1T/TMACXXX—2026高密度互連（HDI）PCB設(shè)計(jì)規(guī)則與布線規(guī)范本文件規(guī)定了高密度互連（HDI）PCB（以下簡(jiǎn)稱“HDIPCB”）的設(shè)計(jì)要求、布線規(guī)則與結(jié)構(gòu)技術(shù)要求、試驗(yàn)方法。本文件適用于任意層互連、錯(cuò)孔、疊孔等結(jié)構(gòu)的高密度互連印制板的設(shè)計(jì)、制造和驗(yàn)收。其他類型的PCB可參照使用。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T2036印制電路術(shù)語GB/T2423.3環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cab：恒定濕熱試驗(yàn)GB/T2423.10環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc：振動(dòng)（正弦）GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T4588.3印制板的設(shè)計(jì)和使用GB/T4677印制板測(cè)試方法GB/T5169.16電工電子產(chǎn)品著火危險(xiǎn)試驗(yàn)第16部分：試驗(yàn)火焰50W水平與垂直火焰試驗(yàn)方法GB/T43799高密度互連印制板分規(guī)范SJ21193印制板離子遷移測(cè)試方法及要求SJ21194印制板互連應(yīng)力測(cè)試（IST）方法3術(shù)語和定義GB/T2036界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1高密度互連（HDI）PCBhigh-densityinterconnect(HDI)PCB采用微盲孔、埋孔及精細(xì)線路技術(shù)實(shí)現(xiàn)高布線密度的印制電路板。3.2微盲孔microblindvia連接PCB表層與至少一個(gè)內(nèi)層，且孔直徑通常不大于0.15mm的導(dǎo)通孔。3.3任意層互連any-layerhdi所有導(dǎo)電層之間均通過微盲孔實(shí)現(xiàn)互連的HDI結(jié)構(gòu)，無傳統(tǒng)通孔。3.4盤中孔via-in-padT/TMACXXX—20262導(dǎo)通孔完全位于焊盤平面內(nèi)的設(shè)計(jì)。4設(shè)計(jì)要求4.1總體要求HDIPCB設(shè)計(jì)應(yīng)遵循信號(hào)完整性、電源完整性、電磁兼容性、熱管理和可制造性（DFM）的原則。設(shè)計(jì)文件應(yīng)完整，包括但不限于：疊層圖、鉆孔極圖、布線圖、Gerber文件、IPC-356網(wǎng)表、阻抗計(jì)算報(bào)告等。4.2材料選擇應(yīng)根據(jù)產(chǎn)品的工作頻率、耐熱性、可靠性要求選擇合適的基材與銅箔。常用材料應(yīng)符合表1規(guī)定。表1HDIPCB常用材料要求>280超薄酚醛膠合板（BT）BT-2003.4±0.050.006200復(fù)合異構(gòu)烴（CEP-3）CEP-3A0.005聚酰亞胺（PI）PI-3003.2±0.050.004≥300氧化鋯（ZrO?)ZrO-HT10±0.50.001>3504.3結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)HDIPCB應(yīng)明確順序?qū)訅捍螖?shù)、介質(zhì)層厚度、銅箔厚度、微孔類型，并符合GB/T43799要求。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)明確標(biāo)注。4.4設(shè)計(jì)目標(biāo)HDIPCB設(shè)計(jì)應(yīng)滿足以下目標(biāo)：a）布線密度：符合5.2的要求，適配不同集成度產(chǎn)品的小型化布局需求；b）電氣性能：符合5.3的要求，支撐高速穩(wěn)定傳輸；c）可靠性：符合5.4的要求，適配復(fù)雜工況；d）可制造性：幾何參數(shù)匹配量產(chǎn)工藝，減少特殊工藝使用，設(shè)計(jì)文件符合GB/T4588.3；e）電磁兼容性：通過平面規(guī)劃、差分線等長布線（偏差≤5mm）、去耦電容布置，降低EMI并提升EMS，確保產(chǎn)品通過EMC認(rèn)證。5布線要求5.1電源完整性與接地應(yīng)合理規(guī)劃電源或地平面，減少平面分割。關(guān)鍵IC電源引腳附近應(yīng)布置去耦電容，其容值選擇與布局應(yīng)符合GB/T4588.3的相關(guān)要求。5.2尺寸與結(jié)構(gòu)要求HDIPCB尺寸與結(jié)構(gòu)要求應(yīng)符合表2的規(guī)定。表2尺寸與結(jié)構(gòu)要求T/TMACXXX—20263-微孔焊盤環(huán)寬（最小mm）5.3電氣性能要求HDIPCB的電氣性能要求應(yīng)符合表3的規(guī)定。表3電氣性能要求5.4安全性要求HDIPCB安全要求應(yīng)符合表4的規(guī)定。表4安全要求85℃,85%RH,100VDC,—溫度循環(huán)微盲孔導(dǎo)通電阻變化≤10%；層間剝離強(qiáng)度≥1N/mm；熱點(diǎn)溫差≤10℃溫濕老化85℃/85%RH,96h絕緣電阻≥10?MΩ振動(dòng)沖擊無裂紋、無層間分離電遷移85℃/85%RH,100V,96h遷移路徑≤2mm，絕緣電阻保持≥10MΩ6試驗(yàn)方法6.1通用要求所有試驗(yàn)應(yīng)在產(chǎn)品檢驗(yàn)合格后進(jìn)行。試驗(yàn)環(huán)境應(yīng)符合GB/T4677規(guī)定的大氣環(huán)境條件。6.2尺寸與結(jié)構(gòu)試驗(yàn)尺寸與結(jié)構(gòu)試驗(yàn)應(yīng)符合表5規(guī)定。表5尺寸與結(jié)構(gòu)試驗(yàn)使用高精度光學(xué)測(cè)量儀或臺(tái)式顯微鏡在成品板上采用金相切片分析，對(duì)微孔進(jìn)行垂直剖切，測(cè)T/TMACXXX—20264使用光學(xué)測(cè)量儀（分辨率≤1μm），在成品6.3電氣性能試驗(yàn)電氣性能試驗(yàn)應(yīng)符合表6的規(guī)定。表6電氣性能試驗(yàn)在不相鄰的導(dǎo)線或網(wǎng)絡(luò)之間施加100VDC電壓，穩(wěn)定使用時(shí)域反射計(jì)（TDR）在阻抗測(cè)試條上進(jìn)行測(cè)量，信號(hào)上升時(shí)間使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）測(cè)量特定長度傳輸線在5GHz頻采用互連應(yīng)力極測(cè)試（IST），執(zhí)行1000次溫度循環(huán)后，測(cè)量Da6.4安全性試驗(yàn)安全試驗(yàn)應(yīng)符合表7的規(guī)定。表7安全試驗(yàn)將樣品置于熱沖擊試驗(yàn)箱中，在-55℃和+125