標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/Z 117.101-2026 光伏組件 電勢誘導(dǎo)衰減測試方法 第1-1部分:晶體硅組件 分層》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了針對晶體硅光伏組件進(jìn)行電勢誘導(dǎo)衰減(PID, Potential Induced Degradation)測試的具體方法與要求。該文件旨在為制造商、測試實(shí)驗(yàn)室以及相關(guān)方提供一個統(tǒng)一的參考框架,確保測試結(jié)果的一致性和可靠性。

標(biāo)準(zhǔn)首先定義了電勢誘導(dǎo)衰減現(xiàn)象,即在特定條件下,當(dāng)光伏組件暴露于高電壓環(huán)境中時,其性能可能會出現(xiàn)下降的情況。這種效應(yīng)通常發(fā)生在濕熱環(huán)境下,尤其是在地面安裝系統(tǒng)中更為常見。對于晶體硅組件而言,PID主要表現(xiàn)為功率輸出降低、填充因子減少等特性變化。

接著,《GB/Z 117.101-2026》概述了適用于不同類型晶體硅光伏組件(如單晶硅、多晶硅)的PID測試條件和程序。其中包括但不限于溫度、濕度控制下的測試環(huán)境設(shè)置;施加反向偏壓的具體數(shù)值及其持續(xù)時間;以及如何準(zhǔn)確測量并記錄測試前后組件性能參數(shù)的變化情況。

此外,該標(biāo)準(zhǔn)還特別強(qiáng)調(diào)了樣品準(zhǔn)備的重要性,包括但不限于選擇代表性樣本、預(yù)處理步驟等,以保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的有效性。同時,它也提供了關(guān)于數(shù)據(jù)處理及報告編制方面的指導(dǎo)原則,幫助用戶更好地理解和分析測試所得信息。


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....

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文檔簡介

ICS27160

CCSK.83

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z117101—2026/IECTS62804-1-12020

.:

光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法

第1-1部分晶體硅組件分層

:

Photovoltaicmodules—Testmethodsforthedetectionofpotential-

inducedderadation—Part1-1Crstallinesilicon—Delamination

g:y

IECTS62804-1-12020IDT

(:,)

2026-01-04發(fā)布

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/Z117101—2026/IECTS62804-1-12020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………2

樣品

4………………………2

試驗(yàn)步驟

5…………………2

概述

5.1…………………2

初始外觀檢查

5.2………………………3

濕漏電流試驗(yàn)

5.3………………………3

濕熱試驗(yàn)

5.4……………3

電壓應(yīng)力試驗(yàn)

5.5………………………3

濕漏電流試驗(yàn)

5.6………………………5

最終外觀檢查

5.7………………………5

測試報告

6…………………6

附錄資料性分層現(xiàn)象示例

A()…………7

參考文獻(xiàn)

………………………9

GB/Z117101—2026/IECTS62804-1-12020

.:

前言

本文件為規(guī)范類指導(dǎo)性技術(shù)文件

。

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法的第部分已經(jīng)發(fā)布了以

GB/Z117《》1-1。GB/Z117

下部分

:

第部分晶體硅組件分層

———1-1:。

本文件等同采用光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法第部分晶體

IECTS62804-1-1:2020《1-1:

硅組件分層文件類型由的技術(shù)規(guī)范調(diào)整為我國的國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

》,IEC。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國太陽能光伏能源系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC90)。

本文件起草單位隆基樂葉光伏科技有限公司江蘇隆基樂葉光伏科技有限公司中國電子技術(shù)標(biāo)

:、、

準(zhǔn)化研究院西安熱工研究院有限公司中海油研究總院有限責(zé)任公司晶科能源海寧有限公司英利

、、、()、

能源發(fā)展有限公司無錫市檢驗(yàn)檢測認(rèn)證研究院赫里歐新能源有限公司阿特斯陽光電力集團(tuán)股份有

、、、

限公司國家電投集團(tuán)黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司西寧分公司

、。

本文件主要起草人劉斌龔海丹任改改王永豐李其聰莊天奇謝小軍李冬梅李寧李學(xué)健

:、、、、、、、、、、

胡晶柯源唐應(yīng)堂屈小勇

、、、。

GB/Z117101—2026/IECTS62804-1-12020

.:

引言

電勢誘導(dǎo)衰減是指組件電池電路和光伏組件外表面或部件之間的電勢應(yīng)力引起的任何光伏

(PID)

組件性能衰減現(xiàn)象水汽和系統(tǒng)電壓因素可能會引起分層現(xiàn)象光伏組件分層有可能會導(dǎo)致

。(PID-d),

電擊接地故障水汽快速侵入和冷凝水聚集等問題并與腐蝕電池光傳輸性能下降導(dǎo)致的光電流減少

、、,、

和熱斑現(xiàn)象外觀不良相關(guān)聯(lián)

、。

光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法擬由以下部分組成

GB/Z117《》。

第部分晶體硅組件定義通過評估晶硅光伏組件功率損耗的測試方法

———1:。PID。

第部分晶體硅組件分層定義通過評估晶硅光伏組件分層的測試方法

———1-1:。PID。

第部分薄膜組件定義通過評估薄膜光伏組件功率損耗的測試方法

———2:。PID。

本文件用于測試和評估晶體硅光伏組件在分層失效模式下的耐久性

。

研究表明晶體硅光伏組件的分層與晶硅電池表面的電化學(xué)反應(yīng)以及金屬化有關(guān)和

(MonRoss,

等人濕度有時會加速光伏組件界面黏附力的減小并伴隨電池表面鈉離子濃度

1985;Matsuda,2012)。,

的升高這可能是系統(tǒng)電壓應(yīng)力作用的結(jié)果等人等人等人

,(Dhere,2002;Bosco,2017;Wohlgemuth,

等人在系統(tǒng)電壓導(dǎo)致的電場下使用低體積電阻率封裝材料的組件具有更大的分層

2017;Li,2018)。,

敏感性等人一些組件沒有因分流或極化模式導(dǎo)致明顯功率

(Hacke,2016)。PID(PID-s)PID(PID-p)

衰減通過本文件的方法可能發(fā)生分層模式的衰退比如使用電池因耐受和而未出現(xiàn)功

,,PID-sPID-p

率衰減但使用的封裝材料體積電阻率偏低的組件

,。

有研究表明對于許多封裝劑溶解水含量的升高會增加其電導(dǎo)率等人因此

,,(Berghold,2014)。,

本文件提供了一種加速測試方法以評估組件在濕度和系統(tǒng)電壓等作用下對分層的敏感性雖然優(yōu)化

,。

安裝和接地配置可能會減輕失效模式但作為對層壓件的測試本文件中玻璃表面的接地與組件

PID,,

的預(yù)期安裝和接地配置無關(guān)

。

在電壓電位作用下玻璃的導(dǎo)電性和由此產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)移使層壓件內(nèi)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)因此本文

,。,

件主要針對單玻或雙玻組件迄今為止測量結(jié)果顯示組件封裝體積電阻率相差達(dá)到幾個數(shù)量級因

。,。

此根據(jù)體積電阻率對這種分層模式的影響本測試方案能夠區(qū)分敏感型組件和耐受型組件等

,,(Hacke

人本文件的測試條件是高度加速的用來區(qū)分對分層失效模式敏感的組件但其在各種自然環(huán)

,2016)。,;

境中失效率的加速因子還沒有確定附錄舉例說明了應(yīng)用該方法后出現(xiàn)的衰減模式以及實(shí)際應(yīng)用

。A,

中外觀上類似的實(shí)例

。

分層還可能通過其他機(jī)制發(fā)生如光催化的反應(yīng)產(chǎn)物等人在本文件或其他現(xiàn)有

,(Matsuda,2012),

的標(biāo)準(zhǔn)測試方法下可能不會體現(xiàn)

。

眾所周知制造工藝的變化有可能會影響組件對電壓應(yīng)力的敏感性組件樣品的周期性重新測試

,。

包括以上測試方法還包括內(nèi)部質(zhì)量保證程序如規(guī)定以及外部測試核查這有助于驗(yàn)

,(IECTS62941),

證設(shè)計對組件電壓應(yīng)力耐久性的影響還有助于驗(yàn)證材料和制造工藝的變化帶來的影響

,。

GB/Z117101—2026/IECTS62804-1-12020

.:

光伏組件電勢誘導(dǎo)衰減測試方法

第1-1部分晶體硅組件分層

:

1范圍

本文件描述了單?;螂p玻晶體硅光伏組件層壓件部分電勢誘導(dǎo)衰減引起的分層失效現(xiàn)象

(PID-d)

的測試和評估方法用于評估因接地和組件電池電路之間的電流傳輸而引起的分層本文件測試方法

,。

中加速導(dǎo)致分層的影響因素包括濕熱暴露界面上的鈉積累電池電路中的陰極氣體析出金屬化以及

、、、

組件中其他部件因電壓刺激而導(dǎo)致的黏附性降低不包括應(yīng)力因素導(dǎo)致的晶體硅光伏組件功率變化該

,(

內(nèi)容在的范圍

IECTS62804-1)。

本文件規(guī)定的測試方法是在濕熱環(huán)境箱中對組件進(jìn)行測試并在組件兩極施加組件說明書中規(guī)定

,

或允許的最大系統(tǒng)電壓組件對系統(tǒng)電壓應(yīng)力的實(shí)際耐久性取決于安裝設(shè)計和組件運(yùn)行的環(huán)境條件

。,

本測試方法是在不考慮不同氣候和系統(tǒng)條件下組件運(yùn)行時承受的實(shí)際應(yīng)力的前提下評估光伏組件層壓

件對的敏感性

PID-d。

本文件不適用于區(qū)分某些可能在不同程度上對組件表面進(jìn)行電氣隔離的抑制的工程方法的

PID

影響比如使用后軌支架安裝邊緣夾具夾持安裝和絕緣邊框等

,、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱試驗(yàn)

GB/T2423.3—20162:Cab:(IEC60068-2-

78:2012,IDT)

地面用光伏組件設(shè)計鑒定和定型第部分測試要求

IEC61215-1:20161:(Terrestrialpho-

tovoltaic(PV)modules—Designqualificationandtypeapproval—Part1:Testrequirements)

注地面用光伏組件設(shè)計鑒定和定型第部分測試要求

:GB/T9535.1—20251:(IEC61215-1:2021,IDT)

地面用光伏組件設(shè)計鑒定和定型第部分試

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