以賽促學(xué)

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以智賦能

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智創(chuàng)未來助力模擬芯片新時(shí)代模擬電子技術(shù)與實(shí)踐

2.4晶體管的主要參數(shù)主講人：電子信息工程技術(shù)專業(yè)翁蕓項(xiàng)目二信號(hào)放大電路的分析與制作模擬電子技術(shù)與實(shí)踐虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)

情境引入當(dāng)我們要選用晶體管時(shí)，要考慮哪些主要參數(shù)呢？了解三極管電流放大系數(shù)、極間反向電流等特性參數(shù)

掌握三極管極限參數(shù)的應(yīng)用

學(xué)習(xí)目標(biāo)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)學(xué)習(xí)目標(biāo)

三極管的主要參數(shù)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)1.三極管電流放大系數(shù)共發(fā)射極電流放大系數(shù)—直流電流放大系數(shù)

—交流電流放大系數(shù)一般為幾十

幾百Q(mào)iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321

≈

有時(shí)用hfe表示

三極管的主要參數(shù)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321Q

共基極電流放大系數(shù)

1一般在0.98以上。

1.電流放大系數(shù)

三極管的主要參數(shù)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)2.極間反向飽和電流CB極間反向飽和電流ICBO，CE極間反向飽和電流ICEO。ICEO=（1+β）ICBO室溫下，小功率硅管的ICBO小于1微安，鍺管約為幾微安到幾十微安。ICEO、ICBO均隨溫度的上升而增大，所以其大小反映了晶體管的溫度穩(wěn)定性，其值越小，受溫度的影響越小，晶體管的工作越穩(wěn)定。

三極管的主要參數(shù)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)3.極限參數(shù)

ICM

—集電極最大允許電流，超過時(shí)

值明顯降低。

PCM—集電極最大允許功率損耗PC=iC

uCEiCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作區(qū)

PC將使集電結(jié)溫度升高而使晶體管發(fā)熱。

PCM是最大集電極功耗，它是由允許的最高集電結(jié)溫度決定的,工作時(shí)的集電極功率PC必須小于PCM。

三極管的主要參數(shù)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)3.極限參數(shù)iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作區(qū)

U(BR)CEO

—基極開路時(shí)C、E極間反向擊穿電壓。U(BR)EBO

—集電極極開路時(shí)E、B極間反向擊穿電壓。U(BR)CBO

—C發(fā)射極開路時(shí),C、B極間反向擊穿電壓。U(BR)CBO

>U

(BR)CEO

>U(BR)EBO

三極管的主要參數(shù)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識(shí)項(xiàng)目總結(jié)iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作區(qū)

試分析三極管的特性參數(shù)：已知:ICM

=20mA,PCM

=100mW，U(BR)CEO

=20V，當(dāng)UCE

=

10V時(shí)，IC<

mA當(dāng)UCE

=

1V，則IC<

mA當(dāng)IC

=

2mA，則UCE

<

V102020求解：

小結(jié)三極管電流放大系數(shù)、極間反向