(19)國家知識產(chǎn)權局所(普通合伙)31260背接觸電池及其制造方法、背接觸疊層電基底，第二面包括沿第二方向交替排布的第一、二區(qū)；在第一區(qū)上形成包括堆疊設置的隧穿層、蓋第二面的包括堆疊設置的本征非晶硅膜和摻一區(qū)上的初始第二鈍化疊層或第二保護層和初提供基底，基底具有沿第一方向相對的第一面和第二面，第二面包提供基底，基底具有沿第一方向相對的第一面和第二面，第二面包括沿第二方向交替排布的第一區(qū)和第二區(qū)，第一方向為基底的厚度方向，第二方向與第一方向相交在第一區(qū)上形成疊層結構，疊層結構包括沿第一方向上堆疊設置的隧穿層、摻雜多晶硅層和第一保護層在第二面和疊層結構共同構成的表面形成初始第二鈍化疊層，初始第二鈍化疊層包括沿第一方向上堆疊設置的本征非晶硅膜和摻雜非晶硅膜在摻雜非晶硅膜遠離本征非晶硅膜的一側形成第二保護膜采用第一激光刻蝕工藝，對位于第一區(qū)上的第二保護膜和初始第二鈍化疊層進行刻蝕，部分初始第二鈍化疊層，或者，部分第二保護膜和部分初始第二鈍化疊層會殘留于第一區(qū)上以位于第二區(qū)上的第二保護膜為刻蝕阻擋層，且以第一保護層為刻蝕停止層，采用第一刻蝕液，去除殘留于第一區(qū)上的初始第二鈍化疊層，或者，去除殘留于第一區(qū)上的第二保護膜和初始第二鈍化疊層，剩余位于第二區(qū)上的初始第二鈍化疊層為第二鈍化疊層，隧穿2提供基底，所述基底具有沿第一方向相對的第一面和第二面，所述第二面包括沿第二方向交替排布的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一方向為所述基底的厚度方向，所述第二方向與所述第一方向相交；在所述第一區(qū)上形成疊層結構，所述疊層結構包括沿所述第一方向上堆疊設置的隧穿層、摻雜多晶硅層和第一保護層；在所述第二面和所述疊層結構共同構成的表面形成初始第二鈍化疊層，所述初始第二鈍化疊層包括沿所述第一方向上堆疊設置的本征非晶硅膜和摻雜非晶硅膜；在所述摻雜非晶硅膜遠離所述本征非晶硅膜的一側形成第二保護層；采用第一激光刻蝕工藝，對位于所述第一區(qū)上的所述第二保護層和所述初始第二鈍化疊層進行刻蝕，部分所述初始第二鈍化疊層，或者，部分所述第二保護層和部分所述初始第二鈍化疊層殘留于所述第一區(qū)上；以位于所述第二區(qū)上的所述第二保護層為刻蝕阻擋層，且以所述第一保護層為刻蝕停止層，采用第一刻蝕液，去除殘留于所述第一區(qū)上的所述初始第二鈍化疊層，或者，去除殘留于所述第一區(qū)上的所述第二保護層和所述初始第二鈍化疊層，剩余位于所述第二區(qū)上的所述初始第二鈍化疊層為第二鈍化疊層，所述隧穿層和所述摻雜多晶硅層構成第一鈍化疊層。2.根據(jù)權利要求1所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，在形成所述疊層結構之后，在形成所述初始第二鈍化疊層之前，所述背接觸電池的制造方法還包括：對所述第一面進行制絨處理，以將所述第一面轉換為絨面；在所述絨面上形成鈍化減反層；其中，形成所述鈍化減反層的步驟中采用的工藝溫度為第一溫度，形成所述第二保護層的步驟中采用的工藝溫度為第二溫度，所述第一溫度大于或等于所述第二溫度。3.根據(jù)權利要求2所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，所述第二溫度為150℃~4.根據(jù)權利要求2所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，形成所述鈍化減反層的步驟包括：采用第一沉積工藝，在所述絨面上形成氧化鋁膜，且所述氧化鋁膜還形成于所述第二面的部分區(qū)域上以及連接所述第一面和所述第二面的側面上；采用第二沉積工藝，在所述氧化鋁膜遠離所述基底的一側形成氮化硅膜；采用鏈式刻蝕工藝，去除位于所述第二面的部分區(qū)域和所述側面上的所述氮化硅膜，剩余位于所述第一面上的所述氮化硅膜為氮化硅層；以所述氮化硅層為刻蝕阻擋層，采用第三刻蝕液，去除位于所述第二面的部分區(qū)域和所述側面上的所述氧化鋁膜，剩余位于所述第一面上的所述氧化鋁膜為氧化鋁層，所述鈍化減反層包括所述氧化鋁層和所述氮化硅層。5.根據(jù)權利要求1所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，形成所述疊層結構的步驟包括：在所述第二面上形成初始疊層結構，所述初始疊層結構包括沿所述第一方向上堆疊設置的隧穿膜、摻雜多晶硅膜和第一保護膜；3采用第二激光刻蝕工藝，對位于所述第二區(qū)上的所述初始疊層結構進行初步刻蝕，以去除部分厚度的所述初始疊層結構，且對至少部分厚度的所述初始疊層結構進行激光改性處理；采用第二刻蝕液，去除剩余位于所述第二區(qū)上的所述初始疊層結構，剩余位于所述第一區(qū)上的所述初始疊層結構為所述疊層結構，剩余位于所述第一區(qū)上的所述隧穿膜為所述隧穿層，剩余位于所述第一區(qū)上的所述摻雜多晶硅膜為所述摻雜多晶硅層，剩余位于所述第一區(qū)上的所述第一保護膜為所述第一保護層。6.根據(jù)權利要求5所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕液的反應溫度小于所述第二刻蝕液的反應溫度；和/或，所述第一刻蝕液的反應時間小于所述第二刻蝕液的反應時間；和/或，所述第一刻蝕液和所述第二刻蝕液均為氫氧化鉀溶液，氫氧化鉀在所述第一刻蝕液中的濃度小于在所述第二刻蝕液中的濃度。7.根據(jù)權利要求5所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，在形成所述疊層結構的步驟中，所述第二刻蝕液還刻蝕位于所述第二區(qū)的所述基底，位于所述第二區(qū)的所述基底的表面為第二表面，位于所述第一區(qū)的所述基底的表面為第一表面，以所述第一面為基準面，使所述第二表面低于所述第一表面。8.根據(jù)權利要求7所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第二表面和所述第一表面之間的間距為3μm~10μm。9.根據(jù)權利要求5所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，所述第一激光刻蝕工藝中采用的激光為第一激光，所述第二激光刻蝕工藝中采用的激光為第二激光，所述第一激光的波長小于所述第二激光的波長。10.根據(jù)權利要求5所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，所述第一激光刻蝕工藝中采用第一激光器產(chǎn)生第一激光；所述第二激光刻蝕工藝中采用第二激光器產(chǎn)生第二激其中，所述第一激光器的激光掃描速度大于所述第二激光器的激光掃描速度；和/或，所述第一激光器的功率小于所述第二激光器的功率；和/或，所述第一激光器的頻率小于所述第二激光器的頻率。11.根據(jù)權利要求10所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，所述第一激光器的激光掃描速度為40m/s~60m/s,所述第二激光器的激光掃描速度為30m/s~50m/s;和/或，所述第一激光器的功率為10W~30W,所述第二激光器的功率為60W~80W;和/或，所述第一激光器的頻率為900kHz~1100kHz,所述第二激光器的頻率為1100kHz~1300kHz。12.根據(jù)權利要求1所述的背接觸電池的制造方法，其特征在于，在形成所述第二鈍化疊層之后，所述背接觸電池的制造方法還包括：采用酸洗工藝，去除位于所述第二區(qū)上的所述第二保護層，以及去除所述第一保護層。13.一種背接觸電池，其特征在于，所述背接觸電池為如權利要求1至12中任一項所述的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電池。底電池，所述底電池為如權利要求1至12中任一項所述的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電池，或為如權利要求13所述的背接觸電池；頂電池，所述頂電池為鈣鈦礦電池、給體受體電池、碲化鎘太陽能電池、銅銦鎵硒太陽4能電池或砷化鎵太陽能電池中的一種，所述頂電池位于所述底電池的一側。電池串，由多個如權利要求1至12中任一項所述的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電池連接而成，或者多個如權利要求13所述的背接觸電池連接而成，或者由多個如權利要求14所述的背接觸疊層電池連接而成；封裝膠膜，用于覆蓋所述電池串的表面；蓋板，用于覆蓋所述封裝膠膜背離所述電池串的表面。5背接觸電池及其制造方法、背接觸疊層電池、光伏組件技術領域[0001]本公開涉及光伏領域，特別涉及一種背接觸電池及其制造方法、背接觸疊層電池、光伏組件。背景技術[0002]隨著化石能源的逐漸耗盡，光伏電池作為新的能源替代方案，使用越來越廣泛。光伏電池是將太陽的光能轉換為電能的裝置。光伏電池利用光生伏特原理產(chǎn)生載流子，然后使用電極將載流子引出，從而利于將電能有效利用。為進一步降低柵線對光伏電池正面的[0003]然而，為了提升BC電池的光電轉換效率，會在BC電池的背面也設計鈍化接觸結構?；诖?，現(xiàn)有的引入鈍化接觸結構的背接觸電池的制備工藝通常比較復雜，而且在不同區(qū)域設計與不同極性的柵線接觸的不同鈍化接觸結構時，既需要采用激光又需要采用刻蝕液，不僅不容易將需要去除的鈍化接觸結構去除干凈，而且容易對需要保留的鈍化接觸結構造成各種損傷，從而導致背接觸電池的制備工藝穩(wěn)定性較差，制備出的背接觸電池的光電轉換效率不高。發(fā)明內容[0005]本公開實施例提供一種背接觸電池及其制造方法、背接觸疊層電池、光伏組件，至少有利于提升背接觸電池的光電轉換效率。[0006]根據(jù)本公開一些實施例，本公開實施例一方面提供一種背接觸電池的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有沿第一方向相對的第一面和第二面，所述第二面包括沿第二方向交替排布的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一方向為所述基底的厚度方向，所述第二方向與所述第一方向相交；在所述第一區(qū)上形成疊層結構，所述疊層結構包括沿所述第一方向上堆疊設置的隧穿層、摻雜多晶硅層和第一保護層；在所述第二面和所述疊層結構共同構成的表面形成初始第二鈍化疊層，所述初始第二鈍化疊層包括沿所述第一方向上堆疊設置的本征非晶硅膜和摻雜非晶硅膜；在所述摻雜非晶硅膜遠離所述本征非晶硅膜的一側形成第二保護層；采用第一激光刻蝕工藝，對位于所述第一區(qū)上的所述第二保護層和所述初始第二鈍化疊層進行刻蝕，部分所述初始第二鈍化疊層，或者，部分所述第二保護層和部分所述初始第二鈍化疊層殘留于所述第一區(qū)上；以位于所述第二區(qū)上的所述第二保護層為刻蝕阻擋層，且以所述第一保護層為刻蝕停止層，采用第一刻蝕液，去除殘留于所述第一區(qū)上的所述初始第二鈍化疊層，或者，去除殘留于所述第一區(qū)上的所述第二保護層和所述初始第二鈍化疊層，剩余位于所述第二區(qū)上的所述初始第二鈍化疊層為第二鈍化疊層，所述隧穿層和所述摻雜多晶硅層構成第一鈍化疊層。[0007]在一些實施例中，在形成所述疊層結構之后，在形成所述初始第二鈍化疊層之前，所述背接觸電池的制造方法還包括：對所述第一面進行制絨處理，以將所述第一面轉換為6絨面；在所述絨面上形成鈍化減反層；其中，形成所述鈍化減反層的步驟中采用的工藝溫度為第一溫度，形成所述第二保護層的步驟中采用的工藝溫度為第二溫度，所述第一溫度大于或等于所述第二溫度。[0009]在一些實施例中，形成所述鈍化減反層的步驟包括：采用第一沉積工藝，在所述絨面上形成氧化鋁膜，且所述氧化鋁膜還形成于所述第二面的部分區(qū)域上以及連接所述第一面和所述第二面的側面上；采用第二沉積工藝，在所述氧化鋁膜遠離所述基底的一側形成氮化硅膜；采用鏈式刻蝕工藝，去除位于所述第二面的部分區(qū)域和所述側面上的所述氮化硅膜，剩余位于所述第一面上的所述氮化硅膜為氮化硅層；以所述氮化硅層為刻蝕阻擋層，采用第三刻蝕液，去除位于所述第二面的部分區(qū)域和所述側面上的所述氧化鋁膜，剩余位于所述第一面上的所述氧化鋁膜為氧化鋁層，所述鈍化減反層包括所述氧化鋁層和所述氮化硅層。[0010]在一些實施例中，形成所述疊層結構的步驟包括：在所述第二面上形成初始疊層結構，所述初始疊層結構包括沿所述第一方向上堆疊設置的隧穿膜、摻雜多晶硅膜和第一保護膜；采用第二激光刻蝕工藝，對位于所述第二區(qū)上的所述初始疊層結構進行初步刻蝕，以去除部分厚度的所述初始疊層結構，且對至少部分厚度的所述初始疊層結構進行激光改性處理；采用第二刻蝕液，去除剩余位于所述第二區(qū)上的所述初始疊層結構，剩余位于所述第一區(qū)上的所述初始疊層結構為所述疊層結構，剩余位于所述第一區(qū)上的所述隧穿膜為所述隧穿層，剩余位于所述第一區(qū)上的所述摻雜多晶硅膜為所述摻雜多晶硅層，剩余位于所述第一區(qū)上的所述第一保護膜為所述第一保護層。[0011]在一些實施例中，所述第一刻蝕液的反應溫度小于所述第二刻蝕液的反應溫度；和/或，所述第一刻蝕液的反應時間小于所述第二刻蝕液的反應時間；和/或，所述第一刻蝕液和所述第二刻蝕液均為氫氧化鉀溶液，氫氧化鉀在所述第一刻蝕液中的濃度小于在所述第二刻蝕液中的濃度。[0012]在一些實施例中，在形成所述疊層結構的步驟中，所述第二刻蝕液還刻蝕位于所述第二區(qū)的所述基底，位于所述第二區(qū)的所述基底的表面為第二表面，位于所述第一區(qū)的所述基底的表面為第一表面，以所述第一面為基準面，使所述第二表面低于所述第一表面。[0013]在一些實施例中，沿所述第一方向上，所述第二表面和所述第一表面之間的間距[0014]在一些實施例中，所述第一激光刻蝕工藝中采用的激光為第一激光，所述第二激光刻蝕工藝中采用的激光為第二激光，所述第一激光的波長小于所述第二激光的波長。[0015]在一些實施例中，所述第一激光刻蝕工藝中采用第一激光器產(chǎn)生第一激光；所述第二激光刻蝕工藝中采用第二激光器產(chǎn)生第二激光；其中，所述第一激光器的激光掃描速度大于所述第二激光器的激光掃描速度；和/或，所述第一激光器的功率小于所述第二激光器的功率；和/或，所述第一激光器的頻率小于所述第二激光器的頻率。[0016]在一些實施例中，所述第一激光器的激光掃描速度為40m/s~60m/s,所述第二激光器的激光掃描速度為30m/s~50m/s;和/或，所述第一激光器的功率為10W~30W,所述第二激光器的功率為60W~80W;和/或，所述第一激光器的頻率為900kHz~1100kHz,所述第二激光器的頻率為1100kHz~1300kHz。7[0017]在一些實施例中，在形成所述第二鈍化疊層之后，所述背接觸電池的制造方法還包括：采用酸洗工藝，去除位于所述第二區(qū)上的所述第二保護層，以及去除所述第一保護層。[0018]根據(jù)本公開一些實施例，本公開實施例另一方面還提供一種背接觸電池，背接觸電池為如上述任一項所述的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電池。[0019]根據(jù)本公開一些實施例，本公開實施例又一方面還提供一種背接觸疊層電池，包括：底電池，所述底電池為如上述任一項所述的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電鎘太陽能電池、銅銦鎵硒太陽能電池或砷化鎵太陽能電池中的一種，所述頂電池位于所述底電池的一側。[0020]根據(jù)本公開一些實施例，本公開實施例再一方面還提供一種光伏組件，包括：電池串，由多個如上述任一項所述的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電池連接而成，或者多個如上述所述的背接觸電池連接而成，或者由多個如上述所述的背接觸疊層電池連接而成；封裝膠膜，用于覆蓋所述電池串的表面；蓋板，用于覆蓋所述封裝膠膜背離所述電池串的表面。[0021]本公開實施例提供的技術方案至少具有以下優(yōu)點：在進行第一激光刻蝕工藝之前，不僅在在第一區(qū)上形成第一保護層，還在摻雜非晶硅膜遠離本征非晶硅膜的一側形成第二保護層。然后，在不對疊層結構造成激光損傷和過刻蝕的前提下，先采用第一激光刻蝕工藝對位于第一區(qū)上的第二保護層和初始第二鈍化疊層進行初步刻蝕，然后在位于第二區(qū)上的第二保護層和第一保護層的配合下，采用第一刻蝕液對殘留于第一區(qū)上的初始第二鈍化疊層，或者，殘留于第一區(qū)上的第二保護層和初始第二鈍化疊層進行補充刻蝕，以確保最終形成的背接觸電池中，由隧穿層和摻雜多晶硅層構成的第一鈍化疊層僅位于第一區(qū)，第二鈍化疊層僅位于第二區(qū)，從而有利于降低最終形成的背接觸電池的串聯(lián)電阻，以及提升背接觸電池的填充因子，從而提升背接觸電池的光電轉換效率。而且，在各個步驟的相互配合下，有利于提升背接觸電池的制備工藝的穩(wěn)定性，以及降低制備出的不同背接觸能電池之間的光電轉換效率的差異性，從而提升制備的背接觸電池的良率。附圖說明[0022]一個或多個實施例通過與之對應的附圖中的圖片進行示例性說明，這些示例性說明并不構成對實施例的限定，除非有特別申明，附圖中的圖不構成比例限制；為了更清楚地說明本公開實施例或傳統(tǒng)技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0023]圖1為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法的一種流程圖；圖2為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中基底的一種局部剖面示意圖3為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成初始疊層結構后的一種局部剖面示意圖；8圖4為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成疊層結構后的一種局部剖面示意圖；圖5為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成氧化鋁膜和氮化硅膜后的一種局部剖面示意圖；圖6為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成氮化硅層后的一種局部剖面示意圖；圖7為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成氧化鋁層后的一種局部剖面示意圖；圖8為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成初始第二鈍化疊層后的一種局部剖面示意圖；圖9為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成第二保護層后的一種局部剖面示意圖；圖10為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中進行第一激光刻蝕工藝后的一種局部剖面示意圖；圖11為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中采用第一刻蝕液進行刻蝕后的一種局部剖面示意圖；圖12為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中進行酸洗工藝后的一種局部剖面示意圖；圖13為本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池一種局部剖面示意圖；圖14為本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池中頂電池和底電池的一種連接方式示意圖；圖15為本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池中頂電池和底電池的另一種連接方式示意圖；圖16為本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池中頂電池和底電池的又一種連接方式示意圖。具體實施方式[0025]由背景技術可知，背接觸電池的光電轉換效率有待提升。[0026]本公開實施例提供一種背接觸電池及其制造方法、背接觸疊層電池、光伏組件，背接觸電池的制造方法中，在進行第一激光刻蝕工藝之前，不僅在在第一區(qū)上形成第一保護層，還在摻雜非晶硅膜遠離本征非晶硅膜的一側形成第二保護層。然后，在不對疊層結構造成激光損傷和過刻蝕的前提下，先采用第一激光刻蝕工藝對位于第一區(qū)上的第二保護層和9初始第二鈍化疊層進行初步刻蝕，然后在位于第二區(qū)上的第二保護層和第一保護層的配合下，采用第一刻蝕液對殘留于第一區(qū)上的初始第二鈍化疊層，或者，殘留于第一區(qū)上的第二保護層和初始第二鈍化疊層進行補充刻蝕，以確保最終形成的背接觸電池中，由隧穿層和摻雜多晶硅層構成的第一鈍化疊層僅位于第一區(qū)，第二鈍化疊層僅位于第二區(qū)，從而有利于降低最終形成的背接觸電池的串聯(lián)電阻，以及提升背接觸電池的填充因子，從而提升背接觸電池的光電轉換效率。而且，在各個步驟的相互配合下，有利于提升背接觸電池的制備工藝的穩(wěn)定性，以及降低制備出的不同背接觸能電池之間的光電轉換效率的差異性，從而提升制備的背接觸電池的良率。能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數(shù)量、特定順序或主次[0028]在本文中提及“實施例”意味著，結合實施例描述的特定特征、結構或特性可以包含在本公開的至少一個實施例中。在說明書中的各個位置出現(xiàn)該短語并不一定均是指相同的實施例，也不是與其它實施例互斥的獨立的或備選的實施例。本領域技術人員顯式地和隱式地理解的是，本文所描述的實施例可以與其它實施例相結合。示可以存在三種關系，例如A和/或B,可以表示：存在A,同時存在A指的是兩組以上(包括兩組),“多片”指的是兩片以上(包括兩片)。“上”“下”“前”“后”“左”“右”“豎直”“水平”“頂”“底”“內”“外”“順時針”“逆時針”“軸向”“徑向”“周向”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本公開實施例和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本公開實施例的限制。體；也可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術語在本公開實施例中的具體含義。[0033]在本公開實施例對應的附圖中，為了更好地理解和便于描述，層的厚度和面積被放大。當描述一個部件(如層、薄膜、區(qū)域或基底)在另一個部件上或在另一個部件表面上當描述一個部件在另一個部件表面時或者一個部件表面形成或者設置有另一個部件時，則意味著該部件不是形成在另一個部件的整個表面(或前表面)上，也不是形成在整個表面的部分邊緣上。被稱為”在/位于”另一部件上時，它可以"直接在"另一部件上(即位于另一部件表面二者之于其間。[0035]本文對各種所述實施例的描述中所使用的術語僅用于描述特定的實施例，而無意限制。如在所描述的各種實施例的說明和所附權利要求中所使用的，“所述部件”也意在包[0036]下面將結合附圖對本公開的各實施例進行詳細的闡述。然而，本領域的普通技術人員可以理解，在本公開各實施例中，為了使讀者更好地理解本公開實施例而提出了許多技術細節(jié)。但是，即使沒有這些技術細節(jié)和基于以下各實施例的種種變化和修改，也可以實現(xiàn)本公開實施例所要求保護的技術方案。[0037]本公開一實施例提供一種背接觸電池的制造方法，以下將結合附圖對本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法進行詳細說明。[0038]結合參考圖1至圖11,圖1為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法的一種流程圖，背接觸電池的制造方法至少包括如下步驟：S1:參考圖2,圖2為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中基底的一種局部剖面示意圖，提供基底100,基底100具有沿第一方向X相對的第一面110和第二面120,第二面120包括沿第二方向Y交替排布的第一區(qū)130和第二區(qū)140,第一方向X為基底100的厚度方向，第二方向Y與第一方向X相交。[0039]需要說明的是，為提升圖示的清晰性，圖2中僅示意出一個第一區(qū)130和一個第二區(qū)140,實際應用中，第二面包括多個第一區(qū)和多個第二區(qū)，一第一區(qū)和一第二區(qū)沿第二方向交替排布，換言之，相鄰兩個第二區(qū)之間具有一個第一區(qū)，相鄰兩個第一區(qū)之間具有一個第二區(qū)。[0040]S2:結合參考圖3和圖4,在第一區(qū)130上形成疊層結構101,疊層結構101包括沿第一方向X上堆疊設置的隧穿層102、摻雜多晶硅層103和第一保護層104。需要說明的是，后續(xù)會對圖3和圖4進行詳細說明。[0041]S3:參考圖5至圖8,在第二面120和疊層結構101共同構成的表面形成初始第二鈍化疊層105,初始第二鈍化疊層105包括沿第一方向X上堆疊設置的本征非晶硅膜106和摻雜非晶硅膜107。需要說明的是，圖8為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成初始第二鈍化疊層后的一種局部剖面示意圖，后續(xù)會對圖5至圖7進行詳細說明。[0042]S4:參考圖9,圖9為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成第二保護層后的一種局部剖面示意圖，在摻雜非晶硅膜107遠離本征非晶硅膜106的一側形成第二保護層108。[0043]S5:結合參考圖9和圖10,采用第一激光刻蝕工藝，對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行刻蝕，部分初始第二鈍化疊層105,或者，部分第二保護層108和部分初始第二鈍化疊層105殘留于第一區(qū)130上。[0044]需要說明的是，圖10為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中進行第一激光刻蝕工藝后的一種局部剖面示意圖。此外，圖10以進行第一激光刻蝕工藝之后，部分第二保護層108和部分初始第二鈍化疊層105均殘留于第一區(qū)130上為示例，實際應用中，第一11[0045]S6:結合參考圖10和圖11,以位于第二區(qū)140上的第二保護層為刻蝕阻擋層，且以于第二區(qū)140上的初始第二鈍化疊層105[0046]需要說明的是，剩余位于第二區(qū)140上的本征非晶硅膜106可視為本征非晶硅層116,剩余位于第二區(qū)140上的摻雜非晶硅膜107可視為摻雜非晶硅層117,第二鈍化疊層115第二保護層108和部分初始第二鈍化疊層105殘留于第一區(qū)[0049]在此基礎上，先在第一激光刻蝕工藝之前設計第一保護層104和第二保護層108,后續(xù)以位于第二區(qū)140上的第二保護層為刻蝕阻擋層，且以第一保護層104為刻蝕停止層，穿層102和摻雜多晶硅層103構成的第一鈍化疊層123僅位于第一區(qū)130,第二鈍化疊層115105,以避免第一區(qū)130上殘留的初始第二鈍化疊層105導致的背接觸電池的串聯(lián)電阻的增光刻蝕工藝采用的激光能量，以避免激光對位于第一區(qū)130上的疊層結構101的激光損傷，蝕液對位于第二區(qū)140上的初始第二鈍化疊層105進行刻蝕，還可以將第一保護層104作為刻蝕停止層，以避免第一刻蝕液對疊層結構101的過刻蝕，例如避免刻蝕到摻雜多晶硅層[0050]換言之，在進行第一激光刻蝕上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行初步刻蝕，然后在位于第二區(qū)140上的第二保護層108和第一保護層104的配合下，采用第一刻蝕液對位于第一區(qū)130上的第二保護101僅位于第一區(qū)130,第二鈍化疊層115僅位于第二區(qū)140,從而有利于降低最終形成的背接觸電池的串聯(lián)電阻，以及提升背接觸電池的填充因子，從而提升背接觸電池的光電轉換效率。而且，在步驟S2至步驟S6的相互配合下，有利于提升背接觸電池的制備工藝的穩(wěn)定性，以及降低制備出的不同背接觸能電池之間的光電轉換效率的差異性，從而提升制備的背接觸電池的良率。[0051]需要說明的是，采用本公開一實施例提供的背接觸電池，是在以BC電池為平臺技術的基礎上，結合Topcon(TunnelOxidePassivatedContact,隧穿氧化層鈍化接觸)技術和HJT(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer,本征薄膜異質結電池技術)所形成的光伏電池。[0052]以下將結合附圖對本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法進行更為詳細的說明。[0053]在一些實施例中，參考圖4,步驟S2中形成的摻雜多晶硅層103中摻雜有第一類型摻雜元素，參考圖8,步驟S3中形成的摻雜非晶硅膜107中摻雜有第二類型摻雜元素，第一類型摻雜元素為N型摻雜元素和P型摻雜元素中的一者，第二類型摻雜元素為N型摻雜元素和P型摻雜元素中的另一者。[0054]在一些示例中，N型摻雜元素可以為磷(P)元素、鉍(Bi)元素、銻(Sb)元素或砷(As)元素等V族元素中的至少一者；P型半導體基底內摻雜有P型元素，P型摻雜元素可以為硼(B)元素、鋁(A1)元素、鎵(Ga)元素或鎵(In)元素等Ⅲ族元素中的至少一者。[0055]在一些實施例中，基底100用于接收入射光線并產(chǎn)生光生載流子。[0056]在一些情形下，基底100的材料可以為元素半導體材料?？蛇x地，元素半導體材料態(tài)或者微晶態(tài)(同時具有單晶態(tài)和非晶態(tài)的狀態(tài)，稱為微晶態(tài)),例如，硅可以是單晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一種。[0057]在另一些情形下，基底100的材料可以為化合物半導體材料?？蛇x地，常見的化合[0058]在又一些情形下，基底100也可以為藍寶石基底、絕緣體上的硅基底或者絕緣體上的鍺基底。[0059]在一些實施例中，基底100可以為N型半導體基底或者P型半導體基底。N型半導體基底內摻雜有N型摻雜元素，P型半導體基底內摻雜有P型元素。[0060]在一些實施例中，結合參考圖5至圖8,在進行步驟S2,即形成疊層結構101之后，在進行步驟S3,即形成初始第二鈍化疊層105之前，背接觸電池的制造方法還可以包括如下步結合參考圖4和圖5,對第一面110進行制絨處理，以將第一面110轉換為絨面；結合參考圖5至圖8,在絨面上形成鈍化減反層109;其中，形成鈍化減反層109的步驟中采用的工藝溫度為第一溫度，形成第二保護層108(參考圖9)的步驟中采用的工藝溫度為第二溫度，第一溫度大于或等于第二溫度。[0061]值得注意的是，后續(xù)步驟S3中形成初始第二鈍化疊層105中，本征非晶硅膜106和摻雜非晶硅膜107均為非晶態(tài)，為保證本征非晶硅膜106和摻雜非晶硅膜107對第二區(qū)140優(yōu)異的鈍化性能，以保證背接觸電池的光電轉換效率不會降低，形成初始第二鈍化疊層105后的其他工藝步驟的工藝溫度不宜過大，避免影響本征非晶硅膜106和摻雜非晶硅膜107的非晶態(tài)?；诖耍诘诙?20上形成初始第二鈍化疊層105之前，即對第一面110進行制絨并在絨面上形成鈍化減反層109,即使第一溫度大于第二溫度，也可以避免形成鈍化減反層109的工藝溫度對本征非晶硅膜106和摻雜非晶硅膜107的非晶態(tài)造成不利影響，以確保最終形成的第二鈍化疊層115對第二區(qū)140優(yōu)異的鈍化性能，以在提升第一面110對入射光線的陷光效果的同時，保證第二面120得到良好的鈍化處理，以進一步提升背接觸電池的光電轉換效率。[0062]需要說明的是，將對第一面110進行制絨并在絨面上形成鈍化減反層109的工藝步驟，穿插在對第二面120的第一區(qū)130制備疊層結構101的步驟和對第二面120的第二區(qū)140制備第二鈍化疊層115的步驟之間，有利于使得在絨面上形成鈍化減反層109的工藝溫度，即第一溫度不受過多限制，既可以采用較高的工藝溫度制備，即設計第一溫度大于第二溫度，又可以采用適配后續(xù)形成的本征非晶硅膜106和摻雜非晶硅膜107的較低的工藝溫度制[0063]此外，對第一面110進行制絨的工藝溫度一般也會低于形成第二保護層108的步驟中采用的工藝溫度，即第二溫度。在一些示例中，對第一面110進行制絨的工藝溫度一般低于100℃。[0064]在一些情形下，第二溫度可以為150℃~250℃,例如，可以為160℃、17[0065]在一些情形下，可以采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD,PlasmaEnhancdChemicalVaporDeposition)工藝形成第二保護層108。值得注意的是，PECVD工藝利用等離子體來增強沉積過程，從而可以實現(xiàn)更低的工藝溫度和更快的沉積速率，有利于保證形成第二保護層108的步驟中采用的工藝溫度，即第二溫度較低，以及提升背接觸電池的制備[0066]在一些情形下，結合參考圖5至圖7,形成鈍化減反層109的步驟可以包括：參考圖5,采用第一沉積工藝，在絨面上形成氧化鋁膜119,且氧化鋁膜119還形成于第二面120的部分區(qū)域上以及連接第一面110和第二面120的側面150上；繼續(xù)參考圖5,采用第二沉積工藝，在氧化鋁膜119遠離基底100的一側形成氮化硅膜129;結合參考圖5和圖6,采用鏈式刻蝕工藝，去除位于第二面120的部分區(qū)域和側面150上的氮化硅膜129,剩余位于第一面110上的氮化硅膜129為氮化硅層139;結合參考圖6和圖7,以氮化硅層139為刻蝕阻擋層，采用第三刻蝕液，去除位于第二面120的部分區(qū)域和側面150上的氧化鋁膜119,剩余位于第一面110上的氧化鋁膜119為氧化鋁層149,鈍化減反層109包括氧化鋁層149和氮化硅層139。[0067]其中，圖5為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成氧化鋁膜和氮化硅膜后的一種局部剖面示意圖；圖6為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成氮化硅層后的一種局部剖面示意圖；圖7為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成氧化鋁層后的一種局部剖面示意圖。此外，為示意出側面150,圖5和圖6者僅示意出兩個側面150之間一個第一區(qū)130和一個第二區(qū)140,實際應用中，相對的兩個側面之間具有多個第一區(qū)和多個第二區(qū)。[0068]值得注意的是，在形成氧化鋁膜119的步驟中，氧化鋁膜119存在繞鍍現(xiàn)象；在形成第二面120的部分區(qū)域和側面150上的氮化硅膜129,保留位于第一面110上的氮化硅膜129藝去除繞鍍形成的氮化硅膜129,例如可以采用槽式刻蝕工藝去除繞鍍形成的氮化硅膜3,在第二面120上形成初始疊層結構111,初始疊層結構111包括沿第一方向X上堆疊設置的隧穿膜112、摻雜多晶硅膜113和第一保護膜114;結合參考圖3和圖4,采用第二激光刻蝕工構111,且對至少部分厚度的初始疊層結構111進行激光改性處初始疊層結構111為疊層結構101,剩余位于第一區(qū)130上的隧穿膜112為隧穿層102,剩余位于第一區(qū)130上的摻雜多晶硅膜113為摻雜多晶硅層103,剩余位于第一區(qū)130上的第一保護[0071]其中，圖3為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成初始疊層結構后的一種局部剖面示意圖；圖4為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中形成疊114進行改性處理，使得較之位于第一區(qū)130的第一保護膜114,即后續(xù)形成的第一保護層于第二區(qū)140的摻雜多晶硅膜113或隧穿膜112也可能受到第二激光刻蝕工藝中激光的影蝕阻擋層，有利于在避免第二刻蝕液對位于第一區(qū)130的摻雜多晶硅膜113和隧穿膜112的[0074]在一些情形下，可以采用低壓化學氣相沉積(LPCVD,LowPressureChemicalVaporDeposition)工藝形成隧穿膜112、摻雜多晶硅膜113和第一保護膜114.值得注意的量、厚度均勻的薄膜，從而有利于提升隧穿膜112、摻雜多晶硅膜113和第一保護膜114的成膜質量，以提升最終形成的第一鈍化疊層123對第一區(qū)130的鈍化效果。[0075]在一些實施例中，結合參考圖3和圖4,采用第二刻蝕液，去除剩余位于第二區(qū)140上的初始疊層結構111;結合參考圖10和圖11,采用第一刻蝕液，去除殘留于第一區(qū)130上的初始第二鈍化疊層105,或者，去除殘留于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105。需要說明的是，在采用第一刻蝕液的步驟中，第一區(qū)130上已經(jīng)形成疊層結構101,第一保護層104作為刻蝕停止層，也可能因為第一刻蝕液的過刻蝕而被破壞，為避免第一刻蝕液對疊層結構101造成過刻蝕，而影響第一鈍化疊層123對第一區(qū)130的鈍化效果，可以調節(jié)第一刻蝕液的相關參數(shù)，以確保第一保護層104對摻雜多晶硅層103和隧穿層102的保護作[0076]在一些情形下，第一刻蝕液的反應溫度可以小于第二刻蝕液的反應溫度。如此，較之第二刻蝕液的反應溫度，通過降低第一刻蝕液的反應溫度，可以降低第一刻蝕液對第一保護層104造成過刻蝕的概率，以提升形成的背接觸電池的良率。此外，第一激光刻蝕工藝已經(jīng)對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行初步刻蝕，在采用第一刻蝕液對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行補充刻蝕的步驟中，適當降低第一刻蝕液的反應溫度，也可以保證去除殘留于第一區(qū)130上的初始第二鈍化疊層105,或者，去除殘留于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105。[0077]在一些情形下，第一刻蝕液的反應時間可以小于第二刻蝕液的反應時間。如此，較之第二刻蝕液的反應時間，通過降低第一刻蝕液的反應時間，也可以降低第一刻蝕液對第一保護層104造成過刻蝕的概率，以提升形成的背接觸電池的良率。此外，第一激光刻蝕工藝已經(jīng)對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行初步刻蝕，在采用第一刻蝕液對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行補充刻蝕的步驟中，適當降低第一刻蝕液的反應時間，也可以保證去除殘留于第一區(qū)130上的初始第二鈍化疊層105,或者，去除殘留于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105。[0078]在一些情形下，第一刻蝕液和第二刻蝕液均可以為氫氧化鉀溶液，氫氧化鉀在第一刻蝕液中的濃度小于在第二刻蝕液中的濃度。如此，較之氫氧化鉀在第二刻蝕液中的濃度，通過降低氫氧化鉀在第一刻蝕液中的濃度，也可以降低第一刻蝕液對第一保護層104造成過刻蝕的概率，以提升形成的背接觸電池的良率。此外，第一激光刻蝕工藝已經(jīng)對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行初步刻蝕，在采用第一刻蝕液對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行補充刻蝕的步驟中，適當降低氫氧化鉀在第一刻蝕液中的濃度，也可以保證去除殘留于第一區(qū)130上的初始第二鈍化疊層105,或者，去除殘留于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105。[0079]需要說明的是，為降低第一刻蝕液對第一保護層104造成過刻蝕的概率，以提升形成的背接觸電池的良率，較之第二刻蝕液，設計第一刻蝕液的反應溫度、反應時間或氫氧化鉀的濃度的至少一種更小均可實現(xiàn)。換言之，上述三種情形可以擇一設計，也可以擇二設[0080]在一些示例中，采用第一刻蝕液的步驟和采用第二刻蝕液的步驟均可以通過槽式堿拋工藝實現(xiàn)。采用第一刻蝕液的步驟中，氫氧化鉀在第一刻蝕液中的濃度可以為2%~10%,[0081]在一些情形下，參考圖4,在形成疊層結構101的步驟中，第二刻蝕液還刻蝕位于第二區(qū)140的基底100,位于第二區(qū)140的基底100的表面為第二表面，位于第一區(qū)130的基底100的表面為第一表面，以第一面110為基準面，使第二表面低于第一表面。在此基礎上，進行步驟S6后，結合參考圖4和圖11,位于第二區(qū)140的第二鈍化疊層115,即位于第二表面上的第二鈍化疊層115;位于第一區(qū)130的疊層結構101,即位于第一表面上的疊層結構101。[0082]在一些示例中，參考圖11,以第一面110為基準面，在第二表面低于第一表面的基礎上，第二鈍化疊層115中的大部分區(qū)域遠離基底100的表面低于疊層結構101遠離基底100的表面，第二鈍化疊層115中的摻雜非晶硅層117的大部分區(qū)域與疊層結構101中的摻雜多晶硅層103沿第一方向X上錯開。[0083]在一些示例中，參考圖4,沿第一方向X上，第二表面和第一表面之間的間距可以為[0084]值得注意的是，可以通過調節(jié)第二刻蝕液對位于第二區(qū)140的基底100的刻蝕程度，調節(jié)第二表面和第一表面之間的間距。在此基礎上，設計第二表面和第一表面之間的間距可以為3μm~10μm,一方面，有利于避免第二表面和第一表面之間的間距過小，以確保第二鈍化疊層115和疊層結構101之間存在一定的臺階差，以保證第二鈍化疊層115中的摻雜非晶硅層117的大部分區(qū)域與疊層結構101中的摻雜多晶硅層103沿第一方向X上錯開；另一方面，有利于避免第二表面和第一表面之間的間距過大，以避免第二鈍化疊層115和疊層結構101之間的臺階差過大，從而避免最終形成的背接觸電池的背面的凹凸差異過大，以提升最終形成的背接觸電池的結構穩(wěn)定性。[0085]以下對第一激光刻蝕工藝和第二激光刻蝕工藝進行詳細說明。[0086]在一些實施例中，第一激光刻蝕工藝中采用的激光為第一激光，第二激光刻蝕工藝中采用的激光為第二激光，第一激光的波長可以小于第二激光的波長。[0087]值得注意的是，參考圖4或圖7,在進行第一激光刻蝕工藝之前，第一區(qū)130上已經(jīng)形成疊層結構101;結合參考圖9和圖10,后續(xù)進行第一激光刻蝕工藝的步驟中，第一激光照射第一區(qū)130時所產(chǎn)生的能量過大或者對第一區(qū)130上膜層的穿透深度過大，均容易造成對疊層結構101較大的激光損傷。在此基礎上，設計第一激光的波長可以小于第二激光的波長，有利于降低第一激光的穿透深度，以避免第一激光對疊層結構101造成較大的激光損傷，從而確保第一鈍化疊層123對第一區(qū)130優(yōu)異的鈍化效果。[0088]在一些示例中，第一激光為紫皮激光，第二激光可以為綠皮激光。其中，較之綠皮激光，紫皮激光的波長更小，對膜層的穿透深度更小且紫皮激光的能量更集中于膜層的表面，均有利于降低第一激光對疊層結構101造成較大的激光損傷的概率。[0089]值得注意的是，紫皮激光或綠皮激光均屬于皮秒激光，皮秒激光為超短脈沖激光。紫皮激光也可以指紫外皮秒激光，綠皮激光也可以指綠色皮秒激光。[0090]在一些實施例中，第一激光刻蝕工藝中采用第一激光器產(chǎn)生第一激光；第二激光刻蝕工藝中采用第二激光器產(chǎn)生第二激光。在此基礎上，為避免第一激光對疊層結構101造成激光損傷，也可以通過調節(jié)第一激光器的激光掃描速率、功率或頻率，以避免第一激光照射第一區(qū)130時所產(chǎn)生的能量過大。[0091]在一些情形下，第一激光器的激光掃描速度可以大于第二激光器的激光掃描速度。值得注意的是，可以通過調節(jié)激光掃描速度控制照射于膜層上的光斑的尺寸大小，設計第一激光器的激光掃描速度大于第二激光器的激光掃描速度，有利于降低第一激光照射于膜層上的光斑的尺寸，以降低第一激光對疊層結構101造成較大的激光損傷的概率。[0092]在一些示例中，第一激光器的激光掃描速度可以為40m/s~60m/s,例如，可以為[0093]在一些情形下，第一激光器的功率可以小以通過調節(jié)激光器的功率控制激光器輸出的激光的能量，設計第一激光器的功率小于第二激光器的功率，有利于降低第一激光器輸出的第一激光的能量，以降低第一激光照射于膜層上的能量，以降低第一激光對疊層結構101造成較大的激光損傷的概率。[0095]在一些情形下，第一激光器的頻率可以小于第二激光器的頻率。值得注意的是，可以通過調節(jié)激光器的頻率控制照射于膜層上的光斑的重疊率，設計第一激光器的頻率小于第二激光器的頻率，有利于降低第一激光在膜層上形成的光斑的重疊率，以降低第一激光對疊層結構101造成較大的激光損傷的概率。[0096]在一些示例中，第一激光器的頻率可以為900kHz~1100kHz,例如，可以為910kHz、的頻率可以為1100kHz~1300kHz,例如，可以為1110kHz、1120kHz、1130kHz、1140kHz、[0097]需要說明的是，結合調節(jié)激光掃描速度和激光器的頻率，也可以控制照射于膜層上的光斑的重疊率。[0098]此外，為第一激光對疊層結構101造成較大的激光損傷的概率，較之第二激光器，設計第一激光器的激光掃描速度、功率或頻率的至少一種更小均可實現(xiàn)。換言之，上述三種情形可以擇一設計，也可以擇二設計，也可以同時設計于制造方法中。[0099]在一些示例中，在較之第二激光器，設計第一激光器的激光掃描速度、功率或頻率的至少一種更小的基礎上，第一激光為紫皮激光時，第二激光可以為綠皮激光或紫皮激光。[0100]在一些實施例中，結合參考圖11和圖12,圖12為本公開一實施例提供的背接觸電池的制造方法中進行酸洗工藝后的一種局部剖面示意圖，在形成第二鈍化疊層115之后，背接觸電池的制造方法還可以包括：采用酸洗工藝，去除位于第二區(qū)140上的第二保護層108,以及去除第一保護層104。如此，有利于后續(xù)在第一鈍化疊層123上形成與摻雜多晶硅層103電連接的第一柵線，在第二鈍化疊層115上形成與摻雜非晶硅層117電連接的第二柵線。[0101]需要說明的是，在形成第一柵線和第二柵線之前，先在第一鈍化疊層123和第二鈍化疊層115共同構成的表面上形成透明導電膜，對透明導電膜進行圖形化處理，保留下來的透明導電膜包括沿第二方向Y交替排布且間隔排布的透明導電層，后續(xù)在透明導電層上制備第一柵線和第二柵線。其中，單個透明導電層位于單個第一區(qū)130或單個第二區(qū)140上。如此，相鄰透明導電層之間具有間隔，有利于避免第一柵線和第二柵線短路。[0102]在一些實施例中，參考圖9,第二保護層108的材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一者。[0103]在一些實施例中，參考圖4,第一保護層104的材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一者。[0104]在一些示例中，結合參考圖11和圖12,酸洗工藝中可以采用氫氟酸溶液去除位于第二區(qū)140上的第二保護層108,以及去除第一保護層104。[0105]綜上所述，在進行第一激光刻蝕工藝之前，不僅在在第一區(qū)130上形成第一保護層104,還在摻雜非晶硅膜107遠離本征非晶硅膜106的一側形成第二保護層108.然后，在不對疊層結構101造成激光損傷和過刻蝕的前提下，先采用第一激光刻蝕工藝對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行初步刻蝕，然后在位于第二區(qū)140上的第二保護層108和第一保護層104的配合下，采用第一刻蝕液對位于第一區(qū)130上的第二保護層108和初始第二鈍化疊層105進行補充刻蝕，以確保最終形成的背接觸電池中，疊層結構101僅位于第一區(qū)130,第二鈍化疊層115僅位于第二區(qū)140,從而有利于降低最終形成的背接觸電池的串聯(lián)電阻，以及提升背接觸電池的填充因子，從而提升背接觸電池的光電轉換效率。而且，在步驟S2至步驟S6的相互配合下，有利于提升背接觸電池的制備工藝的穩(wěn)定性，以及降低制備出的不同背接觸能電池之間的光電轉換效率的差異性，從而提升制備的背接觸電池的良率。[0106]本公開另一實施例還提供一種背接觸電池，通過前述實施例提供背接觸電池的制造方法形成。以下將結合附圖對本公開另一實施例提供的背接觸電池進行詳細說明。需要說明的是，與前述實施例相同或相應的部分在此不做贅述。[0107]參考圖12,背接觸電池包括：基底100,基底100具有沿第一方向X相對的第一面110和第二面120,第二面120包括沿第二方向Y交替排布的第一區(qū)130和第二區(qū)140,第一方向X為基底100的厚度方向，第二方向Y與第一方向X相交；位于第一區(qū)130上的疊層結構101,疊層結構101包括沿第一方向X上堆疊設置的隧穿層102、摻雜多晶硅層103和第一保護層104;位于第二區(qū)140上的第二鈍化疊層115,第二鈍化疊層115包括沿第一方向X上堆疊設置的本征非晶硅層116和摻雜非晶硅層117。[0108]本公開又一實施例還提供一種背接觸疊層電池，背接觸疊層電池包括前述實施例提供背接觸電池的制造方法形成的背接觸電池、或者前述實施例提供的背接觸電池。以下將結合附圖對本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池進行詳細說明。需要說明的是，與前述實施例相同或相應的部分，在此不再贅述。[0109]參考圖13,圖13為本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池一種局部剖面示意圖，背接觸疊層電池包括：底電池159,底電池159為前述實施例提供的背接觸電池的制造方法所形成的背接觸電池，或為前述實施例提供的背接觸電池；頂電池169,頂電池169為鈣鈦礦電池、給體受體電池、碲化鎘太陽能電池、銅銦鎵硒太陽能電池或砷化鎵太陽能電池中的一種，頂電池169位于底電池159的一側。[0111]在一些示例中，第一傳輸層可以為電子傳輸層或者空穴傳輸層中的一者，第二傳輸層可以為電子傳輸層或者空穴傳輸層中的另一者。[0112]在一些實施例中，頂電池169的帶隙寬度寬于底電池159,因此，在底電池159上方疊加頂電池169可以使疊層電池具有更廣泛的光譜響應范圍，從而最大限度地利用太陽能，提高太陽能電池的效率。[0113]在一些實施例中，底電池159還包括與摻雜多晶硅層103電連接的第一柵線，以及與摻雜非晶硅層117電連接的第二柵線。[0114]以下對頂電池169和底電池159的連接方式進行詳細說明。[0115]在一些實施例中，參考圖14,圖14為本公開又一實施例提供的背接觸疊層電池中頂電池和底電池的一種連接方式示意圖，頂電池169和底電池159可以構成四端疊層結構。頂電池169中的正極和負極分別作為獨立的端子引出，底電池159中的第一柵線和第二柵線也分別作為獨立的端子引出。換言之