2025年《模擬電子線路A》(南京郵電大學)中國大學MOOC(慕課)章節(jié)測驗試題及答案一、半導體二極管及其應用1.選擇題（每題3分）（1）N型半導體中多數載流子是（）A.空穴B.自由電子C.正離子D.負離子答案：B（2）PN結外加正向電壓時，空間電荷區(qū)（）A.變寬B.變窄C.不變D.先寬后窄答案：B（3）某硅二極管在室溫（300K）下的反向飽和電流為1nA，當溫度升高至50℃時，反向飽和電流約為（）（提示：溫度每升高10℃，反向電流約加倍）A.2nAB.4nAC.8nAD.16nA答案：B（50℃-300K≈27℃，溫度升高23℃，約2個10℃周期，1nA×22=4nA）2.填空題（每空2分）（1）二極管的伏安特性曲線中，正向導通時硅管的壓降約為______V，鍺管約為______V。答案：0.7；0.3（2）PN結的單向導電性表現(xiàn)為：正向偏置時______，反向偏置時______。答案：導通；截止3.判斷題（每題2分）（1）二極管的反向擊穿電壓一定是不可逆的。（）答案：×（齊納擊穿可逆，雪崩擊穿可能不可逆）（2）在整流電路中，濾波電容的容量越大，輸出電壓的紋波越小。（）答案：√4.分析計算題（15分）電路如圖1所示（假設二極管為理想二極管），已知u_i=10sinωtV，R=1kΩ，試畫出輸出電壓u_o的波形，并計算輸出電壓的平均值。答案：當u_i>0時，二極管導通，u_o=u_i；當u_i≤0時，二極管截止，u_o=0。波形為半波整流波形。平均值U_o(AV)=0.45U_i(有效值)=0.45×(10/√2)≈3.18V。二、雙極型三極管及基本放大電路1.選擇題（每題3分）（1）BJT處于放大狀態(tài)時，發(fā)射結和集電結的偏置情況為（）A.發(fā)射結正偏，集電結正偏B.發(fā)射結正偏，集電結反偏C.發(fā)射結反偏，集電結正偏D.發(fā)射結反偏，集電結反偏答案：B（2）某放大電路中，測得三極管三個電極的電位分別為6V、2.7V、2V，則該管的類型及各電極對應關系為（）（設為硅管）A.NPN型，6V為C，2.7V為B，2V為EB.PNP型，6V為C，2.7V為B，2V為EC.NPN型，6V為E，2.7V為B，2V為CD.PNP型，6V為E，2.7V為B，2V為C答案：A（硅管BE結壓降約0.7V，2.7V-2V=0.7V，故2.7V為B，2V為E，6V為C，NPN型）2.填空題（每空2分）（1）共射放大電路的輸出電壓與輸入電壓相位______，共集放大電路的輸入電阻______（填“大”或“小”）。答案：相反；大（2）放大電路的靜態(tài)工作點設置過低會產生______失真，設置過高會產生______失真。答案：截止；飽和3.判斷題（每題2分）（1）三極管的β值越大，放大能力越強，因此電路中應盡量選擇β大的管子。（）答案：×（β過大易受溫度影響，工作點不穩(wěn)定）（2）共基放大電路的輸出電阻比共射放大電路大。（）答案：√4.分析計算題（20分）電路如圖2所示，已知VCC=12V，Rb=300kΩ，Rc=3kΩ，β=50，UBE=0.7V，rbb'=200Ω，C1、C2容量足夠大。（1）計算靜態(tài)工作點IBQ、ICQ、UCEQ；（2）畫出微變等效電路，計算電壓放大倍數Au、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro。答案：（1）IBQ=(VCC-UBE)/Rb=(12-0.7)/300≈0.0377mA=37.7μA；ICQ=βIBQ=50×0.0377≈1.885mA；UCEQ=VCC-ICQRc=12-1.885×3≈6.345V。（2）微變等效電路中，rbe=rbb'+(1+β)26mV/IEQ≈200+(51×26)/1.885≈200+700≈900Ω；Au=-βRc/rbe=-50×3/0.9≈-166.7；Ri≈Rb∥rbe≈300kΩ∥0.9kΩ≈0.9kΩ；Ro≈Rc=3kΩ。三、場效應管放大電路1.選擇題（每題3分）（1）增強型MOS管的開啟電壓是指（）A.柵源電壓使漏極電流開始出現(xiàn)時的電壓B.柵源電壓使導電溝道完全消失時的電壓C.漏源電壓使漏極電流飽和時的電壓D.柵源電壓使導電溝道剛好形成時的電壓答案：D（2）與BJT相比，場效應管的主要優(yōu)點是（）A.放大能力強B.輸入電阻高C.溫度穩(wěn)定性差D.噪聲大答案：B2.填空題（每空2分）（1）N溝道耗盡型MOS管的柵源電壓可以取______、______或負值。答案：正值；零（2）共源放大電路的電壓放大倍數公式為Au=______（設跨導為gm，漏極負載電阻為Rd）。答案：-gmRd3.判斷題（每題2分）（1）結型場效應管的柵源電壓不能超過PN結的正向導通電壓。（）答案：√（2）場效應管放大電路的輸入電阻一定比BJT放大電路高。（）答案：×（共集BJT電路輸入電阻也可能很高）4.分析計算題（15分）某N溝道增強型MOS管放大電路中，已知IDQ=2mA，gm=2mS，Rd=5kΩ，Rs=1kΩ（源極電阻未被旁路），求電壓放大倍數Au。答案：Au=-gm(Rd∥RL)/(1+gmRs)（假設RL無窮大），則Au=-2×5/(1+2×1)=-10/3≈-3.33。四、功率放大電路1.選擇題（每題3分）（1）乙類功率放大電路的效率較高，理想情況下可達（）A.50%B.78.5%C.90%D.100%答案：B（2）OCL電路中，輸出電容的作用是（）A.隔直B.濾波C.提供靜態(tài)偏置D.提高輸出功率答案：A2.填空題（每空2分）（1）甲乙類功率放大電路是為了克服乙類電路的______失真而設計的。答案：交越（2）功率放大電路的主要技術指標包括______、______和效率。答案：輸出功率；失真度3.判斷題（每題2分）（1）功率放大電路的輸出功率越大，管子的功耗也越大。（）答案：×（輸出功率最大時，管子功耗并非最大）（2）復合管的β值約等于各管子β值的乘積。（）答案：√4.分析計算題（15分）OCL電路如圖3所示，VCC=±15V，RL=8Ω，忽略管子飽和壓降，求：（1）最大輸出功率Pom；（2）電源提供的功率PV；（3）效率η。答案：（1）Pom=(VCC2)/(2RL)=(152)/(2×8)=225/16≈14.06W；（2）PV=(2VCC×Im)/(π)，Im=VCC/RL=15/8=1.875A，PV=(2×15×1.875)/π≈56.25/3.14≈17.91W；（3）η=Pom/PV≈14.06/17.91≈78.5%。五、集成運算放大器1.選擇題（每題3分）（1）集成運放的輸入級采用差分放大電路，主要是為了抑制（）A.溫漂B.噪聲C.干擾D.共模信號答案：A（2）理想運放的開環(huán)差模增益Aud為（）A.0B.有限值C.無窮大D.1答案：C2.填空題（每空2分）（1）集成運放的兩個輸入端分別稱為______和______。答案：同相端；反相端（2）運放的共模抑制比KCMR=______（用差模增益和共模增益表示）。答案：|Aud/Ac|3.判斷題（每題2分）（1）運放的輸入失調電壓UIO是指輸出電壓為零時兩個輸入端的電壓差。（）答案：√（2）運放的轉換速率SR越大，說明其對快速變化信號的適應能力越強。（）答案：√4.分析計算題（15分）理想運放組成的電路如圖4所示，已知R1=10kΩ，Rf=100kΩ，ui=0.5V，求輸出電壓uo。答案：反相比例運算電路，uo=-Rf/R1×ui=-100/10×0.5=-5V。六、反饋放大電路1.選擇題（每題3分）（1）為了穩(wěn)定輸出電壓，應引入（）A.電壓反饋B.電流反饋C.串聯(lián)反饋D.并聯(lián)反饋答案：A（2）負反饋放大電路產生自激振蕩的條件是（）A.|AF|=1，φA+φF=2nπB.|AF|>1，φA+φF=(2n+1)πC.|AF|=1，φA+φF=(2n+1)πD.|AF|<1，φA+φF=2nπ答案：C2.填空題（每空2分）（1）反饋放大電路的一般表達式為Af=______。答案：A/(1+AF)（2）電壓串聯(lián)負反饋可以______輸入電阻，______輸出電阻。答案：提高；降低3.判斷題（每題2分）（1）所有負反饋都能提高放大電路的穩(wěn)定性。（）答案：×（深度負反饋可能引起自激）（2）電流并聯(lián)負反饋的反饋信號是電流，且與輸入信號并聯(lián)。（）答案：√4.分析計算題（20分）電路如圖5所示，判斷反饋類型，并計算深度負反饋下的電壓放大倍數Auf=uo/ui。答案：反饋類型為電壓串聯(lián)負反饋（反饋網絡從輸出端取電壓，與輸入電壓串聯(lián)）。深度負反饋下，ui≈uf，uf=uo×R1/(R1+Rf)，故Auf=uo/ui≈(R1+Rf)/R1。七、信號運算與處理電路1.選擇題（每題3分）（1）積分電路中，輸出電壓與輸入電壓的（）A.差值成正比B.和成正比C.積分成正比D.微分成正比答案：C（2）儀用放大器的主要特點是（）A.輸入電阻低B.共模抑制比高C.輸出電阻高D.放大倍數小答案：B2.填空題（每空2分）（1）差分比例運算電路的輸出電壓與兩個輸入電壓的______成正比。答案：差值（2）有源濾波電路中，低通濾波器允許______頻率信號通過。答案：低3.判斷題（每題2分）（1）微分電路對高頻噪聲敏感，實際中需加入限幅保護。（）答案：√（2）同相輸入求和電路的輸入電阻比反相輸入求和電路高。（）答案：√4.分析計算題（15分）理想運放組成的積分電路中，R=100kΩ，C=1μF，ui=1V（直流），求t=0.1s時的輸出電壓uo（設初始值為0）。答案：uo=-1/(RC)∫uidt=-1/(100×103×1×10??)×1×0.1=-10×0.1=-1V。八、波形發(fā)生電路1.選擇題（每題3分）（1）RC正弦波振蕩電路的振蕩頻率主要由（）決定A.放大電路的增益B.反饋網絡的參數C.穩(wěn)幅環(huán)節(jié)D.電源電壓答案：B（2）滯回比較器的主要特點是（）A.抗干擾能力強B.靈敏度高C.輸出邊沿陡D.閾值電壓固定答案：A2.填空題（每空2分）（1）LC正弦波振蕩電路適用于______頻率信號的產生。答案：高（2）方波發(fā)生器的核心是______和______。答案：滯回比較器；RC積分電路3.判斷題（每題2分）（1）文氏電橋振蕩電路中，RC串并聯(lián)網絡既是選頻網絡又是正反饋網絡。（）答案：√（2）三角波發(fā)生器可以由方波發(fā)生器和積分電路組成。（）答案：√4.分析計算題（15分）RC橋式振蕩電路中，R=10kΩ，C=0.01μF，求振蕩頻率f0。答案：f0=1/(2πRC)=1/(2×3.14×10×103×0.01×10??)≈1592Hz。九、直流電源1.選擇題（每題3分）（1）整流電路的作用是（）A.將交流變直流B.將直流變交流C.將高壓變低壓D.將低壓變高壓答案：A（2）三端集成穩(wěn)壓器W7815的輸出電壓為（）A.+15VB.-15VC.可調D.0V答案：A2.填空題（每空2分）（1）濾波電路的