1、5 放大電路的頻率響應自我檢測題一選擇和填空1放大電路對高頻信號的放大倍數下降，主要是因為 c 的影響；低頻時放大倍數下降，主要是因為 a 的影響。(a. 耦合電容和旁路電容；b. 晶體管的非線性；c. 晶體管的極間電容和分布電容)2共射放大電路中當輸入信號頻率為fl、fh時，電路放大倍數的幅值約下降為中頻時的 a ；或者說是下降了 d db；此時與中頻相比，放大倍數的附加相移約為 g 度。(a. 0.7，b. 0.5，c. 0.9)； (d. 3db，e. 5db，f. 7db)； (g. -45，h. -90，i. -180)3某放大電路的對數幅頻響應如圖選擇題3所示。由圖可見，該電路的中

2、頻電壓增益= 1000 ； 上限頻率= 108 hz ； 下限頻率= 102 hz ；當時電路的實際增益= 57 db；當時電路的實際增益= 57 db。圖選擇題3 4若放大電路存在頻率失真，則當為正弦波時， d 。（a.會產生線性失真 b.為非正弦波 c.會產生非線性失真 d.為正弦波）5放大電路如圖選擇題5所示，其中電容增大，則導致 d 。（a.輸入電阻增大 b. 輸出電阻增大 c.工作點升高 d.下限頻率降低）圖選擇題5二判斷題（正確的在括號內畫，錯誤的畫）1改用特征頻率ft高的晶體管，可以改善阻容耦合放大電路的高頻響應特性。（ ）2增大分布電容的容量，可以改善阻容耦合放大電路的低頻響應

3、特性。（ ）3幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為非線性失真。（ ）4當某同相放大電路在輸入一個正弦信號時產生了頻率失真，則輸出電壓波形將為非正弦。（ ）5當放大電路輸入一個三角波電壓時，輸出電壓波形的上升、下降斜線明顯彎曲，因此可以肯定該放大電路的非線性失真較大。（ ）6當晶體管選定后，在信號頻率遠大于上限截止頻率時，放大電路增益與信號頻率乘積近似為一個常數。（ ）7當晶體管和放大電路的結構選定之后，提高放大電路的電壓放大倍數，必會犧牲放大電路的頻帶寬度。（ ）8在阻容耦合放大電路中，增大耦合電容的容量，有利于高頻信號暢通，因此可以改善高頻響應特性。（ ）習題5.1某放大電路的，現輸入信號頻率為2mhz

4、的正弦波，試問輸出波形是否會產生頻率失真？若輸入信號是由100khz和2mhz兩種頻率分量組成的波形，問此時輸出信號波形有無頻率失真？解：（1）輸入信號頻率為2mhz的正弦波時，輸出不會產生頻率失真。（2）若輸入信號是由100khz和2mhz兩種頻率分量組成的波形，則輸出波形有頻率失真。5.2一共射放大電路的通頻帶為100hz100khz，中頻電壓增益，最大不失真交流輸出電壓范圍為-4v+4v，試求：（1）若輸入一個的正弦信號，輸出波形是否會產生頻率失真和非線性失真？若不失真，則輸出電壓的峰值是多大？與間的相位差是多少？（2）若，重復回答（1）中的問題。（3）若，輸出波形是否會失真？解：（1）

5、因為輸入信號的工作頻率 ，處于中頻區(qū)所以輸出波形不會產生非線性失真，又因為輸入信號是單一頻率的正弦波，所以輸出也不會產生頻率失真。根據上述計算可知，輸出電壓的峰值為1v，因是共射電路，與間的相位差是-180 （2）因為輸入信號的工作頻率 ，處于中頻區(qū)所以輸出波形會產生非線性失真，但因輸入是單一頻率的正弦波，故不會產生頻率失真。 （3）因為輸入信號的工作頻率 ，處于高頻區(qū)，電壓放大倍數小于中頻放大倍數，即所以輸出即不會產生非線性失真。又因為輸入信號是單一頻率的正弦波，輸出不會產生頻率失真。5.3已知某放大電路電壓放大倍數的頻率特性為 試求該電路的上、下限頻率，中頻電壓增益的分貝數，輸出電壓與輸入

6、電壓在中頻區(qū)的相位差。解：將的表達式分子、分母同時除以，可得：對比簡單rc高通、低通濾波電路的放大倍數表達式，可知：上限頻率，下限頻率，中頻電壓增益，輸入電壓與輸出電壓在中頻區(qū)的相位差為05.4已知某放大電路的電壓放大倍數的頻率特性為試畫出該電路的幅頻響應波特圖，并求出中頻增益、上限頻率和下限頻率。解：將的表達式與簡單rc高通、低通濾波電路的放大倍數表達式進行對比，可知：，上限頻率，下限頻率。該電路的幅頻響應波特圖如下：5.5一個高頻晶體管，在時，其低頻h參數為：，晶體管的特征頻率，試求混合型模型參數：、。解：，5.6放大電路如圖題5.6所示，已知三極管為3dg8d，試求：（1）畫出電路的高頻

7、小信號等效電路，估算其上限頻率；（2）畫出電路的低頻小信號等效電路，估算其下限頻率。圖題5.6解：（1）高頻小信號等效電路如下： （2）低頻小信號等效電路如下： 5.7已知圖題5.7所示放大電路中，晶體管的，要求中頻增益為，下限截止頻率為，試確定和c1的大小。 圖題5.7解： 5.8電路如圖題5.8所示，設信號源內阻，其中晶體管參數為：，；其余參數如圖中所示。試求：（1）混合型模型參數：、；（2）電路的上限頻率；（3）中頻區(qū)電壓增益；（4）增益帶寬積。圖題5.8解：（1）（2） （3）（4）5.9已知晶體管電路如圖題5.8所示，設信號源內阻為，已知晶體管，估算電路的下限頻率。解：，（1）輸入回

8、路：（2）輸出回路： 5.10有一個n溝道耗盡型mos場效應管（1ma），三個電阻（分別為、）和兩個電容（分別為0.1f 、10f ），要求從中選擇合適的電阻、電容組裝一個如圖題5.10所示的放大電路（其負載電阻為），并希望該放大電路有較高的輸入電阻和盡量低的下限截止頻率。 圖題5.10解：（1）為使電路有盡可能高的輸入電阻，必須取大值，所以應取。（2）在此電路中，則，所以，為保證電路具有合適的靜態(tài)工作點，應取。因為，若、兩者相差4倍以上，電路最終的下限截止頻率取決于兩者中較大的下限頻率，所以要使下限截止頻率盡可能低，應取，取。5.11已知圖題5.11所示電路中，兩個晶體管的和相同，試分析：（1）定性分析c1、c2、c3中哪一個電容對放大電路的下限截止頻率起決定性作用？（簡要說明理由）（2）估算該放大電路的下限截止頻率。 圖題5.1