這三種情況分別通過暗室地

板上中軸線上距轉(zhuǎn)臺不同距離得信號轉(zhuǎn)接窗內(nèi)得高頻插座來連接接收天線。

圖11示出CE測量得信號連。

圖12示出CS測量得信號連接。

圖13示出火情自動報警系統(tǒng)得信號連接。

國14示出電視監(jiān)測系統(tǒng)得信號連接。

EMC實(shí)驗(yàn)室四個組成部分得信號通道明細(xì)表詳見1.7節(jié)。

圖7EMC實(shí)驍室信號連接總圖

圖81GHz以下的RS測量信號連接

-1is

控制支

圖91GHz以上RS測量信號連接

圖10RE測量的信號連接

傳導(dǎo)測試宣

J

EVT=-----E3

-----'?地平?

圖11CE測量的信號連接

圖12CS測量的信號連接

煙弘展去（&b>屏藪半ai立

口口,口

,i

d1今片

傳導(dǎo)測狀宣

圖13火情目動報警系統(tǒng)的信號注接

1.4.2電源連接

EMC實(shí)驗(yàn)室得供電配電間內(nèi)得50Hz、400IIz與直流電源,通過四個屏蔽

室得電源濾波器（其位置見圖7）送至EMC實(shí)驗(yàn)室得四個組成部分。電源連接見圖

15o

投制室

墻墻

傳導(dǎo)測試亶

功故室

圖15電源連接圖

1.5轉(zhuǎn)臺

在EMC測量得RE測試中，要求EUT最大輻射發(fā)射方向?qū)?zhǔn)測量天線，因此需

要將EUT放在轉(zhuǎn)臺匕作360°方位轉(zhuǎn)動。

1.5.1轉(zhuǎn)臺得技術(shù)要求

根據(jù)暗室得功能要求,對轉(zhuǎn)臺得技術(shù)要求如下表:

轉(zhuǎn)臺得轉(zhuǎn)速設(shè)定應(yīng)與EMI測試系統(tǒng)軟件一致。為了使轉(zhuǎn)臺回到初試位置，

將轉(zhuǎn)速調(diào)到高速可以節(jié)省時間。轉(zhuǎn)速得控制與位置指示均在控制室,但為了在調(diào)

整時便于室內(nèi)人員得操縱，使用手持遙控器就是很方便得,它用軟線與控制室內(nèi)

得轉(zhuǎn)臺顯控器相連。轉(zhuǎn)臺臺面中央孔用于受試設(shè)備電源線、信號線得進(jìn)入。

1.5、2轉(zhuǎn)臺結(jié)構(gòu)

圖16就是一種轉(zhuǎn)臺得結(jié)構(gòu)示意圖。

圖16—和轉(zhuǎn)臺的結(jié)構(gòu)示意圖

1、6屏蔽門

EMC實(shí)驗(yàn)室得各個屏蔽室屏蔽效能主要決定于屏蔽門得設(shè)計與加工。根據(jù)

不同得使用要求，國內(nèi)外得屏蔽門可以歸納為以下幾類：

a）插刀簧片式屏蔽門

圖17為單刀雙簧，圖18為雙刀四簧。

2-壓片

3-壓片螺釘

4-門骨明

5一門扇

6-導(dǎo)電槽膠

圖17屏蔽室插刀黃片式屏蔽門結(jié)構(gòu)示意圖（單刀雙簧）

「，二__,（_「匚二

皆庾D面

廠口門廠,,

D宏工g-D

圖18屏蔽室插刀簧片式屏蔽門結(jié)構(gòu)示意圖《雙刀四簧）

3

門間隙48所

1-Z形彈簧4-門扇

2-緊固螺釘

3-門骨架

圖19屏蔽室黃片式屏蔽門結(jié)構(gòu)示意圖《Z形黃片》

簧片多數(shù)為指形簧片，由薄得青銅片模壓成形，并熱處理。也有采用Z形簧

片得（如圖19）c

門得運(yùn)動方式有旋軸式與平移直插式。一般寬度在1、2m以下得多為旋軸式,2m

以上寬度得多為平移直插式，寬度在1、2m-2m得常采用雙扇旋軸式（如圖20所

示），其中左扇使用中大多處在鎖定狀態(tài)，當(dāng)需通過大得設(shè)備時才打開。

門得旋轉(zhuǎn)有手動與電動兩種（極少情況下有采用氣動或液壓）。

b）氣囊式屏蔽門

此類門均為平移門，到位后氣囊由氣壓機(jī)充氣,氣囊膨脹，推動簧片緊壓在門得四

周，形成電磁密封。參見圖21。各種尺寸得門均可采用氣囊式屏蔽門。

1、7信號通道布置與轉(zhuǎn)接窗設(shè)計

1.7、1信號通道布置

1.7、1.1屏蔽半暗室信號通道明細(xì)表

表4屏蔽半暗室信號通道明細(xì)表

俘

a通道名稱用途起點(diǎn)/終點(diǎn)

a）控制轉(zhuǎn)臺轉(zhuǎn)速、轉(zhuǎn)向、起始角度暗室/

轉(zhuǎn)臺位置監(jiān)

1b）接收轉(zhuǎn)臺發(fā)出的角度指示控制室

控

c）與暗室內(nèi)手持遙控器的連接

電視監(jiān)測系a）控制攝像頭調(diào)焦和云臺轉(zhuǎn)角暗室/

2

統(tǒng)b）接收攝像頭發(fā)出的視頻信號控制室

接收溫感探頭和煙感探頭發(fā)出的火情報暗室/

3火情報譽(yù)

警信號控制室

EMI系統(tǒng)數(shù)將接收天線收到的信號傳送EMI自動測量暗室/

4

據(jù)系統(tǒng)控制室

EMS系統(tǒng)控暗室內(nèi)的EMS測量儀接受控制室的計算機(jī)暗室/

5

制控制控制室

EMS系統(tǒng)接收功放室內(nèi)1GHZ以下放大器輸出的射暗室/

61GHZ以下射頻信號功放室

頻信號

受試設(shè)備與部分的受試設(shè)備或系統(tǒng)有些信號線需連暗室/

7暗室外的信接到暗室外部暗室外

號連接

1.7,1.2傳導(dǎo)測試室信號通道明細(xì)表

表5傳導(dǎo)泅試室信號通道明細(xì)表

序

號通道名稱用途起點(diǎn)/終點(diǎn)

EMS系統(tǒng)控將控制室EMS系統(tǒng)計算機(jī)發(fā)出的控制信號控制室/

1

制送到傳導(dǎo)測試室內(nèi)的CS測量儀器傳導(dǎo)測試室

EMI系統(tǒng)控將控制室EMI系統(tǒng)計算機(jī)發(fā)出的控制信號控制室/

2

制送到傳導(dǎo)測試室傳導(dǎo)測試室

將移動攝像頭的視頻信號發(fā)送到控制室傳導(dǎo)測試室/

3電視監(jiān)測

的電視監(jiān)測系統(tǒng)顯控器控制室

將傳導(dǎo)測試室的溫感和煙感探頭發(fā)出的傳導(dǎo)測試室/

4火情報警

火情報警信號送到控制室控制室

1.7、1、3控制室信號通道明細(xì)表

1.7.1.4功放室信號通道明細(xì)表

表7功放室信號通道明細(xì)表

序

通道名稱用途起點(diǎn)/終點(diǎn)

號

耨攝像頭發(fā)出的視頻信號送

1電視監(jiān)測同表6的通道27)

至控制室

將溫感和煙感探頭信號送至

2火情報警同表6的通道3-1)

控制室

接收由控制室EMS系統(tǒng)計算

3EMS系統(tǒng)控制同表6的通道1

機(jī)發(fā)出的控制信號

1、7、2轉(zhuǎn)接窗設(shè)計

1、7、2.1信號電纜得轉(zhuǎn)接

第一種形式就是螺釘固定得轉(zhuǎn)接窗口，在屏蔽室壁上得信號轉(zhuǎn)接窗口按圖2

2所示安裝雙層轉(zhuǎn)接板,在板上按需要布置若干個雙陰直通射頻插庫。

為了直通雙陰插座固定時不要轉(zhuǎn)動,在雙層轉(zhuǎn)接板上鉆得孔中，有一個板上

為為"形。

上述轉(zhuǎn)接板在有得要求屏蔽效能低得場合，也可只用單層。另外圖22為安

裝在側(cè)壁時得場合，此種結(jié)構(gòu)也適用于在地板下得安裝，如圖23所示。

第二種形式為焊接得轉(zhuǎn)接窗口，如圖24所示，窗口轉(zhuǎn)接板(單層)尺寸為60

0mm寬、300mm高,對于在屏蔽室設(shè)計時己確定得射頻插座與光纖插座、總線插

座，可布置在窗口板得左邊與中部，在右邊留出一個矩形孔口，有蓋板固定，作

為將來可能增加插座得預(yù)留安裝板,蓋板在將來可按需要打孔,打完孔可方便地

安裝好插座后再固定到轉(zhuǎn)換板上。轉(zhuǎn)換板與屏蔽室側(cè)壁采用連續(xù)焊接。

Iflll

is

-0

動的03?

圖24側(cè)壁上的信號轉(zhuǎn)接日

1.7、2、2多芯電纜得轉(zhuǎn)接

a)采用寬頻帶高性能信號濾波器

對于要求高插入損耗得濾波器，可選用國內(nèi)已研制成功得寬頻帶信號濾波器,

其技術(shù)指標(biāo)如下表所示：

頻率范圍：在14kHz-40GHz插入損耗NIOOdB

帶內(nèi)衰減：<05dB

耐壓：600VAC

環(huán)境溫度：一20C?*40C

b)采用圓形多芯流波連接器

對于在屏蔽室之間得信號轉(zhuǎn)接，當(dāng)要求插入損耗不太高時,可采用圓形多芯濾波

連接器，其插損如下：

頻率0.1MH；1MH；10MH；lOOMIz500MH；1GHz

插損3dB22dB40dB41d341dB41dB

其外形如圖25。

圖25圓形多芯濾波連接器

1.7、2.3采用多線濾波陣列板

當(dāng)要求插入損耗不太高時，也可采用多線濾波陣列板,其插損如下:

頻率0.1MH，1MHz10MH；100MH,1GHz10GHz

插損—1dB16dB36dB41dB68dB

1.7、3信號轉(zhuǎn)接窗得位置選擇

考慮到屏蔽半暗室四個側(cè)壁都鋪有吸波材料，與其它三個屏蔽室得信號連線數(shù)

量多，因此國內(nèi)外得屏蔽半暗室都采用架空地板得結(jié)構(gòu)形式，這些信號線及電源

線都鋪設(shè)在架空地板得下面,通過若干個窗口引到地板上面來,不用時這些窗口

用蓋板蓋上，因此暗室地板上很干凈，瞧不到許多電纜。

至于傳導(dǎo)測試室、控制室、功放室，就不必采用架空地板得形式，它們之間信號

轉(zhuǎn)換得窗就是設(shè)置在屏蔽室得側(cè)壁上,它們與暗室得信號轉(zhuǎn)接窗也就是在其側(cè)壁

上,但處在暗室架空地板下得側(cè)壁上,如圖26所示。

圖26喑室、控制室和傳導(dǎo)測試室信號轉(zhuǎn)接示意圖

1.7、4信號線貫通箱

不少場合希望信號線纜在通過屏蔽室時不要斷開，此時可采用信

號線貫通箱得設(shè)計，它可避免外部干擾隨信號線纜帶入屏蔽室內(nèi)部，

同時還能保證屏蔽室屏蔽效能不降低。

2屏蔽半暗室得分析與論證

2.1概述

在EMC測試與試驗(yàn)中，屏蔽半暗室就是一項必不可少得設(shè)施。對一個設(shè)

備或系統(tǒng)進(jìn)行輻射發(fā)射(RE)與輻射敏感度(RS)試驗(yàn)時，以前還可以在開闊試

驗(yàn)場(OATS)上進(jìn)行,近30年來隨著環(huán)境電磁噪聲強(qiáng)度與密度得不斷增加，很難

找到符合標(biāo)準(zhǔn)要求得OATS。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求,環(huán)境電磁噪聲電平應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)RE界限

值6dB以下才不至產(chǎn)生明顯得測量誤差。國此,不要說一個EMC實(shí)驗(yàn)室或研究

中心，就就是一般得電子電器設(shè)備制造廠要對其產(chǎn)品進(jìn)行EMC得預(yù)測試,也都

需建屏蔽半暗室。

軍用EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定RE與RS試驗(yàn)就是在距被測設(shè)備（EUT）]m遠(yuǎn)處，國此對

屏蔽半暗室只要求在屏蔽室局部鋪設(shè)吸波材料（見圖27）,而且對吸收波材料得

反射損耗（反射系數(shù)）得要求也較低。（見表8）

。鼻的上面、中■”對一■./

圖27按GJB152A要求的吸波材料安蕓圖

民用EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定RE測試就是在距EUT3m或10m或30nl遠(yuǎn)處,而且規(guī)定了

暗室歸一化場地衰減（NSA）與OATS理論值得偏差不大于±4dB。對RS測試，

要求在EUT所在處垂直面上場（75%采樣點(diǎn)）得不均勻度小于0~6dBo頻參范

圍上,軍標(biāo)對吸波材料得低端就是80MHz,民標(biāo)對RE得NSA要求低端就是3

0MHz,RS得場均勻度要求低端就是26MHz。國此，總得說來，民標(biāo)對暗室得吸波材

料得要求比軍標(biāo)要嚴(yán)得多。

由于建造一個暗室要考慮到如何充分發(fā)揮其作用，而且軍品與民品得定位

也不就是一成不變得，一些軍品以后也可能會進(jìn)入民品市場，因此也需要符合民

用EMC標(biāo)準(zhǔn),再說今后一個單位，即或以軍品為主,也會逐漸拓寬到民品范圍，

就算自己不生產(chǎn)民品，也可能需為其她單位得民品作測試，因此目前國內(nèi)凡新建

EMC暗室得，都兼顧軍、民標(biāo)準(zhǔn)要求。

2、2暗室功能

暗室功能如下：

1）按國軍標(biāo)GJB152A《軍用設(shè)備與分系統(tǒng)電磁發(fā)射與敏感度測量》進(jìn)行

產(chǎn)品EMC檢測,EMC故障診斷及排除故障試驗(yàn);

2）按國軍標(biāo)GJB1386-92《系統(tǒng)電磁兼容性要求》對電子電氣系統(tǒng)進(jìn)行

EMC試驗(yàn)，故障診斷及排故試驗(yàn)；

3）為EMC研究提供一個理想得實(shí)驗(yàn)環(huán)境；

4）按EMC國標(biāo)對民用產(chǎn)品進(jìn)行EMC檢測。

（注）這里所說得暗室均指屏蔽半暗室，即在屏蔽殼體內(nèi)得天花板與四個側(cè)

壁鋪吸波材料，地平而不鋪吸波材料，這樣可與OATS等效,在軍、民用EMC標(biāo)準(zhǔn)

中均規(guī)定就是屏敝半暗室，這主要就是由于以前得EMC標(biāo)準(zhǔn)制訂就是以O(shè)ATS為

基礎(chǔ)得，采用半暗室后有繼承性。至于用作天線測量、RCS測量、仿真試驗(yàn)、

天線罩測量得暗室均為全暗室,包括地板在內(nèi)得六個面均鋪吸波材料，以等效自

由空間。

2.3主要技術(shù)指標(biāo)

1）頻率范國

由需貫徹得軍標(biāo)或民標(biāo)得要求決定

2）暗室靜區(qū)性能

a）靜區(qū)尺寸

以轉(zhuǎn)臺旋轉(zhuǎn)軸為軸線，一定直徑（取決受試件大小）得圓柱體。

b）在30MHz-18GHz頻率范圍內(nèi)，暗室靜區(qū)得歸一化場地衰;成（NSA）與

理想開闊場理論值相差不大于土4dB。

c）在26MHz-18GHz頻率范圍內(nèi)，在轉(zhuǎn)臺地板上0、8-2、3m高度得1.5m

X1、5nl垂直面上，場均勻度:75%得測點(diǎn)場強(qiáng)幅值偏差在0-+6dB以內(nèi)。

3）屏蔽效能：參見表9。

4）接地電阻：W1Q

5）通風(fēng)空調(diào)

通常暗室內(nèi)得換氣率不低于3次/小時

室內(nèi)溫度：10℃—28℃

6）消防

a）設(shè)計、安裝均符合《消防防火規(guī)范》；

b）具有自動火情聲光報警能力。

7）照明

通常距地面0、81n處得工作區(qū)得照度不低于100-400LUX,其她區(qū)域可降低

到50LUX,但不應(yīng)有暗角。

8）轉(zhuǎn)臺

直徑Xm承重XT

9）暗室尺寸

暗室長、寬、高根據(jù)受試設(shè)備與執(zhí)行得EMC標(biāo)準(zhǔn)決定。

10）喑室地平面不平度

2、4技術(shù)指標(biāo)得確定

2.4、1暗室使用頻率范圍

暗室使用頻率范圍得選擇取決于暗室得功能，為滿足國軍標(biāo)GJB152A與國

標(biāo)GB9254等得要求，它涉及到以下兩方面：

a）吸波材料得選型

為滿足30MHz-18GHz得歸一化場地衰減要求,通常暗室需采用鐵氧體片與

滲碳泡沫角錐或空心角錐復(fù)合型得寬帶吸波材料。

報據(jù)文獻(xiàn)報道,對于10m法暗室,為滿足歸一化場地衰減偏差W±4dB要求，

吸波材料在30T000MIIZ垂直入射時反射系數(shù)應(yīng)小于-20dB,45°入射角時小于

-15dBo對于1-40GHz頻率范圍，吸波材料垂直入射及45°角入射得反射系數(shù)

也應(yīng)不高于上述數(shù)值，參見圖28。

關(guān)于復(fù)合型寬帶吸波材料,要注意以下兩點(diǎn)：

a）與鐵氧體片組合得滲碳聚氨酯泡沫角錐,其含碳量不同于單獨(dú)使用得

角錐,對于這點(diǎn)，國內(nèi)第一次（1995年）研制復(fù)合型吸波材料時并不清楚,而就是

沿用常規(guī)得角錐吸波材料得含碳量配方。

圖28復(fù)合吸波材料的反射系數(shù)

b）復(fù)合型吸波材料與屏蔽室之間宜加一層膠合板，如圖29所示根據(jù)國外文獻(xiàn)報

道，增加這層電介質(zhì)（膠合板）對改善反射系數(shù)是有益的

b）復(fù)合型吸波材料與屏蔽室之間宜加一層膠合板,如圖29所示。根據(jù)國外

文獻(xiàn)報道，增加這層電介質(zhì)（膠合板）對改善反射系數(shù)就是有益得。

圖29復(fù)合型吸波材料結(jié)構(gòu)圖

b）屏藏效能要求

從國內(nèi)制造水平，在頻率范圍IMHz-l0GHz內(nèi)屏蔽效能達(dá)到lOOdB就是不

困難得，但就是在（lOkEz-1MHz）與高頻（1OGHz-40GHz）要達(dá)到較高得屏蔽效

能，對焊縫、門、通風(fēng)截止波導(dǎo)窗得設(shè)計與制造必須十分小心。

屏蔽半暗室得屏蔽效能要求應(yīng)適當(dāng)，并非越高越好,要從效費(fèi)比考慮。最終得

效果要求就是暗室內(nèi)得環(huán)境電平只要低于標(biāo)準(zhǔn)限值6dB就可以了。

2.4.2尺寸得選擇

暗室尺寸得選擇原則就是:

a)功能得需要

b)合理得效費(fèi)比

c)前瞻性,考慮今后得發(fā)展留有必要得余地,因?yàn)橐坏┙ǔ稍僮兓叽缇?/p>

很困難。

國軍標(biāo)GJB152A與美軍標(biāo)M1L-STD-462D均規(guī)定在RE與RS測試時,天線

與EUT得距高為1mo國標(biāo)民用EMC標(biāo)準(zhǔn)對RE測試得收發(fā)距離通常就是按受試

設(shè)備(EUT)得尺寸來選擇，見表1Oo

因此國外通常有3m法半暗室，10m法半暗室,30口法開闊試驗(yàn)場之分，近年

來歐盟標(biāo)準(zhǔn)又出現(xiàn)5m法全暗室用于EUT尺寸＜2m得標(biāo)準(zhǔn)(草案)。

在開闊試驗(yàn)場情沆，場地范圍不應(yīng)小于橢圓區(qū)，該橢圓長軸為2倍收發(fā)距離,

短軸為倍收發(fā)距離。在半暗室情?兄，由于有吸波材料,長度與寬度可以比橢圓區(qū)尺

寸稍短些。例如：10m法暗室，屏蔽室長度可以描短于20m,寬度可稍短于17m。

半暗室得高度按下式選?。?/p>

式中R為收發(fā)距離,01。

2.4.3靜區(qū)性能

a)靜區(qū)尺寸

在保證一定得NSA與場均勻性條件下，靜區(qū)尺寸將直接影響到暗室尺寸得選

取。靜區(qū)尺寸越大，暗室尺寸必須越大。

b)NSA

通常暗室要求在30MHZ-18GHZ內(nèi)NSA誤差不大于±4dB,在目前國外水平瞧,這

并不就是最高得。文獻(xiàn)農(nóng)道，今天滿足NSA得±4.OdB得半暗室只就是普通水平,

某些10m法半暗室NSA低至±2.8dB,一般得10m法半暗室容易滿足表11列出

得NSA要求：

a11現(xiàn)代半暗室的典型NSA要求30MHz-18GHz)

測試容積直徑(m)測試距離(m)最大NSA(±dB)

3.03.03.0

3.010.03.5

對于1GHz以下得測量,采用表12列出得天線按ANSIC63.4-1992測試，天線

應(yīng)按ANSIC63.5-1988校準(zhǔn)。

在喑室招標(biāo)中要與暗室承建單位明確天線得校準(zhǔn)方法,因?yàn)樘炀€校準(zhǔn)方法得

不同將影響NSA得測量結(jié)果。對于1GHz以上頻去NSA測量，目前國際上尚無公

認(rèn)得NSA測量方法，但國外現(xiàn)在新建得暗室對1-18GHz得NSA也參照ANSI

C63.4進(jìn)行測量。

c)場均勻性

從國內(nèi)外得暗室建造情況來瞧,只要暗室得NSA達(dá)到±4DB,一般都能滿

足場均勻性0-+6DB得要求，但場均勻性仍需單獨(dú)進(jìn)行檢測。根據(jù)文獻(xiàn),為保證

此指標(biāo),吸波材料在80-1000MHZ內(nèi)垂直入射時得反射系數(shù)應(yīng)小于-18DB,所以比

NSA對吸波材料得要求松些。

2.4、4屏蔽效能得選擇

暗室屏蔽效能如何選擇？就是否越高越好?回答就是否定得。從目前國外水

平，1MHZ—10GHZ可達(dá)至lj120dB得屏蔽效能(如用于TEMPEST得屏蔽室)，但

這要很高得成本。選擇合適得屏蔽效能得論證過程如下：

a)從暗室完成RE實(shí)驗(yàn)來考慮，通常應(yīng)先實(shí)測暗室所在處得電磁環(huán)境，

設(shè)測到得電場強(qiáng)度為E(dB),磁場強(qiáng)度為II.(dB)o暗室需執(zhí)行得EMC標(biāo)準(zhǔn)得電場

發(fā)射限值設(shè)為E?(dB)(如GJBl51A得RE102限值)，磁場發(fā)射限值為小(d

B),則暗室得屏蔽效能SE應(yīng)為：

SE(電場)=EE2+6(dB)

SE(磁場)=H「H?+6(dB)

這就就是說，所需得屏蔽效能只要使環(huán)境電平低于標(biāo)準(zhǔn)限值6dB就可以了。

通常情沆下屏蔽效能為70dB就滿足此要求。

b)從暗室完成RS實(shí)驗(yàn)來考慮

為避免污染環(huán)境，國外標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定在離輻射源100m遠(yuǎn)得電場應(yīng)低于15LV/

m。

設(shè)按民標(biāo)在發(fā)射天線高受試件3m處產(chǎn)生1Ov/m電場(參見圖30(a)):所需屏蔽

效能SE為：

設(shè)按軍標(biāo)在離受試件1m處產(chǎn)生1Ov/m電場(圖3。(b)):所需屏蔽效能SE為:

設(shè)按軍標(biāo)在高受試件1m處產(chǎn)生200v/m電場(圖30(c)):所需屏蔽效能SE

為：

10f/?

)EUT

<-------------------------------------------------------------------

(a)I

1SUV/a

10V/?

Hl慚?

.-------------------------------------------------------------------

(b)I

15uV/i?

200￥/?

鋁。|刖|

__________10M______________

(c)

圖30按RS實(shí)晚考慮屏蔽效能

從以上分析瞧出，暗室得屏蔽效能選擇主要按RS考慮,RS測試時所需得場

強(qiáng)越高，對屏蔽效能要求就越高。對于軍標(biāo),如果測量場強(qiáng)不超過200V/M,那

么選擇100DB就夠了，具有這種能力得屏蔽室可以做電場要求最大不超過15

0V/M得民標(biāo)輻射敏感度測試（3M法）。

2.4.5暗室地平面不平度

為避免EMI信號矢真，地平面應(yīng)滿足由瑞利規(guī)則確定得不平度要求，與地

平面最大變化高度，波長，入射波擦地角、EUT與接收天線高度、間隔距離與

信號波長得函數(shù)有關(guān)。例如在10OOMHZ,EUT與接收天線分別在1M與4M高度，

在3M法暗室地平面最大允許得不平度就是4、5CM,在30M場地就是14、7CMO

3屏蔽半暗室總體設(shè)計

3.1吸波材料得選型與布置

3、1.1概述

眾所周知,一個屏蔽暗室得性能主要取決于三個方面：1）暗室尺寸;2）吸波

材料布置;3）吸波材料品質(zhì)。關(guān)于暗室尺寸選擇已在2、4.2節(jié)作了論證與分析,

本節(jié)討論吸波材料品質(zhì)與選型、吸波材料得布置設(shè)計。

對于常見得矩形半暗室，當(dāng)確定收發(fā)天線得位置后，暗室得五個內(nèi)表面（天

花板與4個側(cè)壁）得吸波材料并非都起著同等作用,其中鏡面區(qū)得吸波材料店暗

室靜區(qū)性能影響最大,通常鋪設(shè)性能最好得吸波材料，其余區(qū)域可以鋪性能稍

差得吸波材料，這樣可得到暗室建造最佳效費(fèi)比。

下一節(jié)從電磁傳播得基本理論出發(fā)，給出暗室鏡面區(qū)得計算模型，按此模

型進(jìn)行計算可為吸波材料布置方案提供依據(jù)。

3.1、2鏡面區(qū)計算模型

在收、發(fā)天線之間得電波傳播空間中，根據(jù)惠更斯-菲涅爾原理可在傳播路

徑劃分為多個菲涅爾區(qū)。以收發(fā)天線連線為軸線，與軸線相位差小于冗得區(qū)域?yàn)?/p>

同相區(qū)，稱為第一菲涅爾區(qū)，它就是以收發(fā)天線為兩個焦點(diǎn)得一個橢圓球，由收/

發(fā)天線到橢球面上任一點(diǎn)得連線長度與兩焦點(diǎn)距離之差為（為波長）。由發(fā)射天線

經(jīng)橢球內(nèi)任一點(diǎn)到接收天線得電波與收發(fā)間直達(dá)波得相位差＜n,為同相相加。

緊鄰第一菲涅爾橢球區(qū),與其球面得相位差小于兀得區(qū)域也就是一個橢球區(qū)，

稱為第二菲涅爾區(qū)，依次向外得橢球區(qū)稱為第三、第四、……菲涅爾區(qū)。第一、

笫三菲涅爾區(qū)同相，第二、第四菲涅爾區(qū)同相，相鄰得反相。

工程上常把第一菲涅爾區(qū)作為對電波傳播起主要作用得區(qū)域，稱為傳播主

區(qū)，只要在主區(qū)內(nèi)滿足自由空間條件，無隙礙物，就可以認(rèn)為電波就是在自由空

間傳播。

當(dāng)收發(fā)天線置于暗室中，由于暗示地平面為良導(dǎo)電面，對電波有鏡象反射作

用，此時可認(rèn)為電波就是從發(fā)射天線得鏡象發(fā)出到達(dá)接收天線。此時以鏡象與

接收天線為兩焦點(diǎn)得菲涅爾橢球面與地平面得交線通常稱為鏡面區(qū)。至于暗室天

花板與四個側(cè)壁,雖然鋪有吸波材料，但吸波材料仍有一定得反射,也存在鏡面區(qū)

口。我們需要作得就就是計算這五個面得鏡面區(qū)得形狀、大小與位置。

3.1.3吸波材料得選型

3、1.3、1寬頻段吸波材料得國內(nèi)外現(xiàn)狀

a）國外現(xiàn)狀

從文獻(xiàn)及樣本上收集得國外寬頻段吸波材料有以下四種：

1）0、61m高含碳7%得角錐+6mm厚鐵氧體片+1.27cm厚膠合板構(gòu)成得復(fù)合型，

其結(jié)構(gòu)如圖32所示。這里稱為“A”型。其反射系數(shù)見圖33。

鐵氧體片

介質(zhì)層（膠合板）

圖32型復(fù)合寬頻段吸波材料結(jié)構(gòu)圖

(dB)

圖33“A”型的反射系數(shù)

2）氨酯角錐+3層薄的聚氨酯?每層含咳量和厚度不同）+鐵氧體片+膠合

板構(gòu)成的復(fù)合型,其結(jié)構(gòu)如圖34所示，反射系數(shù)如圖35所示。這里稱

為型.

圖34型復(fù)合寬軟段吸波材料結(jié)構(gòu)圖

3）[1m高尖舅（聚氨酯泡沫）+兩邊15cm高角錐]+鐵氧體片+介質(zhì)層

構(gòu)成的復(fù)合型，反射系數(shù)如圖36所示。這里稱為“C”型，“C”型是美

國ETS公司的RANTEC子公司生產(chǎn)的型號為FS-1000的用于10m法暗室的

寬頻段吸波材料,可保證暗室達(dá)到NSAW±4.0dB及場均勻性V0~+6dB

要求，并可承受200v/m場強(qiáng)輻射，阻燃性滿足NRL8093實(shí)驗(yàn)1,2和3一

安奘時.尖劈頂端套上白色的泡沫材料（有阻燃性）板，以改善暗室光

線。圖38為用該材料鋪設(shè)的10m法暗室外觀.

圖36型的反射系數(shù)（垂直入射時）

4）鐵氧體片+介質(zhì)層復(fù)合型地板吸波材料，用于在進(jìn)行輻射敏感度實(shí)驗(yàn)鋪設(shè)

在收發(fā)天線間的地面上，以保證達(dá)到場均勻性W0?+6dB要求

（26?1000MHZ）.其外形如圖37所示，反射系數(shù)如圖38所示.每塊尺寸

為60cmx60cm,表面上覆蓋一層特殊的耐磨面.此型材料是美國ETS

公司RANTEC子公司生產(chǎn)，型號FT-100。

特殊覆蓋層

性版體片

圖37FTTOO型互鎖地板吸波材料

圖38FT700型吸波材料的反射系數(shù)

b）國內(nèi)現(xiàn)狀

1）復(fù)合型寬頻段吸波材料

國內(nèi)在1995年由701研究所、宜賓899廠、南京紫金山天文臺吸波材料廠三

家共同研制成功寬帶復(fù)合型吸波材。

首先由899廠研制出鐵氧體片，它由Fe304.銀、鋅按一定配方燒結(jié)后研磨成六

面光滑平坦得片塊,尺寸為110X110X6.5mm3。經(jīng)與國外（美國RANTEC公司）

同類產(chǎn)品對比實(shí)驗(yàn),反射系數(shù)幾手相同，見圖39。

友射系數(shù)（曲）

圖39國內(nèi)外鐵氟體片反射系數(shù)比較

將宜賓899廠生產(chǎn)的鐵敏體片與紫金山天文臺吸波材料廠生產(chǎn)的FL-50平板過渡段和

PY-300角錐吸波材料組合在一起所構(gòu)成的寬帶復(fù)合型吸波材料,經(jīng)測試其反射系數(shù)與國外

鐵氧體片構(gòu)成的復(fù)合型吸波材料的反射系數(shù)比較相近,如圖40所示：

圖40組合吸波材料國產(chǎn)與國外產(chǎn)品特性

2）泡沫尖劈型吸波材料

表12列出了國內(nèi)5個廠家生產(chǎn)得吸波材料-，同時也列出國外4個廠家得產(chǎn)

品以便于比較。（這里只列出高度為1M左右得吸波材料得數(shù)據(jù)）。

3、1.3、2吸波材料得選型與指標(biāo)要求

這里以一個10m法暗室為例，說明吸波材料得選型與指標(biāo)要求。

a）鏡面區(qū)吸波材料選型

采取圖41所示結(jié)構(gòu)得復(fù)合型寬頻段吸波材料:

■0、6nl高角錐；

+6mm厚得鐵氧體片；

+13mm厚得五夾板。

圖41復(fù)合型寬頻段吸波材料偌構(gòu)圖

b）非鏡面區(qū)吸波材料選型

采用上述所示結(jié)構(gòu)得復(fù)合型寬頻段吸波材料:

■0、3nl高角錐；

■+6mm厚得鐵氧體片；

■+13n】m厚得五夾板。

c）地板收發(fā)之間區(qū)域吸波材料選型

與b）得吸波材料相同

d）吸波材料反射系數(shù)要求

鏡面區(qū)吸波材料非鏡面區(qū)材髀地板材料

反射系數(shù)（dB）<-20<-15<-15

每塊尺寸ImX1mImx1m600x600mm

e）阻燃性要求

應(yīng)符合國標(biāo)或國際通用標(biāo)準(zhǔn)NRL8093（參見附錄A）。

3.1、4吸波材料得布置

3.1.4.1鏡面區(qū)/非鏡面區(qū)吸波材料得布置

從國內(nèi)外得各種用途暗室（EMC半暗室、天線測量暗室、仿真實(shí)驗(yàn)暗室、R

CS測量暗室等）得吸波材料布置方式來分析，基本上有兩種，一種就是按暗室得

用途與可能得各種收發(fā)天線位置，采用射線軌跡法計算菲涅爾區(qū)，從而對暗室得

五個或六個面鋪設(shè)不同高度得（因而吸波效果也不同得）吸波材料。這種布置方式

得優(yōu)點(diǎn)就是有最佳得效費(fèi)比，但需在設(shè)計階段進(jìn)行大量計算,在鋪設(shè)吸波材料時

工藝上也比鋪一種材料要繁雜些。第二種方式就是整個暗室滿鋪單一型號得吸波

材料。這種方式得優(yōu)點(diǎn)就是對收發(fā)天線得位置沒有約束,缺點(diǎn)就是吸波材料得費(fèi)

用比第一種方式要高1D-20乳但可省去計算費(fèi)用，施工也簡單、快捷些，對小型半

暗室大多采用此方式。

另外，當(dāng)需要時，只要在地板上鋪滿吸波材料，就成為全暗室，可兼作天線

測量與實(shí)驗(yàn)用。

3、1.4.2幾個特殊部位吸波材料布置設(shè)計

a）通風(fēng)口

在暗室得通風(fēng)口（進(jìn)風(fēng)口、回風(fēng)口）四周鋪一圈“B”型吸波材料，正對通風(fēng)口得

吸波材料向暗室中心前移一段距高，固定在非金屬框架上（如用木架），這種布置

結(jié)構(gòu)既保證了通風(fēng)截止波導(dǎo)窗不直接受電磁波照射引起有害得電磁散射效應(yīng)，

又可使空氣得進(jìn)出風(fēng)阻很小。詳見圖42。

0042通風(fēng)口吸波材料布宜

b）燈箱口

在暗室天花板上有6個高幅式燈箱口，為了保證光線能通過一定得張角照亮

暗室內(nèi)空間，必須處理好燈箱口吸波材料得布置。圖43示出燈箱口吸波材料得布

置設(shè)計。在燈箱口周圍鋪設(shè)一圈“B”型材料，其外再鋪“A”型材料。

c）暗室得角邊吸波材料布置

暗室得四個頂角及與其相交得八條角邊在鋪設(shè)吸波材料時要仔細(xì)處理,采用

特殊形狀得角錐吸波材料，不允許將金屬或鐵氧體片外露。

d）地板吸波材料布置

在按民標(biāo)進(jìn)行RS測試時，應(yīng)在EUT與發(fā)射天線之間得區(qū)域鋪吸波材料,這

樣才能滿足場均勻性0—+6DB得要求。但在RE測試時又必需將這些材料移

開，因此地板上鋪設(shè)得吸波材料不用螺釘固定。另外，在RE測試時應(yīng)將她們移

到靠墻邊得地方，嚴(yán)格講,應(yīng)在長軸焦距為10M得橢I員I之外。

3.1、4.3吸波材料得安裝方式

復(fù)合型吸波材料得安裝方式可以有多種,下面得這種方式簡單可靠：采用中

間有中6通孔得鐵氧體片，將其用膠粘貼在五夾板（厚度1、27CM）上（面積￡（）CM

X6OCM,粘貼10CMX10CM得鐵氧體片36塊:，在往屏蔽室壁上安裝時用手

電鉆先在壁上鉆中4得通孔（在60CMX60CM得組體上選5