光伏組件檢測設(shè)備研發(fā)工程師崗位招聘考試試卷及答案一、填空題（共10題，每題1分）1.光伏組件在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的最大輸出功率稱為______。2.EL檢測利用組件在______下發(fā)射近紅外光成像，分析缺陷。3.組件絕緣電阻測試標(biāo)準(zhǔn)要求通常不低于______MΩ。4.熱斑耐久測試持續(xù)時間一般為______小時。5.IV曲線測試STC條件中，輻照度為______W/m2。6.紅外熱成像主要分析組件的______分布，識別熱斑。7.組件首年功率衰減行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通常≤______%。8.EL檢測光源多采用______波長的LED。9.地面用晶體硅組件的國際標(biāo)準(zhǔn)之一是______61215。10.檢測設(shè)備校準(zhǔn)需溯源到______基準(zhǔn)。二、單項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分）1.EL檢測主要識別的缺陷是？（）A.功率衰減B.隱裂/斷柵C.絕緣不良D.熱斑2.不屬于STC條件的是？（）A.25℃B.1000W/m2C.AM1.5D.50%RH3.組件絕緣測試常用電壓是？（）A.500VDCB.1000VDCC.2000VDCD.5000VDC4.熱斑效應(yīng)主因是？（）A.組件遮擋B.溫度過高C.輻照度不足D.電壓過高5.開路電壓（Voc）是指？（）A.負(fù)載最大電壓B.負(fù)載為0時電壓C.短路電壓D.最大功率點(diǎn)電壓6.非接觸式檢測方法是？（）A.EL檢測B.IV測試C.絕緣測試D.耐壓測試7.組件功率不可逆衰減主因是？（）A.溫度循環(huán)B.材料老化C.機(jī)械振動D.濕度影響8.EL圖像黑色區(qū)域代表？（）A.正常區(qū)域B.隱裂區(qū)域C.斷柵區(qū)域D.熱斑區(qū)域9.檢測設(shè)備精度穩(wěn)定的關(guān)鍵是？（）A.軟件算法B.傳感器選型C.機(jī)械結(jié)構(gòu)D.以上都是10.針對組件安全的標(biāo)準(zhǔn)是？（）A.IEC61215B.IEC61730C.UL1703D.GB/T9535三、多項(xiàng)選擇題（共10題，每題2分，多選/少選/錯選不得分）1.組件檢測核心參數(shù)包括（）A.PmaxB.VocC.IscD.FFE.絕緣電阻2.EL可識別的缺陷有（）A.隱裂B.斷柵C.碎片D.虛焊E.熱斑3.IV測試影響因素有（）A.溫度B.輻照度C.光譜D.負(fù)載E.濕度4.熱斑耐久測試要求（）A.1000小時B.組件遮擋C.溫度循環(huán)D.負(fù)載條件E.濕度控制5.檢測設(shè)備研發(fā)需考慮（）A.精度B.穩(wěn)定性C.兼容性D.成本E.易用性6.組件主要認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)（）A.IEC61215B.IEC61730C.UL1703D.GB/T9535E.ISO90017.絕緣測試注意事項(xiàng)（）A.斷開外接電路B.電壓極性C.測試≥1分鐘D.濕度≤80%RHE.帶電測試8.紅外熱成像優(yōu)勢（）A.非接觸B.實(shí)時檢測C.局部溫度異常D.溫度量化E.檢測隱裂9.功率測試校準(zhǔn)方法（）A.標(biāo)準(zhǔn)組件對比B.溯源國家基準(zhǔn)C.軟件修正D.硬件補(bǔ)償E.人工校準(zhǔn)10.設(shè)備故障排查步驟（）A.現(xiàn)象分析B.電路檢測C.傳感器校準(zhǔn)D.軟件調(diào)試E.結(jié)構(gòu)檢查四、判斷題（共10題，每題2分，√/×）1.EL僅能檢測隱裂。（）2.STC下測得功率為額定功率。（）3.絕緣測試可帶電操作。（）4.熱斑導(dǎo)致功率不可逆下降。（）5.紅外溫度分辨率越高，精度越高。（）6.Isc與輻照度成正比。（）7.耐壓電壓越高測試效果越好。（）8.設(shè)備校準(zhǔn)周期必須每年一次。（）9.EL圖像分辨率不影響缺陷檢測。（）10.PERC組件EL原理與常規(guī)組件相同。（）五、簡答題（共4題，每題5分）1.簡述EL檢測原理及應(yīng)用場景。2.IV測試STC條件及注意事項(xiàng)。3.熱斑耐久測試目的及流程。4.檢測設(shè)備如何保證精度穩(wěn)定性？六、討論題（共2題，每題5分）1.高精度檢測設(shè)備存在哪些挑戰(zhàn)？如何解決？2.針對PERC/TOPCon組件，檢測設(shè)備需做哪些升級？---答案部分一、填空題答案1.最大功率（Pmax）2.正向偏置3.14.10005.10006.溫度7.28.近紅外（800-1100nm）9.IEC10.國家計(jì)量二、單項(xiàng)選擇題答案1.B2.D3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.D10.B三、多項(xiàng)選擇題答案1.ABCDE2.ABCD3.ABCDE4.ABD5.ABCDE6.ABCD7.ABCD8.ABCD9.AB10.ABCDE四、判斷題答案1.×2.√3.×4.√5.√6.√7.×8.×9.×10.√五、簡答題答案1.原理：組件正向偏置時，硅片電子空穴復(fù)合發(fā)射近紅外光，缺陷區(qū)復(fù)合率低呈暗區(qū)；應(yīng)用：出廠缺陷檢測、電站運(yùn)維隱裂排查、老化分析。2.STC條件：25℃、1000W/m2、AM1.5；注意：溫度穩(wěn)定、輻照度均勻、組件預(yù)熱、斷開外接電路、校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)組件。3.目的：驗(yàn)證組件熱斑耐久性，避免長期功率衰減；流程：遮擋部分電池→施加額定電壓→持續(xù)1000小時→測試衰減（≤5%合格）。4.措施：選溫漂小的高精度傳感器；設(shè)計(jì)溫度補(bǔ)償電路/算法；定期溯源校準(zhǔn)；優(yōu)化機(jī)械結(jié)構(gòu)（防振動形變）；軟件實(shí)時修正環(huán)境參數(shù)。六、討論題答案1.挑戰(zhàn)：新型組件缺陷細(xì)微（傳統(tǒng)EL分辨率不足）、環(huán)境干擾大（溫度/濕度）、多參數(shù)同步精度難；解決：升級EL至1000萬