2026年安徽蕪湖衛(wèi)生專業(yè)技術(shù)資格考試（神經(jīng)電生理（腦電圖）技術(shù)初級師）模擬練習(xí)題及答案解析1.單選題（每題1分，共30分）1.1腦電圖記錄中，當(dāng)時間常數(shù)由0.3s調(diào)整為0.1s時，下列哪一項描述最準確？A.低頻信號衰減減小，慢波更易通過B.低頻信號衰減增大，慢波被抑制C.高頻信號放大倍數(shù)增加，棘波變尖銳D.放大器噪聲降低，基線更平穩(wěn)E.電極阻抗要求降低，記錄更穩(wěn)定答案：B解析：時間常數(shù)τ=RC，τ越小高通濾波截止頻率越高，低頻成分衰減增大，慢波被抑制；高頻響應(yīng)不受此參數(shù)直接影響。1.2患兒5歲，清醒閉眼記錄，枕區(qū)可見8-9Hz、50-80μV的節(jié)律，對睜眼抑制明顯。該圖形應(yīng)判斷為：A.正常α節(jié)律B.正常慢α變異C.枕區(qū)δ節(jié)律D.后頭部慢波，考慮良性變異E.癲癇樣放電答案：A解析：α節(jié)律頻率范圍8-13Hz，兒童可稍慢；閉眼枕區(qū)優(yōu)勢、睜眼抑制為其標(biāo)志性特征。1.3關(guān)于國際10-20系統(tǒng)中T6電極的位置，下列描述正確的是：A.位于T4與O2連線的50%處B.位于T5與O2連線的50%處C.位于C4與O2連線的50%處D.位于Pz與O2連線的50%處E.位于T4與T5連線的中點答案：B解析：T6為后顳區(qū)電極，定位在T5-O2連線中點，與T4無關(guān)。1.4使用盤狀電極時，降低電極-皮膚阻抗的最關(guān)鍵步驟是：A.使用導(dǎo)電膏增加接觸面積B.用75%酒精簡單擦拭皮膚C.用磨砂膏或細砂紙輕擦角質(zhì)層D.降低放大器輸入阻抗E.提高采樣率答案：C解析：降低角質(zhì)層電阻是阻抗<5kΩ的核心；酒精僅去脂，導(dǎo)電膏不能突破角質(zhì)層屏障。1.5腦電放大器的共模抑制比（CMRR）若為100dB，則對50Hz工頻干擾的抑制能力約為：A.10倍B.100倍C.1000倍D.10000倍E.100000倍答案：E解析：100dB=20log10（差模增益/共模增益），共模增益為差模增益的10-5，即抑制105倍。1.6睡眠Ⅱ期可見的“睡眠紡錘”頻率標(biāo)準為：A.8-10HzB.10-12HzC.12-14HzD.14-16HzE.16-18Hz答案：C解析：AASM判讀規(guī)則：睡眠紡錘頻率12-14Hz，持續(xù)時間≥0.5s。1.7下列哪項不是癲癇樣放電的必備特征？A.突發(fā)起始B.高波幅C.有后續(xù)慢波D.重復(fù)出現(xiàn)E.局灶或廣泛分布答案：C解析：后續(xù)慢波常見于癲癇樣放電，但并非必備；部分棘波可單獨出現(xiàn)。1.8閃光刺激頻率12Hz時，在枕區(qū)記錄到與刺激頻率一致的節(jié)律，且相位恒定，應(yīng)報告為：A.光驅(qū)動反應(yīng)B.光肌陣攣反應(yīng)C.光驚厥反應(yīng)D.光陣發(fā)反應(yīng)E.光誘發(fā)的α節(jié)律答案：A解析：頻率一致、相位恒定、無棘波或臨床發(fā)作，為光驅(qū)動；光陣發(fā)反應(yīng)需后放電或棘波。1.9腦電高頻振蕩（HFO）的頻段通常指：A.20-40HzB.40-80HzC.80-200HzD.200-500HzE.500-1000Hz答案：D解析：HFO指ripple（80-250Hz）與fastripple（250-500Hz），臨床關(guān)注200-500Hz。1.10在數(shù)字腦電系統(tǒng)中，若采樣率為500Hz，根據(jù)奈奎斯特定理，可準確記錄的最高頻率為：A.100HzB.250HzC.500HzD.1000HzE.125Hz答案：B解析：奈奎斯特頻率=采樣率/2=250Hz；高于此頻率需硬件低通濾波防混疊。1.11患者行24h動態(tài)腦電，記錄到一次持續(xù)3s的廣泛性3.5Hz棘慢復(fù)合波爆發(fā)，同期家長描述患兒愣神3s，應(yīng)判讀為：A.正常變異B.不典型失神發(fā)作C.典型失神發(fā)作D.肌陣攣發(fā)作E.局灶性意識保留發(fā)作答案：C解析：3Hz棘慢復(fù)合波+短暫意識喪失為典型失神；>3Hz傾向不典型，但3.5Hz仍可歸典型。1.12關(guān)于參考電極導(dǎo)聯(lián)與雙極導(dǎo)聯(lián)的對比，下列說法正確的是：A.參考導(dǎo)聯(lián)對深部源定位更精確B.雙極導(dǎo)聯(lián)可消除參考電極活化影響C.參考導(dǎo)聯(lián)無法顯示局灶慢波D.雙極導(dǎo)聯(lián)的波幅總是低于參考導(dǎo)聯(lián)E.雙極導(dǎo)聯(lián)不能用于癲癇灶定位答案：B解析：雙極導(dǎo)聯(lián)兩電極相鄰，可抵消共同參考活化；定位需結(jié)合兩種導(dǎo)聯(lián)。1.13腦電記錄中，若Fp1參考電極脫落，則在參考導(dǎo)聯(lián)中Fp1通道將：A.呈直線B.呈50Hz正弦波C.顯示同側(cè)耳電極圖形D.顯示對側(cè)Fp2圖形E.顯示全導(dǎo)聯(lián)平均圖形答案：C解析：參考脫落導(dǎo)致Fp1通道變成“參考-參考”偽差，實際顯示參考電極（如A1）自身電位。1.14睡眠Ⅲ期δ波所占比例需達到：A.≥20%B.≥30%C.≥40%D.≥50%E.≥60%答案：A解析：AASM標(biāo)準：Ⅲ期高幅δ波（≤2Hz，>75μV）占20%-50%；>50%為Ⅳ期。1.15下列哪項操作最能減少心電偽差？A.降低高頻濾波至30HzB.提高采樣率至1000HzC.改用雙極導(dǎo)聯(lián)D.調(diào)整參考電極位置至乳突E.使用帶通濾波器去除0.5-40Hz答案：D解析：心電偽差因參考電極靠近心臟電場，改乳突可增大距離；雙極可部分消除但非最佳。1.16腦電圖中出現(xiàn)“缺口”狀基線突然漂移，最常見原因為：A.電極線斷裂B.放大器飽和C.導(dǎo)電膏干涸D.肌電干擾E.眨眼偽差答案：A解析：缺口（break）為瞬間斷路，基線跳至最大量程；飽和呈平頂，導(dǎo)電膏干涸呈緩慢漂移。1.17對癲癇患者行術(shù)前評估，頭皮腦電檢出間歇期棘波最敏感的電極組合為：A.國際10-20標(biāo)準32導(dǎo)B.10-10系統(tǒng)64導(dǎo)C.蝶骨電極D.平均參考導(dǎo)聯(lián)E.耳垂參考導(dǎo)聯(lián)答案：C解析：蝶骨電極貼近內(nèi)側(cè)顳葉，對顳葉內(nèi)側(cè)棘波敏感度提高30%-50%。1.18腦電報告描述“右額區(qū)可見sporadic2-3Hzhigh-voltagesharp-and-slowwaves”，其中“sporadic”最合理的翻譯為：A.散在B.連續(xù)C.節(jié)律性D.周期樣E.爆發(fā)性答案：A解析：sporadic=零星、散在；continuous=連續(xù)，burst=爆發(fā)。1.19新生兒腦電（CA40周）清醒期背景活動應(yīng)為：A.不連續(xù)交替圖形B.連續(xù)δ活動C.連續(xù)多頻率D.爆發(fā)抑制E.追蹤睡眠紡錘答案：C解析：足月新生兒清醒期背景為連續(xù)多頻率，無明確α節(jié)律；不連續(xù)為早產(chǎn)或病理。1.20腦電記錄時，若將靈敏度由10μV/mm調(diào)至7μV/mm，則同一棘波波幅將：A.增高約30%B.降低約30%C.增高約43%D.降低約43%E.不變答案：C解析：靈敏度數(shù)值越小，波形顯示越高；10/7≈1.43，即增高43%。1.21關(guān)于60Hz陷波濾波器，下列說法正確的是：A.會完全保留59Hz癲癇樣棘波B.對55-65HzHFO無影響C.可導(dǎo)致棘波波幅被低估D.可替代良好的接地與屏蔽E.在雙極導(dǎo)聯(lián)中無需開啟答案：C解析：陷波濾波器帶阻范圍55-65Hz，可削平瞬變波形，使快成分波幅下降。1.22腦電圖中判斷“α節(jié)律”時，對其波幅差允許范圍是：A.兩側(cè)相差<20%B.兩側(cè)相差<30%C.兩側(cè)相差<50%D.兩側(cè)相差<70%E.無明確要求答案：C解析：國際federation指南：正常α兩側(cè)波幅差可<50%，>50%提示異常。1.23患者服用苯二氮卓類藥物后，腦電最可能出現(xiàn)：A.廣泛β活動增多B.α節(jié)律頻率增快C.睡眠紡錘減少D.光驅(qū)動閾值降低E.三相波出現(xiàn)答案：A解析：BDZ增加GABA介導(dǎo)的β（18-25Hz）活動，呈“藥物性快波”。1.24腦電報告書寫時，描述“phasereversal”主要用于：A.判斷頻率B.定位病灶C.評估波幅D.識別偽差E.判定意識水平答案：B解析：雙極導(dǎo)聯(lián)中相鄰電極相位倒置提示該電極位于場電位負極，用于局灶定位。1.25對癲癇持續(xù)狀態(tài)患者行床旁腦電，首選導(dǎo)聯(lián)模式為：A.平均參考B.乳突參考C.縱向雙極D.橫向雙極E.術(shù)中式柵狀答案：B解析：乳突參考可快速布置，減少電極數(shù)，兼顧對稱性與偽差識別，適合急診。1.26腦電高頻濾波設(shè)定為70Hz時，主要影響：A.α節(jié)律B.β活動C.睡眠紡錘D.閃光驅(qū)動E.肌電偽差答案：E解析：肌電含20-300Hz，70Hz低通可削弱高頻肌電，使圖形更干凈。1.27腦電圖中出現(xiàn)“正相棘波”最常見于：A.額區(qū)癲癇灶B.中線癲癇灶C.顳區(qū)癲癇灶D.睡眠生理紡錘E.覺醒反應(yīng)答案：C解析：顳區(qū)尖波在耳參考導(dǎo)聯(lián)常呈正相，因偶極子方向朝向參考。1.28腦電記錄過程中，若患者突發(fā)強直-陣攣發(fā)作，技術(shù)員首要操作是：A.立即靜脈推注地西泮B.停止記錄降低功耗C.按下事件按鈕并呼叫醫(yī)生D.調(diào)高靈敏度觀察細節(jié)E.開啟50Hz陷波答案：C解析：技術(shù)員不執(zhí)行藥物注射；首要標(biāo)記事件并呼叫醫(yī)護，保持記錄。1.29新生兒爆發(fā)抑制圖形中，爆發(fā)間隔>20s且持續(xù)>30min，提示：A.正常早產(chǎn)兒B.輕度缺氧C.中-重度背景抑制D.睡眠周期正常E.藥物鎮(zhèn)靜狀態(tài)答案：C解析：爆發(fā)間隔>20s為嚴重背景不連續(xù)，預(yù)后不良。1.30腦電圖中“μ節(jié)律”最突出的形態(tài)特征是：A.弓形負相棘波B.正相尖波C.三相波D.睡眠梭形E.δ刷答案：A解析：μ節(jié)律為中央?yún)^(qū)9-11Hz節(jié)律，呈弓形（arcade）負相，對側(cè)肢體運動抑制。2.共用題干單選題（每題1分，共10分）【題干】患者男，28歲，發(fā)作性意識喪失3年，每次持續(xù)1-2min，無強直陣攣。清醒腦電見右前顳區(qū)5-6Hz尖波節(jié)律，睡眠期增多。MRI陰性。2.1該圖形最可能診斷為：A.右顳葉癲癇B.左額葉癲癇C.典型失神癲癇D.青少年肌陣攣癲癇E.良性羅蘭多癲癇答案：A解析：前顳區(qū)尖波節(jié)律、睡眠激活，符合顳葉癲癇特點。2.2為提高棘波檢出率，下一步應(yīng)建議：A.剝奪睡眠后復(fù)查B.立即行PET-CTC.口服卡馬西平后復(fù)查D.降低高頻濾波至100HzE.改用64導(dǎo)平均參考答案：A解析：剝奪睡眠可增加間歇期放電陽性率約20%-30%。2.3若行蝶骨電極記錄，最可能觀察到的改變是：A.棘波極性倒置B.棘波波幅降低C.睡眠紡錘消失D.背景β活動增多E.光驅(qū)動增強答案：A解析：蝶骨電極靠近顳底，偶極子方向改變，常見棘波極性倒置。2.4若發(fā)作期腦電顯示右顳區(qū)5Hz節(jié)律性θ活動逐漸演變?yōu)?.5Hzδ活動，同期患者口部自動癥，應(yīng)定位為：A.右顳外側(cè)面病灶B.右顳內(nèi)側(cè)病灶C.左顳病灶D.右額病灶E.廣泛皮層病灶答案：B解析：顳區(qū)內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)發(fā)作期常見θ-δ節(jié)律演變伴自動癥。2.5該患者術(shù)前評估需行顱內(nèi)電極，最佳植入方案為：A.右額皮質(zhì)條狀B.右顳半柵狀+海馬深部C.左顳柵狀D.雙側(cè)額深部E.右中央深部答案：B解析：需覆蓋顳葉新皮質(zhì)及內(nèi)側(cè)結(jié)構(gòu)，半柵狀+海馬電極最合理。3.多選題（每題2分，共10分，每題至少2個正確答案，多選少選均不得分）3.1下列哪些因素可降低電極阻抗？A.用Nuprep磨砂膏B.增加導(dǎo)電膏量C.使用Ag-AgCl電極D.降低放大器輸入阻抗E.皮膚溫度升高答案：ABCE解析：放大器輸入阻抗應(yīng)高，降低反而降低信號質(zhì)量。3.2關(guān)于腦電閃光刺激，正確的有：A.刺激頻率從1Hz遞增至30HzB.需閉眼與睜眼兩種狀態(tài)C.光驚厥反應(yīng)屬于正常變異D.刺激間隔至少1sE.光肌陣攣反應(yīng)需停止刺激答案：ABDE解析：光驚厥反應(yīng)為異常，需報告；光肌陣攣為反射性肌陣攣，需停刺激。3.3新生兒腦電“δ刷”可見于：A.清醒期B.活躍睡眠期C.安靜睡眠期D.爆發(fā)抑制期E.足月兒CA44周答案：BCD解析：δ刷為早產(chǎn)及足月早期標(biāo)志，清醒期已消失。3.4下列哪些屬于腦電“良性變異”？A.6Hz良性棘慢波B.wicket節(jié)律C.門狀α節(jié)律D.睡眠期枕區(qū)一過性正相尖波（POSTS）E.三相波答案：ABCD解析：三相波為代謝性異常，非良性。3.5腦電報告必須包含的要素有：A.記錄條件（清醒/睡眠/藥物）B.背景頻率與對稱性C.癲癇樣放電部位與數(shù)量D.誘發(fā)試驗結(jié)果E.技術(shù)員簽名答案：ABCD解析：技術(shù)員簽名屬質(zhì)量記錄，非報告內(nèi)容強制項。4.判斷題（每題1分，共10分，正確寫“T”，錯誤寫“F”）4.1腦電高頻濾波設(shè)置越高，對肌電偽差越敏感。T4.2睡眠Ⅳ期δ波比例需>70%。F（>50%）4.3國際10-20系統(tǒng)Cz電極位于鼻根-枕外隆凸連線中點與左右耳前點連線中點交匯。T4.4腦電圖中“棘波”與“尖波”區(qū)分僅依據(jù)波幅。F（依據(jù)持續(xù)時間）4.5新生兒腦電評估需校正胎齡。T4.6使用平均參考導(dǎo)聯(lián)時，若某一電極出現(xiàn)高幅棘波，平均參考會被“污染”。T4.7腦電記錄時，若患者眨眼頻繁，可在參考電極處貼眼電電極做離線矯正。T4.8腦電圖中出現(xiàn)“小棘波”即提示癲癇灶。F（可見于正常）4.9腦電報告可僅描述異常，無需提及正常背景。F（需對比描述）4.10腦電技術(shù)員可在報告結(jié)論處書寫“考慮右顳癲癇”。F（結(jié)論由醫(yī)師簽發(fā)）5.填空題（每空1分，共10分）5.1腦電放大器的輸入阻抗應(yīng)大于10MΩ，以減少信號衰減。5.2睡眠Ⅱ期“K復(fù)合波”由負相尖波與后續(xù)慢波組成。5.3國際10-20系統(tǒng)，T3與T5之間中點電極名為T7。5.4腦電圖中“三相波”經(jīng)典頻率為1.2-2.0Hz。5.5新生兒CA38周安靜睡眠期背景應(yīng)為不連續(xù)交替圖形（tracealternant）。5.6腦電記錄時，若靈敏度為5μV/mm，測得棘波高度為8mm，則波幅為40μV。5.7閃光刺激誘發(fā)光陣發(fā)反應(yīng)時，需在后頭部記錄到棘波或多棘慢復(fù)合波。5.8腦電高頻振蕩（HFO）與癲癇灶相關(guān)性最高的頻段為fastripple（250-500Hz）。5.9腦電報告書寫順序通常為：背