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文檔簡介

1、1.4場效應(yīng)晶體管,Field-Effect Transistors (FETs),內(nèi)容提要,1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管,原理、輸出特性與轉(zhuǎn)移特性 1.4.2絕緣柵型場效應(yīng)管,原理、輸出特性與轉(zhuǎn)移特性 1.4.3場效應(yīng)管的主要參數(shù) 1.4.5場效應(yīng)管與晶體管的比較,1.4.1結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號,圖1.4.2 N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖,圖1.4.3 uDS 0時uGS對導(dǎo)電溝道的控制作用,溝道變窄,溝道消失,圖1.4.4 UGS(off)0的情況,預(yù)夾斷,恒流,DS間為電阻特性,圖1.4.5 場效應(yīng)管的輸出特性,1 2 3,圖1.4.6 場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線,圖1.4.7 N溝道增強型

2、MOS管結(jié)構(gòu)示意圖 及增強型MOS的符號,圖1.4.8 uDS 0時uGS對導(dǎo)電溝道的影響,圖1.4.9 uGS為大于UGS(th)的某一值時 uDS對iD的影響,圖1.4.10 N溝道增強型MOS管的特性曲線,圖1.4.11 N溝道耗盡型MOS管結(jié)構(gòu) 示意圖、符號及轉(zhuǎn)移特性,圖1.4.13 場效應(yīng)管的符號及特性,1.4.3場效應(yīng)管的主要參數(shù),直流參數(shù) 交流參數(shù) 極限參數(shù),夾斷電壓,開啟電壓,飽和漏極電流,直流輸入電阻,低頻跨導(dǎo),極間電容,最大漏極電流,擊穿電壓,最大耗散功率,例 1.4.2 試分析 為0V,8V和10V情況下 分別為多少？,如圖所示電路,場效應(yīng)管的夾斷電壓UGS(off)=-4V，飽和漏電流IDSS=4mA。試問，為保證負載電阻RL上的電流為恒流， RL的取值范圍為多少？,1.4.5場效應(yīng)管與晶體管的比較,流控？壓控？ 溫度穩(wěn)定性 噪聲 管

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