2024年深芯盟晶圓制造（Foundry&IDM）行業(yè)調(diào)研分析報告報告概要10Foundry與IDM）26報告目錄一、晶圓代工行業(yè)概況1.全球市場概況2.國內(nèi)“北上深”市場概況二、全球晶圓廠制程工藝演進路線1.臺積電三星英特爾三、全球晶圓代工TOP10分析1.中芯國際與臺積電對比2.格羅方德3.X-FAB晶合集成世界先進聯(lián)電華虹公司力積電高塔半導體四、26家國內(nèi)晶圓制造企業(yè)畫像五、晶圓代工未來趨勢六、結(jié)語與展望一、晶圓代工行業(yè)概況晶圓代工（Foundry），指專門從事半導體晶圓生產(chǎn)制造的企業(yè)，它們?yōu)槠渌麩o晶圓廠（Fabless）的芯片設(shè)計公司提供晶圓生產(chǎn)服務(wù)。圖：晶圓制造產(chǎn)業(yè)鏈示意圖資料來源：全球信息情報、深芯盟產(chǎn)業(yè)研究部整理21輕晶圓廠IDMIDM全球市場概況12.51215元，2023年全球晶圓代工前十大廠商營收為1115.413.62024年全球晶圓代工市場的規(guī)模將達到1272.71億美元。全球晶圓代工代表企業(yè)有臺積電SCSmugntlUCGobafoudies、中芯國際（SMIC）等。圖：全球晶圓代工廠梯隊2023708.63.3%。據(jù)芯謀研究數(shù)據(jù)顯示，202321114202482024Q210.219.6335354圖：2024Q2晶圓代工市場收入、增長資料來源：SemiconductorBusinessIntelligence發(fā)展現(xiàn)狀中國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)顯示，2023年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模為12276.9億元，同比增長2.3%。其中，晶圓制造業(yè)實現(xiàn)銷售額3874億元，同比增長0.5%。2022—2023年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)概況（單位：億元）數(shù)據(jù)來源：中國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會2024年在終端產(chǎn)業(yè)恢復(fù)向好的影響下，中國大陸晶圓代工行業(yè)預(yù)計12英寸產(chǎn)能將新增約13.5萬片/月晶圓，新增產(chǎn)能主要來自12英寸，且集中在上海和廣東兩地。50%。目前，上海已形成完整的集成電路產(chǎn)20243251.944:26:15:15，84520226001002025實現(xiàn)營業(yè)收入3,000億元，構(gòu)建集成電路創(chuàng)新平臺、設(shè)計、制造、裝備四大優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)。2022年深圳市集成電路產(chǎn)業(yè)營收為1608.9億元，其中晶圓制造業(yè)占比僅有1.8%，推292023技術(shù)對比14nm890nm1265nm。賽微MEMS（微機電系統(tǒng)）MEMS628nm/20nm的集成電路晶圓代工及配套服務(wù)，具備邏輯電路、電源/模擬、混合信號/射頻、圖像傳感器等多個技術(shù)平臺的量產(chǎn)能力。產(chǎn)能及分布江蘇省半導體行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)表明，截至2023年，中國6英寸及以上的晶圓制造生產(chǎn)線（不包含在建和中試線）共計163條。其中，12英寸的生產(chǎn)線達40條，8英寸的生產(chǎn)線有49條，6英寸的則為77條。廠商地點晶圓廠工藝制程尺寸規(guī)劃產(chǎn)能（萬片/月）中芯國際上海中芯南方SN114nmFinFET123.5上海中芯上海S1Fab10.35μm-90nm813.5上海中芯上海S1Fab20.35μm-90nm8在2023年，中國12英寸晶圓生產(chǎn)線的實際產(chǎn)能約為每月140萬片（折合8英寸廠商地點晶圓廠工藝制程尺寸規(guī)劃產(chǎn)能（萬片/月）中芯國際上海中芯南方SN114nmFinFET123.5上海中芯上海S1Fab10.35μm-90nm813.5上海中芯上海S1Fab20.35μm-90nm8華虹集團上海華力一期Fab5CIS，HV，eNVM124上海華力二期Fab628nm/22nmLogic，RF，CIS，eNVM124上海華虹宏力Fab11.0μm-90nmeNVM，Discrete,BCD，Logic/RF,CIS817.8上海華虹宏力Fab28上海華虹宏力Fab38積塔半導體上海Fab655nm特色工藝先導線（一階段）40/28nm汽車電子芯片生產(chǎn)線（二階段）125上海Fab50.35-0.11um，模擬、功率器件88上海Fab30.5-2.5umBCD，數(shù)?；旌?3上海Fab21.0-0.8umBCD，IGBT67上海Fab7SiCMOSFET63鼎泰匠芯上海0.18/0.11umMOSFET,GBT,Logic,Analog123臺積電上海Fab100.35-0.18μmCMOS812中芯國際北京中芯北京B1Fab490nm-55nm126.5北京中芯北方B265nm-28nm1210北京中芯北方B365nm-28nm12北京中芯京城FAB3P165nm-28nm1210燕東微北京65nm功率器件、顯示驅(qū)動、電源管理、硅光芯片124北京90nm以上MOSFET、IGBT、CMOS、BCD、MEMS85賽微電子北京Fab30.25um-1umMEMSBAW83中芯國際深圳中芯深圳G2Fab1665nm-28nm124深圳中芯深圳G1Fab150.35μm-0.15μm87方正微深圳Fab1DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN，SiC65深圳Fab2DMOS、IGBT、SBD、FRD、BiCMOS、BCD、GaN，SiC深愛半導體深圳DMOS、MOSFET、IGBT，F(xiàn)TD，TVS，GaN，SiC64表：北上深三地已建晶圓代工產(chǎn)線數(shù)據(jù)來源：芯謀研究院、深芯盟產(chǎn)業(yè)研究部整理二、全球晶圓廠制程工藝演進路線ICICIC199550035025018015090654532282214107納米、53圖：晶圓制造制程節(jié)點演進資料來源：GadgetMates根據(jù)不同的制程，可以將對應(yīng)的晶圓代工廠分為四大類：1）先進制程：≤14nm；2）中等制程：28nm-45nm；3）成熟制程：65nm-0.13um；4）特色工藝：0.25um-0.5um。特色工藝0.25um-0.5um

成熟制程65nm-0.13um

中等制程28nm-45nm

先進制程≤14nmIGBT/MOSFET/MCU 電源管理芯片/CIS/MEMS

物聯(lián)網(wǎng)芯片 高性能應(yīng)用處理手機/PC/服務(wù)器表：不同制程的不同應(yīng)用資料來源：塔尖研究臺積電7nm7nm0235圖：臺積電工藝節(jié)點路線圖資料來源：臺積電7nmN7（7nm）、N5（5nm）、N3（3nm）N3N3PN3X。2024（新竹縣寶山鄉(xiāng)）N2（2nm）202530,000（12）2nm2026（N2）HPCN2P”。近期，臺積電于美國舉辦的“20241.6nm—TSMCA16N2PA161.1015—-20%，這有助于延長電子產(chǎn)品的續(xù)航時間，減少能源消耗，A162026三星SF4（4nm）和SF2（2nm）。圖：三星工藝節(jié)點路線圖資料來源：三星圖：三星主節(jié)點SF4和SF2注：E=Early，P=Performance,forSmartphone；X=Extreme,forHPC/AI；A=Automotive,U=Ultr；Z=HPC/AlapplicationwithBSPDN三星的SF4仍然是FinFET節(jié)點，主要應(yīng)用于智能手機和AI應(yīng)用之中，SF4P主要針對智能手機領(lǐng)域，SF4X則針對AI和HPC領(lǐng)域。隨著AI需求增長及芯片制程要求提高，三星正在加碼先進工藝迭代。GAA（全環(huán)繞柵極晶體管）被認為是在更先進工藝制程中替代FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）的技術(shù)。GAAGAA20243nm（SF3），并計劃在2nmGAAGAA產(chǎn)量有望在未來幾年大幅增長。SF2ZSF4U，其中，SF2Z2nm2027SF4U4nm2025SF1.4（1.4nm）的準備工作進展順利，正在按計劃達成性能和量2027英特爾Intel4（7nm）已經(jīng)完成，Intel3（3nm）、20A（2nm）18A（1.8nm）將在未來幾年推出。圖：英特爾工藝節(jié)點路線圖資料來源：英特爾ThroughSilicon，TSV3DEExtension，也就是功能拓展版本其中，Intel3Intel33nmXeon6'SierraForest'和'GraniteRapids'處理器。20A2024RibbonFET20A后續(xù)工藝版本的任何計劃，在某種20AIntel18AIntel20ARibbonFETPowerVia18APantherLake、Clearwater20252026年。14A和14AIntel18AIntel14A-EIntel14A514A具體投產(chǎn)節(jié)點仍未公布。三、全球晶圓代工TOP10分析中芯國際與臺積電對比工藝技術(shù)對比在目前官方公開數(shù)據(jù)中，臺積電的工藝水平是3納米，中芯國際則是14納米，兩者相差著3-4代的制程差異。2020 2021 2022 2023 2024 2025臺積電

5nm6nm

N5P

N4 N3PN3 N3E

N2（GAA）中芯國際 N+1N+2圖：臺積電與中芯國際工藝演進路線資料來源：TrendForce2023年臺積電的5納米的制程工藝成為第一大營收來源，最新的制程工藝是3納米，未來的趨勢是2納米：55nm7nmMX/Vx0.021umSRAM單元，同時還有一個優(yōu)于計劃的缺陷密度（logicdefectdensity）d0；33FFET5UV）SRAMN353N3PN3S和N3X。這些N3變體旨在為超高性能應(yīng)用提供改進的工藝窗口、更高的性能、增加的晶體管密度和增強的電壓；2N2工藝帶來了兩項重要的創(chuàng)新——納米片晶體管（臺積電稱之為GAAFET）和背面供電。GAA納米片晶體管的通道在所有四個側(cè)面都被柵極包圍，從而減少了泄漏；圖：臺積電制程對比資料來源：IT之家中芯國際已經(jīng)不再公布各個制程工藝在營收的占比，改用“晶圓尺寸分類”替代了“制程工藝節(jié)點分類”，籠統(tǒng)地講，8901290納米以下的制程工藝。從過往的數(shù)據(jù)及披露的信息中推測，中芯國際仍是以成熟工藝為主，2814728納米：（1）具備高介電常數(shù)金屬柵極、鍺硅應(yīng)力提升技術(shù)和超低電介質(zhì)材料銅互聯(lián)工藝；（2）運用193納米浸潤式兩次微影技術(shù)和形成超淺結(jié)的毫秒級退火工藝；（3）核心組件電壓0.9V，具有三種不同閾值電壓；14FinFET/應(yīng)用3*10^9/應(yīng)用高介電常數(shù)金屬柵極技術(shù)，提供三種不同閾值電壓的核心器件；（4）低介電常數(shù)介質(zhì)的銅互連技術(shù)，支持最13N+1（714nm57%，63%，SoC557nm35%性能相比，仍有差距；N+2：相當于臺積電7nm+。企業(yè)運營和財務(wù)表現(xiàn)臺積電2023年全年營收為21617.4億元新臺幣（約合人民幣4950.38億元），同比下降4.72%，歸屬上市公司凈利潤為8385億元新臺幣（約合人民幣1911.78億元），同比下降21.23%。凈利潤率為38.8%，較2022年44.9%下降6.1%。中芯國際2023年營業(yè)收入約452.5億元，同比下降8.61%，歸屬于上市公司股東的凈利潤約48.23億元，同比減少60.3%，毛利率為19.3%，年平均產(chǎn)能利用率為75%。圖：2023年營收對比2023圖：臺積電近5年營收及凈利潤（億元）資料來源：Wind5（億元）資料來源：Wind20242.515122025從營收數(shù)據(jù)上看，202336%，533%，719%，1610%，2810758%。圖：2023臺積電營收數(shù)據(jù)資料來源：臺積電按應(yīng)用劃分，HPC（高性能計算）和智能手機分別占凈收入的43%與38%，物聯(lián)網(wǎng)、汽車、DCE（數(shù)字消費電子）和其他分別占8%、6%、2%、3%，其中智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、DCE和其他收入較上年分別下降8%、17%、16%、6%，僅汽車的收入增長15%。圖：2023臺積電營收數(shù)據(jù)資料來源：臺積電按區(qū)域分，2023年，來自北美客戶的收入占總凈收入的68%，而來自中國、亞太地區(qū)、日本和的收入分別占總凈收入的1286%和6%。826.3%，1273.7%，按應(yīng)用分，智能26.7%、26.7%、25%、12.19.580.116.43.5%。圖：2023資料來源：中芯國際圖：2023資料來源：中芯國際1530122023Q412295.71.93nmQ4（12）116636/片的歷史新高。中芯國際月產(chǎn)能由2023年第三季的79.575片8寸晶圓約當量增加至2023年第四季的80.55片8寸晶圓約當量，2023全年新增產(chǎn)能9.15萬片8寸晶圓約當量。Q4產(chǎn)能利用率為76.8%，年平均產(chǎn)能利用率為75%。核心客戶和市場優(yōu)勢10DanNystedt在臺積電提交給美國證券交易委員會（SEC）的文件中，蘋果公司被稱為“客戶去年向臺積電支付了175.2億美元（約1261.44億元人民幣），占其營收的25%；（NVIDIA）被稱為“客戶77.3億美元（約556.56億元人民幣）11%；臺積電前十大客戶占去年凈營收的91%，高于2022年的82%。這些公司還包括聯(lián)發(fā)科、AMD、高通（Qualcomm）、博通（Broadcom）、索尼（Sony）和美滿電子（Marvell）。據(jù)038EMEA（歐洲、中東和非洲）12%、8%、6%6%。圖：臺積電客戶按地區(qū)占比資料來源：臺積電中芯國際方面，主要的客戶群體以國內(nèi)芯片設(shè)計企業(yè)為主，據(jù)2023年中芯國際財報數(shù)據(jù)顯示，中國、美國、歐亞占比分別為80.1%、16.4%和3.5%。圖：中芯國際客戶按地區(qū)占比資料來源：中芯國際臺積電在晶圓代工領(lǐng)域的優(yōu)勢主要有以下三點：3nm20237nm3517%；先進制程（7nm）67%；10nm7nm855、8657nmGPU4nm8Gen1Plus產(chǎn)能龐大，作為全球晶圓代工巨頭，臺積電擁有著世界最龐大的晶圓制造產(chǎn)能，公150012中國臺灣設(shè)有5座12英寸超大晶圓廠、四座8英寸晶圓廠和一座6英寸晶圓廠，并擁有南12128英寸晶圓廠產(chǎn)能。不僅如此，近期臺積電還在加緊步伐在中國臺灣和日本新建工廠。中芯國際在晶圓代工領(lǐng)域的優(yōu)勢主要有兩點：28nm28nm2）背靠全球最大的半導體市場中國，半導體需求持續(xù)增長。資本開支對比臺積電2023304.5202236316.1％。202428032070%—80%將用于先進制程技術(shù)，10%—20%用于成熟和特殊制程技術(shù)，剩余的10%則投向先進封裝測試和掩模生產(chǎn)等設(shè)備的采購。從往年數(shù)據(jù)中看，在消費電子產(chǎn)品需求減少、芯片需求也隨著下滑的背景下，2022年以來，臺積電的資本開支呈現(xiàn)下降的態(tài)勢：圖：2018-2024臺積電資本支出（單位：億美元，2024年為預(yù)估值）資料來源：臺積電2023年中芯國際的資本開支約為74.7億美元，高于2022年的63.5億美元，增加了17.3%。對于報告期（2023年）內(nèi)的資本開支主要用于產(chǎn)能擴充。2024年來已宣布的12英寸工廠和產(chǎn)能建設(shè)計劃，預(yù)計資本開支與上一年相比大致持平。圖：2018-2024中芯國際資本支出（單位：億美元，2024年為預(yù)估值）資料來源：中芯國際280～320300～3407%。臺積電當前正積極推進在中國、美國、日本和德國等海外區(qū)域建設(shè)晶圓廠：臺積電日本熊本廠自2022年4月動工，20個月完工，計劃于第四季開始量產(chǎn)12nm、16nm、22nm及28nm芯片。2月6日正式宣布將在日本熊本縣建設(shè)第二座工廠，力爭2024年底動工，2027年開始營運。加上第一座工廠，投資總額超過200億美元，日本豐田汽車公司將出資2%；4nm3nm400420252024年底實現(xiàn)；20242027其他合資公司已用10萬歐元進行德國廠的先期作業(yè)，其中臺積電投資7萬歐元，加上后來投資的34億9993萬歐元，臺積電赴德共計投資35億歐元。1700圖：中芯國際產(chǎn)能布局資料來源：52RD、深芯盟產(chǎn)業(yè)研究部中芯國際在北京亦莊投資建設(shè)晶圓廠，總投資約為497億元，預(yù)計一期項目將于2024年完工。項目完成后，將每月產(chǎn)出約10萬片12英寸晶圓；中芯國際與天津市西青經(jīng)濟開發(fā)集團有限公司和天津西青經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會1275億美元建設(shè)12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目。協(xié)議顯示，擬建設(shè)的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬片/28納米至180納米不同技術(shù)節(jié)點的晶圓代工與技術(shù)20219210/12項目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節(jié)點的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。該項目計劃投資約88.7億美元（約合570億元人民幣），注冊合資公司注冊資本金為55億美元；（透過深圳重投集團其中包括擬以建議出資的方式經(jīng)由中芯284000012目的新投資額估計為23.5億美元，約合153億元。圖：建設(shè)新的晶圓廠的潛在成本資料來源：DeloitteDeloitte100502025415FutureHorizons2023282012511.65.9%。格羅方德：背靠美國市場，追求差異化競爭格羅方德（Globalfoundries）簡稱“格芯”，成立于2009年3月2日，是一家總部位于美國加州硅谷桑尼維爾市的半導體晶圓代工企業(yè)。2009AMD（IDM）模式轉(zhuǎn)型為無晶圓廠（Fabless）模式，將AMD20102015IBM201810nm12nm。與其他晶圓代工企業(yè)相比，格芯的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下三個方面：931.3二是產(chǎn)能充沛，格芯已經(jīng)斥資約70億美元擴大其在新加坡、德國、法國、紐約州北部的生產(chǎn)；28nm、40nm、55nm和130nm平面CMOS平臺；用于先進邏輯芯片應(yīng)用的12nm和14nmFinFET（鰭式場效晶體管）平臺；用于低功耗應(yīng)用的22nmFDX（FD-SOI工藝）平臺；45nm、90nm、130nm和180nmRFSOI（射頻絕緣層上硅）平臺，用于5G和汽車雷達等應(yīng)用；用于數(shù)據(jù)中心高速光互連的45nm和90nmSiPh（硅光子學）平臺；用于高頻、射頻和功率應(yīng)用的45nm、90nm和130nmSiGe（硅鍺）平臺；用于電機控制和汽車等大功率應(yīng)用的寬帶隙新材料（8英寸氮化鎵和未來的碳化硅）平臺。（圖：格羅方德全球布局（紫色為晶圓廠）資料來源：格羅方德官網(wǎng)3.X-FAB：以先進的模擬和混合信號工藝技術(shù)見長1992/混合信號集成電路）、法國（1）、馬來西亞（1）和美國（1）68100000/月。MOSSOSCMS。5mm.0μm.8μm和.6μm0mm晶圓上的特征尺寸為0.6μm、350nm、250nm、180nm和130nm。圖：X-FAB6個晶圓制造工廠資料來源：X-FAB官網(wǎng)2023110BCD-on-SOIBCD-on-SOIXT011BCD-on-SOISOIBulkBCDXB晶合集成：全球面板驅(qū)動芯片代工龍頭20155（集團有限公司與臺灣力晶科1232/月。N1202110/月規(guī)模，營收突破50N220208202155nmICCISMCUPMIC202448.5/月。150nm-90nm晶合集成目前主要從事12英寸晶圓代工業(yè)務(wù)，建立了包括150nm/110nm/90nm/55nm等制程的研發(fā)平臺。晶合集成在面板驅(qū)動芯片代工領(lǐng)域占據(jù)全球領(lǐng)先的市場份額，形成了自身獨特的優(yōu)勢。除此之外，晶合集成近年來逐步拓展CIS（圖像傳感器）、PMIC（電源管理）、MCU（微控制單元）等領(lǐng)域，目前正在研發(fā)40/28納米OLED、MCU以及邏輯芯片。圖：晶合集成技術(shù)藍圖資料來源：晶合集成官網(wǎng)據(jù)報道稱，晶合集成N1廠穩(wěn)定投產(chǎn)，截至2021年底產(chǎn)能已達10萬片/月，N2廠于00年802年N24萬片03、2024年N3、N4廠開始建設(shè)。世界先進：八寸晶圓的堅守者世界先進是一家專注于邏輯產(chǎn)品國際晶圓代工的企業(yè)，成立于1994年。最初從事的是2000世界先進目前擁有5座八寸晶圓廠，其中四座位于中國臺灣，一座位于新加坡，202333528%的股權(quán)，也是世界先進最主要的技術(shù)來源。圖：世界先進產(chǎn)能概況資料來源：世界先進官網(wǎng)8（powermanagement）IC目前持續(xù)研發(fā)的制程技術(shù)包括：高壓制程（HighVoltage）、超高壓制程（UltraHighVoltage）、BCD（BipolarCMOSDMOS）制程、SOI(SilicononInsulator)、分離式元件icteogcixd-Sgnlnlog、PrecisionAnalog）（EmbeddedMemory）以及微機電（MEMS）技術(shù)等。聯(lián)電：布局特色工藝的先行者1980年58612中有1座12寸廠位于廈門，1座8寸廠位于蘇州。14222855659050.11與其他的晶圓代工企業(yè)相比，聯(lián)電的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：28/222018812nm聯(lián)電28納米制程采用嶄新的應(yīng)力技術(shù)(SMT,t-CESL,c-CESL)與嵌入式SiGe，以強化電子遷移率的表現(xiàn)，專為需要高效能與低功耗之應(yīng)用產(chǎn)品所開發(fā)。目前已采用28HLPSiON與28HPC/HPC+HK/MG制程量產(chǎn)多家客戶產(chǎn)品。22ULP)與超低漏電(ULL)兩種制程方案建立在同一個平臺上，其所需光罩數(shù)量與28納米相同且設(shè)計規(guī)則與28納米制程技術(shù)兼容，在提升28nm1030%功耗，可滿足連接、移動、物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)和汽車等對低功耗有著很高需求的應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品。55nm／40nm／28nm28nmOLEDICRF-SOI121822RFSOI40GHz28OLEDDDI2225VOLED）18022eNVMIP3C22（MRAM）1Gb202362（442.469.9530.0548.582022122024112nm202712nm14nm華虹公司：立足于先進“特色IC+功率器件”的戰(zhàn)略目標華虹半導體有限公司簡稱“華虹公司”，成立于2005年，總部位于上海，主營8英寸及12英寸特色工藝晶圓代工，專注于嵌入式非易失性存儲器、電源管理IC、功率器件、射頻等特色工藝平臺以及標準邏輯、混合信號等通用工藝平臺。華虹公司在上海金橋和張江建有3座8英寸晶圓廠，在無錫擁有1座12英寸晶圓廠，截至2023年底，華虹公司折合八英寸月產(chǎn)能擴充至39.1萬片。與其他的晶圓企業(yè)相比，華虹公司的特色工藝平臺主要有兩大優(yōu)勢：一是覆蓋較為全面，在0.35μm至90nm工藝節(jié)點的8英寸晶圓代工平臺，以及90nm到55nm工藝節(jié)點的12英寸晶圓代工平臺上，覆蓋了嵌入式/獨立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理、傳感器等各類工藝平臺產(chǎn)品的晶圓代工服務(wù)；（MCU）、功率驅(qū)動（模擬與電源管理芯片）、功率輸出（功率器件）的產(chǎn)品制造需求，形成一站式解決方案。圖：功率器件和嵌入式非易失性存儲器工藝平臺收入占比最大20232023NORD-Fash產(chǎn)MCU在消費電子、通訊、工業(yè)控制、智慧醫(yī)療和智能卡等領(lǐng)域的應(yīng)用提供了優(yōu)勢芯片制造平臺。在IGBTMOSFET力積電：最大存儲器芯片制造公司2841240（8）的IC圖：力積電技術(shù)藍圖在成熟制程的技術(shù)積累上，力積電形成了自身的優(yōu)勢：DRAM3DWoW(3Don55CPU38DRAM169AMD7納米芯片還多出6倍運算速度，但比先進制程芯片價格更低；DRAMDRAM/Flash轉(zhuǎn)向邏輯產(chǎn)品，朝量少但能維持價格的產(chǎn)品繼續(xù)發(fā)展。高塔半導體：模擬芯片代工的領(lǐng)先者高塔半導體有限公司SemiconductorLtd.）19932（82（6英寸及8英寸28英寸及2英寸意大利12英寸，SiGeBiCMOSRFCMOS（SOIBulk）；CMOS（CIS）；電源管理（包括700VBCD、CMOS、混合信號CMOS）和MEME應(yīng)用。圖：高塔半導體工藝技術(shù)SiGeBiCMOSRF-SOIRF-CMOS54IFS11X65nm300mm（RFSOI）芯片等等。四、國產(chǎn)26家晶圓制造企業(yè)畫像公司名稱公司全稱公司總部類別 上市中芯國際中芯國際集成電路制造有限公司上海Foundry√華虹集團上海華虹（集團）有限公司上海Foundry√晶合集成合肥晶合集成電路股份有限公司合肥Foundry√芯聯(lián)集成芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司紹興Foundry√芯粵能廣東芯粵能半導體有限公司廣州Foundry賽微電子北京賽微電子股份有限公司北京Foundry√鵬芯微深圳市鵬芯微集成電路制造有限公司深圳Foundry鵬新旭深圳市鵬新旭技術(shù)有限公司深圳Foundry新微半導體上海新微半導體有限公司上海Foundry榮芯半導體榮芯半導體有限公司寧波Foundry積塔半導體上海積塔半導體有限公司上海IDM聞泰科技聞泰科技股份有限公司上海IDM√長鑫存儲長鑫存儲技術(shù)有限公司合肥IDM華潤微華潤微電子有限公司無錫IDM√士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司杭州IDM√粵芯半導體廣州粵芯半導體技術(shù)有限公司廣州IDM方正微深圳方正微電子有限公司深圳IDM燕東微北京燕東微電子股份有限公司北京IDM√增芯科技廣州增芯科技有限公司廣州IDM武漢新芯武漢新芯集成電路股份有限公司武漢IDM奧松電子廣州奧松電子股份有限公司廣州IDM青島芯恩青島芯恩（青島）集成電路有限公司青島IDM比亞迪半導體比亞迪半導體股份有限公司深圳IDM積海半導體杭州積海半導體有限公司杭州IDM深愛半導體深圳深愛半導體股份有限公司深圳IDM三安光電三安光電股份有限公司廈門IDM√以下是26家國產(chǎn)晶圓制造企業(yè)的詳細信息，包括技術(shù)亮點，企業(yè)簡介和工藝平臺概況：中芯國際812工藝平臺：具備邏輯電路、電源/模擬、高壓驅(qū)動、嵌入式非揮發(fā)性存儲、非易失性存儲、混合信號/射頻、圖像傳感器等多個技術(shù)平臺的量產(chǎn)能力，可為客戶提供智能手機、電腦與平板、消費電子、互聯(lián)與可穿戴、工業(yè)與汽車等不同領(lǐng)域集成電路晶圓代工及配套服務(wù)華虹集團技術(shù)亮點：集成電路量產(chǎn)工藝；嵌入式非易失性存儲器工藝技術(shù)能力和規(guī)模全球領(lǐng)先，ICeFLASHeEEPROMMCUIGBTMEMS8+12電路制造核心業(yè)務(wù)分布在上海浦東金橋、張江、康橋和江蘇無錫四個基地，共擁有38英寸和3條12英寸芯片生產(chǎn)線。工藝平臺：華虹宏力工藝技術(shù)覆蓋1微米至90納米各節(jié)點，其嵌入式非易失性存儲器65/5528NOR晶合集成150nm40nm28nm150-40DCCUMOSIS、（PMIC）（Logic）芯聯(lián)集成技術(shù)亮點：功率工藝技術(shù)、功率封裝技術(shù)、BCD工藝技術(shù)、MEMS工藝技術(shù)企業(yè)簡介：全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，中國最大的車規(guī)級IGBT生產(chǎn)基地之一，同時在SiCMOSFET出貨量上穩(wěn)居亞洲前列，是國內(nèi)產(chǎn)業(yè)中率先突破主驅(qū)用SiCMOSFET產(chǎn)品的頭部企業(yè)，同時也是國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠工藝平臺：從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬IC、MCU的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，為汽車、新能源、工控、家電等領(lǐng)域提供完整的一站式芯片系統(tǒng)代工方案芯粵能握SiC1700V以內(nèi)的SBD及MOSFET的工藝流程及技術(shù)細節(jié)SBDMOSFETIGBT賽微電子技術(shù)亮點：覆蓋MEMS領(lǐng)域的全面工藝技術(shù)儲備，關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)成熟并經(jīng)過多年的生產(chǎn)檢驗，TSV、TGV、SilVia、MetVia、DRIE及晶圓鍵合等技術(shù)模塊行業(yè)領(lǐng)先主知識產(chǎn)權(quán)和掌握核心半導體制造技術(shù)的特色工藝專業(yè)芯片晶圓制造商，20192023MEMS2023MEMS27工藝平臺：掌握硅通孔（TSV）、玻璃通孔、晶圓鍵合、深反應(yīng)離子刻蝕等多項工藝技術(shù)和工藝模塊，產(chǎn)品覆蓋了通訊、生物醫(yī)療、工業(yè)汽車、消費電子等諸多領(lǐng)域鵬芯微技術(shù)亮點：提供28nm/20nm技術(shù)節(jié)點的集成電路晶圓代工及配套服務(wù)//鵬新旭技術(shù)亮點：聚焦40nm/28nm成熟邏輯工藝產(chǎn)能建設(shè)和卓越制造新微半導體技術(shù)亮點：提供3/4/6吋基于氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）與磷化銦（InP）材料的一站式化合物半導體晶圓代工服務(wù)工藝平臺：基于自產(chǎn)的外延片，提供覆蓋低壓、中壓和高壓（40V—650V）的硅基氮化鎵功率工藝解決方案。具備6吋非金工藝的晶圓代工能力，為客戶提供低本高效的氮化鎵功率器件代工服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車電子和光伏等領(lǐng)域榮芯半導體技術(shù)亮點：主要聚焦90-55nm的12英寸芯片生產(chǎn)線，覆蓋六大種類芯片制造，分別為CIS、TDDI、功率器件、電源管理、OLEDDriver、NorFlash企業(yè)簡介：聚焦產(chǎn)品于圖像傳感器、顯示驅(qū)動、功率器件、電源管理、代碼型閃存等，著重成熟制程特色工藝，為中國半導體行業(yè)提供優(yōu)秀的技術(shù)開發(fā)能力和12寸晶圓制造產(chǎn)能工藝平臺：布局90-40nm工藝的圖像傳感器、顯示驅(qū)動、功率器件、電源管理、代碼技術(shù)亮點：專注于模擬電路、功率器件所需的特色生產(chǎn)工藝研發(fā)與制造企業(yè)簡介：國內(nèi)較早具備碳化硅（SiC）功率器件制造能力的企業(yè)，已經(jīng)通過車規(guī)質(zhì)量VDA6.3（VDA）A、（IGBTSGTFRDTVS（JBS（MEMS）等特色工藝平臺鼎泰匠芯&50umBCD深溝槽隔離技術(shù)，可有效提升器件防漏電性能，使芯片趨向于小型化、集約化企業(yè)簡介：中國第一座12英寸車規(guī)級半導體晶圓廠，致力于打造成全球領(lǐng)先的模擬、邏輯和功率器件半導體公司0.18um&0.11umPowerDiscrete、lC、AnalogLogic長鑫存儲技術(shù)亮點：國內(nèi)唯一國產(chǎn)一體化DRAM制造商，長鑫存儲能夠?qū)崿F(xiàn)從芯片設(shè)計、制造到封裝測試的全鏈條自主可控企業(yè)簡介：中國DRAM存儲芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，專注于動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售華潤微87620IDM工藝平臺：致力于模擬/混合信號制程和功率器件/電路制程的開發(fā)，已經(jīng)形成獨特的CMOS/ANALOG,BICMOS,RF/Mixed-SignalCMOS,BCD，功率器件和MEMS工藝平臺以及一系列客制化工藝平臺士蘭微技術(shù)亮點：多個技術(shù)領(lǐng)域保持了國內(nèi)領(lǐng)先的地位，如綠色電源芯片技術(shù)、MEMSLEDMEMS工藝平臺：致力于模擬/混合信號制程和功率器件/電路制程的開發(fā)，已經(jīng)形成獨特的CMOS/ANALOG,BICMOS,RF/Mixed-SignalCMOS,BCD，功率器件和MEMS工藝平臺以及一系列客制化工藝平臺粵芯半導體技術(shù)亮點：規(guī)劃打造工業(yè)級和車規(guī)級模擬特色工藝平臺，并將技術(shù)節(jié)點進一步延伸至55-40nm，22nm制程企業(yè)簡介：粵港澳大灣區(qū)首家進入量產(chǎn)的12英寸芯片制造企業(yè)，專注于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、工業(yè)控制、5G等應(yīng)用領(lǐng)域14180-90nmMOS、MS、CIS2021Q1啟動，2021Q4180-55nmCIS、MS、MOS、BCD、HV20222023方正微MOSFETSiCSBD16mΩ-60mΩ15A—40AGaNHEMT150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉(zhuǎn)換更快、能耗更低的電源產(chǎn)品IDM6工藝平臺：專注于為客戶提供功率分立器件（DMOS、IGBT、SBDFRD）和功率集成電路（BiCMOS、BCDHVCMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)，致力于推動電源管理芯片和新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化燕東微技術(shù)亮點：已通過ISO9001、IAT