ICS3108099

CCSL.47.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

半導(dǎo)體器件分立器件

第17部分基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的

:

磁耦合器和電容耦合器

Semiconductordevices—Discretedevices—Part17Maneticandcaacitive

:gp

couplerforbasicandreinforcedinsulation

IEC60747-172020Semiconductordevices—Part17Maneticandcaacitive

(:,:gp

coulerforbasicandreinforcedinsulationIDT

p,)

2026-01-04發(fā)布

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………2

電特性耦合器邏輯和時(shí)序特征參數(shù)

4———………………11

耦合器電擊防護(hù)

5…………………………12

概述

5.1…………………12

類型

5.2…………………12

額定值

5.3………………12

電氣安全要求

5.4………………………12

電氣環(huán)境和或耐久性試驗(yàn)

5.5、/………………………13

耦合器測試方法

6…………………………25

通則

6.1…………………25

隔離電容C

6.2(IO)……………………25

輸入和輸出之間的隔離電阻R

6.3(IO)………………26

隔離耐壓測試

6.4………………………26

耦合器局部放電

6.5……………………27

耦合器開關(guān)時(shí)間

6.6……………………31

磁耦合器和電容耦合器共模瞬態(tài)抗擾度測試方法

6.7(CMTI)……33

附錄資料性認(rèn)證指南

A()………………36

參考文獻(xiàn)

……………………39

Ⅰ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

前言

本文件為規(guī)范類指導(dǎo)性技術(shù)文件

。

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導(dǎo)體器件分立器件的第部分半導(dǎo)體器件分立器件已經(jīng)發(fā)布了以下部分

《》17。《》:

第部分總則

———1:(GB/T17573—1998);

第部分整流二極管

———2:(GB/T4023—2015);

第部分以下環(huán)境或管殼額定整流二極管包括雪崩整流二極管空白詳細(xì)規(guī)范

———2-1:100A()

(GB/T6351—1998);

第部分大于環(huán)境和管殼額定的整流二極管包括雪崩整流二極管空白詳細(xì)規(guī)范

———2-2:100A,()

(GB/T16894—1997);

第部分信號(hào)包括開關(guān)二極管和調(diào)整二極管

———3:()(GB/T6571—1995);

第部分信號(hào)二極管開關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范

———3-1:、(GB/T6588—2000);

第部分信號(hào)包括開關(guān)二極管和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管電壓基準(zhǔn)二極管不包

———3-2:()(

括溫度補(bǔ)償精確基準(zhǔn)二極管空白詳細(xì)規(guī)范

)(GB/T6589—2002);

第部分微波器件

———4:(GB/T20516—2006);

第部分微波二極管和晶體管微波場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———4-1:(GB/T21039.1—2007);

第部分晶閘管

———6:(GB/T15291—2015);

第部分以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———6-1:100A(GB/T6352—

1998);

第部分以下環(huán)境或管殼額定雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———6-2:100A(GB/T6590—

1998);

第部分電流大于環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范

———6-3:100A、(GB/T13150—

2005);

第部分雙極型晶體管

———7:(GB/T4587—2023);

第部分高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———7-1:(GB/T6217—1998);

第部分低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———7-2:(GB/T7577—1996);

第部分開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———7-3:(GB/T6218—1996);

第部分高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———7-4:(GB/T7576—1998);

第部分場效應(yīng)晶體管

———8:(GB/T4586—1994);

第部分以下的單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———8-1:1GHz、5W(GB/T6219—1998);

第部分管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

———8-3:(GB/T15449—1995);

第部分絕緣柵雙極晶體管

———9:(IGBT)(GB/T29332—2012);

第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

———10:(GB/T4589.1—2006);

第部分分立器件分規(guī)范

———11:(GB/T12560—1999);

第部分基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的磁耦合器和電容耦合器

———17:。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件第部分基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的磁耦合器和

IEC60747-17:2020《17:

電容耦合器文件類型由標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整為我國的標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

》,IEC。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

Ⅲ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

納入了的技術(shù)勘誤所涉及的條款的外側(cè)頁邊空白位置用垂直雙

———IEC60747-17/COR1:2021,

線進(jìn)行了標(biāo)示

(‖)。

增加了術(shù)語安全系數(shù)的中文名稱

———“”。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本文件起草單位蘇州納芯微電子股份有限公司上海集成電路制造創(chuàng)新中心有限公司蘇州市質(zhì)

:、、

量和標(biāo)準(zhǔn)化院

。

本文件主要起草人葉健張樂樂高洪連鄧富明馬紹宇王升楊盛云尹睿沈俊杰張碩

:、、、、、、、、、。

Ⅳ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

引言

半導(dǎo)體分立器件是電子行業(yè)的通用基礎(chǔ)產(chǎn)品為電子系統(tǒng)中的最基本單元其性能與可靠性直接影

,,

響工程質(zhì)量和可靠性半導(dǎo)體器件分立器件是半導(dǎo)體分立器件的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)對于規(guī)范半導(dǎo)體分立

?！丁?

器件的參數(shù)體系驗(yàn)證測試方法及質(zhì)量考核起著重要作用擬由個(gè)部分構(gòu)成

、、,26。

第部分總則目的在于規(guī)定有關(guān)適用于各類分立器件標(biāo)準(zhǔn)的一般原則或要求

———1:。。

第部分整流二極管目的在于規(guī)定整流二極管的術(shù)語文字符號(hào)基本額定值和特性以及

———2:。、、

測試方法等產(chǎn)品特定要求

。

第部分以下環(huán)境或管殼額定整流二極管包括雪崩整流二極管空白詳細(xì)規(guī)范

———2-1:100A()。

目的在于規(guī)定制定以下環(huán)境或管殼額定整流二極管包括雪崩整流二極管詳細(xì)規(guī)范的

100A()

基本要求

。

第部分大于環(huán)境和管殼額定的整流二極管包括雪崩整流二極管空白詳細(xì)規(guī)

———2-2:100A,()

范目的在于規(guī)定制定以上環(huán)境和管殼額定的整流二極管包括雪崩整流二極管詳細(xì)

。100A()

規(guī)范的基本要求

。

第部分信號(hào)包括開關(guān)二極管和調(diào)整二極管目的在于規(guī)定信號(hào)二極管包括開關(guān)二極

———3:()。(

管電壓基準(zhǔn)二極管和電壓調(diào)整二極管電流調(diào)整二極管的術(shù)語文字符號(hào)基本額定值和特

)、、、、

性以及測試方法等產(chǎn)品特定要求

。

第部分信號(hào)二極管開關(guān)二極管和可控雪崩二極管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定信

———3-1:、。

號(hào)二極管開關(guān)二極管和可控雪崩二極管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

、。

第部分信號(hào)包括開關(guān)二極管和調(diào)整二極管電壓調(diào)整二極管電壓基準(zhǔn)二極管不包

———3-2:()(

括溫度補(bǔ)償精確基準(zhǔn)二極管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定信號(hào)包括開關(guān)二極管和調(diào)

)。()

整二極管電壓調(diào)整二極管電壓基準(zhǔn)二極管不包括溫度補(bǔ)償精確基準(zhǔn)二極管詳細(xì)規(guī)范的基

()

本要求

。

第部分微波器件目的在于規(guī)定微波器件的術(shù)語文字符號(hào)基本額定值和特性以及測試

———4:。、、

方法等產(chǎn)品特定要求

。

第部分微波二極管和晶體管微波場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定微

———4-1:。

波二極管和晶體管微波場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

。

第部分晶閘管目的在于規(guī)定晶閘管的術(shù)語文字符號(hào)基本額定值和特性以及測試方法

———6:。、、

等產(chǎn)品特定要求

。

第部分以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于

———6-1:100A。

規(guī)定制定以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

100A。

第部分以下環(huán)境或管殼額定雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定

———6-2:100A。

制定以下環(huán)境或管殼額定雙向三極閘流晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

100A。

第部分電流大于環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細(xì)規(guī)范目的在

———6-3:100A、。

于規(guī)定制定電流以上環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

100A。

第部分雙極型晶體管目的在于規(guī)定幾種類型雙極型晶體管微波晶體管除外的術(shù)語文

———7:。()、

字符號(hào)基本額定值和特性以及測試方法等產(chǎn)品特定要求

、。

第部分高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定高低頻

———7-1:。

放大環(huán)境額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

。

第部分低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定低頻放大

———7-2:。

Ⅴ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

管殼額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

。

第部分開關(guān)用雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定開關(guān)用雙極型晶體管詳

———7-3:。

細(xì)規(guī)范的基本要求

。

第部分高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定高頻放大管

———7-4:。

殼額定雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

。

第部分場效應(yīng)晶體管目的在于規(guī)定幾種場效應(yīng)晶體管的術(shù)語文字符號(hào)基本額定值和

———8:。、、

特性以及測試方法等產(chǎn)品特定要求

。

第部分以下的單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定

———8-1:1GHz、5W。1GHz、

以下的單柵場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

5W。

第部分管殼額定開關(guān)用場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范目的在于規(guī)定制定管殼額定開關(guān)

———8-3:。

用場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本要求

。

第部分絕緣柵雙極晶體管目的在于規(guī)定幾種絕緣柵雙極晶體管的術(shù)語

———9:(IGBT)。(IGBT)、

文字符號(hào)基本額定值和特性以及測試方法等產(chǎn)品特定要求

、。

第部分分立器件和集成電路總規(guī)范目的在于規(guī)定半導(dǎo)體器件質(zhì)量評定的總程序規(guī)定

———10:。,

電特性測試方法氣候和機(jī)械試驗(yàn)?zāi)途眯栽囼?yàn)的總原則

、、。

第部分分立器件分規(guī)范目的在于規(guī)定有關(guān)評定半導(dǎo)體分立器件所需的質(zhì)量評定程序

———11:。、

檢驗(yàn)要求篩選序列抽樣要求試驗(yàn)和測試方法的內(nèi)容

、、、。

第部分絕緣功率半導(dǎo)體器件目的在于規(guī)定絕緣功率半導(dǎo)體器件的術(shù)語文字符號(hào)基本

———15:。、、

額定值和特性以及測試方法等產(chǎn)品特定要求

。

第部分基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的磁耦合器和電容耦合器目的在于規(guī)定基本絕緣和加強(qiáng)絕

———17:。

緣的電磁和電容耦合器的術(shù)語文字符號(hào)基本額定值和特性以及測試方法等產(chǎn)品特定要求

、、。

半導(dǎo)體器件分立器件對應(yīng)采用各部分以保證與國際標(biāo)準(zhǔn)一致實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體分立器

《》IEC60747,,

件的參數(shù)體系驗(yàn)證方法測試方法可靠性評價(jià)質(zhì)量水平等與國際接軌通過制定該文件為半導(dǎo)體

、、、、。,

分立器件的研制生產(chǎn)和檢驗(yàn)提供依據(jù)和重要支撐

、。

Ⅵ

GB/Z10217—2026/IEC60747-172020

.:

半導(dǎo)體器件分立器件

第17部分基本絕緣和加強(qiáng)絕緣的

:

磁耦合器和電容耦合器

1范圍

本文件規(guī)定了磁耦合器和電容耦合器的術(shù)語基本額定值特性安全試驗(yàn)及測試方法確定了基本

、、、,

絕緣和加強(qiáng)絕緣的磁耦合器和電容耦合器的原理隔離要求以及隔離特性

、。

本文件適用于各類采用磁性或電容耦合原理實(shí)現(xiàn)電路間信號(hào)傳輸與電氣隔離的半導(dǎo)體器件

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文件僅

。,,

該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

;,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低溫

GB/T2423.1—20082:A:(IEC60068-2-1:

2007,IDT)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫

GB/T2423.2—20082:B:(IEC60068-2-2:

2007,IDT)

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)交變濕熱

GB/T2423.4—20082: