1、1基態(tài)原子核外電子排布(鮑林近似能級圖) 2原子的成鍵特征與分子構(gòu)型關(guān)系 sp雜化：直線形(如BeCl2、HgCl2)；sp2雜化：平面三角形(如BF3、BCl3)；sp3雜化：四面體形(如CH4、CCl4)、三角錐形(如NH3)、V形(如H2O)。 3Cu與Cr原子的電子排布式,本章重點提示,1鍵和鍵的區(qū)別 從軌道重疊方式來看可分為鍵和鍵，鍵是指原子軌道以“頭碰頭”方式相互重疊導(dǎo)致電子在核間出現(xiàn)的概率增大而形成的共價鍵；鍵是指原子軌道以“肩并肩”方式相互重疊導(dǎo)致電子在核間出現(xiàn)的概率增大而形成的共價鍵。 2極性鍵和非極性鍵的區(qū)別 3共價鍵的極性與分子極性關(guān)系 4元素的電離能與電負(fù)性的區(qū)別,5氫

2、鍵與化學(xué)鍵的區(qū)別 拓展：對于非極性鍵、極性鍵與非極性分子和極性分子，其相互關(guān)系可由下面的框 架來歸納記憶。,1晶體熔、沸點遵循下列規(guī)律 晶體的結(jié)構(gòu)特點決定了它的物理性質(zhì)。 當(dāng)我們見到一組物體要比較它們的熔沸點大小時，應(yīng)遵循以下分析順序： (1)劃分晶體類型。一般來說，晶體熔沸點大小順序為：原子晶體離子晶體分子晶體。金屬晶體比較復(fù)雜，要根據(jù)具體物質(zhì)。 (2)都是原子晶體，比較鍵長，鍵長越短，鍵能越大，熔沸點越高。如金剛石和晶體硅，由于金剛石的鍵長小于晶體硅的鍵長，金剛石的熔沸點比晶體硅的熔沸點高。,(3)都是離子晶體，比較微粒間距離和離子所帶電荷數(shù)，微粒間距離越小，鍵能越大，熔沸點越高；離子所帶

3、電荷數(shù)越多，熔沸點越高。NaCl比CsCl熔沸點高。 (4)都是分子晶體，首先看是否存在氫鍵，相對分子質(zhì)量相差不大的，存在氫鍵的熔沸點較高。如不存在氫鍵，則比較相對分子質(zhì)量，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點越高。 (5)都是金屬晶體，比較金屬離子半徑和離子所帶電荷數(shù)，金屬離子半徑越大，熔沸點越低，所帶電荷數(shù)越多，熔沸點越高。 以上為理論推導(dǎo)，實際可能有特殊情況，故應(yīng)根據(jù)實際情況再進行驗證。,2用均攤法解析晶體的計算 (1)長方體形(正方體)晶胞中不同位置的粒子對晶胞的貢獻 處于頂點的粒子，同時為8個晶胞共有，每個粒子對晶胞的貢獻為 。 處于棱上的粒子，同時為4個晶胞共有，每個粒子對晶胞的

4、貢獻為 。 處于面上的粒子，同時為2個晶胞共有，每個粒子對晶胞的貢獻為 。 處于體內(nèi)的粒子，則完全屬于該晶胞，對晶胞的貢獻為1。 (2)非長方體形(正方體)晶胞中粒子對晶胞的貢獻視具體情況而定。如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(1個碳原子)對六邊形的貢獻為。,一、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 【例1】(2009上海綜合)下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確，且存在因果關(guān)系的是(),解析：A項I2是非極性分子，在水中的溶解度?。籆項氧族元素中的氧元素，鹵素中的氟元素與同族的其他元素的化合價不完全相同；D項，P4O10溶于水后和水反應(yīng)生成H3PO4，其溶液導(dǎo)電。 答案：B,二、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 【例2】(

5、2009山東理綜，32)C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。 (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式_。 從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為 。 (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為_，微粒間存在的作用力是_。,(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為_(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是_。 (4)C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成鍵和鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述鍵。從原子半徑大小的角

6、度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述鍵。_。,解析：(1)根據(jù)基態(tài)原子核外電子排布的規(guī)律去寫；在C、Si和O元素中，吸引電子的能力由強到弱的順序是OCSi。 (2)在SiC晶體結(jié)構(gòu)中，每個C原子與Si原子形成四個完全相同的CSi鍵，所以C原子的雜化方式為sp3雜化。微粒間存在的作用力是共價鍵。 (3)SiC的電子總數(shù)為20，所以M的電子數(shù)為(208)12個，故M為Mg；MgO和CaO均屬于離子晶體，Mg2半徑比Ca2小，MgO中離子鍵強，晶格能大，故熔點高。 (4)鍵是由pp軌道肩并肩重疊而形成的，且鍵強弱與重疊的程度成正比。而Si原子的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，pp軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成穩(wěn)定的鍵。,答案：(1)1s22s22p63s23p2OCSi (2)sp3共價鍵 (3)MgMg2半徑比Ca2小，Mg