2026工藝整合招聘題庫及答案

一、單項選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種屬于光刻工藝的關(guān)鍵步驟？A.顯影B.沉積C.蝕刻D.氧化2.以下哪種設(shè)備常用于化學(xué)機械拋光？A.離子注入機B.光刻機C.CMP設(shè)備D.刻蝕機3.硅片表面氧化通常用什么氣體？A.氮氣B.氫氣C.氧氣D.氯氣4.下列哪種薄膜具有良好的絕緣性？A.金屬薄膜B.多晶硅薄膜C.二氧化硅薄膜D.銅薄膜5.擴散工藝主要是讓雜質(zhì)原子在什么中運動？A.硅晶體B.空氣C.水D.金屬6.濕法蝕刻使用的是？A.氣體B.液體C.固體D.等離子體7.光刻膠分為？A.正性和負(fù)性B.干性和濕性C.快干和慢干D.薄型和厚型8.離子注入的主要目的是？A.改變硅片顏色B.增加硅片厚度C.改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)D.提高硅片硬度9.化學(xué)氣相沉積通常在什么環(huán)境下進行？A.低溫低壓B.高溫低壓C.常溫常壓D.高溫高壓10.以下哪個是芯片制造的第一道工序？A.光刻B.氧化C.清洗D.擴散二、多項選擇題（每題2分，共10題）1.光刻工藝涉及的主要設(shè)備有（）A.光刻機B.顯影機C.涂膠機D.刻蝕機2.薄膜沉積技術(shù)包括（）A.化學(xué)氣相沉積B.物理氣相沉積C.液相沉積D.氧化沉積3.工藝整合需要考慮的因素有（）A.設(shè)備性能B.工藝成本C.產(chǎn)品良率D.環(huán)境影響4.刻蝕工藝可分為（）A.干法刻蝕B.濕法刻蝕C.高溫刻蝕D.低溫刻蝕5.以下哪些是半導(dǎo)體制造中的常用氣體（）A.氫氣B.氮氣C.氧氣D.氬氣6.硅片清洗的目的是（）A.去除雜質(zhì)B.改善表面平整度C.提高表面活性D.增加硅片厚度7.常用的離子注入元素有（）A.硼B(yǎng).磷C.砷D.碳8.化學(xué)機械拋光能實現(xiàn)的效果有（）A.全局平坦化B.去除表面缺陷C.調(diào)整薄膜厚度D.改變材料顏色9.影響光刻分辨率的因素有（）A.光源波長B.光刻膠性能C.光刻機數(shù)值孔徑D.硅片溫度10.工藝整合中的檢測手段包括（）A.電學(xué)檢測B.光學(xué)檢測C.電子顯微鏡檢測D.化學(xué)分析檢測三、判斷題（每題2分，共10題）1.光刻工藝僅用于芯片制造的前端工序。（）2.氧化工藝不會改變硅片的厚度。（）3.離子注入的能量越高，雜質(zhì)注入的深度越深。（）4.化學(xué)氣相沉積只能沉積單一材料的薄膜。（）5.濕法蝕刻比干法蝕刻的精度更高。（）6.光刻膠的曝光時間越久越好。（）7.硅片清洗過程中不會引入新的雜質(zhì)。（）8.擴散工藝和離子注入工藝都是為了改變半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)。（）9.物理氣相沉積主要是通過化學(xué)反應(yīng)來沉積薄膜。（）10.工藝整合的目標(biāo)是提高產(chǎn)品的整體性能和良率。（）四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述光刻工藝的基本流程。光刻工藝基本流程為：涂膠，在硅片表面均勻涂覆光刻膠；曝光，用光刻機將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上；顯影，去除曝光或未曝光的光刻膠；堅膜，提高光刻膠與硅片的附著力及抗蝕性。2.化學(xué)機械拋光的作用是什么？化學(xué)機械拋光主要用于實現(xiàn)硅片表面全局平坦化，去除表面微小缺陷，使硅片表面達(dá)到極高平整度，以滿足多層布線等后續(xù)工藝要求，同時可精確調(diào)整薄膜厚度。3.什么是離子注入？離子注入是將雜質(zhì)離子在電場中加速，注入到半導(dǎo)體硅片中，精確控制雜質(zhì)種類、濃度和注入深度，改變半導(dǎo)體局部電學(xué)性質(zhì)的技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中廣泛應(yīng)用。4.硅片清洗的重要性有哪些？硅片清洗能去除表面雜質(zhì)、有機物、金屬污染物等，避免雜質(zhì)影響器件性能和良率；可改善表面平整度和活性，為后續(xù)工藝如光刻、沉積等提供良好基礎(chǔ)，保證工藝質(zhì)量。五、討論題（每題5分，共4題）1.工藝整合中如何平衡成本和良率？可通過優(yōu)化工藝步驟，減少不必要工序降成本；合理選設(shè)備材料，在成本可控下保證質(zhì)量；持續(xù)改進工藝參數(shù)提高良率；還可進行成本效益分析，找出投入產(chǎn)出最佳點來平衡成本與良率。2.光刻工藝發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)有哪些？光刻工藝面臨光源波長極限挑戰(zhàn)，更小特征尺寸需更短波長光源；光刻膠性能提升困難，要滿足高分辨率、低缺陷要求；光刻機設(shè)備成本高且產(chǎn)能有限；還有多重曝光等新方法帶來工藝復(fù)雜、良率降低問題。3.談?wù)劵瘜W(xué)氣相沉積在工藝整合中的應(yīng)用和優(yōu)勢?；瘜W(xué)氣相沉積可沉積多種材料薄膜，如絕緣、導(dǎo)電等薄膜，用于制造晶體管柵極、互連等結(jié)構(gòu)。其優(yōu)勢在于能精確控制薄膜成分和厚度，均勻性好，且結(jié)合力強，可在復(fù)雜形狀表面沉積，適應(yīng)不同工藝需求。4.如何提高工藝整合的效率？可建立標(biāo)準(zhǔn)化流程和規(guī)范，減少重復(fù)工作和錯誤；加強各工序間溝通協(xié)作，及時解決問題；采用先進自動化設(shè)備和軟件，提高生產(chǎn)檢測速度；培養(yǎng)專業(yè)人才，提升人員技能和工藝?yán)斫饽芰Γ龠M工藝優(yōu)化。答案一、單項選擇題1.A2.C3.C4.C5.A6.B7.A8.C9.B10.C二、多項選擇