1、第2章 高頻小信號(hào)放大電路,. 概述 .諧振放大器 .寬頻帶放大器 .集成高頻放大電路的選用與實(shí)例介紹 .章末小結(jié),2.1 概述,高頻小信號(hào)放大電路分類： 窄頻帶放大和寬頻帶放大 窄帶放大的特點(diǎn) 1、中心頻率在幾百千赫到幾百兆赫。 2、頻譜寬度在幾千赫到幾十兆赫內(nèi)。,3、對(duì)微弱信號(hào)進(jìn)行不失真放大（晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管或集成電路等有源器件）。 4、 具有選頻能力（LC諧振回路、陶瓷濾波器、石英晶體濾波器或聲表面波濾波器）。 5、以分立元件為主的諧振放大器和以集成電路為主的集中選頻放大器。 ,寬帶放大的特點(diǎn),1、對(duì)幾兆赫至幾百兆赫較寬頻帶內(nèi)的微弱信號(hào)進(jìn)行不失真的放大。 2、由晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管或集成電路

2、提供電壓增益。為了展寬工作頻帶,不但要求有源器件的高頻性能好, 而且在電路結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施。,高頻小信號(hào)放大電路,1、線性放大。 2、采用Y參數(shù)等效電路和混合型等效電路分析。 3、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管和電阻引起的電噪聲將直接影響放大器和整個(gè)電子系統(tǒng)的性能。,晶體管高頻等效電路,晶體管高頻線性運(yùn)用時(shí) 常采用兩種等效電路分析 混合型等效電路 參數(shù)等效電路,混合型等效電路特點(diǎn),1、從模擬晶體管的物理機(jī)構(gòu)出發(fā), 用集中參數(shù)元件、 和受控源來表示管內(nèi)的復(fù)雜關(guān)系。 2、各元件參數(shù)物理意義明確, 在較寬的頻帶內(nèi)元件值基本上與頻率無關(guān)。 3、隨器件不同而有不少差別, 分析和測(cè)量不方便。 4、混合型等效電路

3、法較適合于分析寬頻帶小信號(hào)放大器。 ,參數(shù)等效電路特點(diǎn),1、參數(shù)法從測(cè)量和使用的角度出發(fā), 把晶體管作為一個(gè)有源線性雙口網(wǎng)絡(luò), 用一組網(wǎng)絡(luò)參數(shù)構(gòu)成其等效電路。 2、導(dǎo)出的表達(dá)式具有普遍意義, 分析和測(cè)量方便。 3、網(wǎng)絡(luò)參數(shù)與頻率有關(guān)。 4、合適分析相對(duì)頻帶較窄的高頻小信號(hào)諧振放大器。,2.2 諧 振 放 大 器,1、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管或集成電路與并聯(lián)諧振回路組成高頻小信號(hào)諧振放大器。 2、用于廣播、電視、通信、雷達(dá)等接收設(shè)備中, 其作用是將微弱信號(hào)進(jìn)行線性放大并濾除噪聲和干擾信號(hào)。 3、主要指標(biāo)是電壓增益, 通頻帶和矩形系數(shù)。 用參數(shù)等效電路分析高頻小信號(hào)諧振放大器。,參數(shù)等效電路,1、雙口網(wǎng)絡(luò)

4、：具有兩個(gè)端口的網(wǎng)絡(luò)。 2、所謂端口是指一對(duì)端鈕, 流入其中一個(gè)端鈕的電流總是等于流出另一個(gè)端鈕的電流。 而四端網(wǎng)絡(luò)雖然其外部結(jié)構(gòu)與雙口網(wǎng)絡(luò)相同, 但對(duì)流入流出電流沒有類似的規(guī)定, 這是兩者的區(qū)別。 3、對(duì)于雙口網(wǎng)絡(luò), 在其每一個(gè)端口都只有一個(gè)電流變量和一個(gè)電壓變量, 因此共有四個(gè)端口變量。如設(shè)其中任意兩個(gè)為自變量, 其余兩個(gè)為應(yīng)變量, 則共有六種組合方式, 也就是有六組可能的方程用以表明雙口網(wǎng)絡(luò)端口變量之間的相互關(guān)系。,參數(shù)方程是其中一組, 它是選取各端口的電壓為自變量, 電流為應(yīng)變量,參數(shù)方程：,其中11、12、21、22四個(gè)參數(shù)均具有導(dǎo)納量綱, 且:,參數(shù)又稱短路導(dǎo)納參數(shù),確定這四個(gè)參數(shù)

5、必須使某一端口電壓為零。 即端口交流短路,將共發(fā)射極接法的晶體管看作一個(gè)雙口網(wǎng)絡(luò),相應(yīng)的參數(shù)方程,輸入導(dǎo)納,反向傳輸導(dǎo)納,正向傳輸導(dǎo)納,輸出導(dǎo)納,受控電流源 表示輸出電壓對(duì)輸入電流的控制作用（反向控制）。 表示輸入電壓對(duì)輸出電流的控制作用 yfe越大, 表示晶體管的放大能力越強(qiáng)。 yre越大, 表示晶體管的內(nèi)部反饋越強(qiáng)。yre是諧振放大器自激的根源, 同時(shí)也使分析過程變得復(fù)雜, 則應(yīng)盡可能使其減小, 或削弱它的影響。,晶體管參數(shù)的測(cè)量,據(jù)參數(shù)方程, 分別使輸出端或輸入端交流短路, 在另一端加上直流偏壓和交流信號(hào), 然后測(cè)量其輸入端或輸出端的交流電壓和交流電流, 即可求得。 通過晶體管手冊(cè)也可得

6、到各種型號(hào)晶體管參數(shù)。,注意：參數(shù)不僅與靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān), 且與工作頻率有關(guān)。 例：發(fā)射極電流增加時(shí), 輸入與輸出電導(dǎo)都將加大。 當(dāng)工作頻率較低時(shí), 電容效應(yīng)的影響逐漸減弱。則無論測(cè)量還是查閱手冊(cè), 都應(yīng)注意工作條件和工作頻率。,因高頻工作時(shí)晶體管結(jié)電容不可忽略, 參數(shù)是一個(gè)復(fù)數(shù)。晶體管參數(shù)輸入導(dǎo)納和輸出導(dǎo)納可寫成用電導(dǎo)和電容表示的直角坐標(biāo)形式, 而正向傳輸導(dǎo)納和反向傳輸導(dǎo)納也可寫成極坐標(biāo)形式, 即:,yie=gie+jCie yoe=goe+jCoe yfe=|yfe|fe yre=|yre|re,在圖2.2.1中，若ce極之間接有負(fù)載YL，則可用Y參數(shù)推導(dǎo)晶體管be極之間的輸入導(dǎo)納Yi。,因

7、為：,可得：,晶體管輸入導(dǎo)納不僅與yie、反向傳輸導(dǎo)納yre有關(guān)，而且還與其它Y參數(shù)以及負(fù)載YL有關(guān)。,2.2.1單管單調(diào)諧放大器,1、電路組成： b、c耦合電容, e旁路電容。 與組成的并聯(lián)諧振回路作為晶體管的集電極負(fù)載, 諧振頻率調(diào)諧在輸入有用信號(hào)的中心頻率上。,電路特點(diǎn) 并聯(lián)諧振回路與本級(jí)晶體管耦合采用自耦變壓器耦合方式, 這樣可減弱晶體管輸出導(dǎo)納對(duì)回路的影響。 負(fù)載與回路的耦合采用自耦變壓器耦合和電容耦合方式, 這樣, 既可減弱負(fù)載導(dǎo)納對(duì)回路的影響, 又可使前后級(jí)的直流供電電路分開。另外, 也容易實(shí)現(xiàn)前后級(jí)之間的阻抗匹配。,、電路性能分析,給出單管單調(diào)諧放大器的參數(shù)等效電路。忽略re。

8、信號(hào)源用電流源與并聯(lián)源導(dǎo)納s表示, 負(fù)載為相同的單調(diào)諧放大器, 則用晶體管ie表示。,單管單調(diào)諧放大器的電壓增益為：,先求 與 的關(guān)系式, 然后求出 與 的關(guān)系, 即可導(dǎo)出 與 之比, 即電壓增益 。 因?yàn)樨?fù)載的接入系數(shù)為n2, 晶體管的接入系數(shù)為n1, 所以負(fù)載等效到回路兩端的導(dǎo)納為n22yie。,設(shè)從集電極和發(fā)射極之間向右看的回路導(dǎo)納為 , 則:,據(jù)自耦變壓器特性：,可知：,其中, YL=n21 是 等效到諧振回路兩端的導(dǎo)納, 它包括回路本身元件L、C、ge0和負(fù)載導(dǎo)納總的等效值, 即:,把此代入可得：,其中g(shù)與C分別為諧振回路總電導(dǎo)和總電容: g=n21goe+n22gie+ge0 ;

9、C=n21Coe+n22Cie+C 諧振頻率:,回路有載值,以上公式說明, 考慮了晶體管和負(fù)載影響之后, 放大器諧振頻率與值均有變化。 諧振頻率處放大器的電壓增益：,其電壓增益振幅,由N( f )定義可知放大器電壓增益振幅的另一種表達(dá)式 由此式可知： 單管單調(diào)諧放大器的單位諧振函數(shù)N( f )與其并聯(lián)諧振回路的單位諧振函數(shù)相同, 且都可以寫成：,因fe是復(fù)數(shù), 存在相角fe, 則圖2.2.1放大器輸出電壓與輸入電壓之間的相位并非正好相差180。 據(jù)上述公式可知, 電壓增益振幅與晶體管參數(shù)、 負(fù)載電導(dǎo)、回路諧振電導(dǎo)和接入系數(shù)有關(guān)： (1) 為了增大u0, 應(yīng)選取|yfe|大, oe小的晶體管。

10、(2) 為了增大u0, 要求負(fù)載電導(dǎo)小, 如果負(fù)載是下一級(jí)放大器, 則要求其ie小。 (3) 回路諧振電導(dǎo)e0越小, u0越大。而e0取決于回路空載值0, 與0成反比。,(4) u0與接入系數(shù)1、2有關(guān), 但不是單調(diào)遞增或單調(diào)遞減關(guān)系。由于1和2還會(huì)影響回路有載值e, 而e又將影響通頻帶,所以1與2的選擇應(yīng)全面考慮, 選取最佳值。 實(shí)際放大器的設(shè)計(jì)是要在滿足通頻帶和選擇性的前提下, 盡可能提高電壓增益。 單管單調(diào)諧放大器中, 選頻功能由單個(gè)并聯(lián)諧振回路完成, 所以單管單調(diào)諧放大器的矩形系數(shù)與單個(gè)并聯(lián)諧振回路的矩形系數(shù)相同, 其通頻帶則由于受晶體管輸出阻抗和負(fù)載的影響, 比單個(gè)并聯(lián)諧振回路加寬,

11、 因?yàn)橛休dQ值小于空載Q值。 ,例2.1 圖2.2.1中, 已知工作頻率f030MHz, Vcc6, Ie2 mA。晶體管采用3DG47型高頻管。其參數(shù)在上述工作條件和工作頻率處的數(shù)值如下：,gie=12mS，Cie=12pF；goe=400S,Coe=95pF；|yfe|=583mS, fe=-22；|yre|=310S, re=-888,回路電感L=14H, 接入系數(shù)n1=1, n2=0.3, Q0=100。 負(fù)載是另一級(jí)相同的放大器。 求：諧振電壓增益振幅u0和通頻帶07，并求回路電容是多少時(shí), 才能使回路諧振？,解：設(shè)不考慮yre，因?yàn)?所以,g =ge0+n21goe+n22gie

12、=37.910-6+40010-6+0.321210-3 =0.5510-3S,從而,因?yàn)?又,所以,由,可得：,從對(duì)單管單調(diào)諧放大器的分析可知, 其電壓增益取決于晶體管參數(shù)、 回路與負(fù)載特性及接入系數(shù)等, 所以受到一定的限制。如果要進(jìn)一步增大電壓增益, 可采用多級(jí)放大器。,2.3.2多級(jí)單調(diào)諧放大器 如果多級(jí)放大器中的每一級(jí)都調(diào)諧在同一頻率上, 則稱為多級(jí)單調(diào)諧放大器。 設(shè)放大器有級(jí), 各級(jí)電壓增益振幅分別為 u1, u2, , un, 則總電壓增益振幅是各級(jí)電壓增益振幅的乘積, 即 nu1u2un 如果每一級(jí)放大器的參數(shù)結(jié)構(gòu)均相同, 則總電壓增益振幅,諧振頻率處電壓增益振幅,單位諧振函數(shù),

13、級(jí)放大器通頻帶,由此可知, 級(jí)相同單調(diào)諧放大器的總增益比單級(jí)放大器增益提高了, 而通頻帶比單級(jí)放大器通頻帶縮小了, 且級(jí)數(shù)越多, 頻帶越窄。,換句話說, 如多級(jí)放大器的頻帶確定以后, 級(jí)數(shù)越多, 則要求其中每一級(jí)放大器的頻帶越寬。所以, 增益和通頻帶的矛盾是一個(gè)嚴(yán)重的問題, 特別是對(duì)于要求高增益寬頻帶的放大器來說, 這個(gè)問題更為突出。這一特性與低頻多級(jí)放大器相同。 例2.2某中頻放大器的通頻帶為MHz, 現(xiàn)采用兩級(jí)或三級(jí)相同的單調(diào)諧放大器, 兩種情況下對(duì)每一級(jí)放大器的通頻帶要求各是多少？ 解: 根據(jù)式（2321）, 當(dāng)n=2時(shí), 因?yàn)?所以, 要求每一級(jí)帶寬,同理, 當(dāng)時(shí), 要求每一級(jí)帶寬,據(jù)

14、矩形系數(shù)定義, 當(dāng)0.1時(shí), nn00.1, 可得:,則級(jí)單調(diào)諧放大器的矩形系數(shù),表2.3.1 單調(diào)諧放大器矩形系數(shù)與級(jí)數(shù)的關(guān)系,從表可知, 當(dāng)級(jí)數(shù)增加時(shí), 放大器矩形系數(shù)有所改善, 但這種改善是有一定限度的, 最小不會(huì)低于2.56。,2.3.3諧振放大器的穩(wěn)定性 共射電路由于電壓增益和電流增益都較大, 所以是諧振放大器的常用形式。 以上我們?cè)谟懻撝C振放大器時(shí), 都假定了反向傳輸導(dǎo)納re, 即晶體管單向工作, 輸入電壓可以控制輸出電流, 而輸出電壓不影響輸入。實(shí)際上re0, 即輸出電壓可以反饋到輸入端, 引起輸入電流的變化, 從而可能引起放大器工作不穩(wěn)定。如果這個(gè)反饋?zhàn)銐虼? 且在相位上滿足正

15、反饋條件, 則會(huì)出現(xiàn)自激振蕩。,為了提高放大器的穩(wěn)定性 通常從兩個(gè)方面著手,一、是從晶體管本身想辦法, 減小其反向傳輸導(dǎo)納re值。 二、是從電路上設(shè)法消除晶體管的反向作用, 使它單向化。 具體方法有中和法與失配法。,re大小主要取決于集電極與基極間的結(jié)電容bc（由混合型等效電路圖可知, bc跨接在輸入、 輸出端之間）, 所以選晶體管時(shí)應(yīng)盡量選bc小的, 使反饋容抗增大, 反饋?zhàn)饔脺p弱。,中和法在晶體管輸出端與輸入端之間引入一個(gè)附加的外部反饋電路（中和電路）, 以抵消晶體管內(nèi)部參數(shù)re的反饋?zhàn)饔谩Ｓ捎趓e的實(shí)部（反饋電導(dǎo)）通常很小, 可以忽略, 則常常只用一個(gè)電容N來抵消yre的虛部（反饋電容）

16、的影響, 就可達(dá)到中和的目的。,為了使通過N的外部電流和通過bc的內(nèi)部反饋電流相位相差,從而能互相抵消, 通常在晶體管輸出端添加一個(gè)反相的耦合變壓器。,由于re是隨頻率而變化的, 所以固定的中和電容N只能在某一個(gè)頻率點(diǎn)起到完全中和的作用, 對(duì)其它頻率只能有部分中和作用. 又因?yàn)閞e是一個(gè)復(fù)數(shù), 中和電路應(yīng)該是一個(gè)由電阻和電容組成的電路, 但這給調(diào)試增加了困難。另外, 如果再考慮到分布參數(shù)的作用和溫度變化等因素的影響, 中和電路的效果很有限。,圖2.3.3（）所示為收音機(jī)常用的中和電路 （）是其交流等效電路,失配法通過增大負(fù)載電導(dǎo)L, 進(jìn)而增大總回路電導(dǎo), 使輸出電路嚴(yán)重失配, 輸出電壓相應(yīng)減小

17、, 從而反饋到輸入端的電流減小, 對(duì)輸入端的影響也就減小。可見, 失配法是用犧牲增益而換取電路的穩(wěn)定。 ,用兩只晶體管按共射共基方式連接成一個(gè)復(fù)合管是常采用的一種失配法。 由于共基電路的輸入導(dǎo)納較大, 當(dāng)它和輸出導(dǎo)納較小的共射電路連接時(shí), 相當(dāng)于使共射電路的負(fù)載導(dǎo)納增大而失配, 從而使共射晶體管內(nèi)部反饋減弱, 穩(wěn)定性大大提高。,2.3 寬頻帶放大器,寬頻帶放大器既要有較大的電壓增益, 又要有很寬的通頻帶, 所以常用電壓增益Au和通頻帶BW的乘積作為衡量其性能的重要指標(biāo), 稱為增益帶寬積, 寫成GBW=Au fH。增益帶寬積越大的寬頻帶放大器的性能越好。 寬頻帶放大器既可由晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管組成,

18、 也可以由集成電路組成。 ,在通信系統(tǒng)中，前置低噪放大器和混頻器之后的中頻放大器一般采用寬帶小信號(hào)放大器。 寬帶放大器的晶體管特性一般采用混合型等效電路,bb： 基區(qū)體電阻, 約。 be： 發(fā)射結(jié)電阻re折合到基極回路的等效電阻, 約 幾十歐到幾千歐。 bc：集電結(jié)電阻, 約kM。 ce：集電極發(fā)射極電阻, 幾十千歐以上。 be：發(fā)射結(jié)電容, 約 皮法到幾百皮法。 bc：集電結(jié)電容, 約幾個(gè)皮法。 m：晶體管跨導(dǎo), 幾十毫西門子以下。,由于集電結(jié)電容C bc跨接在輸入輸出端之間, 是雙向傳輸元件, 使電路分析復(fù)雜化。為了簡(jiǎn)化電路, 可以把C bc折合到輸入端b、 e之間, 與電容C be并聯(lián),

19、 其等效電容為： CM=(1+gmRL)Cbc 即把Cbc的作用等效到輸入端, 這就是密勒效應(yīng)。其中g(shù)m是晶體管跨導(dǎo), RL是考慮負(fù)載后的輸出端總電阻, CM稱為密勒電容。 另外, 由于rce和rbc較大, 一般可視其開路。這樣可 利用密勒效應(yīng)簡(jiǎn)化高頻混合型等效電路。,其中k為波爾茲曼常數(shù), T是電阻溫度(以絕對(duì)溫度K計(jì)量), IEQ是發(fā)射極靜態(tài)電流, 0是晶體管低頻短路電流放大系數(shù), fT是晶體管特征頻率。 確定晶體管混合型參數(shù)可以先查閱手冊(cè)。 晶體管手冊(cè)中一般給出rbb、Cbc、0和fT等參數(shù), 然后根據(jù)此式可以計(jì)算出其它參數(shù)。 注意各參數(shù)均與靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān)。,2.2.3晶體管的高頻參數(shù)

20、考慮電容效應(yīng)后, 晶體管電流增益是工作頻率的函數(shù)。,1、共射晶體管截止頻率 共射短路電流放大系數(shù) 是指混合型等效電路輸出交流短路時(shí), 集電極電流 與基極電流 的比值。從圖可以知, 當(dāng)輸出端短路后, r be、Cbe和Cbc三者并聯(lián)。,其中：,由此式可知, 的幅值隨頻率的增高而下降。 當(dāng)下降到 時(shí), 對(duì)應(yīng)的頻率定義為共射晶體管截止頻率f。,2、特征頻率fT 當(dāng) 的幅值下降到1時(shí), 對(duì)應(yīng)的頻率定義為特征頻率fT。,3、共基晶體管截止頻率f 共基短路電流放大系數(shù) 是晶體管共基組態(tài)時(shí)的輸出交流短路參數(shù), 其幅值也是隨頻率的增高而下降,f定義為 的幅值下降到 時(shí)的頻率。 ,fT0f=g m rbe f

21、fT0f ffT,2.4.1單級(jí)差分寬頻帶放大器 集成寬頻帶放大器常采用單級(jí)或多級(jí)差分電路形式。 由于單級(jí)共射電路可看成是單級(jí)差分電路的差模半電路, 所以先分析單級(jí)共射電路的電壓增益和通頻帶(用上限截止頻率fH表示)。 寬頻帶放大器中的晶體管特性適合采用混合型等效電路。下圖(a)、 (b)分別是共射電路的交流通路和高頻等效電路。,設(shè)R/ L是交流負(fù)載，且,其中：,其中上限截止頻率：,差分電路的差分電壓增益和上限截止頻率,上圖是一個(gè)雙端輸入雙端輸出的差分放大電路， 它的差模電壓增益與單管共射電路的電壓增益相同。,此處,上限截止頻率,增益帶寬積,例2.3 在圖2.4.2所示差分放大器中, V1管和

22、V2管的參數(shù)相同, 在IEQ=1mA時(shí)，均為0=100, rbb=50, C bc=2pF, fT=200MHz。RC=2 k，RL=10 k。計(jì)算此差分放大器的差模電壓增益、 上限截止頻率和增益帶寬積。 解: 先求晶體管混合型參數(shù)。根據(jù)上述公式可以得出：,r be=(1+o)r e=(1+100)26=2.6 k RL=Rc/0.5RL=2k/5k1.43k,2.3.1展寬放大器頻帶的方法 在實(shí)際寬頻帶放大電路中, 要展寬通頻帶, 即要提高上限截止頻率, 主要有組合法和反饋法兩種方法。 1、組合電路法 在集成寬頻帶放大器中廣泛采用共射-共基組合電路, 如圖2.4.4所示。 共射電路的電流增益

23、和電壓增益都較大, 是放大器最常用的一種組態(tài)。 但它的上限截止頻率較低, 從而帶寬受到限制, 這主要是由于密勒效應(yīng)的緣故。 ,從上可知, 集電結(jié)電容C bc等效到輸入端以后, 電容值增加為原來的(1+gmR/L)倍。 雖然Cbc數(shù)值很小, 一般僅幾個(gè)皮法, 但M一般卻很大。 密勒效應(yīng)使共射電路輸入電容增大, 容抗減小, 且隨頻率的增大容抗更加減小, 因此高頻性能降低 在共基電路和共集電路中, bc或者處于輸出端, 或者處于輸入端, 無密勒效應(yīng), 所以上限截止頻率遠(yuǎn)高于共射電路。 在圖2.4.4所示共射共基組合電路中, 上限頻率由共射電路的上限截止頻率決定。,利用共基電路輸入阻抗小的特點(diǎn), 將它

24、作為共射電路的負(fù)載, 使共射電路輸出總電阻L大大減小, 進(jìn)而使密勒電容M大大減小, 高頻性能有所改善, 從而有效地?cái)U(kuò)展了共射電路亦即整個(gè)組合電路的上限截止頻率。 由于共射電路負(fù)載減小, 所以電壓增益減小但這可以由電壓增益較大的共基電路進(jìn)行補(bǔ)償。而共射電路的電流增益不會(huì)減小, 因此整個(gè)組合電路的電流增益和電壓增益都較大。 ,集成電路可用共射共基差分對(duì)電路。圖示國(guó)產(chǎn)寬帶放大器集成電路（國(guó)外, ）采用了這種電路, 它的帶寬可達(dá)到 z。,該電路由V1、V3（或V4）與V2、V6(或V5)組成共射共基差分對(duì), 輸出電壓特性由外電路控制。 如外電路使b2, b1時(shí), V8和V4 、V5截止, 信號(hào)電流由V

25、1、V2流入V3、 V6后輸出。 如外電路使b1, b2時(shí), V7和V3、V6截止, 信號(hào)電流由V1、V2 流入V4、V5后輸出, 輸出極性與第一種情況相反。 如外電路使b1b2時(shí), 通過負(fù)載的電流則互相抵消, 輸出為零。e用于高頻補(bǔ)償, 因高頻時(shí)容抗減小, 發(fā)射極反饋深度減小, 使頻帶展寬。此集成電路常用作350MHz以上寬帶示波器的高頻、中頻和視頻放大。,采用共集共基, 共集共射等組合電路也可以提高上限截止頻率。 例2.4已知晶體管混合型參數(shù)與例2.3中相同, 分別求出圖例 2.4(a)、 (b)所示共射共基電路和單管共射電路的電壓增益和上限截止頻率。交流負(fù)載/L=15k。 解: 先求共射共基電路的電壓增益和上限截止頻率。 共射共基電路的交流等效電路如圖例2.4(c)所示, 其中虛線框內(nèi)是共基電路混合型等效電路。