2026華潤(rùn)微電子招聘面試題及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體中載流子主要是（）A.電子B.離子C.質(zhì)子D.中子2.MOSFET是（）A.雙極型晶體管B.場(chǎng)效應(yīng)晶體管C.晶閘管D.二極管3.集成電路制造中光刻的作用是（）A.去除雜質(zhì)B.定義圖形C.生長(zhǎng)薄膜D.增強(qiáng)導(dǎo)電性4.以下哪種不屬于常見(jiàn)半導(dǎo)體材料（）A.硅B.鍺C.銅D.砷化鎵5.半導(dǎo)體二極管的核心特性是（）A.雙向?qū)щ娦訠.單向?qū)щ娦訡.放大特性D.開(kāi)關(guān)特性6.在數(shù)字電路中，高電平一般用（）表示。A.0B.1C.-1D.27.芯片制造過(guò)程中的蝕刻是為了（）A.去除不需要的材料B.增加材料厚度C.改變材料顏色D.增強(qiáng)磁性8.晶體管按結(jié)構(gòu)可分為（）A.NPN和PNPB.N溝道和P溝道C.IGBT和MOSFETD.以上都對(duì)9.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，ROM是（）A.隨機(jī)存儲(chǔ)器B.只讀存儲(chǔ)器C.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器D.靜態(tài)存儲(chǔ)器10.摩爾定律指的是集成電路上可容納的晶體管數(shù)目約（）翻一番。A.每半年B.每年C.每18-24個(gè)月D.每3年二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體的特性有（）A.熱敏性B.光敏性C.摻雜性D.超導(dǎo)性2.常見(jiàn)的半導(dǎo)體制造工藝包含（）A.光刻B.蝕刻C.薄膜沉積D.離子注入3.數(shù)字電路中的基本邏輯門有（）A.與門B.或門C.非門D.同或門4.半導(dǎo)體器件散熱的方法有（）A.加裝散熱片B.使用風(fēng)扇C.采用水冷D.涂覆導(dǎo)熱硅脂5.集成電路按集成度可分為（）A.小規(guī)模集成電路B.中規(guī)模集成電路C.大規(guī)模集成電路D.超大規(guī)模集成電路6.以下屬于模擬電路的有（）A.放大器B.濾波器C.計(jì)數(shù)器D.振蕩器7.半導(dǎo)體材料的應(yīng)用領(lǐng)域包括（）A.通信B.計(jì)算機(jī)C.新能源D.汽車電子8.MOSFET的特點(diǎn)有（）A.輸入阻抗高B.開(kāi)關(guān)速度快C.驅(qū)動(dòng)功率小D.電流容量大9.在半導(dǎo)體制造中，用來(lái)控制摻雜濃度的方法有（）A.離子注入B.擴(kuò)散C.氧化D.光刻10.存儲(chǔ)芯片的類型有（）A.SRAMB.DRAMC.FLASHD.EEPROM三、判斷題（每題2分，共20分）1.半導(dǎo)體的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間。（）2.所有晶體管都具有放大作用。（）3.光刻工藝中不需要使用掩膜版。（）4.數(shù)字電路處理的是連續(xù)變化的電信號(hào)。（）5.集成電路制造過(guò)程中，清洗是重要的環(huán)節(jié)。（）6.半導(dǎo)體二極管正向偏置時(shí)導(dǎo)通，反向偏置時(shí)截止。（）7.場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電流控制型器件。（）8.芯片制造過(guò)程中，溫度對(duì)工藝沒(méi)有影響。（）9.只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)在斷電后會(huì)丟失。（）10.半導(dǎo)體材料只能是單質(zhì)，不能是化合物。（）四、簡(jiǎn)答題（每題5分，共20分）1.簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的熱敏性。2.說(shuō)明光刻工藝的基本步驟。3.數(shù)字電路和模擬電路的主要區(qū)別是什么？4.簡(jiǎn)述MOSFET的工作原理。五、討論題（每題5分，共20分）1.討論半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。2.談?wù)勀銓?duì)半導(dǎo)體芯片自主研發(fā)的看法。3.分析半導(dǎo)體制造過(guò)程中可能遇到的挑戰(zhàn)。4.探討如何提高半導(dǎo)體器件的散熱效率。答案一、單項(xiàng)選擇題1.A2.B3.B4.C5.B6.B7.A8.D9.B10.C二、多項(xiàng)選擇題1.ABC2.ABCD3.ABC4.ABCD5.ABCD6.ABD7.ABCD8.ABC9.AB10.ABCD三、判斷題1.√2.×3.×4.×5.√6.√7.×8.×9.×10.×四、簡(jiǎn)答題1.半導(dǎo)體的熱敏性指其導(dǎo)電性隨溫度變化顯著。溫度升高，半導(dǎo)體中載流子濃度增加，導(dǎo)電性增強(qiáng)；反之則減弱。2.光刻基本步驟：涂覆光刻膠、曝光（用掩膜版使光刻膠部分感光）、顯影（去除已感光或未感光光刻膠）、刻蝕（對(duì)下層材料加工）、去膠。3.數(shù)字電路處理離散的數(shù)字信號(hào)，如0和1；模擬電路處理連續(xù)變化的電信號(hào)。數(shù)字電路側(cè)重邏輯運(yùn)算，模擬電路側(cè)重信號(hào)的放大、濾波等。4.MOSFET通過(guò)柵極電壓控制溝道的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵極加合適電壓，形成導(dǎo)電溝道，源極和漏極導(dǎo)通；電壓不合適，溝道消失，器件截止。五、討論題1.未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)將向更高集成度、更小尺寸、更低功耗發(fā)展。在人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域需求推動(dòng)下，技術(shù)創(chuàng)新加快，應(yīng)用范圍更廣。2.半導(dǎo)體芯片自主研發(fā)很關(guān)鍵，可擺脫對(duì)國(guó)外技術(shù)依賴，保障國(guó)家安全。能提升我國(guó)科技競(jìng)爭(zhēng)力，帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)科技自立自強(qiáng)。3.半導(dǎo)體制造挑戰(zhàn)有：