2026秋招：工藝整合題庫及答案

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.以下哪種不屬于光刻工藝的關(guān)鍵步驟？A.涂膠B.顯影C.刻蝕D.曝光2.CVD是指？A.物理氣相沉積B.化學(xué)氣相沉積C.分子束外延D.離子注入3.硅片表面清洗常用的是？A.硫酸B.王水C.RCA清洗液D.鹽酸4.離子注入的主要目的是？A.改變材料表面硬度B.改變材料電學(xué)性能C.增加材料厚度D.提高材料光澤度5.以下哪種是常用的光刻膠類型？A.正性光刻膠B.中性光刻膠C.負(fù)正性光刻膠D.無極性光刻膠6.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）主要用于？A.去除表面雜質(zhì)B.表面平坦化C.改變表面顏色D.增加表面粗糙度7.熱氧化工藝中，干氧氧化的特點(diǎn)是？A.生長速度快B.氧化層質(zhì)量高C.成本低D.對(duì)設(shè)備要求低8.以下哪種不是薄膜沉積的方法？A.PVDB.CMPC.MBED.CVD9.光刻工藝中，分辨率與下列哪個(gè)因素?zé)o關(guān)？A.光源波長B.數(shù)值孔徑C.光刻膠厚度D.曝光時(shí)間10.擴(kuò)散工藝的主要目的是？A.形成PN結(jié)B.去除表面缺陷C.提高表面平整度D.增加材料硬度二、多項(xiàng)選擇題（每題2分，共10題）1.工藝整合中需要考慮的因素有？A.工藝順序B.設(shè)備兼容性C.成本D.良率2.光刻工藝的組成部分包括？A.光刻設(shè)備B.光刻膠C.掩膜版D.顯影液3.離子注入的優(yōu)點(diǎn)有？A.精確控制雜質(zhì)濃度B.低溫工藝C.可選擇性注入D.對(duì)材料損傷小4.以下屬于硅片清洗方法的有？A.機(jī)械清洗B.化學(xué)清洗C.超聲清洗D.等離子清洗5.化學(xué)氣相沉積的優(yōu)點(diǎn)有？A.沉積速率高B.膜層均勻性好C.可進(jìn)行復(fù)雜形狀沉積D.設(shè)備簡單6.熱氧化工藝的影響因素有？A.氧氣流量B.溫度C.硅片晶向D.氧化時(shí)間7.以下屬于薄膜材料的有？A.二氧化硅B.氮化硅C.多晶硅D.鋁8.光刻工藝的分辨率與下面哪些因素有關(guān)？A.光刻膠靈敏度B.光源C.光刻設(shè)備D.掩膜版質(zhì)量9.工藝整合過程中可能遇到的問題有？A.工藝兼容性問題B.設(shè)備故障C.環(huán)境因素影響D.人員操作失誤10.物理氣相沉積的方法有？A.蒸發(fā)B.濺射C.化學(xué)電鍍D.離子鍍?nèi)?、判斷題（每題2分，共10題）1.工藝整合只需考慮單個(gè)工藝的效果，無需考慮工藝之間的相互影響。（）2.光刻工藝中，曝光時(shí)間越長越好。（）3.離子注入會(huì)對(duì)硅片表面造成一定損傷。（）4.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）只能用于硅片表面的拋光。（）5.熱氧化工藝中，水汽氧化比干氧氧化生長速度快。（）6.光刻膠的主要作用是在光刻過程中保護(hù)硅片表面。（）7.CVD可以沉積各種金屬和非金屬薄膜。（）8.擴(kuò)散工藝和離子注入工藝都可以形成PN結(jié)。（）9.硅片清洗只需要進(jìn)行一次，就能達(dá)到良好的清洗效果。（）10.光刻分辨率越高，能夠制造的芯片特征尺寸越小。（）四、簡答題（每題5分，共4題）1.簡述工藝整合的主要目標(biāo)。實(shí)現(xiàn)各工藝環(huán)節(jié)有效銜接與配合，提高生產(chǎn)效率、降低成本，確保產(chǎn)品質(zhì)量和良率，滿足設(shè)計(jì)要求和生產(chǎn)目標(biāo)。2.光刻工藝有哪些關(guān)鍵參數(shù)？主要有關(guān)鍵參數(shù)有光源波長、數(shù)值孔徑、曝光時(shí)間、光刻膠靈敏度和厚度、顯影時(shí)間和溫度等，影響分辨率和圖形轉(zhuǎn)移質(zhì)量。3.離子注入與擴(kuò)散工藝相比，有什么優(yōu)點(diǎn)？能精確控制雜質(zhì)濃度和分布，可低溫操作減少熱影響，可選擇性注入特定區(qū)域，且工藝重復(fù)性好。4.化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的作用和原理是什么？作用是使硅片表面平坦化。原理是通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨協(xié)同作用，在壓力和拋光液作用下，去除表面凸起部分達(dá)到平整。五、討論題（每題5分，共4題）1.討論在工藝整合中如何提高產(chǎn)品良率。需優(yōu)化工藝順序，確保各工藝兼容，減少相互干擾；嚴(yán)格控制工藝參數(shù)，減少波動(dòng)；做好設(shè)備維護(hù)和校準(zhǔn)，保證其穩(wěn)定性；加強(qiáng)人員培訓(xùn)，提升操作技能和質(zhì)量意識(shí)；還要進(jìn)行有效環(huán)境管理，降低污染影響。2.談?wù)劰饪碳夹g(shù)在芯片制造中的重要性。光刻技術(shù)是芯片制造核心，決定芯片特征尺寸和集成度，精確圖形轉(zhuǎn)移保證電路功能實(shí)現(xiàn)。先進(jìn)光刻可推動(dòng)芯片性能提升和制程縮小，是提高芯片競爭力和實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破關(guān)鍵。3.分析離子注入工藝可能帶來的問題及解決方法?？赡苤鹿杵Ц駬p傷、引入雜質(zhì)污染。解決可采用退火修復(fù)損傷，優(yōu)化注入?yún)?shù)控制注入量和能量；用凈化設(shè)備和密封工藝減少污染，做好注入后檢測(cè)。4.探討工藝整合如何應(yīng)對(duì)日益縮小的芯片特征尺寸。需研發(fā)適配新工藝和材料，提高光刻分辨率；優(yōu)化工藝順序和參數(shù)，增強(qiáng)各工藝兼容性和協(xié)同性；引入先進(jìn)設(shè)備和智能控制技術(shù)，提升工藝精度和穩(wěn)定性；加強(qiáng)跨學(xué)科合作，利用新興技術(shù)滿足尺寸縮小需求。答案單項(xiàng)選擇題1.C2.B3.C4.B5.A6.B7.B8.B9.D10.A多項(xiàng)選擇題1.A