以賽促學(xué)

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以智賦能

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智創(chuàng)未來助力模擬芯片新時代模擬電子技術(shù)與實(shí)踐

2.2晶體管電流放大原理主講人：電子信息工程技術(shù)專業(yè)翁蕓項目二信號放大電路的分析與制作模擬電子技術(shù)與實(shí)踐虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)

情境引入晶體管為什么會有放大作用？耳機(jī)放大電路中的三極管圖1兩級電壓放大電路原理圖什么器件？電路中起什么作用？了解晶體三極管各電極電流關(guān)系掌握三極管具有放大作用的條件

學(xué)習(xí)目標(biāo)虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)學(xué)習(xí)目標(biāo)

三極管的放大作用虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)圖：三極管特性曲線測試電路表：某三極管各電極電流的實(shí)驗數(shù)據(jù)測試三極管的特性曲線

三極管的放大作用虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)1、IE=IC+IB,電流之間的關(guān)系符合基爾霍夫電流定律。2、基極IB電流雖小，但對IC有控制作用，即反映了晶體管的電流放大能力。3、還可得出IE≈IC,。

≈IC比較分析表中數(shù)據(jù)，可得以下結(jié)論：表：某三極管各電極電流的實(shí)驗數(shù)據(jù)

三極管的放大作用虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)三極管的電流放大系數(shù)電流ICN與IB‘之比稱為共射直流電流放大系數(shù)

。通常情況下，在近似分析中，對直流和交流電流放大系數(shù)不作區(qū)分，即：共射交流電流放大系數(shù)β。

三極管的放大作用虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)三極管的電流放大原理RcVccRbVbb（1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子（2）電子在基區(qū)中擴(kuò)散與復(fù)合（3）集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的電子從內(nèi)部看：從外部看：結(jié)論：

三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。

三極管的放大作用虛實(shí)結(jié)合學(xué)習(xí)指南任務(wù)實(shí)施能力拓展預(yù)備知識項目總結(jié)

歸納實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件：（1）內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄，集電區(qū)面積大。（2）外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。

小結(jié)三極管各電極電流關(guān)系

IE=IC+IB,三極管具有放大作用的內(nèi)外部條件