目錄存儲芯片進入新一輪漲價周期 5三大存儲巨頭紛紛上調(diào)產(chǎn)品價格 5存儲周期歷史復(fù)盤 6新一輪存儲周期的驅(qū)動因素分析 8內(nèi)存：DRAM 11DRAM概述 11DRAM技術(shù)路線分化 13DRAM核心發(fā)展方向：HBM 15存儲：NANDFlash 18NANDFlash概述 18全球NANDFlash市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局 19NANDFlash經(jīng)歷從2D向3D架構(gòu)發(fā)展 20全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移 21存儲芯片轉(zhuǎn)移路線：美國-日本-韓國-中國 21美國存儲芯片代表企業(yè)：Micron 22日韓存儲芯片代表企業(yè)：Kioxia，SKHynix 25中國存儲芯片代表企業(yè)：長江存儲，長鑫存儲，江波龍 29風(fēng)險提示 33圖表目錄圖表1：2025Q4主流存儲廠商存儲產(chǎn)品合約價上漲情況 5圖表2：2025年DRAM現(xiàn)貨平均價 5圖表3：2025年NANDFlash現(xiàn)貨平均價 6圖表4：存儲行業(yè)歷史周期梳理 7圖表5：全球智能手機出貨量及同比 7圖表6：全球PC出貨量及同比 8圖表7：DRAM下游應(yīng)用占比 9圖表8：NANDFlash下游應(yīng)用占比 9圖表9：2015-2025iPhone標準款內(nèi)存容量與存儲容量信息梳理 9圖表10：2021-2026全球八大云廠商資本開支 10圖表11：國內(nèi)外云服務(wù)廠商紛紛布局服務(wù)器及其相關(guān)領(lǐng)域 11圖表12：全球服務(wù)器市場規(guī)模（按服務(wù)器類別） 11圖表13：DRAM結(jié)構(gòu)圖 12圖表14：全球DRAM市場規(guī)模 12圖表15：2024年全球DRAM市場規(guī)模 13圖表16：全球存儲廠商持續(xù)推進DRAM領(lǐng)域技術(shù)迭代 13圖表17：JEDEC定義了三種DRAM標準類別 14圖表18：DDR1-5性能梳理 14圖表19：LPDDR性能持續(xù)迭代升級 15圖表20：GDDR技術(shù)演進路線 15圖表21：人工智能持續(xù)發(fā)展 16圖表22：英偉達與AMD人工智能芯片的高帶寬內(nèi)存規(guī)格發(fā)展時間線及其對比 16圖表23：各代HBM技術(shù)性能參數(shù)對比 17圖表24：全球HBM市場規(guī)模 17圖表25：2025Q2全球HBM市場格局 17圖表26：HBM產(chǎn)量與營收占DRAM的比例 18圖表27：各類存儲器性能對比 18圖表28：NANDFlash可以劃分為SLC、MLC、TLC和QLCNAND四種 19圖表29：NANDFlash市場規(guī)模 19圖表30：2024年全球NANDFlash市場份額 19圖表31：國內(nèi)外企業(yè)紛紛加碼NANDFlash 20圖表32：NANDFlash經(jīng)歷從2D轉(zhuǎn)向3D技術(shù)演進 20圖表33：存儲芯片誕生于美國 21圖表34：存儲芯片從美國到日本第一次區(qū)域轉(zhuǎn)移 22圖表35：存儲芯片從日本到韓國第二次區(qū)域轉(zhuǎn)移 22圖表36：Micron營業(yè)收入及同比 23圖表37：Micron毛利率 23圖表38：2024年Micron營業(yè)收入（按產(chǎn)品） 23圖表39：2025年Micron營業(yè)收入（按產(chǎn)品） 23圖表40：2025年Micron營業(yè)收入（按地區(qū)） 24圖表41：Micron12層堆疊HBM3E示意圖 24圖表42：Micron第九代3DTLCNANDFlash產(chǎn)品示意圖 25圖表43：Micron聯(lián)合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM內(nèi)存模組 25圖表44：Kioxia營業(yè)收入及同比 26圖表45：Kioxia毛利率 26圖表46：Kioxia第八代BiCSFLASH?3D閃存相較于上一代實現(xiàn)50%存儲密度提升 26圖表47：SKHynix營業(yè)收入及同比 27圖表48：SKHynix毛利率 27圖表49：SKHynix2026-2031產(chǎn)品路線圖 27圖表50：SKHynixStandard與CustomHBM結(jié)構(gòu)對比圖 28圖表51：SKHynix針對AIDRAM進一步細分 28圖表52：SKHynix公布AINAND下一代儲存解決方案 29圖表53：長江存儲晶棧?Xtacking?架構(gòu)圖 30圖表54：長江存儲3DNANDFlash堆疊層數(shù)達到200層以上 30圖表55：長鑫存儲產(chǎn)能梳理 31圖表56：長鑫存儲DDR5示意圖 31圖表57：長鑫存儲LPDDR5X示意圖 31圖表58：2020-2025Q1-3江波龍營業(yè)收入及同比 32圖表59：2020-2025Q1-3江波龍毛利率情況 32圖表60：2024年江波龍產(chǎn)品結(jié)構(gòu) 33圖表61：2020-2025H1江波龍境內(nèi)外營收情況 33存儲芯片進入新一輪漲價周期2025914Micron20%-30DRAM品類DDR4DDR5DRAM（LPDDR4LPDDR5）922NewdailySamsungLPDDR4XLPDDR5/5XDRAMNANDFlash5%-10%后0月3SKyix官宣2025Q4AM與ANDash合約價最高上調(diào)30%。圖表1：2025Q4主流存儲廠商存儲產(chǎn)品合約價上漲情況企業(yè)產(chǎn)品類型存儲產(chǎn)品價格調(diào)整幅度MicronDDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR520%-30%SamsungDRAM（LPDDR4X、LPDDR5/5X等）15%-30%NANDFlash5%-10%SKHynixDRAM、NANDFlash最高30%財聯(lián)社，電子元件技術(shù)Aecae12月15AM(516GAM(R416GBDRAMDDR48GBDRAMDDR34GB26.2750.75美元、14.38美元、3.59美元。圖表2：2025年DRAM現(xiàn)貨平均價DRAMexchange，全球半導(dǎo)體觀察DRAMexchange121525612816814.3510.63美元、11.50美元、5.11美元。圖表3：2025年NANDFlash現(xiàn)貨平均價DRAMexchange，全球半導(dǎo)體觀察伴隨DRAM與NANDFlash現(xiàn)貨平均價全面持續(xù)上揚，全球存儲芯片市場已正式開啟新一輪成長周期。我們梳理了2016-2025年全球芯片市場的周期表現(xiàn)，對過往的漲價與跌價進行了復(fù)盤分析。圖表4：存儲行業(yè)歷史周期梳理WSTS

2016-20182015年上市的iPhone6S，標配2GB運行內(nèi)存與16GB存儲容量；至2018年發(fā)布的iPhoneXS4GB64GB，帶動智能手機端存儲芯片需求大幅增長。2018-2019年，隨著智能手機出貨量下滑，同時手機升級周期結(jié)束，存儲芯片需求下降；存儲芯片市場供過于求，行業(yè)轉(zhuǎn)入下行調(diào)整。圖表5：全球智能手機出貨量及同比IDC2020-2023PC由于疫圖表6：全球PC出貨量及同比Gartner（PC）不同，2024AI2024年，DRAM與NANDFlash的下游需求主要由服務(wù)器、智能手機及個人電腦（PC）8075%。具體來看，DRAMPC34%3214%；NANDFlash30%、31%、142022年之前存儲芯片市場最主要的應(yīng)用場景2023AI的快速發(fā)展，服務(wù)器也成為拉動需求的促進因素，智能手機和服務(wù)器兩者目前貢獻權(quán)重基本接近。圖表7：DRAM下游應(yīng)用占比 圖表8：NANDFlash下游應(yīng)用占比CFM CFM智能手機主導(dǎo)的芯片市場周期通過梳理2015-2025年10年間iPhone系列機型的運行內(nèi)存容量及存儲容量配置數(shù)據(jù)，我們發(fā)現(xiàn)：iPhone運行內(nèi)存從2015iPhone6S2GB逐步提升至2017iPhoneX3GB，2018XS4GB。2024iPhone16128GB，2025iPhone17256GB。圖表9：2015-2025iPhone標準款內(nèi)存容量與存儲容量信息梳理機型發(fā)行年份內(nèi)存容量存儲容量核心變化iPhone6S2015.092GB16GB-iPhone72016.092GB32GB存儲容量：從16GB向32GB升級iPhone82017.092GB64GB存儲容量：從32GB向64GB升級iPhoneX2017.113GB64GB內(nèi)存容量：從2GB向3GB升級iPhoneXR2018.093GB64GB-iPhoneXS2018.094GB64GB內(nèi)存容量：從3GB向4GB升級iPhone112019.094GB64GB-iPhone122020.014GB64GB-iPhone132021.094GB128GB存儲容量：從64GB向128GB升級iPhone142022.096GB128GB內(nèi)存容量：從4GB向6GB升級iPhone152023.096GB128GB-iPhone162024.098GB128GB內(nèi)存容量：從6GB向8GB升級iPhone172025.098GB256GB存儲容量：從128GB向256GB升級蘋果官網(wǎng)，iFixit，中關(guān)村在線注：未梳理全部機型，存儲容量為最低存儲容量總結(jié)以上，我們發(fā)現(xiàn)iPhone內(nèi)存容量平均2-4年完成一次迭代升級；存儲容量每隔4iPhone2025有望迎來再次升級。如此密集的持續(xù)升級，有望助推全球存儲芯片市場漲價周期在2026服務(wù)器和智能手機主導(dǎo)的芯片市場周期AIHBM3E、DDR5HBM3EI/ODDR5則憑借低延遲優(yōu)勢，精準適配推理場景的高性能需求。數(shù)據(jù)顯示，Google、AWS、Meta、Microsoft、Oracle、騰訊、阿里巴巴、百度這八大云服務(wù)廠商的資本開支從20211451.020242609.0年全球八大云服務(wù)廠商資本開支有望達到60202024-2026年復(fù)合增長率或51.9%。圖表10：2021-2026全球八大云廠商資本開支Trendforce年Google在CloudNext大會官宣TPUIronwoodTPU液冷集群總算力達42.5EPSS于:vt2025Graviton5CPU，3nm先進制程、192核設(shè)計使通用計算性能較25AIAI場景的底層基礎(chǔ)設(shè)施支撐。廠商服務(wù)器相關(guān)領(lǐng)域最新進展Google2025年GoogleCloudNext大會，Google正式宣布TPUIronwood全面商用。廠商服務(wù)器相關(guān)領(lǐng)域最新進展Google2025年GoogleCloudNext大會，Google正式宣布TPUIronwood全面商用。AWS2025年12月re:Invent2025大會，AWS正式發(fā)布第五代自研服務(wù)器CPUGraviton5，并推出Trainium3UltraServer。Meta據(jù)TrendForce報告，2025年Meta與博通合作，開發(fā)下一代ASIC驅(qū)動的AI服務(wù)器。Microsoft20251119ArmAzureCobalt200，首批搭載該處理器的服務(wù)器已在Azure數(shù)據(jù)中心上線，更廣泛的部署與客戶可用服務(wù)將于2026年開放。Oracle2025年10月，Oracle宣布推出一款大型云端AI超級計算機——OracleCloudInfrastructureZettascale10騰訊2025年9月16日，騰訊云宣布自研核心產(chǎn)品升級：星星海服務(wù)器全球累計部署超2億核。阿里巴巴2024920+AIAlibabaCloudLinux20%以上，同時支持多種主流機密計算方案。百度202511132025AIM100天池256超節(jié)點、百度天池512超節(jié)點，并公布了昆侖芯的未來五年產(chǎn)品路線圖。。AWS，Oracle官網(wǎng)，DOIT，eefocus，IT之家云廠商在服務(wù)器領(lǐng)域的開拓創(chuàng)新，有望推動AI服務(wù)器市場持續(xù)向好。弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)顯示，全球服務(wù)器市場規(guī)模從2020136020241600萬臺（AI12.5%），2020-20244.2%；該機構(gòu)進一步預(yù)測，20301950（AI33.3%），2025-20303.7%。圖表12：全球服務(wù)器市場規(guī)模（按服務(wù)器類別）弗若斯特沙利文內(nèi)存：DRAMDRAM概述DRAM是一種易失性存儲器，可與CPU、GPU等計算芯片直接交互，用于快速存儲每秒數(shù)十億次計算過程中產(chǎn)生的臨時信息。DRAM芯片主要由存儲單元、外圍邏輯電路、周邊線路三部分組成。存儲單元（Cell）DRAM1bit55%-60%的面積。（Core）25%-30%的面積。（Peripheral）由控制線路與輸入/圖表13：DRAM結(jié)構(gòu)圖51CTODRAMeXchange，TrendForceDRAM958.63億美元（同比+84.83%）。圖表14：全球DRAM市場規(guī)模DRAMeXchange，TrendForce全球DRAMAeXcaeore2024SKHynix、Samsung、Micron97.49%的市場份額。15：2024DRAM市場規(guī)模DRAMeXchange，TrendForceDRAM領(lǐng)域，加速推進技術(shù)迭代。Samsung10nm1cDRAM，HBM42026Micron1γ節(jié)LPDDR5XAIJEDEC認證的R5（最高8000bps及LPR5X最高1066bps，16nm8GbDDR4DRAM，適配工業(yè)與嵌入式領(lǐng)域的嚴苛使用需求。公司 各公司DRAM最新進展圖表公司 各公司DRAM最新進展Samsung 10nmDRAM（1cDRAM），50%-70%，80%-90%沖刺；HBM4202611Gbps。2025年9月12日，公司宣布成功完成面向AI的超高性能存儲器HBM41的開發(fā)，并在全球首次構(gòu)SKHynix

建其量產(chǎn)體系；同年11月，SKHynix宣布將分階段推出HBM系列產(chǎn)品（含Standard與Custom雙線），同步推進AI專用存儲（AI-D、AI-N系列）及通用DRAM產(chǎn)品的規(guī)?；涞亍icron 202563Micron1γ（1）5（LPDDR5X）內(nèi)存的鑒定樣品，旨在加速旗艦智能手機上的人工智能應(yīng)用。2025年11月23日，長鑫存儲發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品（最高速率8000Mbps，采用24Gb顆粒），已長鑫存儲

JEDECLPDDR5X10667Mbps，最高顆粒容16Gb。華邦電子 2025年12月3日華邦電子推出采用先進16nm制程的8GbDDR4DRAM，該產(chǎn)品專為工業(yè)與嵌入式應(yīng)用打造，可適配相關(guān)領(lǐng)域的嚴苛使用需求。電子元件網(wǎng)，SKHynixNewsroom，WinbondDRAM固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC）DDR、LPDDRGDDRDRAM圖表17：JEDEC定義了三種DRAM標準類別Synopsys18：DDR1-5

DDR從DDR1到DDR5的技術(shù)演進中，產(chǎn)品呈現(xiàn)能耗持續(xù)降低、傳輸速度穩(wěn)步提升、存儲容量不斷擴容的趨勢。作為當(dāng)前最新的內(nèi)存標準，DDR5采用14-10nm的制程節(jié)點；數(shù)據(jù)傳輸速率也從DDR4的2133-3200MT/s，提升至3200-6400MT/s；同時其工作電壓下降至1.1V，在降低功耗的同時進一步實現(xiàn)了性能的提升。主要指標DDR1DDR2DDR3DDR4DDR5發(fā)行年代20002003200720142019制程節(jié)點（nm）180-13090-6565-4028-1614-10單顆顆粒密度128Mb-1Gb256Mb-2Gb512Mb-4Gb101Gb-16Gb16Gb-64Gb工作頻率（MHz)133-200266-400533-8001066-16001600-3200資料傳輸速度（MT/s)266-400533-8001066-16002133-32003200-6400預(yù)取位數(shù)（字節(jié))248816Bank數(shù)量（組)44-88-161632工作電壓（V)1.21.1晶體管數(shù)量（萬)~200~500~1200~2500~5000電子發(fā)燒友，芯存社

PCDDRDRAMLPDDR憑借顯著的低功耗優(yōu)勢，成2009兆比特/秒20257JEDECLPDDR614400Mbps。圖表19：LPDDR性能持續(xù)迭代升級廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會，EETimesChinaGDDRDDRAISDRAM為技術(shù)基GDDR6GDDR6X14.0-20.0GT/s、19.0-23.0GT/sGDDR6X型的傳輸帶寬則760-1104GB/SAI4K/8K的性能升級將進一步鞏固其在高端顯卡、AI圖表20：GDDR技術(shù)演進路線版本發(fā)行年份時鐘速度（MHz）傳輸速率（GT/s）典型帶寬（GB/s）GDDR22002400-5000.8-1.012.8-16GDDR32004800-10001.6-2.051.2-80GDDR42006900-11501.8-2.386-110GDDR520081250-20005.0-8.0160-384GDDR5X型20161250-175010.0-14.0320-540GDDR620181750-250014.0-20.0448-960GDDR6X型20201188-143819.0-23.0760-1104birow

DRAMHBMGPU性能的充分釋放。60%的GPUHBM（高帶寬存儲），通過高帶寬、低延遲的特性減少數(shù)據(jù)傳輸損耗，有望破解芯片性能提升的瓶頸，助力AI高效執(zhí)行深度學(xué)習(xí)任務(wù)。圖表21：人工智能持續(xù)發(fā)展OpenAIHBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性DRAMDRAM（TSV）技術(shù)實現(xiàn)芯片之間的高速連接，從而大幅提高數(shù)據(jù)帶寬。TrendForceAMDAIHBM技術(shù)路線呈現(xiàn)同步迭代、2022-2025HBMHBM2e/HBM3（8hi）升HBM3e（8hi/12hi）HBM80-128GB288GB+。圖表22：英偉達與AMD人工智能芯片的高帶寬內(nèi)存規(guī)格發(fā)展時間線及其對比TrendForce自205年第一代M1BM技術(shù)已逐步迭代至第六代產(chǎn)品——M4。HBMHBM128GB/sHBM42.56TB/s（2621GB/s）；單芯片容量從1GB64GB；堆疊層數(shù)則從4Hi16Hi。圖表23：各代HBM技術(shù)性能參數(shù)對比技術(shù)參數(shù)最多DRAM層數(shù)（Hi）最大容量（GB）I/O（數(shù)）I/O傳輸速率（Gb/s）帶寬（GB/s）制程技術(shù)HBM41102411283xHBM28810242.42562xHBM2E121610243.64801y/1zHBM3122410246.48191zHBM3E123610249.212291a/1bHBM4166420481026211b/1cCFM閃存市場《2024-2025年全球存儲市場趨勢白皮書》HBMMarketResearchFuture，2024年全球HBM56.1，2034570.92024-203426.1%。由于技術(shù)門檻較高，目前市面上僅SKhynix、Samsung、Micron三家企業(yè)具備HBMSKhynix20238HBM4Counterpoin數(shù)據(jù)，HBM市場份額中，SKhynix、Micron、Samsung62%、21%、17%。圖表24：全球HBM市場規(guī)模 圖表25：2025Q2全球HBM市場格局MARKETRESEARCHFUTURE Counterpoint，2023-2025HBMDRAM：2023產(chǎn)量、營收占DRAM2%、8%；202510%、30%。圖表26：HBM產(chǎn)量與營收占DRAM的比例TrendForce存儲：NANDFlashNANDFlash概述NANDFlash它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，與傳統(tǒng)的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器Flash圖表27：各類存儲器性能對比存儲器類型NANDFlashSRAMDRAMNORFlash易失性非易失易失易失非易失存儲啟動代碼存儲啟動代碼主內(nèi)存（內(nèi)存條）、顯卡顯存（BIOS/UEFI）、嵌入式系統(tǒng)主要用途 SSD硬盤、U盤、手機存 CPU高速緩存儲、SD卡 （L1,L2,L3Cache）讀寫特性 順序塊存取 隨機讀寫（字節(jié)） 隨機讀寫（字節(jié)） 隨機讀取性能（相對） 讀快，寫中 極快 快 讀快，寫慢性能（相對） 讀快，寫中 極快 快 讀快，寫慢容量（相對） 極大 很小 大 小至中成本（相對） 極低 成本（相對） 極低 極高 低 高51CTO

CellNANDFlashSLC（單層式儲存）、MLC（雙層式儲存）、TLC（三層式儲存）QLC（四層式儲存）四種類型。當(dāng)前TLCQLCSLC為工業(yè)級與車規(guī)級SSDTCSSDNANDFlash圖表28：NANDFlash可以劃分為SLC、MLC、TLC和QLCNAND四種深圳聯(lián)樂實業(yè)有限公司官網(wǎng)全球NANDFlash，2023-2024387.3656.4NANDFlashSKGroup（21.3%）、Kioxia（14.4%）、Micron（12.9%）、SanDisk（11.0%）。圖表29：NANDFlash市場規(guī)模 圖表30：2024年全球NANDFlash市場份額TrendForce TrendForceNANDFlash國外方面，Samsung20241TbV-NANDFlash12400NANDFlash2025SKHynix20253212TbQLCNANDFlash56%1823%以NANDFlash圖表31：國內(nèi)外企業(yè)紛紛加碼NANDFlash國內(nèi)外 企業(yè) NANDFlash最新進展Samsung 20241TbV-NAND12400NANDFlash國內(nèi)外 企業(yè) NANDFlash最新進展國外 2025年公司已實現(xiàn)321層2TbQLCNANDFlash量產(chǎn)，該產(chǎn)品不僅容量高，還SKHynix長江存儲國內(nèi) 江波龍佰維存儲

大幅提升性能——數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍，寫入性能最多提升56%，讀取性能提升18%，數(shù)據(jù)寫入能效提高23%以上。2025年，長江存儲將晶棧?Xtacking?架構(gòu)升級至4.0，依托該架構(gòu)實現(xiàn)267層3DNAND量產(chǎn)，其采用1TbTLC顆粒，單顆容量達1TB，已進入大規(guī)模生產(chǎn)階段。2024年公司已成功開發(fā)512Mb到8Gb之間的五款SLCNANDFlash存儲芯片，并積極擴展小容量存儲芯片產(chǎn)品線，涵蓋MLCNANDFlash及NORFlash；公司加快面向企業(yè)級應(yīng)用的高性能eSSD（PCIeGen5.0）布局，進一步擴大在云計算、互聯(lián)網(wǎng)及電信領(lǐng)域的應(yīng)用覆蓋。公司在NANDFlash存儲芯片領(lǐng)域的高速ATE測試、Burn-in（老化）測試、SLT（系統(tǒng)級動化軟件平臺開發(fā)的全棧測試開發(fā)能力。SAMSUNG官網(wǎng)，江波龍、佰維存儲公司公告NANDFlash2D3D2DNANDFlashNANDNANDFlash1x/1ynm1znm3DNANDFlash2DNANDFlash，3DNANDFlash具備容量更大、壽命更長、能耗更低的2DNANDFlash，3DNANDFlashDie（裸片產(chǎn)品特性 2DNANDFlash 3DNANDFlash圖表32：NANDFlash經(jīng)歷從產(chǎn)品特性 2DNANDFlash 3DNANDFlash圖片模塊容量128GB（最高）256/512GB+設(shè)計浮柵浮柵或電荷捕獲型結(jié)構(gòu)壽命（P/E周期）低高能量消耗 高 低性能 慢 能量消耗 高 低深圳市世強元件網(wǎng)絡(luò)有限公司，電子發(fā)燒友全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移日本-中國1969AdvancedMemorySystemDRAM（Intel）（Tl）（Mostek）1970DRAM19732KDRAM、4KDRAM，成為后續(xù)存儲行業(yè)技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)擴張的關(guān)鍵；197616KDRAMMK4116，將DRAM75%。圖表33：存儲芯片誕生于美國eefocus第一次區(qū)域轉(zhuǎn)移：1976（VLSI）聯(lián)合研發(fā)體，集中資源突破半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸；197764K65%30%；伴隨日美貿(mào)易摩擦加劇，美國通圖表34：存儲芯片從美國到日本第一次區(qū)域轉(zhuǎn)移eefocus，環(huán)球時報第二次區(qū)域轉(zhuǎn)移：韓國Samsung電子等企業(yè)利用美日半導(dǎo)體競爭的契機，通過持續(xù)技術(shù)迭代升級脫穎而出，逐漸趕超日本。1978年，Samsung集團布局半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，旗下Samsung電子開啟存儲芯片自主研發(fā)征程；1983年，Samsung電子完成16KDRAM的研發(fā)，向技術(shù)前沿邁進；1986年10月，Samsung參與韓國政府推出的VLSI共同開發(fā)技術(shù)計劃，聯(lián)合LG、現(xiàn)代兩大集團及韓國六所大學(xué)攻關(guān)DRAM核心技術(shù)；1988年，完成4MDRAM研發(fā)，技術(shù)層面追平日本；1990年8月，公司研發(fā)出世界第三款64MDRAM；至1996年，Samsung成功研發(fā)出世界首款1GBDRAM，自此正式成為存儲芯片領(lǐng)域的世界級領(lǐng)跑者。圖表35：存儲芯片從日本到韓國第二次區(qū)域轉(zhuǎn)移Samsung官網(wǎng)，快科技隨著中國企業(yè)在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破、產(chǎn)能擴張與自主開發(fā)加速，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)出逐步向中國轉(zhuǎn)移的明確趨勢。Micron美光1978DRAM、NANDFlash、NOR2025373.78（同比+48.85%），2020-2025增長率達11.72025年con毛利率為39.79%17.44PCT。圖表36：Micron營業(yè)收入及同比 圖表37：Micron毛利率Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年報數(shù)據(jù)

Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年報數(shù)據(jù)分產(chǎn)品看，2024Micron95.1（37.9%）、63.5（25.3%）。2025約135.2（占比36.2%118.6（占比31.7；19.3%、12.7%。圖表38：2024年Micron營業(yè)收入（按產(chǎn)品） 圖表39：2025年Micron營業(yè)收入（按產(chǎn)品）Micron公司公告注：Micron8282025年報數(shù)據(jù)

Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年報數(shù)據(jù)分地區(qū)看，公司積極拓展全球市場，核心客戶覆蓋美國、中國等主要區(qū)域。2025年按國家及地區(qū)劃分，Micron營收占比前三的分別為美國（64.5%）、中國臺灣地區(qū)（15.2%）（7.1%）AI（96億美元），該基地將重點服務(wù)亞太及歐洲的AI客戶；同時持續(xù)維持中國西安封測基DRAMNANDFlashSSD圖表40：2025年Micron營業(yè)收入（按地區(qū)）Micron公司公告注：Micron于8月28日披露2025年報數(shù)據(jù)Micron824GBHBM3ENVIDIAH200CoreGPU1236GBHBM3E12HBM3E1.2TB/s850%。圖表41：Micron12層堆疊HBM3E示意圖Micron公司官網(wǎng)2025年7月30日，Micron宣布其第九代3DTLCNANDFlash正式量產(chǎn)出貨。這款G9NAND擁有業(yè)界最高的3.6GB/sI/O傳輸速率，相較于前代產(chǎn)品（2.4GB/s），性能提升達50%；同時，其在讀取、寫入表現(xiàn)上分別實現(xiàn)99%、88%的優(yōu)化提升，還具備全球密度最高NANDFlash的特性——NANDFlash密度提升73%、空間效率優(yōu)化28%，目前該NAND已搭載于Micron2650SSD產(chǎn)品中。圖表42：Micron第九代3DTLCNANDFlash產(chǎn)品示意圖Micron公司官網(wǎng)AIMicronHBM3ENVIDIAoppracwll系列GPUIIA推出全球首款SOCMM內(nèi)存模組，這是一款模塊化LPDDR5X內(nèi)存解決方案，專為支持NVIDIAGB300GraceBlackwellUltra圖表43：Micron聯(lián)合NVIDIA共同推出全球首款SOCAMM內(nèi)存模組Micron官網(wǎng)Crucial（英睿達20262SSDAIKioxia，SKHynix鎧俠SSD3D閃存BiCSFLASH?，定義高端手機、PC、汽車、2025114.95（同比+58.51%），2023-2025Kioxia45.38PCT。圖表44：Kioxia營業(yè)收入及同比 圖表45：Kioxia毛利率Kioxia公司公告，注： 顯示2025年3月31日顯示鎧俠2025年年報相關(guān)信息

Kioxia公司公告，注： 顯示2025年3月31日顯示鎧俠2025年年報相關(guān)信息202473KioxiaBiCSFLASH?3D2TbQLCCBABiCSFLASH50%的存儲密度提升，這一優(yōu)化讓它成為業(yè)界容量最大的2TbQLCAI圖表46：Kioxia第八代BiCSFLASH?3D閃存相較于上一代實現(xiàn)50%存儲密度提升Kioxia（中國）官網(wǎng)SKHynix（SK海力士）是全球頂尖的半導(dǎo)體存儲解決方案供應(yīng)商，核心產(chǎn)品覆蓋DRAM、NANDFlashHBM等關(guān)鍵存儲品類。公司不僅掌握領(lǐng)先的3DNAND（HBM3e）更成為AI（GPU）的核心配套存儲，AI2024年，公司實現(xiàn)營業(yè)收入454.71億美元（同比+102.02%），2020-2024年復(fù)11.59%2024SKHynix49.71PCT。圖表47：SKHynix營業(yè)收入及同比 圖表48：SKHynix毛利率SKHynix公司公告， SKHynix公司公告，2025年11月4日，SKHynixCEOKwakNoh-Jung在韓國首爾舉辦的SKAISummit2025峰會上，正式公布2026-2031年產(chǎn)品落地規(guī)劃：明確分階段推出HBM系列（Standard與Custom雙線并行），同步推進AI專用存儲（AI-D、AI-N系列），并推動通用DRAM及StandardNAND的規(guī)模化落地。圖表49：SKHynix2026-2031產(chǎn)品路線圖 SKHynix，EETimesChina在HBM2026-2028年推出HBM416HBM4EHBMHBMGPUASICHBMGPUASICSKHynixHBM5SKHynix12HBM42TB/s60%2025HBM50%NVIDIAAIGPUHBM3/HBM3E圖表50：SKHynixStandard與CustomHBM結(jié)構(gòu)對比圖SKHynix，EETimesChina為應(yīng)對市場需求，SKHynix進一步細分AIDRAM（AI-D）產(chǎn)品線，推出三大核心解決方案，協(xié)同覆蓋性能優(yōu)化、技術(shù)突破與場景拓展。I-DOptmzatonAM（、DM（多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊SOCM（小型外形壓縮附著內(nèi)存模塊，適用于AI服務(wù)器的低功耗DRAM內(nèi)存模塊）及LPDDR5R（用于移動產(chǎn)品，具備可靠性、可用性、可服務(wù)性（RAS）特性的低電壓DRAM）。AI-DBreakthroughCPUGPU解AI）。AI-DExpansionDRAM（mobil