2026華潤(rùn)微電子秋招面試題及答案

單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體中載流子主要是（）A.電子B.空穴C.電子和空穴D.離子2.集成電路制造中，光刻的主要作用是（）A.去除雜質(zhì)B.圖形轉(zhuǎn)移C.摻雜D.鍍膜3.MOS管的三個(gè)極分別是（）A.源極、漏極、基極B.源極、漏極、柵極C.發(fā)射極、集電極、基極D.發(fā)射極、集電極、柵極4.以下哪種材料常用于半導(dǎo)體襯底（）A.銅B.硅C.鋁D.鐵5.邏輯電路中，與非門的邏輯表達(dá)式是（）A.Y=A+BB.Y=A·BC.Y=A+B?D.Y=A·B?6.半導(dǎo)體器件的溫度特性，一般來(lái)說(shuō)溫度升高（）A.導(dǎo)電性增強(qiáng)B.導(dǎo)電性減弱C.不變D.先增強(qiáng)后減弱7.以下不屬于數(shù)字電路的是（）A.計(jì)數(shù)器B.放大器C.寄存器D.譯碼器8.集成電路封裝的主要目的是（）A.美觀B.保護(hù)芯片C.增加重量D.降低成本9.半導(dǎo)體工藝中，化學(xué)氣相沉積（CVD）主要用于（）A.光刻B.刻蝕C.鍍膜D.摻雜10.以下哪個(gè)參數(shù)反映MOS管的放大能力（）A.閾值電壓B.跨導(dǎo)C.導(dǎo)通電阻D.耐壓多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體的特性有（）A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性D.超導(dǎo)性2.集成電路制造的主要工藝步驟包括（）A.光刻B.刻蝕C.摻雜D.鍍膜3.數(shù)字電路的基本邏輯門有（）A.與門B.或門C.非門D.與非門4.半導(dǎo)體器件按導(dǎo)電類型可分為（）A.N型B.P型C.本征型D.混合型5.以下屬于模擬電路的有（）A.放大器B.振蕩器C.比較器D.編碼器6.集成電路封裝的形式有（）A.DIPB.QFPC.BGAD.SOP7.光刻工藝中用到的光刻膠特性有（）A.光敏性B.耐刻蝕性C.溶解性D.導(dǎo)電性8.半導(dǎo)體工藝中的摻雜方法有（）A.離子注入B.擴(kuò)散C.濺射D.蒸發(fā)9.MOS管的工作模式有（）A.截止區(qū)B.線性區(qū)C.飽和區(qū)D.擊穿區(qū)10.衡量集成電路性能的指標(biāo)有（）A.速度B.功耗C.集成度D.可靠性判斷題（每題2分，共10題）1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）2.數(shù)字電路處理的是連續(xù)變化的模擬信號(hào)。（）3.光刻工藝可以將掩膜版上的圖形精確轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶圓上。（）4.MOS管是電流控制型器件。（）5.集成電路封裝只是為了美觀，對(duì)芯片性能沒(méi)有影響。（）6.半導(dǎo)體材料只能是單質(zhì)，不能是化合物。（）7.化學(xué)氣相沉積（CVD）是一種干法刻蝕工藝。（）8.邏輯電路中，異或門的輸出是兩個(gè)輸入信號(hào)相異時(shí)為高電平。（）9.半導(dǎo)體器件的溫度升高，其閾值電壓會(huì)升高。（）10.模擬電路和數(shù)字電路可以集成在同一芯片上。（）簡(jiǎn)答題（每題5分，共4題）1.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的熱敏性及其應(yīng)用。答：半導(dǎo)體熱敏性指其導(dǎo)電性隨溫度變化明顯。溫度升高，載流子增多，導(dǎo)電性增強(qiáng)。應(yīng)用如熱敏電阻，用于溫度測(cè)量、溫度控制等。2.光刻工藝的關(guān)鍵步驟有哪些？答：關(guān)鍵步驟包括涂膠、曝光、顯影。先在晶圓上涂光刻膠，再用光刻設(shè)備將掩膜版圖形曝光到膠上，最后通過(guò)顯影去除部分膠，留下所需圖形。3.簡(jiǎn)述MOS管的工作原理。答：MOS管通過(guò)柵極電壓控制源極和漏極間導(dǎo)電溝道的形成與消失。當(dāng)柵極加合適電壓，形成導(dǎo)電溝道，源漏極導(dǎo)通；電壓不合適，溝道消失，源漏極截止。4.集成電路封裝的作用是什么？答：保護(hù)芯片免受外界環(huán)境影響，如濕氣、灰塵等；實(shí)現(xiàn)芯片與外界電路的電氣連接；提供機(jī)械支撐，便于芯片安裝和使用。討論題（每題5分，共4題）1.討論半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展對(duì)社會(huì)的影響。答：推動(dòng)科技進(jìn)步，帶來(lái)電子產(chǎn)品更新?lián)Q代，如手機(jī)、電腦性能提升。促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，創(chuàng)造大量就業(yè)和產(chǎn)值。改善生活，在醫(yī)療、交通等領(lǐng)域有諸多應(yīng)用，提升生活質(zhì)量。2.分析光刻技術(shù)在集成電路制造中的重要性。答：光刻是集成電路制造核心技術(shù)，決定芯片最小特征尺寸，影響芯片性能和集成度。高精度光刻可制造高性能芯片，推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，是提升競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵。3.探討MOS管在數(shù)字電路和模擬電路中的不同應(yīng)用特點(diǎn)。答：數(shù)字電路中，MOS管作開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)邏輯功能，如構(gòu)成門電路、觸發(fā)器等。模擬電路中，利用其放大特性，作放大器、振蕩器等，對(duì)線性度和噪聲等指標(biāo)要求高。4.談?wù)勀銓?duì)半導(dǎo)體工藝中綠色制造的看法。答：綠色制造很必要，可減少環(huán)境污染和資源浪費(fèi)。采用環(huán)保材料和工藝，能降低能耗和廢棄物排放。利于行業(yè)可持續(xù)發(fā)展，提升企業(yè)社會(huì)形象，也符合環(huán)保趨勢(shì)。答案單項(xiàng)選擇題1.C2.B3.B4.B5.D6.A7.B8.B9.C10.B多項(xiàng)選擇題1.ABC2.ABCD3.ABC4.