嵌入式軟件開(kāi)發(fā)崗位招聘筆試題與參考答案2026年一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共20分）1.在Cortex-M55內(nèi)核中，若SCB->CCR寄存器的STKALIGN位被置1，則硬件自動(dòng)保證進(jìn)入異常時(shí)棧幀的地址對(duì)齊到A.4字節(jié)B.8字節(jié)C.16字節(jié)D.32字節(jié)參考答案：C2.某MCU的Flash擦除粒度為8KB，寫(xiě)入粒度為256B?，F(xiàn)需將常量表0x08010200—0x080112FF更新為新版，最安全的現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)策略是A.整片擦除后重寫(xiě)B(tài).僅擦除0x08010000—0x08011FFF并寫(xiě)入C.按256B寫(xiě)入，不擦除D.讀出舊數(shù)據(jù)，合并后回寫(xiě)參考答案：B3.在FreeRTOS中，若某任務(wù)優(yōu)先級(jí)為5，調(diào)用vTaskDelay(10)后，該任務(wù)狀態(tài)遷移順序?yàn)锳.Running→Ready→SuspendedB.Running→Blocked→ReadyC.Running→Suspended→ReadyD.Running→Deleted→Ready參考答案：B4.使用CMSIS-DSP庫(kù)進(jìn)行1024點(diǎn)實(shí)數(shù)FFT，輸入數(shù)組q15_tin[1024]，輸出頻譜幅度應(yīng)存放在A.同數(shù)組in前512點(diǎn)B.新數(shù)組q15_tmag[512]C.新數(shù)組q31_tmag[1024]D.同數(shù)組in后512點(diǎn)參考答案：B5.在CAN-FD數(shù)據(jù)段切換至1Mbps以上波特率時(shí)，決定采樣點(diǎn)位置的關(guān)鍵寄存器字段是A.BTR的TS1/TS2B.DBTR的DTSEG1/DTSEG2C.MCR的FDEND.FDCFG的TDCO參考答案：B6.某I2C從機(jī)地址為0x3C，采用7位地址模式，主機(jī)發(fā)送起始信號(hào)后總線上出現(xiàn)的第一個(gè)字節(jié)為A.0x78B.0x3CC.0x1ED.0xB8參考答案：A7.在GCCARM工具鏈中，將函數(shù)置于自定義Flash扇區(qū)的正確語(yǔ)法是A.__attribute__((section(".mytext")))B.pragmalocation=".mytext"C.__declspec(allocate(".mytext"))D.__attribute__((used,".mytext"))參考答案：A8.當(dāng)MCU供電電壓從3.3V跌落至2.8V時(shí)，為保證ADC精度，首先應(yīng)A.提高ADC時(shí)鐘B.降低ADC采樣時(shí)間C.啟用內(nèi)部電壓參考D.關(guān)閉DMA參考答案：C9.在TrustZone-M架構(gòu)下，Secure狀態(tài)代碼訪問(wèn)非安全外設(shè)的合法方式是A.直接訪問(wèn)B.通過(guò)NS別名地址C.通過(guò)SAU配置D.通過(guò)MSP切換參考答案：B10.對(duì)于雙核MCU（M4+M0+），若M0+需讀取M4端共享結(jié)構(gòu)體，最可靠的同步機(jī)制是A.關(guān)中斷B.事件標(biāo)志組C.互斥量+DMB指令D.消息隊(duì)列參考答案：C二、多項(xiàng)選擇題（每題3分，共15分，多選少選均不得分）11.以下哪些外設(shè)事件可觸發(fā)STM32U5的LPBAM低功耗自主運(yùn)行A.LPTIM超時(shí)B.BDMA傳輸完成C.ADC看門(mén)狗閾值D.I2C地址匹配E.USBOTGFS喚醒參考答案：ABCD12.在FatFs文件系統(tǒng)中，f_mkfs()函數(shù)格式化eMMC時(shí)，與磨損均衡相關(guān)的參數(shù)包括A.allocB.n_rootC.au_sizeD.alignE.n_fat參考答案：ACD13.關(guān)于MISRA-C2023規(guī)則，下列描述正確的是A.禁止在宏定義中使用或B.禁止對(duì)指針進(jìn)行算術(shù)運(yùn)算后解引用C.禁止在頭文件定義對(duì)象D.禁止隱式int到float轉(zhuǎn)換E.禁止遞歸函數(shù)參考答案：CDE14.在LwIP2.2中，以下哪些宏與Zero-Copy接收相關(guān)A.PBUF_REFB.PBUF_POOLC.LWIP_NETIF_RX_RINGD.MEM_SIZEE.TCP_QUEUE_OOSEQ參考答案：AC15.當(dāng)使用SEGGERSystemView進(jìn)行實(shí)時(shí)追蹤時(shí)，必須的硬件資源包括A.SWO引腳B.DWT單元C.ITM寄存器D.外部TraceBufferE.高速ETM參考答案：ABC三、判斷改錯(cuò)題（每題2分，共10分，先判斷對(duì)錯(cuò)，若錯(cuò)則劃線改正）16.在Bootloader中，若向量表重定位到SRAM，必須保證SRAM地址0x20000000處存放堆棧頂指針。判斷：對(duì)17.MPU6050的DLPF寄存器位0—2設(shè)置的是加速度計(jì)低通濾波，位3—5設(shè)置陀螺儀低通濾波。判斷：錯(cuò)改正：位0—2設(shè)置陀螺儀低通濾波，位3—5無(wú)意義18.在CMSIS-RTOS2中，osThreadSuspend(NULL)表示掛起當(dāng)前線程。判斷：對(duì)19.當(dāng)使用QSPIXIP時(shí)，若讀取0x90000000地址，實(shí)際訪問(wèn)的是外部Flash的0x00000000。判斷：對(duì)20.在Cortex-M33中，指令“MSRPSP,R0”在非特權(quán)級(jí)下執(zhí)行將觸發(fā)HardFault。判斷：對(duì)四、簡(jiǎn)答題（每題8分，共24分）21.描述一次完整的OTA差分升級(jí)流程，要求涵蓋：版本校驗(yàn)、補(bǔ)丁生成、斷電保護(hù)、回滾策略。參考答案：1)版本校驗(yàn)：Bootloader上電讀取ImageHeader中的Magic、CRC、版本號(hào)，與備份區(qū)對(duì)比，若不一致則進(jìn)入升級(jí)模式；2)補(bǔ)丁生成：服務(wù)器端使用bsdiff算法對(duì)比舊版v1.0.0與新版v1.1.0固件，生成patch.bin，大小約為原固件8%，并附帶Ed25519簽名；3)下載與緩存：APP通過(guò)HTTPS拉取patch.bin，寫(xiě)入外部SPIFlash的swap扇區(qū)，每1KB計(jì)算SHA256并累加，下載完成校驗(yàn)簽名；4)斷電保護(hù)：Bootloader劃分雙BankA/B，升級(jí)前置UpgradeFlag=0x5A5A5A5A于RTC備份寄存器，補(bǔ)丁應(yīng)用采用“雙緩沖+頁(yè)回寫(xiě)”策略，每成功寫(xiě)1KB置ProgressFlag，異常重啟可續(xù)傳；5)回滾：新固件首次啟動(dòng)后，APP在10分鐘內(nèi)通過(guò)看門(mén)狗喂狗并寫(xiě)入SuccessFlag，若超時(shí)未寫(xiě)，Bootloader自動(dòng)拷貝舊版BankB到BankA，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫回滾。22.某項(xiàng)目使用LPUART+DMA實(shí)現(xiàn)7×24小時(shí)日志打印，要求平均功耗<50μA@3.3V。請(qǐng)給出硬件與軟件協(xié)同設(shè)計(jì)要點(diǎn)。參考答案：硬件：1)選用STM32U575，LPUART時(shí)鐘源為L(zhǎng)SI32kHz，TX引腳配置為開(kāi)漏上拉，外接1MΩ上拉電阻，空閑高電平；2)使用eDMA1Channel1，循環(huán)模式，F(xiàn)IFO閾值1/4，傳輸完成不觸發(fā)中斷；3)TXDMA請(qǐng)求與LPUARTTCIE聯(lián)動(dòng)，最后一字節(jié)發(fā)送后自動(dòng)關(guān)閉LPUART時(shí)鐘，進(jìn)入Stop2模式；軟件：1)日志采用CBOR壓縮，每512B打包，DMA描述符置于SRAM3（Retention域）；2)應(yīng)用層寫(xiě)入環(huán)形緩沖，若空閑空間<64B則觸發(fā)一次DMA突發(fā)，vTaskSuspendAll()期間臨界拷貝；3)利用LPUART喚醒中斷，在Stop2下收到主機(jī)ACK幀后重新填充DMA，平均電流實(shí)測(cè)42μA。23.解釋Cortex-M55的“Helium”矢量擴(kuò)展如何在512點(diǎn)FIR濾波中替代傳統(tǒng)CMSIS-DSP，給出性能對(duì)比數(shù)據(jù)。參考答案：Helium提供150條MVE指令，支持32×32→64MAC雙發(fā)。512點(diǎn)FIR濾波（16位系數(shù)，16位樣本）傳統(tǒng)CMSIS-DSP需約6144周期，Helium改寫(xiě)后：1)使用vldrw指令一次加載8×16位樣本到向量寄存器；2)vmullbq與vmlaldava指令并行執(zhí)行8MAC，循環(huán)展開(kāi)4次，共64MAC/循環(huán)；3)實(shí)測(cè)CoreMark/MHz從4.2提升到7.8，濾波耗時(shí)降至1388周期，提速4.4倍，功耗降低28%。五、編程題（共31分）24.（10分）實(shí)現(xiàn)無(wú)鎖環(huán)形緩沖要求：?jiǎn)紊a(chǎn)者、單消費(fèi)者，元素為64位時(shí)間戳，緩沖區(qū)大小1024，需兼容Cortex-M0+。```ctypedefstruct{volatileuint32_thead;volatileuint32_ttail;uint64_tbuf[1024];}ring_t;staticinlineintpush(ring_tq,uint64_tts){uint32_th=q->head;uint32_tnext=(h+1)&1023;if(next==q->tail)return-1;q->buf[h]=ts;__DMB();q->head=next;return0;}staticinlineintpop(ring_tq,uint64_tout){uint32_tt=q->tail;if(t==q->head)return-1;out=q->buf[t];__DMB();q->tail=(t+1)&1023;return0;}```25.（10分）編寫(xiě)B(tài)ootloader跳轉(zhuǎn)函數(shù)，要求：關(guān)閉所有中斷重置SCB->VTOR設(shè)置主堆棧跳轉(zhuǎn)到App```ctypedefvoid(app_fn)(void);voidbootloader_jump(uint32_tapp_addr){__disable_irq();for(inti=0;i<8;i++)NVIC->ICER[i]=0xFFFFFFFF;__DSB();__ISB();SCB->VTOR=app_addr;__DSB();uint32_tsp=(uint32_t)app_addr;uint32_tpc=(uint32_t)(app_addr+4);__set_MSP(sp);__set_PSP(sp);SCB->CCR&=~SCB_CCR_STKALIGN_Msk;app_fnapp=(app_fn)pc;app();}```26.（11分）實(shí)現(xiàn)基于硬件CRC32的IAP校驗(yàn)，使用STM32CRC-32（以太網(wǎng)多項(xiàng)式），輸入為uint8_tdata，長(zhǎng)度len，返回CRC。```cuint32_thw_crc32(constuint8_tdata,uint32_tlen){CRC->CR=CRC_CR_RESET;constuint32_tp=(constuint32_t)data;uint32_trem=len&3;uint32_twords=len>>2;while(words--){CRC->DR=p++;}if(rem){uint32_tlast=0;uint8_tlp=(uint8_t)&last;for(uint32_ti=0;i<rem;i++)lp[i]=((uint8_t)p)[i];CRC->DR=__REV(last);}returnCRC->DR^0xFFFFFFFF;}```六、綜合設(shè)計(jì)題（共30分）27.場(chǎng)景：智能水表需工作10年，電池容量2400mAh，每日上報(bào)1次，峰值發(fā)射電流120mA@200ms，休眠電流需<5μA。MCU為NordicnRF54L，射頻部分已優(yōu)化。請(qǐng)給出：1)電源樹(shù)與測(cè)量方案（6分）2)低功耗任務(wù)調(diào)度框架（8分）3)計(jì)量誤差補(bǔ)償算法（6分）4)固件簽名與加密升級(jí)流程（10分）參考答案：1)電源樹(shù)：鋰亞硫酰氯ER18505直連3.0V，經(jīng)TITPS7A0218LDO輸出1.8V給數(shù)字域，射頻PA由DC-DC升壓至3.3V，啟用nRF54L的PDEC外設(shè)進(jìn)行電池電壓分壓測(cè)量，1MΩ+330kΩ分壓，采樣時(shí)通過(guò)P-channelMOSFET切斷，測(cè)量誤差<±2mV；2)任務(wù)框架：采用ZephyrRTOS，系統(tǒng)時(shí)鐘在Idle時(shí)切換至LFCLK32kHz，設(shè)備樹(shù)中定義power-domain，傳感器采樣任務(wù)使用k_work_delayable，ADC采樣完成回調(diào)中直接置位事件，主循環(huán)調(diào)用pm_policy_state_lock_min，實(shí)測(cè)平均休眠電流3.1μA；3)計(jì)量補(bǔ)償：采用雙軸超聲波TOF，溫度系數(shù)k(T)=1+0.0008×(T-20)