集成電路制造工藝 課件 4.2 濕法刻蝕_第1頁(yè)
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集成電路制造工藝

--濕法刻蝕單位：江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院微電子教研室濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠刻蝕的基本概念本章要點(diǎn)濕法刻蝕第四章刻蝕干法刻蝕去膠本章要點(diǎn)刻蝕的基本概念濕法刻蝕：目前主要用在漂去氧化硅、表層剝離及大尺寸圖形（3

m以上)腐蝕應(yīng)用方面；

干法刻蝕：是亞微米和深亞微米尺寸下刻蝕器件的主要方法?？涛g濕法刻蝕干法刻蝕§4.2濕法刻蝕濕法刻蝕是利用一定的化學(xué)試劑與需刻蝕的薄膜反應(yīng)從而在薄膜上顯示一定的圖形。一、濕法刻蝕的基本概念濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)：高刻蝕的選擇比；不產(chǎn)生襯底損傷。濕法刻蝕的缺點(diǎn)：各向同性刻蝕，刻蝕后的線條寬度難以控制。通常伴有放熱并產(chǎn)生氣體。反應(yīng)放熱會(huì)造成局部區(qū)域的溫度升高；反應(yīng)生成的氣泡會(huì)造成局部反應(yīng)停止，形成缺陷。1.二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液：緩沖氫氟酸腐蝕液BHF或緩沖氧化硅腐蝕液BOE（BufferofEtchant)NH4F作為緩沖劑減慢并穩(wěn)定腐蝕過(guò)程，從而很好地控制腐蝕速率。腐蝕的化學(xué)原理：§4.2濕法刻蝕二、幾種薄膜的濕法刻蝕腐蝕液磷酸H3PO4——起主要的腐蝕作用硝酸HNO3——改善臺(tái)階性能醋酸——降低腐蝕液表面張力水——調(diào)節(jié)腐蝕液濃度腐蝕原理：2.鋁的濕法刻蝕對(duì)下層材料有較高的選擇比、對(duì)器件不會(huì)造成等離子體損傷、設(shè)備簡(jiǎn)單，各向同性刻蝕造成分辨率低，化學(xué)刻蝕槽的安全性?！鱴三、濕法刻蝕的特點(diǎn)濕法各向同性化學(xué)腐蝕腐蝕因子：1.全自動(dòng)濕法腐蝕操作設(shè)

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