重慶市高2026屆高三第五次質(zhì)量檢測(cè)

物理試題參考答案與評(píng)分細(xì)則

題號(hào)1234S678910

選項(xiàng)CBADDADACDBCAB

一、單項(xiàng)選擇題：本題共7小題，每小題4分，共28分。

1.C【解析】網(wǎng)球只受重力，做勻變速曲線運(yùn)動(dòng)，故A錯(cuò)；斜拋運(yùn)動(dòng)最高點(diǎn)速度不為0,故B錯(cuò)；網(wǎng)球

速度先減小后增加，故D錯(cuò)；網(wǎng)球運(yùn)動(dòng)時(shí)加速度相同，故相同時(shí)間內(nèi)速度變化量相同，C正確。

2.B【解析】初始階段cd邊切割磁感線，Ua大小為感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的;因?yàn)榫€框長(zhǎng)度大于磁場(chǎng)邊界，

cd邊過(guò)磁場(chǎng)右邊界到ab邊切割磁感線之前，磁通量不變，無(wú)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)；ab邊切割磁感線時(shí)，

Ua大小為感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的,故選B。

3.A【解析】由,故彗星的質(zhì)量,故A正確，B錯(cuò)誤；由T2cr3半徑增大周期

變大，故C錯(cuò)誤；由,半徑增大繞行速度減小，故D錯(cuò)誤。

4.D【解析】上升過(guò)程中靜電力一直減小，加速度先向上減小后反向增大，靜電力一直做正功，電勢(shì)能

一直減少，故A、B錯(cuò)誤；下降過(guò)程中靜電力和摩擦力做負(fù)功，機(jī)械能一定減小，故C錯(cuò)誤；由于

摩擦損耗，返回時(shí)速度為0的位置一定在A點(diǎn)上方，故D正確。

5.D【解析】當(dāng)煙霧進(jìn)入電離室后，電離室中離子運(yùn)動(dòng)受阻，等效電阻增大，路端電壓變大，干路電流I

減小，由P=EI,電源總功率減小，故A、C錯(cuò)誤；等效電阻增大，并聯(lián)電阻分壓變大，通過(guò)定值電

阻R的電流變小，由U=U并-UR,電離室兩端電壓增大，故B錯(cuò)誤；電離室在較高電壓下工作于

飽和區(qū)，電流保持不變，故D正確。

6.A【解析】由相似三角開(kāi),其中,所以,貝增大

x增大，故A正確。

7.D【解析】,故A錯(cuò)誤；安培力與速度有關(guān)，

加速度非線性變化，故B錯(cuò)誤；勻速時(shí)受力平衡,則,故C錯(cuò)誤；

從靜止到速度v時(shí)，有Mgtsinθ-BLQ=Mv,則

二、多項(xiàng)選擇題：本題共3小題，每小題5分，共15分。

8.ACD【解析】牛頓提出萬(wàn)有引力定律，卡文迪許測(cè)出常量，故A正確；奧斯特發(fā)現(xiàn)電流磁效應(yīng)，安培

提出安培力公式，故B錯(cuò)誤；法拉第提出電場(chǎng)概念，發(fā)現(xiàn)電磁感應(yīng)，故C正確；安培提出分子

電流假說(shuō)，解釋了磁體為什么能產(chǎn)生磁場(chǎng)，故D正確。

9.BC【解析】由各雷達(dá)波在垂直該方向的直線AB上的相位相同，且相鄰兩發(fā)射單元到AB邊的

波程差x=dcosθ,因此相位,△φ=πcosθ,故B、C正確。

10.AB【解析】由系統(tǒng)動(dòng)量守恒3Mvo=Mv板，U板=3m/s,故A正確；由于車輪和鋼板之間始終不打

滑，則一對(duì)靜摩擦力做功之和為0,且鋼板對(duì)車的摩擦力對(duì)車做負(fù)功，車對(duì)鋼板的摩擦力對(duì)鋼

板做正功，故B正確；由動(dòng)量守恒3Mvo=Mv板+2Mv車，對(duì)時(shí)間0~5s求和可得15=2x車+x板，

且x板一x車=9m,則鋼板延斜面向下走了11m,汽車延斜面向下走了2m,故C錯(cuò)誤；

由△E=WF+WG-W,其中J,WG=Mgx板sin30°+

2Mgx車sin30°=75000J,W,=3μMgx板cos30°=165000J,發(fā)動(dòng)機(jī)輸出功W,=93000J,

J,故D錯(cuò)誤。

三、實(shí)驗(yàn)題：本題共2個(gè)小題，11題6分，12題9分，共15分。

11.【答案】(6分)

(1)A(2分)

(2)C(2分)

(3)5.34×10-?(2分)

【解析】(1)數(shù)錯(cuò)條紋數(shù)導(dǎo)致△x偏大，波長(zhǎng)測(cè)量值偏大，B錯(cuò)誤。雙縫間距d變小，條紋間距△x變大，

C錯(cuò)誤。

(2)分劃板的中心刻線與亮條紋的中心對(duì)齊，故C正確。

(3)由,其中mm,可得λ=5.34×10-?m。

12.【答案】(9分)

(1)26.0-26.2(2分)22.4～23.0(2分)

(2)16.8～17.3(2分)30.0%～31.2%(3分)

【解析】(1)由I=0時(shí)曲線①與縱坐標(biāo)的截距可以讀出電源電動(dòng)勢(shì)E為26.0-26.2V,由曲線①與

曲線②的切點(diǎn)可知該點(diǎn)輸出功率最大，P=UI=18.2×1.23=22.386W,取22.4W。

(2)由曲線③和曲線①的交點(diǎn)可得A燈功率為PA=21.8×0.78=17.004,取17.0W。因?yàn)槿齻€(gè)

小燈并聯(lián)，所以U燈=U干，3I燈=1,從曲線①和③可以讀出，當(dāng)U燈=U==8.0V時(shí)，I燈=0.54A,

1=1.62A,31≈1干，此時(shí)效率

四、解答題：本題共3個(gè)小題，13題10分，14題14分，15題18分，共42分。

13.【答案】(10分)

(1)100m

(2)11.5+2√30s

【解析】(1)小南勻減速過(guò)程中有2axo=v2-0①……(2分)

解得減速位移xo=100m②………………(2分)

(2)小南追上最后一位同學(xué)時(shí)位移滿足③…………(1分)

解得t?=12-2√30s,t?=12+2√30s④(1分)

由小南停下時(shí)的時(shí)間,所以t?舍去⑤…………………(1分)

則小南停下時(shí)與最后一位同學(xué)的距離x?=xo-vt?-6=14m⑥…(1分)

之后最后一位同學(xué)追上小南所需要的時(shí)間s⑦………………(1分)

則總共經(jīng)歷的時(shí)間t?=t?+t?-t?=11.5+2√30s⑧…(1分)

14.【答案】(14分)

【解析】(1)mgsinθ=kx?帶入數(shù)據(jù)：x?=0.2m①………………(1分)

②…………(2分)

帶入數(shù)據(jù)：vm=√3m/s③…………(1分)

(2)因?yàn)檩p質(zhì)桿，當(dāng)彈簧彈力等于最大靜摩擦的時(shí)候輕桿和滑塊一起運(yùn)動(dòng)，則

f=kx?④…………………………(1分)

x?=0.5m⑤………………………(1分)

設(shè)直桿的位移為x

帶入數(shù)據(jù)：x=0.05m

⑦……………………(2分)

(3)⑧…………………(2分)

解得⑨……………(2分)

15.【答案】(18分)

【解析】(1)加速電場(chǎng)中①……(2分)

扇形磁場(chǎng)②…………(2分)

③………………(1分)

(2)從離子源到第三個(gè)筒一共加速了三次④

…………(1分)

又由題意易知第3個(gè)圓筒長(zhǎng)度L=v?to⑤………………(1分)

∴L=t?√6kU⑥……………(1分)圖1

如圖1,由幾何關(guān)系、正弦定理可得⑦………………(1分)

化簡(jiǎn)得⑧…(1分)

(或如圖2,同理解得,化簡(jiǎn)得θ亦可得分)

圖2

(3)加速全過(guò)程,v?=2√2kU

在磁場(chǎng)B中,幾何關(guān)系易知弦長(zhǎng)

在磁場(chǎng)λB中,幾何關(guān)系易知弦長(zhǎng)⑨………………(1分)

第①種情況：若離子沿-x方向垂直注入晶圓。見(jiàn)圖3:

20d=(y?-y?)n+r?cos60°+r

⑩…………(1分)y?

考慮到λ>0,則?(1分)

第②種情況：若離子沿+x方向垂直注入晶圓。見(jiàn)圖4:

20d=(y?-y?)n-(r?-r