本標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)住房城鄉(xiāng)建設(shè)部《關(guān)于印發(fā)<2013年工程建設(shè)業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所會(huì)同有關(guān)單位共同編制完成。本標(biāo)準(zhǔn)在編制過(guò)程中，編制組在調(diào)查研究的基礎(chǔ)上，總結(jié)國(guó)內(nèi)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)、吸收近年來(lái)的科研成果、借鑒符合我國(guó)國(guó)情的國(guó)外先進(jìn)經(jīng)審查定稿?；竟に?、工藝設(shè)備配置、工藝設(shè)計(jì)、建筑與結(jié)構(gòu)、公用設(shè)施及動(dòng)本標(biāo)準(zhǔn)中以黑體字標(biāo)志的條文為強(qiáng)制性條文，必須嚴(yán)格執(zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)由住房城鄉(xiāng)建設(shè)部負(fù)責(zé)管理和對(duì)強(qiáng)制性條文的解釋，工業(yè)和信息化部負(fù)責(zé)日常管理，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所負(fù)責(zé)具體技術(shù)內(nèi)容的解釋。本標(biāo)準(zhǔn)在執(zhí)行中，請(qǐng)各單位注意總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，積累資料，如發(fā)現(xiàn)需要修改或補(bǔ)充之處，請(qǐng)將意見(jiàn)和建議寄至中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(地址：山西省太原市和平南路115號(hào)，郵政編碼：030024),以供今后修訂時(shí)參考。中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所參編單位：信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)公司第214研究所薛長(zhǎng)立閆詩(shī)源項(xiàng)瑋嚴(yán)偉一徐榕青 3總體設(shè)計(jì) 3.1一般規(guī)定 3.2廠址選擇與廠區(qū)總平面布局 4基本工藝 4.1一般規(guī)定 4.10層壓 4.12共燒 4.14激光調(diào)阻 5.1一般規(guī)定 5.2配料工藝設(shè)備 5.3混料工藝設(shè)備 5.4流延工藝設(shè)備 5.5切片工藝設(shè)備 5.6打孔工藝設(shè)備 5.7填孔工藝設(shè)備 5.8印刷工藝設(shè)備 5.9疊片工藝設(shè)備 5.10層壓工藝設(shè)備 5.11熱切工藝設(shè)備 5.12共燒工藝設(shè)備 5.13熟切工藝設(shè)備 5.14激光調(diào)阻工藝設(shè)備 5.15鍍涂工藝設(shè)備 5.16飛針測(cè)試工藝設(shè)備 6.3工藝設(shè)備布置 7.1建筑 7.2結(jié)構(gòu) 8.1空氣凈化與排風(fēng)系統(tǒng) 8.2給水排水 8.3氣體動(dòng)力 9.1供電 9.2照明、配電和自動(dòng)控制 10環(huán)境保護(hù)與安全 本標(biāo)準(zhǔn)用詞說(shuō)明 引用標(biāo)準(zhǔn)名錄 3.2Thesitechoiceand 4.2Materialsmatching 4.12Co-fireing 4.16Flyingprobe 5Processequipmentdisposit 5.2Materialsmatchingprocesse 5.3Mixingproce 5.4Castingprocesse 5.5Cuttingprocesseq 5.6Viapunchingprocessequip 5.7Viafillingprocessequipment 5.8Printingprocessequip 5.10Laminatingprocessequipme 5.11Heatcuttingprocessequip 5.12Co-firingprocessequipment 5.14Lasertrimmingprocessequipm 5.15Platingpr 5.16Flyingprobetestingpro 10.1Environmentp Explanationofwordinginthisstandard Listofquotedstandards 1.0.1為規(guī)范共燒陶瓷混合電路基板廠工程建設(shè)中設(shè)計(jì)內(nèi)容和1.0.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用低溫共燒陶瓷(LTCC)和高溫共燒陶瓷(HTCC)工藝制造的混合電路多層互連基板生產(chǎn)廠新建、擴(kuò)建2.0.1低溫共燒陶瓷lowtemperatureco-firedceramic2.0.2高溫共燒陶瓷hightemperatureco-firedceramic由生瓷漿料經(jīng)流延后形成的帶狀的未燒結(jié)的復(fù)合柔性瓷料，3.1.2共燒陶瓷混合電路基板廠總體設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)輸入應(yīng)包括下3.1.5共燒陶瓷混合電路基板廠工程設(shè)計(jì)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)工藝的特3.1.6總體設(shè)計(jì)應(yīng)總控設(shè)計(jì)交付以后出現(xiàn)的各專業(yè)設(shè)計(jì)變更，審查批準(zhǔn)設(shè)計(jì)變更的發(fā)放。3.1.7總設(shè)計(jì)師應(yīng)負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)總說(shuō)明的編寫，并應(yīng)協(xié)調(diào)各專業(yè)設(shè)計(jì)3.2廠址選擇與廠區(qū)總平面布局3.2.1共燒陶瓷混合電路基板廠廠址選擇宜避開(kāi)鐵路、機(jī)場(chǎng)、交通干道等有較強(qiáng)振動(dòng)產(chǎn)生的區(qū)域。3.2.2共燒陶瓷混合電路基板廠廠址選擇應(yīng)顧及市政配套能力、等自然災(zāi)害少見(jiàn)等因素或條件。3.2.3共燒陶瓷混合電路基板廠廠址選擇應(yīng)識(shí)別環(huán)境因素，把環(huán)3.2.4共燒陶瓷混合電路基板廠應(yīng)按工藝生產(chǎn)系統(tǒng)、動(dòng)力輔助系統(tǒng)、倉(cāng)儲(chǔ)系統(tǒng)、辦公和管理系統(tǒng)等功能分區(qū)進(jìn)行廠區(qū)總平面布局。3.2.5廠區(qū)總平面布局應(yīng)綜合多方面因素進(jìn)行，并應(yīng)符合下列規(guī)1大流、物流出入口布置應(yīng)避免交叉干擾；2廠區(qū)宜形成環(huán)形消防通道；3生產(chǎn)廠房應(yīng)位于廠區(qū)的下風(fēng)向；4城市給水進(jìn)口、電力及其他動(dòng)力源接入應(yīng)與動(dòng)力站銜接便5廠區(qū)排水出口應(yīng)與城市排水管網(wǎng)在方向上、標(biāo)高上順暢、6廠區(qū)標(biāo)高應(yīng)以城市最高洪水位、廠區(qū)周圍道路和土方工程量綜合確定；7廠區(qū)綠化應(yīng)結(jié)合當(dāng)?shù)貧夂驐l件和環(huán)境進(jìn)行設(shè)計(jì)；8廠區(qū)應(yīng)結(jié)合工廠發(fā)展情況，預(yù)留發(fā)展用地。4.1.1共燒陶瓷基板加工的基本工藝應(yīng)包括LTCC基板加工、壓→熱切→低溫共燒→熟切→激光調(diào)阻→測(cè)試。4.1.3HTCC基板加工可按下列基本4.2.1配料工藝應(yīng)通過(guò)使用電子天平等稱量器具按照配方要求1無(wú)機(jī)粉料陶瓷粉、玻璃粉、微晶玻璃粉的成分及含量應(yīng)為1μm～4μm,比表面積宜為5m2/g～15m2/g,顆粒形貌宜為球4應(yīng)按照流延批量大小及生瓷帶配方的材料成分要求稱量5應(yīng)按流延批量及生瓷帶配方比例稱量粉料分散劑及其溶劑；6應(yīng)按流延批量及生瓷帶配方比例稱量黏結(jié)劑、塑化劑。4.2.3配料工藝間應(yīng)配置排風(fēng)設(shè)施，操作化學(xué)試劑時(shí)應(yīng)戴手套和口罩并打開(kāi)排風(fēng)。4.2.4配料間可與混料間共用，但應(yīng)與生瓷帶流延間、共燒陶瓷基板加工間分隔開(kāi)。4.2.5未用的化學(xué)試劑應(yīng)密封，并應(yīng)存放在專用防爆儲(chǔ)存柜4.3.1混料工藝應(yīng)通過(guò)分步球磨，將完成配料的各種成分充分混4.3.2混料工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)將按批量配比的分散劑、溶劑及研磨介質(zhì)裝人球磨罐旋2應(yīng)將已按批量配比的無(wú)機(jī)粉料加到已溶解好的分散劑中旋輾，應(yīng)嚴(yán)格控制陶瓷和玻璃粉料的雜質(zhì)含量，以及球磨速度和球磨時(shí)間，使陶瓷粉料與分散劑混合均勻，混料總量與球磨球或球磨棒的質(zhì)量比約為1:2;3應(yīng)將已按批量配比的黏結(jié)劑、塑化劑加到已分散好的無(wú)機(jī)粉料旋輾，得到均勻混合的生瓷瓷漿；4應(yīng)將瓷漿在真空脫泡機(jī)中攪拌脫泡；5應(yīng)使用黏度計(jì)測(cè)量瓷漿樣品的黏度達(dá)到規(guī)定要求。4.3.3混料工藝間應(yīng)配置排風(fēng)設(shè)施，操作瓷漿時(shí)應(yīng)戴合適的手套和口罩并打開(kāi)排風(fēng)。4.3.4未用的化學(xué)試劑應(yīng)密封，應(yīng)在專用防爆儲(chǔ)存柜中存放。4.3.5混料間可與配料間共用，但應(yīng)與生瓷帶流延間、共燒陶瓷基板加工間分隔開(kāi)。4.3.6混料(配料)間必須采用防爆電氣。4.4.1流延工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行生瓷帶流延機(jī)，使已球磨混料并去除氣泡的瓷漿在刮刀刀口下平坦刮延在聚酯薄膜表面，經(jīng)逐級(jí)干燥后同步收卷，得到既定寬度和厚度的致密成卷生瓷帶。4.4.2生瓷帶流延工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)在流延機(jī)上安裝聚酯薄膜基帶；2應(yīng)安裝流延刮刀組件，并設(shè)定刀口在基帶上方的高度(刮刀間隙);3應(yīng)設(shè)置流延工藝參數(shù)：流延速度(傳送帶速度)、干燥腔溫度、抽排風(fēng)量，并應(yīng)通過(guò)調(diào)整刮刀刀口與基帶襯膜上表面間的縫隙來(lái)控制生瓷帶的厚度；4應(yīng)向流延機(jī)入口端的瓷漿槽內(nèi)持續(xù)注入瓷漿；5應(yīng)啟動(dòng)流延，瓷漿在基帶表面上形成濕膜生瓷帶，并經(jīng)流延腔室逐步干燥，至出口端收帶成卷；6整批瓷漿流延完后，應(yīng)關(guān)停流延機(jī)及排風(fēng)，取下生瓷帶卷，用塑料袋包封并收存。4.4.3流延過(guò)程中應(yīng)定期監(jiān)測(cè)所流出生瓷帶的厚度及表面質(zhì)量，當(dāng)設(shè)備狀態(tài)無(wú)問(wèn)題而生瓷帶質(zhì)量達(dá)不到要求時(shí)應(yīng)及時(shí)調(diào)整流延工藝參數(shù)。4.4.4注漿時(shí)應(yīng)蓋好流延機(jī)料槽蓋。4.5.1生瓷帶切片工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行生瓷切片機(jī)，將既定寬度的成卷生瓷帶分切為規(guī)定長(zhǎng)度且切口干凈、整齊、陡直、無(wú)微裂紋的生4.5.2生瓷帶切片工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)在切片機(jī)氣脹軸上安裝生瓷帶卷，帶卷頭應(yīng)通過(guò)切刀下方并被真空吸附住；2應(yīng)設(shè)定生瓷帶的切片長(zhǎng)度；3應(yīng)在切片機(jī)上的規(guī)定位置放置接片托盤；4應(yīng)設(shè)置切片工藝參數(shù)；5應(yīng)正確調(diào)節(jié)生瓷帶走向；7每片生瓷片應(yīng)做方向標(biāo)記，隨托盤成疊收理整齊。4.5.3當(dāng)采用有框工藝，應(yīng)將切好的生瓷片用專用膠帶粘接在專用金屬框上，生瓷片在金屬框中應(yīng)均勻分布。對(duì)加工同一基板的生瓷片奇數(shù)層與偶數(shù)層宜分別根據(jù)生瓷片標(biāo)記方向，宜采用交替4.6.1生瓷片打孔工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行機(jī)械沖孔機(jī)或激光打孔劃切機(jī)，按照打孔數(shù)據(jù)文件的規(guī)定，在既定規(guī)格的生瓷片上打出數(shù)量、質(zhì)量、形狀、尺寸和位置均達(dá)到要求的通孔或窗口。4.6.2生瓷片打孔工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1機(jī)械打孔前應(yīng)先安裝沖針或沖模組件，并應(yīng)設(shè)置好打孔所對(duì)應(yīng)沖針的種類和大??；激光打孔前應(yīng)先檢查激光器并進(jìn)行預(yù)熱；2應(yīng)調(diào)入打孔數(shù)據(jù)文件；3應(yīng)編制打孔程序，設(shè)置打孔工藝參數(shù)；4應(yīng)在打孔機(jī)的載片臺(tái)上放置好空白生瓷片，并進(jìn)行定位；對(duì)打孔質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn)。4.6.3空白生瓷片在進(jìn)行打孔(劃切)前，應(yīng)根據(jù)需要對(duì)生瓷片進(jìn)行預(yù)處理。4.6.4機(jī)械沖孔應(yīng)有不低于規(guī)定壓力的壓縮空氣，激光打孔應(yīng)有循環(huán)冷卻。4.6.5打孔過(guò)程中應(yīng)保證生瓷片平整，無(wú)翹曲、彎折等情況。4.6.6對(duì)于無(wú)框工藝，相鄰層生瓷片宜按標(biāo)記方向交錯(cuò)90°后進(jìn)行打孔。4.7.1填孔工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行微孔填充機(jī)或印刷機(jī)，將已打好孔的生瓷片的所有互連通孔用導(dǎo)體漿料充填飽滿。4.7.2生瓷片填孔工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)安裝填孔模板或網(wǎng)印填孔時(shí)的刮板頭；2應(yīng)根據(jù)不同黏度、不同類型通孔漿料設(shè)置填孔工藝參數(shù)，包括擠壓填孔的壓力、時(shí)間，或印刷填孔的刮板壓力、刮印速度、刮印行程；3填孔漿料應(yīng)充分?jǐn)嚢杈鶆?，并靜置脫泡，必要時(shí)添加少量溶劑調(diào)整漿料黏度；4應(yīng)在填孔模板上施加填孔漿料，可選擇銀漿料、金漿料或合金漿料；5應(yīng)在具有多孔真空吸附作用的填孔臺(tái)面上對(duì)準(zhǔn)放置已打好孔的合格生瓷片，填孔應(yīng)采用上壓下吸的方式；6擠壓填孔時(shí)，生瓷片應(yīng)放置于填孔膜的上方，通過(guò)定位銷將生瓷片上的孔洞和掩膜上的孔洞對(duì)準(zhǔn)，依靠壓力將掩膜下方的漿料擠壓到生瓷片的孔洞中；7印刷填孔時(shí)，生瓷片應(yīng)放置于具有多孔吸附作用的平臺(tái)上，通過(guò)負(fù)壓抽吸固定生瓷片，將絲網(wǎng)板置于生瓷片上方，將填孔漿料置于絲網(wǎng)板上方，刮板施加設(shè)定壓力使?jié){料透過(guò)絲網(wǎng)板填充到孔洞中，填孔壓力應(yīng)一致，速度均勻；8填孔時(shí)生瓷片未與填孔膜或網(wǎng)版接觸的一面應(yīng)墊上干凈平整的白紙或其他纖維紙；9對(duì)填孔質(zhì)量進(jìn)行檢驗(yàn)，當(dāng)填孔透光或缺料未填滿時(shí)應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)填料；10應(yīng)回收剩余導(dǎo)體漿料，卸下填孔模板或網(wǎng)印填孔時(shí)的刮板頭，并清洗干凈。4.7.3已完成填孔的生瓷片，應(yīng)烘干通孔中的漿料，烘干操作可以優(yōu)選在氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w保護(hù)下進(jìn)行，當(dāng)烘干后通孔漿料仍凸起過(guò)多或不勻時(shí)，應(yīng)進(jìn)行整平。4.8.1印刷工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行絲網(wǎng)印刷機(jī)，用漿料在已填好孔的生瓷片的表面印上一層規(guī)定的圖形或在已完成共燒的多層陶瓷基板表面印上厚膜電阻或其他導(dǎo)體、介質(zhì)材料。4.8.2絲網(wǎng)印刷工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)按照功能膜層的圖形精度和厚度要求選擇適當(dāng)?shù)木W(wǎng)版，對(duì)微帶線、帶狀線、小尺寸電阻等精度要求高的圖形應(yīng)選擇精度高的網(wǎng)版，對(duì)普通信號(hào)線、大尺寸電阻、焊盤、接地層、電源層等圖形應(yīng)選擇普通精度的網(wǎng)版。2應(yīng)在印刷機(jī)上安裝合適硬度的刮板頭。3應(yīng)設(shè)置印刷工藝參數(shù)：刮板壓力、往返行程、印刷速度、脫網(wǎng)高度。4應(yīng)充分?jǐn)嚢杈鶆蛴∷{料，并應(yīng)靜置脫泡，必要時(shí)可添加少量溶劑調(diào)整漿料黏度，印刷所使用的導(dǎo)體漿料應(yīng)符合下列規(guī)定：1)漿料應(yīng)具有保證漿料順利通過(guò)絲網(wǎng)印版的流動(dòng)性；2)漿料應(yīng)具有不與生瓷材料發(fā)生化學(xué)物理反應(yīng)的化學(xué)惰性，還應(yīng)具有揮發(fā)性；3)漿料可浸潤(rùn)在生瓷片表面。5應(yīng)在網(wǎng)版上施加漿料，在印刷臺(tái)面上放置待印刷的生瓷片或已共燒的基板，真空吸附定位、對(duì)準(zhǔn)，開(kāi)始試印，并應(yīng)根據(jù)試印結(jié)果調(diào)整印刷參數(shù)。6完成整批生瓷片或基板的印刷后，應(yīng)取下生瓷片或基板，對(duì)印刷圖形進(jìn)行檢驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)缺陷應(yīng)進(jìn)行修補(bǔ)或重新印刷。7應(yīng)回收剩余漿料，卸下刮板頭和網(wǎng)版并清洗干凈。4.8.3使用烘箱或網(wǎng)帶爐烘干印刷后的生瓷片或基板，烘干操作宜在氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w保護(hù)下進(jìn)行。4.9.1疊片工藝應(yīng)通過(guò)在疊片臺(tái)上手工操作或運(yùn)行疊片機(jī)，將各層生瓷片依序按正反方向和平面方位層疊為一塊整齊生瓷坯。4.9.2在疊片臺(tái)上手工疊片工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)在疊片臺(tái)上的四角安裝好定位銷釘；2有聚酯襯膜的生瓷片應(yīng)揭除聚酯襯膜，然后將生瓷片四角定位孔與疊片臺(tái)上定位銷釘對(duì)應(yīng)套準(zhǔn)；3應(yīng)在生瓷片邊界進(jìn)行點(diǎn)焊預(yù)壓；層生瓷片疊好；5應(yīng)取出定位銷釘，取下疊好的生瓷坯。4.9.3采用自動(dòng)疊片機(jī)的疊片工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：礙物，透光孔應(yīng)無(wú)遮擋，所有定位孔和透光孔應(yīng)位置一致，發(fā)現(xiàn)對(duì)位標(biāo)記偏差嚴(yán)重時(shí)應(yīng)當(dāng)作不合格品剔除；對(duì)生瓷片進(jìn)行定位；必要時(shí)還應(yīng)調(diào)整烙鐵溫度；3疊片機(jī)運(yùn)行中應(yīng)自動(dòng)完成一個(gè)完整生瓷坯的依序疊片；4生瓷片在傳送帶移動(dòng)過(guò)程中不應(yīng)發(fā)生移動(dòng)錯(cuò)位；5對(duì)有框工藝，生瓷片去框后應(yīng)盡快疊片。4.9.4疊好片的每一生瓷坯應(yīng)先平穩(wěn)放置在平整、光滑的不銹鋼板或高溫玻璃板上，再用致密厚塑料袋真空密封好。4.10.1層壓工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行等靜壓機(jī)，在高壓、加溫水介質(zhì)中將已疊好片并已真空密封的生瓷坯壓制為無(wú)空隙的密實(shí)生瓷板。4.10.2層壓工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1可使用合適的彈性體對(duì)生瓷片上的腔、槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行局部填充或整體保護(hù)；2生瓷坯應(yīng)放置于層壓背板上，宜用光滑結(jié)實(shí)塑料袋將其一起真空密封；3應(yīng)設(shè)定合適的層壓程序以及工藝參數(shù)：層壓的步數(shù)、水溫、層壓壓力、預(yù)熱時(shí)間、加壓時(shí)間；4層壓前壓力介質(zhì)應(yīng)充分預(yù)熱并達(dá)到預(yù)定的溫度；5層壓過(guò)程中應(yīng)按設(shè)定程序?qū)ι膳骷虞d壓力并保壓，保壓后應(yīng)緩慢降低施載壓力至層壓結(jié)束。4.11.1生瓷塊熱切工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行生瓷熱切機(jī)，將層壓后的生瓷板分切為尺寸及切口質(zhì)量達(dá)到要求的單元生瓷塊。4.11.2熱切工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)在熱切機(jī)刀架上安裝合適規(guī)格的刀片，刀片應(yīng)緊緊貼裝2應(yīng)設(shè)置熱切工藝參數(shù)：切割深度、切割速度、切刀溫度、工作臺(tái)溫度、每一方向切割刀數(shù)，編制熱切程序；3應(yīng)使用真空吸附定位放置到載片臺(tái)面上的待切生瓷板；4應(yīng)調(diào)整載片臺(tái)，運(yùn)行生切程序，完成每一方向的切割對(duì)準(zhǔn)；5臺(tái)面和專用刀片應(yīng)加熱至規(guī)定溫度；6將生瓷板分切為單元生瓷塊后，應(yīng)取下切好的生瓷塊和廢棄邊角料。4.12.1共燒工藝應(yīng)在燒結(jié)爐中，在適當(dāng)?shù)臍夥障?，使生瓷塊經(jīng)過(guò)一系列升溫、保溫、降溫過(guò)程，排除生瓷內(nèi)有機(jī)物，使生坯中的顆粒互相鍵聯(lián)，晶粒長(zhǎng)大，晶界減少，排出氣孔，瓷體體積收縮、密度增加，同時(shí)內(nèi)部及表面的導(dǎo)體和電阻與瓷體通過(guò)相互擴(kuò)散緊密結(jié)合。4.12.2共燒分為低溫共燒和高溫共燒，低溫共燒宜在最高溫度為850℃~900℃空氣環(huán)境中進(jìn)行，高溫共燒宜在1500℃~1850℃的氫或氮?dú)浠旌蠚夥罩羞M(jìn)行。4.12.3使用箱式燒結(jié)爐共燒工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：應(yīng)干凈干燥，對(duì)低溫共燒陶瓷，應(yīng)在空氣氣氛下排膠和燒結(jié)；對(duì)氧化鋁高溫共燒陶瓷，應(yīng)在濕氫氣氛下排膠和燒結(jié)；對(duì)氮化鋁高溫共燒陶瓷，應(yīng)在氮?dú)庵信拍z，在干燥的氮?dú)夂蜌錃鈿夥障聼Y(jié)；2應(yīng)將生瓷塊放置在承燒板上，中間應(yīng)用墊塊隔開(kāi)；3應(yīng)將承燒板放入燒結(jié)爐爐膛中的恒溫區(qū)內(nèi)，并應(yīng)將測(cè)溫?zé)犭娕挤胖玫胶线m位置；4應(yīng)編制燒結(jié)程序，設(shè)置燒結(jié)溫度曲線、燒結(jié)氣氛及其流量；5應(yīng)運(yùn)行燒結(jié)程序，進(jìn)行生瓷的排膠和共燒，可根據(jù)基板厚薄、尺寸大小調(diào)整排膠升溫速率和燒結(jié)升溫速率，厚基板和大基板可適當(dāng)降低升溫速率，不可排膠過(guò)量；燒結(jié)過(guò)程應(yīng)在燒結(jié)溫度保持一定時(shí)間，爐膛內(nèi)應(yīng)具有溫度均勻性，恒溫區(qū)溫差不應(yīng)超過(guò)5℃,必要時(shí)可加大進(jìn)氣量；6LTCC燒結(jié)爐溫度低于200℃時(shí)可打開(kāi)爐腔進(jìn)行空冷；7HTCC燒結(jié)爐溫度低于300℃時(shí)應(yīng)先通氮?dú)庵脫Q爐膛內(nèi)的氫氣，燒結(jié)爐內(nèi)溫度低于200℃時(shí)可打開(kāi)爐腔進(jìn)行空冷。4.12.4使用連續(xù)式燒結(jié)爐共燒工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)監(jiān)測(cè)燒結(jié)爐傳送速度、氣體流量、各溫區(qū)的溫度是否符合燒結(jié)工藝要求；2應(yīng)將產(chǎn)品按照工藝要求放在承燒板上，中間應(yīng)用墊塊隔開(kāi)；3應(yīng)將承燒板放置在推板或傳送帶上自動(dòng)進(jìn)入燒結(jié)爐中，并應(yīng)經(jīng)過(guò)不同溫區(qū)完成排膠、燒結(jié)過(guò)程自動(dòng)出爐；4可重復(fù)放置和取出產(chǎn)品，連續(xù)生產(chǎn)。4.12.5承燒板表面應(yīng)平整，生瓷塊不應(yīng)疊放燒結(jié)。4.13.1熟切(陶瓷劃切)工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行砂輪劃片機(jī)或激光劃片機(jī)，將已燒結(jié)的熟瓷塊(陶瓷基板)分切為尺寸及切口質(zhì)量達(dá)到要求的單元陶瓷基板。砂輪劃片機(jī)應(yīng)劃切直線，激光劃片機(jī)可劃切任意路徑。4.13.2砂輪熟切工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)在劃片機(jī)刀架上安裝規(guī)格合適的砂輪片并鎖定；2可通過(guò)膠膜或石蠟將陶瓷基板固定在載片臺(tái)上真空吸附，應(yīng)確?；迩懈钸^(guò)程不移動(dòng)和掉落；3應(yīng)設(shè)置劃切工藝參數(shù)：砂輪轉(zhuǎn)速、進(jìn)刀深度、每一方向劃切刀數(shù)、走刀速度、走刀行程；應(yīng)定好切割基點(diǎn)，并應(yīng)按基板大小和形狀編制熟切程序；4應(yīng)調(diào)整去離子水的流量和壓力，確保冷卻水對(duì)準(zhǔn)刀片和切割接觸部位；5應(yīng)調(diào)整載片臺(tái)完成每一方向的劃切對(duì)準(zhǔn)，宜在基板拐角或基板之外選擇熟切起始點(diǎn)，不宜選在基板直邊上；劃切時(shí)不應(yīng)損傷切割周邊的金屬導(dǎo)帶、鍵合點(diǎn)和焊接區(qū)；6熟切完成后應(yīng)摘下單元陶瓷基板并對(duì)基板表面和邊緣進(jìn)行刮平處理，并應(yīng)洗凈、晾干，廢棄邊角料。4.13.3激光熟切工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1共燒陶瓷基板可通過(guò)工裝夾具固定在工作臺(tái)上，應(yīng)保證基板平面高度一致；2應(yīng)根據(jù)基板外形及工藝要求編制切割路徑；4劃切前應(yīng)調(diào)整工作臺(tái)，完成劃線標(biāo)記尋找及對(duì)準(zhǔn)；5劃切后應(yīng)對(duì)切口熔渣進(jìn)行必要的處理。4.14.1激光調(diào)阻工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行激光調(diào)阻機(jī)，采用脈沖激光器產(chǎn)生的激光束使厚膜電阻膜層局部燒熔，通過(guò)改變電阻膜層的尺寸而使阻值上升達(dá)到規(guī)定的阻值。4.14.2激光調(diào)阻工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1宜采用機(jī)械固定配合真空吸附的方式固定待測(cè)基板；2宜選用內(nèi)阻較小的電阻卡盤做測(cè)試探針，當(dāng)基板上電阻較多、電阻尺寸較小時(shí)，可分成兩個(gè)甚至更多卡盤進(jìn)行分步調(diào)阻；3應(yīng)確定基片厚度、設(shè)置激光調(diào)阻工藝參數(shù)，編制調(diào)阻程序，應(yīng)試調(diào)合格后再進(jìn)行批量調(diào)阻；調(diào)阻時(shí)應(yīng)隨時(shí)跟蹤所調(diào)電阻的阻值精度，當(dāng)發(fā)現(xiàn)電阻精度有變化時(shí)，應(yīng)及時(shí)分析原因并調(diào)整目標(biāo)設(shè)4無(wú)特殊要求時(shí)應(yīng)優(yōu)先使用“L”形切口，對(duì)電阻器有高精度、低熱噪聲要求時(shí)，宜使用掃描切割；除交指型調(diào)阻外，宜少用切割后電路剩下的有效寬度是否合格；5切口寬度不宜超過(guò)電阻器原寬度的一半，切口內(nèi)應(yīng)無(wú)電阻殘留物；切口深度應(yīng)以切割部位電阻膜層熔燒干凈且不損傷共燒陶瓷基板內(nèi)層布線及可靠性為準(zhǔn)；6應(yīng)對(duì)首件品進(jìn)行測(cè)試檢查，所調(diào)阻值精度有異常時(shí)應(yīng)及時(shí)查找原因，待阻值精度穩(wěn)定后再繼續(xù)批量調(diào)阻；7測(cè)試小阻值電阻時(shí)萬(wàn)用表應(yīng)校零，并應(yīng)校準(zhǔn)表筆的接觸電阻值；測(cè)試高阻時(shí)，應(yīng)避免環(huán)境濕度和外界的干擾引起測(cè)試誤差；8調(diào)阻過(guò)程中當(dāng)需觀察激光工作狀態(tài)時(shí)，應(yīng)佩戴專用護(hù)目鏡。4.14.3激光調(diào)阻操作應(yīng)在氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w保護(hù)環(huán)境下進(jìn)行。4.15.1鍍涂工藝應(yīng)通過(guò)鍍涂設(shè)備，在多層共燒陶瓷基板金屬化腐蝕性及導(dǎo)電性。4.15.2鍍涂工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)按照一定的配比，配置堿性去油劑、酸性去油劑、氨水、化學(xué)鍍觸發(fā)液、活化液、鍍鎳溶液和鍍金溶液；2應(yīng)將基板固定在鍍涂夾具上；3應(yīng)使用堿性或酸性去油劑，或使用氨水清洗基板，去除表面沾污，并應(yīng)用純水沖洗干凈；4應(yīng)通過(guò)活化處理以去除金屬化表面的氧化層，之后應(yīng)用去離子水沖洗；5化學(xué)鍍工藝時(shí)，應(yīng)對(duì)基板進(jìn)行觸發(fā)處理；6電鍍鎳或電鍍金工藝時(shí)，應(yīng)設(shè)定電鍍鎳溶液或電鍍金溶液溫度、電流密度、鍍覆時(shí)間進(jìn)行，之后用純水沖洗；7化學(xué)鍍鎳或化學(xué)鍍金工藝時(shí)，應(yīng)設(shè)定化學(xué)鍍鎳溶液或化學(xué)鍍金溶液溫度、鍍覆時(shí)間進(jìn)行，之后用純水沖洗；8應(yīng)將鍍涂后的基板退火。4.16.1飛針測(cè)試工藝應(yīng)通過(guò)運(yùn)行飛針測(cè)試儀，對(duì)共燒陶瓷基板進(jìn)行直流通斷測(cè)試，判斷電路網(wǎng)絡(luò)互連關(guān)系是否符合設(shè)計(jì)要求。4.16.2飛針測(cè)試工藝應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)確定轉(zhuǎn)化生成的網(wǎng)絡(luò)(節(jié)點(diǎn))等測(cè)試文件滿足設(shè)備工作要求，且邏輯關(guān)系與設(shè)計(jì)文件相符；2裝夾過(guò)程應(yīng)避免基片損傷，且探針壓力應(yīng)調(diào)整合適，避免損傷測(cè)試點(diǎn)膜層；3測(cè)試項(xiàng)目應(yīng)完備、開(kāi)路、通路、電阻判定閾值應(yīng)設(shè)置合理，避免誤判；4應(yīng)對(duì)未通過(guò)項(xiàng)目進(jìn)行人工判定，避免因位置誤差導(dǎo)致誤判；5設(shè)備應(yīng)定期校準(zhǔn)，以保證定位、壓力及電學(xué)測(cè)試精度；6設(shè)備運(yùn)行期間，不應(yīng)打開(kāi)保護(hù)門。5.1.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)線的加工設(shè)備與檢測(cè)儀器，應(yīng)與成本控制目標(biāo)、節(jié)能環(huán)保要求等因素合理配置。5.1.2共燒陶瓷工藝設(shè)備的選型，應(yīng)符合下列規(guī)定：定所需工藝設(shè)備的種類；2應(yīng)按照生產(chǎn)線的產(chǎn)能需求和工序平衡原則，明確各工藝設(shè)備的單臺(tái)加工速度以及設(shè)備數(shù)量；3應(yīng)按照最終產(chǎn)品的加工精度要求，明確各工藝設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)；4研制與小批量生產(chǎn)加工、依靠操作人員技能水平保障加工質(zhì)量時(shí)，可選用性能價(jià)格比高、投資較少的手動(dòng)型共燒陶瓷設(shè)備；5批量生產(chǎn)時(shí)，應(yīng)選用具有圖形自動(dòng)識(shí)別、產(chǎn)品數(shù)據(jù)文件接收、編程控制、學(xué)后認(rèn)知等能力的自動(dòng)化設(shè)備，并應(yīng)配備與之兼容串線的工裝夾具，使生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化或半自動(dòng)化運(yùn)行。5.2配料工藝設(shè)備塑料桶等容器。5.2.2配料工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1振動(dòng)篩分機(jī)應(yīng)能設(shè)置振動(dòng)篩的振動(dòng)速度和幅度，并應(yīng)配置網(wǎng)眼尺寸不同的系列振動(dòng)篩，同一振動(dòng)篩中網(wǎng)眼尺寸的精度允許偏差為±10%;2電子秤或天平應(yīng)配置合適的載物臺(tái)、稱量系統(tǒng)和顯示系3烘箱應(yīng)能設(shè)置溫度和時(shí)間，溫度范圍宜為50℃~200℃,時(shí)間范圍宜為1h～24h;4粒度測(cè)試儀應(yīng)配備合適的光源、檢測(cè)腔和清洗系統(tǒng)，通過(guò)對(duì)乳狀物的檢測(cè)可得到粒徑中徑大小、分布范圍等參數(shù)；5.3混料工藝設(shè)備5.3.1混料工藝應(yīng)配備球磨機(jī)、真空脫泡機(jī)和黏度計(jì)，可與配料工藝共用防爆儲(chǔ)存柜。5.3.2混料工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1球磨機(jī)應(yīng)具有穩(wěn)固的結(jié)構(gòu)和強(qiáng)度，應(yīng)能設(shè)置旋輾球磨的轉(zhuǎn)速和時(shí)間，應(yīng)配備適量容積的球磨罐及合適尺寸的研磨介質(zhì)；2球磨罐的內(nèi)襯材料應(yīng)具有抗溶劑腐蝕性、耐磨性和密閉性，3研磨介質(zhì)的形狀宜為圓球體、圓柱體等，應(yīng)由高含量氧化不同形狀的研磨介質(zhì)混合；4真空脫泡機(jī)應(yīng)具有在抽取真空的同時(shí)勻速攪拌瓷漿的功能，應(yīng)能設(shè)置機(jī)腔的真空度和攪拌槳的轉(zhuǎn)速，并宜配置冒泡觀察窗杯等，應(yīng)能設(shè)置轉(zhuǎn)速并自動(dòng)顯示黏度值。5.4流延工藝設(shè)備5.4.1流延工藝應(yīng)配備生帶流延機(jī)、瓷漿過(guò)濾與供給系統(tǒng)。5.4.2流延工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：以及精密控制與數(shù)據(jù)收集系統(tǒng)，主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括流延寬度、流2傳送帶宜為聚酯薄膜帶，也可為紙張或不銹鋼帶，應(yīng)保持恒定的張力而無(wú)褶皺，并應(yīng)以平穩(wěn)的速度在干燥腔內(nèi)的平整流延臺(tái)面上直線運(yùn)行；3流延頭(刮刀組件)應(yīng)包括刮刀和瓷漿槽，刮刀應(yīng)可調(diào)節(jié)刀口的高度并保持穩(wěn)定，流延過(guò)程中瓷漿槽內(nèi)瓷漿液面高度宜維持4干燥腔可通過(guò)流延臺(tái)面下的底床加熱器和從流延出口往流延入口逆向流動(dòng)的熱空氣來(lái)干燥傳送帶表面上的濕膜生瓷帶，干燥腔應(yīng)有多個(gè)溫區(qū)且溫區(qū)溫度從流延入口到流延出口應(yīng)呈遞升5收片單元可通過(guò)出口端收帶軸的旋轉(zhuǎn)收取生瓷帶；行機(jī)構(gòu)等的協(xié)同工作，并應(yīng)完成對(duì)生帶流延機(jī)工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)控制與流延數(shù)據(jù)的有效收集；7瓷漿過(guò)濾與供給系統(tǒng)應(yīng)利用一級(jí)或多級(jí)濾網(wǎng)清除瓷漿中的瓷粉團(tuán)聚物、未溶黏結(jié)劑、球磨罐襯里和研磨介質(zhì)的碎屑等雜質(zhì)，并應(yīng)將濾清后的瓷漿穩(wěn)定、連續(xù)地供送到流延頭的瓷漿槽內(nèi)；8當(dāng)瓷漿中含有可燃溶劑時(shí)，流延機(jī)應(yīng)配置溶劑濃度閾值傳感器且與控制系統(tǒng)聯(lián)鎖，超過(guò)高限時(shí)應(yīng)立即自動(dòng)停止注漿流延并加大排風(fēng)量。5.5切片工藝設(shè)備5.5.1切片工藝可選用自動(dòng)切片機(jī)或半自動(dòng)切片機(jī)。5.5.2切片工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1切片時(shí)應(yīng)配備真空吸附平臺(tái)；2自動(dòng)和半自動(dòng)切片機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括最大料寬、切片3自動(dòng)切片機(jī)應(yīng)配置自動(dòng)上料及收集生瓷片的裝置，生瓷卷軸可展開(kāi)于潔凈的不銹鋼工作臺(tái)面之上，上料可由吸盤和氣缸器件控制，下料可采用吸盤和伺服馬達(dá)控制；切片刀具應(yīng)采用耐磨材料并能根據(jù)要求調(diào)整上下刀距；4半自動(dòng)切片機(jī)可人工上料或人工收集切割后的生瓷片，切刀裝置應(yīng)與自動(dòng)切片機(jī)相同。5.6打孔工藝設(shè)備5.6.1打孔工藝設(shè)備可選用機(jī)械沖孔機(jī)或激光打孔機(jī)，機(jī)械沖孔設(shè)備應(yīng)主要包括操作顯示模塊、電源模塊、工作臺(tái)、機(jī)械打孔單元和廢料回收單元，激光打孔設(shè)備應(yīng)主要包括操作顯示模塊、電源模5.6.2打孔工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1打孔工藝設(shè)備應(yīng)配置打孔數(shù)據(jù)導(dǎo)人導(dǎo)出和處理系統(tǒng)，并應(yīng)具有數(shù)據(jù)編輯功能；2機(jī)械沖孔機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括沖孔最大面積、沖孔位置警功能；3激光打孔機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括激光功率、激光波長(zhǎng)、光斑直徑、脈沖頻率與寬度、最大加工厚度、(振鏡)掃描幅度和工作4打孔機(jī)工作臺(tái)應(yīng)將生瓷片固定，并應(yīng)保證生瓷片移動(dòng)過(guò)程中的位置精度；5機(jī)械沖孔的沖孔單元應(yīng)根據(jù)設(shè)計(jì)文件中不同尺寸的孔徑配置沖頭組合，沖頭宜更換容易；沖孔單元應(yīng)配備與之匹配的校準(zhǔn)工具；6機(jī)械沖孔機(jī)宜同時(shí)配置圓形、方形沖孔單元；7激光打孔的激光發(fā)射模塊應(yīng)配備調(diào)焦系統(tǒng)，可根據(jù)需要調(diào)整激光束寬度；8打孔機(jī)宜配備自動(dòng)上下料機(jī)構(gòu)、殘留碎屑收集系統(tǒng)、減振及噪聲消除系統(tǒng)；9機(jī)械沖孔機(jī)應(yīng)配備安全防護(hù)門。5.6.3激光打孔機(jī)工作時(shí)應(yīng)關(guān)閉防止激光散射或輻射的安全門、5.7填孔工藝設(shè)備5.7.1填孔工藝可分為擠壓填孔和印刷填孔，擠壓填孔設(shè)備應(yīng)包括微孔填充機(jī)和干燥爐；印刷填孔設(shè)備應(yīng)包括絲網(wǎng)印刷機(jī)和干燥對(duì)位模塊、絲網(wǎng)網(wǎng)版和印刷模塊。5.7.2填孔工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1微孔填充機(jī)應(yīng)適用于將導(dǎo)電漿料通過(guò)模板擠壓填充到生瓷片的對(duì)應(yīng)通孔中，其主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括填充區(qū)域大小、填充壓2填孔設(shè)備工作臺(tái)應(yīng)平整潔凈，并應(yīng)具有固定生瓷片的臺(tái)面吸附功能；3填孔設(shè)備光學(xué)對(duì)位系統(tǒng)應(yīng)有保證填孔的準(zhǔn)確性精度；4絲網(wǎng)印刷機(jī)的絲網(wǎng)宜采用200目以上的不銹鋼絲網(wǎng)或高開(kāi)孔率尼龍絲網(wǎng)，應(yīng)根據(jù)工藝需要設(shè)置網(wǎng)版孔徑與生瓷孔徑的比例關(guān)系，絲網(wǎng)厚度宜為網(wǎng)絲直徑的1.5倍～1.8倍；也可采用不銹鋼鋼片漏版；5刮刀運(yùn)行速率應(yīng)保持穩(wěn)定，刮刀角度應(yīng)符合保證漿料填滿通孔的填孔要求。5.8印刷工藝設(shè)備5.8.1印刷工藝設(shè)備應(yīng)采用絲網(wǎng)印刷機(jī)和干燥爐，印刷工藝還宜5.8.2印刷工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1絲網(wǎng)印刷機(jī)應(yīng)通過(guò)絲網(wǎng)將電子漿料按網(wǎng)版圖形印刷在生瓷片或基板表面，主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括印刷面積、刮板壓力、印刷2絲網(wǎng)印刷機(jī)應(yīng)具備真空吸附、自動(dòng)圖形識(shí)別及對(duì)位、網(wǎng)距、3刮刀角度應(yīng)符合導(dǎo)體印刷要求。5.9疊片工藝設(shè)備5.9.1自動(dòng)疊片工藝可選用疊片機(jī)，應(yīng)主要包括操作顯示模塊、5.9.2自動(dòng)疊片工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1疊片機(jī)應(yīng)適用于按序?qū)⒁烟羁?、絲網(wǎng)印刷的生瓷片對(duì)準(zhǔn)、疊合成待壓燒的多層生瓷坯，主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括疊片尺寸、疊片2影像對(duì)位系統(tǒng)精度應(yīng)保證對(duì)位的準(zhǔn)確性；3疊片機(jī)衛(wèi)作臺(tái)可采用點(diǎn)膠、點(diǎn)焊或熱壓等方式預(yù)固定生瓷片，工作臺(tái)移動(dòng)過(guò)程中相鄰生瓷片無(wú)錯(cuò)位移動(dòng)；點(diǎn)焊模塊點(diǎn)焊溫度應(yīng)使生瓷片能夠輕度粘接；4疊片機(jī)應(yīng)具備生瓷片翻轉(zhuǎn)、自動(dòng)(半自動(dòng))脫膜功能，剝膜模塊應(yīng)可調(diào)節(jié)位置與力矩大??；5自動(dòng)疊片機(jī)應(yīng)配備安全防護(hù)門。5.10層壓工藝設(shè)備5.10.1層壓工藝可選用真空密封設(shè)備和等靜壓機(jī)。真空密封設(shè)備可將疊片后的生瓷坯體進(jìn)行真空封裝，應(yīng)主要包括真空泵和封口模塊；等靜壓機(jī)設(shè)備可將真空封裝的生瓷坯體壓實(shí)，應(yīng)主要包括5.10.2層壓工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1真空密封設(shè)備應(yīng)將生瓷坯體密封至密封袋中，主要技術(shù)指2等靜壓機(jī)應(yīng)適用于將疏松生瓷坯壓實(shí)成無(wú)空隙的生瓷板，主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括最大層壓尺寸、最高水溫、最大水壓、溫度精3等靜壓機(jī)最高水溫不應(yīng)低于85℃,水可根據(jù)需要加熱并4等靜壓機(jī)施加壓力時(shí)應(yīng)保證其氣密性及壓力精度，壓力施加可根據(jù)不同生瓷材料進(jìn)行調(diào)節(jié)，最高壓力不應(yīng)小于34.5MPa;5等靜壓機(jī)溫度、壓力、時(shí)間可編程，加壓段數(shù)不應(yīng)少于35.11熱切工藝設(shè)備5.11.1熱切工藝可選用生瓷熱切機(jī)，應(yīng)主要包括操作顯示模塊、工作臺(tái)、影像對(duì)位模塊和切割模塊。5.11.2熱切工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1生瓷熱切機(jī)應(yīng)適用于將層壓后的生瓷板分切成單元生瓷2熱切機(jī)工作臺(tái)可采用真空吸附的方式將生瓷板固定在工作臺(tái)上；3影像對(duì)位系統(tǒng)應(yīng)保證精度，可清晰明確顯示生瓷片形4熱切機(jī)可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)切割及手動(dòng)切割，切割模塊可選用切刀切割或激光切割，對(duì)于直線型切割宜采用切刀切割，對(duì)于任意形狀宜采用激光切割；6生瓷熱切機(jī)應(yīng)配備安全防護(hù)門或防護(hù)光幕。5.12共燒工藝設(shè)備5.12.1共燒工藝可選用箱式燒結(jié)爐和連續(xù)燒結(jié)爐，應(yīng)主要包括5.12.2共燒工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1燒結(jié)爐應(yīng)適用于將多層陶瓷與其內(nèi)部電路一體共燒，形成所需性能的共燒陶瓷基板；2箱式燒結(jié)爐主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括最高爐溫、溫度均勻性、腔有效容積；3連續(xù)式燒結(jié)爐主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括最高爐溫、溫度均勻4箱式燒結(jié)爐可快速升溫，最高升溫速率不應(yīng)低于15燒結(jié)爐排氣系統(tǒng)應(yīng)通風(fēng)良好；6LTCC燒結(jié)爐應(yīng)配備壓縮空氣，燒結(jié)爐最高溫度應(yīng)大于7氧化鋁燒結(jié)爐應(yīng)配備氮?dú)庀到y(tǒng)、氫氣及尾氣處理系統(tǒng)、氣體加濕器，燒結(jié)氧化鋁的燒結(jié)爐最高溫度應(yīng)大于1650℃;8氮化鋁燒結(jié)爐應(yīng)配備氮?dú)庀到y(tǒng)、氫氣及尾氣處理系統(tǒng)、燒結(jié)氮化鋁的燒結(jié)爐最高溫度應(yīng)大于1800℃;9箱式燒結(jié)爐可控制溫度、升(降)溫速氣流量；10連續(xù)式燒結(jié)爐可控制各溫區(qū)溫度、傳送速率、進(jìn)(排)氣流5.13熟切工藝設(shè)備5.13.1熟切工藝可選擇砂輪劃片機(jī)，應(yīng)主要包括高速主軸系統(tǒng)、砂輪刀片、影像對(duì)位模塊、清洗冷卻模塊和工作臺(tái)；也可選擇激光塊和工作臺(tái)。5.13.2熟切工藝設(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：1熟切設(shè)備應(yīng)適用于將已燒結(jié)的熟瓷塊(陶瓷基板)分切為單元陶瓷基板。2砂輪劃片機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括適用刀片大小、最大切割深度、最大切割尺寸、最大劃片速度、砂輪片厚度、切割對(duì)位精度。3激光劃切機(jī)主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括激光器類型、激光脈寬范4砂輪劃片機(jī)應(yīng)符合下列規(guī)定：方向的運(yùn)動(dòng)和Φ角旋轉(zhuǎn)；2)應(yīng)配備CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及對(duì)準(zhǔn)光源；3)砂輪刀片可進(jìn)行高度調(diào)節(jié)；4)應(yīng)具備自動(dòng)測(cè)高、砂輪磨損補(bǔ)償功能；5激光劃切機(jī)應(yīng)符合下列規(guī)定：1)應(yīng)配備至少X(Y)方向移動(dòng)平臺(tái)；2)應(yīng)配備CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；3)應(yīng)配備激光器冷卻機(jī)構(gòu)；4)應(yīng)配置可編程控制激光加工參數(shù)及激光運(yùn)動(dòng)路徑；5)應(yīng)配備加工冷卻氣體噴嘴及粉塵收集裝置。6熟切設(shè)備清洗模塊應(yīng)提供潔凈的壓縮空氣以滿足陶瓷基板的清潔需求。7熟切設(shè)備應(yīng)包括冷卻模塊，砂輪劃片機(jī)可采用冷卻液冷卻的方式，激光劃切機(jī)可采用水循環(huán)冷卻模塊的方式。8砂輪劃片機(jī)和激光劃切機(jī)都應(yīng)配備安全防護(hù)門。5.14激光調(diào)阻工藝設(shè)備5.14.1激光調(diào)阻工藝可選擇激光調(diào)阻機(jī)，應(yīng)主要包括激光光源、5.14.2激光調(diào)阻機(jī)應(yīng)符合下列規(guī)定：1主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括電阻測(cè)量范圍、電阻測(cè)量精度、激光2應(yīng)配置視覺(jué)定位和真空吸附功能，應(yīng)配置防止激光散射的3激光光束運(yùn)行路徑可調(diào)節(jié)長(zhǎng)度及方向；4工作臺(tái)應(yīng)配置方便固定陶瓷片的夾具，同時(shí)工作臺(tái)應(yīng)具備5設(shè)備應(yīng)配置合適的探針卡，并應(yīng)將測(cè)試結(jié)果反饋到控制系6可通過(guò)控制系統(tǒng)的參數(shù)調(diào)整來(lái)實(shí)現(xiàn)激光功率的調(diào)控；7控制系統(tǒng)應(yīng)兼容不同的調(diào)阻模式，并應(yīng)根據(jù)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行精細(xì)調(diào)整。5.15鍍涂工藝設(shè)備5.15.1鍍涂工藝可選擇電鍍?cè)O(shè)備或化學(xué)鍍?cè)O(shè)備。化學(xué)鍍?cè)O(shè)備應(yīng)統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)。設(shè)備可實(shí)現(xiàn)不同規(guī)格多層陶瓷產(chǎn)品的化學(xué)鍍功能。熱及溫控系統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)。設(shè)備可實(shí)現(xiàn)不同規(guī)格多層陶瓷產(chǎn)品的電鍍功能。5.15.2化學(xué)鍍?cè)O(shè)備和電鍍?cè)O(shè)備應(yīng)符合下列規(guī)定：環(huán)功能；2應(yīng)具備鍍液溫度的控制功能；3應(yīng)具備鍍液液位檢測(cè)功能及低液位報(bào)警功能；4應(yīng)具備熱風(fēng)烘干功能；5可配備鍍液空氣攪拌功能；6應(yīng)滿足施鍍產(chǎn)品在鍍液中移動(dòng)的要求；7應(yīng)具備陽(yáng)極保護(hù)功能；8可配套鍍液分析或自動(dòng)分析添加功能；9應(yīng)具備設(shè)備有害氣體的無(wú)害化排放功能；10應(yīng)具備防腐蝕能力。5.16飛針測(cè)試工藝設(shè)備5.16.1飛針測(cè)試工藝可選擇飛針測(cè)試儀。5.16.2飛針測(cè)試儀應(yīng)符合下列規(guī)定：于測(cè)量共燒陶瓷基板上同一網(wǎng)絡(luò)中的各個(gè)節(jié)點(diǎn)間是否處于低阻2主要技術(shù)指標(biāo)應(yīng)包括有效測(cè)試面積、最大測(cè)試板厚、最大系統(tǒng)等，飛針可X-Y方向移動(dòng)從而實(shí)現(xiàn)不同位置的電路通斷測(cè)4應(yīng)具備尺寸漲縮補(bǔ)償功能。6.1.1共燒陶瓷混合電路基板廠可從生瓷帶流延到多層共燒陶瓷基板加工的生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，也可設(shè)計(jì)為生瓷帶外購(gòu)，只進(jìn)行多層共燒陶瓷基板加工的工廠。6.1.2共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)線可分為4英寸、6英寸及8生產(chǎn)，宜采用6英寸或8英寸生產(chǎn)線。6.1.3共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)線應(yīng)根據(jù)材料以及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，選擇合理的工藝路線。6.1.4共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房其運(yùn)行環(huán)境溫度、相對(duì)濕度和潔凈度等級(jí)宜符合表6.1.4的規(guī)定。工藝間18℃~28℃無(wú)18℃~28℃無(wú)20℃~25℃8級(jí)20℃~25℃8級(jí)20℃~25℃8級(jí)20℃~25℃8級(jí)印刷20℃~25℃8級(jí)疊片20℃~25℃8級(jí)20℃~25℃8級(jí)工藝間熱切20℃~25℃8級(jí)20℃~35℃無(wú)熟切18℃~28℃無(wú)20℃~25℃8級(jí)一20℃~25℃8級(jí)一18℃~28℃8級(jí)20℃~25℃8級(jí)一6.2.1共燒陶瓷混合電路基板廣廠房的工藝區(qū)劃應(yīng)綜合下列因素進(jìn)行：1產(chǎn)品的工藝流程；2廠房建筑，結(jié)構(gòu)形式及尺寸；3主要?jiǎng)恿┙o方向；4產(chǎn)品產(chǎn)量、生產(chǎn)線種類和設(shè)備選型及數(shù)量；5鍍涂和共燒區(qū)等特別工作間的安排；6二次配管配線接入方便；7未來(lái)生產(chǎn)擴(kuò)展的可能性及靈活性。6.2.2共燒陶瓷基板生產(chǎn)線核心生產(chǎn)區(qū)應(yīng)包括配料區(qū)、流延區(qū)、打孔區(qū)、絲網(wǎng)印刷區(qū)、共燒區(qū)、鍍涂區(qū)，生產(chǎn)支持區(qū)應(yīng)包括更衣區(qū)、物料儲(chǔ)藏區(qū)、調(diào)試區(qū)、檢測(cè)區(qū)。6.2.3核心生產(chǎn)區(qū)宜布置生瓷帶流延加工區(qū)和多層基板加工區(qū)，兩者可在同一廠房中，當(dāng)在不同廠房中時(shí)宜鄰近。6.2.4生瓷帶流延加工區(qū)應(yīng)分為配料混料間和生瓷流延間，兩者應(yīng)緊鄰，中間宜有雙層可開(kāi)可閉物料傳遞窗。6.2.5多層基板加工區(qū)應(yīng)布置在凈化廠房?jī)?nèi)，宜分設(shè)為切片、打置在分別獨(dú)立的工作間內(nèi)。6.2.7潔凈區(qū)內(nèi)人員凈化用室、生活用室及吹淋室的設(shè)置，應(yīng)符合下列規(guī)定：1人員凈化用室應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝要求和空氣潔凈度等級(jí)設(shè)置；6.2.8人員凈化用室和生活用室的區(qū)劃，應(yīng)符合下列規(guī)定：1人員凈化用室入口處，應(yīng)設(shè)置凈鞋設(shè)施；2存外衣和更換潔凈工作服的設(shè)施應(yīng)分別設(shè)置；3外衣存衣柜應(yīng)按設(shè)計(jì)人數(shù)每人一柜設(shè)置；4廁所宜設(shè)置在更換潔凈工作服前。6.2.9潔凈區(qū)內(nèi)的設(shè)備和物料出入口應(yīng)獨(dú)立設(shè)置，并應(yīng)根據(jù)設(shè)備和物料的特征、性質(zhì)、形狀等設(shè)置凈化用室及相應(yīng)物料凈化設(shè)施。物料凈化用室與潔凈室之間應(yīng)設(shè)置氣閘室或傳遞窗。6.2.10高溫共燒陶瓷基板生產(chǎn)線的共燒間應(yīng)靠外墻或在多層廠房最上層布置。6.3工藝設(shè)備布置6.3.1工藝設(shè)備布置應(yīng)按照工藝區(qū)劃進(jìn)行。更新和檢修場(chǎng)地。6.3.3同一工藝的多臺(tái)設(shè)備宜集中布置，設(shè)備之間應(yīng)有保障人員操作及維修的安全距離。6.3.4共燒陶瓷基板生產(chǎn)廠房?jī)?nèi)，宜設(shè)置與生產(chǎn)規(guī)模相適應(yīng)的原6.3.5易造成污染的物料應(yīng)設(shè)置專用出入口。7.1.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房宜采用單層或主體單層局部多層的建筑形式，場(chǎng)地受限時(shí)，也可采用多層廠房的形式。7.1.2共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)建筑層高應(yīng)根據(jù)吊頂內(nèi)管線布置敷設(shè)、吊頂下的空間高度、最高設(shè)備的安裝與維護(hù)的需求確定。7.1.3共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房墻面保溫、屋面保溫、隔熱、防潮、防塵等宜按項(xiàng)目建設(shè)地的氣候條件和有關(guān)要求進(jìn)行設(shè)7.1.4共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)部分宜采用金屬壁板吊頂。7.1.5共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房建筑耐火等級(jí)應(yīng)為二級(jí)。7.1.6共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房?jī)?nèi)、安全出口、疏散標(biāo)志等消防設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472的有關(guān)規(guī)定。7.1.7共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房采用多層建筑形式時(shí)，生產(chǎn)廠房外墻宜預(yù)留設(shè)備搬入的吊裝口。7.1.8凈化區(qū)外窗設(shè)計(jì)應(yīng)采用斷熱冷橋的雙層固定窗，并應(yīng)具有良好氣密性。7.1.9室內(nèi)裝修材料的選擇應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50472和《建筑內(nèi)部裝修設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50222的有關(guān)規(guī)定。7.1.10高溫共燒陶瓷燒結(jié)工藝區(qū)采用單層廠房時(shí)，房頂和外墻應(yīng)設(shè)計(jì)通風(fēng)百葉窗。7.1.11高溫共燒陶瓷燒結(jié)工藝區(qū)建筑設(shè)計(jì)必須進(jìn)行防爆設(shè)計(jì)；燒結(jié)工藝區(qū)必須在廠房一層靠外墻或在多層廠房的最頂層布置。7.1.12HTCC燒結(jié)工藝區(qū)的泄爆面積應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016的有關(guān)規(guī)定，泄爆面積可按下式計(jì)算：V——廠房的容積(m3);C——泄壓比(m2/m3),對(duì)于氫，泄壓比≥0.250。注：長(zhǎng)徑比為建筑平面幾何外形尺寸中的最長(zhǎng)尺寸與其橫截面積之比。7.2.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房結(jié)構(gòu)形式根據(jù)建筑設(shè)計(jì)形式可采用鋼結(jié)構(gòu)、鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)或鋼結(jié)構(gòu)與鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)。7.2.2生產(chǎn)廠房采用多層建筑形式時(shí)，樓面活荷載不應(yīng)小于7.2.3凈化廠房鋼筋混凝土梁不宜采用預(yù)應(yīng)力結(jié)構(gòu)。7.2.4樓板及屋蓋的吊掛荷載應(yīng)根據(jù)吊掛層的做法、管道及設(shè)備的布置等因素確定。7.2.5生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)不宜設(shè)置結(jié)構(gòu)縫。7.2.6單獨(dú)的設(shè)備基礎(chǔ)設(shè)計(jì)應(yīng)符合設(shè)備技術(shù)說(shuō)明書(shū)的要求。8.1空氣凈化與排風(fēng)系統(tǒng)8.1.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)房各生產(chǎn)房間的潔凈度等級(jí)和溫度、相對(duì)濕度應(yīng)滿足生產(chǎn)工藝的要求，并應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)表6.1.4的規(guī)定。8.1.2新風(fēng)口應(yīng)設(shè)置在室外空氣相對(duì)干凈的地方。8.1.3新風(fēng)宜集中進(jìn)行空氣凈化處理，新風(fēng)機(jī)組風(fēng)機(jī)應(yīng)變頻控8.1.4初效、中效、高效三級(jí)空氣過(guò)濾器宜布置在空氣處理機(jī)組內(nèi)，也可將高效空氣過(guò)濾器布置在末端送風(fēng)口前。8.1.5生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)凈化空調(diào)的氣流組織宜采用上送側(cè)回方式。8.1.6送風(fēng)口、回風(fēng)口的布置應(yīng)結(jié)合共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠房工藝設(shè)備的布置情況進(jìn)行。8.1.7|清洗間宜采用獨(dú)立的凈化空調(diào)系統(tǒng)。備上方應(yīng)設(shè)置獨(dú)立的排風(fēng)系統(tǒng)。8.1.9排風(fēng)系統(tǒng)宜應(yīng)設(shè)置備用風(fēng)機(jī)，并應(yīng)設(shè)置應(yīng)急電源。8.1.10流延設(shè)備的有機(jī)排風(fēng)和使用氫氣房間的排風(fēng)應(yīng)采用防爆8.2.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠給水設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：1應(yīng)設(shè)置生產(chǎn)給水系統(tǒng)、消防給水系統(tǒng)和生活給水系統(tǒng)；當(dāng)市政供水的穩(wěn)定性較差時(shí)，宜采取不間斷生產(chǎn)供水的技術(shù)措施；2與潔凈區(qū)內(nèi)無(wú)關(guān)的給水管道不應(yīng)穿過(guò)潔凈區(qū)，當(dāng)必須穿過(guò)時(shí)，應(yīng)采取保溫隔熱防塵防火措施。8.2.2生產(chǎn)用純水電阻率在供水終端不應(yīng)小于10MΩ·cm(25℃),純水站設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)純水系統(tǒng)設(shè)計(jì)8.2.3工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：1工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)應(yīng)有保證不間斷供水的技術(shù)措施；冷卻水循環(huán)泵應(yīng)備用，備用泵應(yīng)能自動(dòng)投入，并應(yīng)有壓差報(bào)警；2工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)供水水溫不宜大于30℃,使用點(diǎn)壓力不宜小于0.3MPa,補(bǔ)充水宜為軟化水；3工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)宜為閉式循環(huán)系統(tǒng)，管道、閥門及附件宜采用不銹鋼材料。8.2.4消防給水和滅火設(shè)備的設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《建筑設(shè)計(jì)防火規(guī)范》GB50016的有關(guān)規(guī)定，消防給水系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《消防給水及消火栓系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范》GB50974的有關(guān)規(guī)定。8.2.5在潔凈區(qū)內(nèi)通道上宜設(shè)置推車式二氧化碳?xì)怏w滅火器，不應(yīng)采用干粉滅火器。8.2.6廠房?jī)?nèi)應(yīng)設(shè)置消火栓箱，室內(nèi)消火栓應(yīng)保證采用兩支水槍充實(shí)水柱到達(dá)室內(nèi)任何部位，并應(yīng)布置在位置明顯、易于操作的位置。8.3.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠的冷熱源供應(yīng)方式應(yīng)根據(jù)當(dāng)?shù)貧夂?、能源結(jié)構(gòu)、城市配套及環(huán)保要求等因素綜合確定。8.3.2在需要同時(shí)供冷和供熱的工況下，冷水機(jī)組宜根據(jù)負(fù)荷要求選用熱回收機(jī)組，并宜采用自動(dòng)控制的方式調(diào)節(jié)機(jī)組的供熱量。8.3.3冷熱源設(shè)備臺(tái)數(shù)和單臺(tái)容量應(yīng)根據(jù)全年冷熱負(fù)荷工況合8.3.4冷熱源設(shè)備不宜少于2臺(tái)。8.3.5冷水機(jī)組的冷凍水供、回水溫差宜為5℃~7℃,在滿足工藝及空調(diào)用冷凍水溫度的前提下，應(yīng)加大冷凍水供、回水溫差和提高冷水機(jī)組的出水溫度。8.3.6當(dāng)冷負(fù)荷變化較大時(shí)，冷源系統(tǒng)設(shè)備宜采用變頻調(diào)速控制。8.3.7電動(dòng)壓縮式制冷機(jī)組的制冷劑應(yīng)符合有關(guān)技術(shù)要求，當(dāng)采用過(guò)渡制冷劑時(shí)，其使用年限應(yīng)符合禁用時(shí)間要求(ROHS指令)。8.3.8燃油燃?xì)忮仩t應(yīng)選用帶比例調(diào)節(jié)燃燒器的全自動(dòng)鍋爐，且每臺(tái)鍋爐宜獨(dú)立設(shè)置煙囪，煙囪的高度應(yīng)滿足設(shè)計(jì)要求和項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)文件的要求。8.3.9干燥壓縮空氣系統(tǒng)應(yīng)滿足生產(chǎn)工藝對(duì)供氣流量、壓力和供氣品質(zhì)的要求。8.3.10供氣設(shè)備應(yīng)選用能耗少、噪聲低的設(shè)備，空氣壓縮機(jī)宜選用無(wú)油潤(rùn)滑空氣壓縮機(jī)。8.3.11風(fēng)冷式空氣壓縮機(jī)及風(fēng)冷式干燥裝置的設(shè)備布置及通風(fēng)設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《壓縮空氣站設(shè)計(jì)規(guī)范》GB50029的有關(guān)規(guī)定。8.3.12當(dāng)干燥壓縮空氣輸送露點(diǎn)低于零下40℃時(shí)，宜采用不銹鋼管道材料。8.3.13壓縮空氣系統(tǒng)的管道設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：2壓縮空氣主管路設(shè)計(jì)宜布置成環(huán)狀系統(tǒng)；3主支管道的直徑應(yīng)按照局部系統(tǒng)實(shí)際用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；4支管道的直徑應(yīng)按照設(shè)備最大用氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；5采用軟管連接時(shí)，宜選用金屬軟管。8.3.14工藝真空系統(tǒng)的設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：1工藝真空系統(tǒng)的抽氣能力應(yīng)按生產(chǎn)工藝所需實(shí)際用氣量及系統(tǒng)損耗量確定；2工藝真空設(shè)備應(yīng)選用能耗少、噪聲低的設(shè)備；3工藝真空設(shè)備可選用水環(huán)式或干式真空泵；4工藝真空系統(tǒng)宜設(shè)置真空壓力過(guò)低保護(hù)裝置；5工藝真空管路設(shè)計(jì)應(yīng)布置成支狀系統(tǒng)；6工藝真空主管道的直徑應(yīng)按照全系統(tǒng)實(shí)際抽氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；主支管道的直徑應(yīng)按照局部系統(tǒng)實(shí)際抽氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；支管道的直徑應(yīng)按照設(shè)備最大抽氣量進(jìn)行設(shè)計(jì)；7工藝真空系統(tǒng)的管道材料宜選用碳鋼管，吹掃真空采用硬塑料管道。8.3.15氮?dú)饪衫霉S原有氮?dú)庹竟┙o，也可采用氮?dú)鈿馄繀R流排，也可購(gòu)買液氮在廠房外設(shè)站，經(jīng)汽化后經(jīng)過(guò)室內(nèi)氮?dú)夤艿垒斔偷礁鱾€(gè)用氣設(shè)備。8.3.16氫氣供應(yīng)采取方式應(yīng)符合下列規(guī)定：1外購(gòu)氫氣鋼瓶，氫氣鋼瓶應(yīng)放置在氣瓶間內(nèi)；2氫氣消耗量大時(shí)，可自建氫氣站。8.3.17氫氣純化設(shè)備或裝置的選擇、布置和氫氣純化站設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《大宗氣體純化及輸送系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50724的有關(guān)規(guī)定。8.3.18氫氣氣瓶間的布置及管道系統(tǒng)的設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)8.3.19氬氣供應(yīng)宜采用外購(gòu)瓶裝氣體，在用氣設(shè)備旁就近供給。管道布置和管材選用應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《大宗氣體純化及輸送8.3.20室外氣體管道宜采用架空敷設(shè)，可與室外動(dòng)力管道、特8.3.21大宗氣體純化間的設(shè)置應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《大宗氣體純化及輸送系統(tǒng)工程技術(shù)規(guī)范》GB50724的有關(guān)規(guī)定，氫氣純化間宜與氮?dú)饧兓g合建。9.1.1共燒陶瓷混合電路基板生產(chǎn)廠供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)應(yīng)根據(jù)當(dāng)?shù)?.1.4供電設(shè)計(jì)應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《供配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)規(guī)范》9