1、濕法刻蝕,工藝目的：通過化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)，以達(dá)到正面和背面絕緣的目的，同時(shí)去除正面的磷硅玻璃層。 工藝材料：合格的多晶硅片（擴(kuò)散后）、H2SO4（98%，電子級(jí)）、HF（40%，電子級(jí)）、KOH（50%,電子級(jí)）、HNO3（65%，電子級(jí)）、DI水（大于15 Mcm）、壓縮空氣（6 bar，除油，除水，除粉塵）、冷卻水（4 bar）等。,工藝原理：Rena Inoxide刻蝕工藝主要包括三部分：硫酸、硝酸、氫氟酸 氫氧化鉀 氫氟酸本工藝過程中，硝酸將硅片背面和邊緣氧化，形成二氧化硅，氫氟酸與二氧化硅反應(yīng)生成絡(luò)合物六氟硅酸，從而達(dá)到刻蝕的目的?？涛g之后經(jīng)過KOH溶液去除硅片表

2、面的多孔硅，并將從刻蝕槽中攜帶的未沖洗干凈的酸除去。最后利用HF酸將硅片正面的磷硅玻璃去除。并用DI水沖洗硅片，最后用壓縮空氣將硅片表面吹干。,反應(yīng)方程式如下：,工藝流程：上料,混合酸液腐蝕風(fēng)刀1DI水沖洗KOH腐蝕風(fēng)刀2DI水沖洗腐蝕風(fēng)刀3DI水沖洗壓縮空氣風(fēng)干下料工藝條件：去離子水壓力為4、壓縮空氣壓力為6環(huán)境溫度：253相對(duì)濕度：40%60% ，無凝露 腐蝕槽溫度：6-9槽溫度：18左右,主要控制點(diǎn)：1、腐蝕深度控制在1.20.2之間 2、刻蝕寬度D1，每片測(cè)量四點(diǎn)，測(cè)量點(diǎn)在每邊的中間點(diǎn)，20點(diǎn)（5道）或32點(diǎn)（ 8道）的平均值。3、絕緣電阻1。以上三個(gè)參數(shù)在正常生產(chǎn)時(shí)至少每隔1小時(shí)測(cè)量

3、一次。當(dāng)更換藥液和停產(chǎn)一段時(shí)間再生產(chǎn)時(shí)及參數(shù)不正常時(shí)，要求增加測(cè)量次數(shù)。,4、腐蝕槽循環(huán)流量要求設(shè)定在3035之間。循環(huán)流量過小會(huì)導(dǎo)致腐蝕量不夠，甚至硅片邊緣 不能完全去除；循環(huán)量過大會(huì)導(dǎo)致過腐蝕現(xiàn)象和硅片邊緣刻蝕寬度出現(xiàn)陰影嚴(yán)重引起表面不合格。5、腐蝕槽溫度保證在71 ，隨著溫度的升高，腐蝕速率會(huì)加快，但會(huì)使藥液密度減小，以致發(fā)生過腐蝕現(xiàn)象。所以在溫度未降到工藝控制范圍內(nèi)時(shí)禁止生產(chǎn)。,6、堿洗槽溫度要求 23。當(dāng)發(fā)現(xiàn)堿洗槽溫度超過控制范圍時(shí)，及時(shí)通知相關(guān)負(fù)責(zé)人進(jìn)行檢查調(diào)整。7、堿洗槽噴淋量要求，且首先保證下噴淋量充足，以便使硅片背面多孔硅腐蝕充分。8、壓縮空氣風(fēng)干Dryer 處風(fēng)刀頻率及流量

4、的控制太小，易造成硅片不能完全風(fēng)干；過大易產(chǎn)生碎片。以硅片上下表面能夠被完全風(fēng)干為前提。建議風(fēng)刀頻率為：80%85%；壓縮空氣流量：（8道）20立方米每小時(shí),工藝準(zhǔn)備：1、工裝工具準(zhǔn)備：備齊用于工藝生產(chǎn)的PVC手套、口罩、防護(hù)眼罩、防護(hù)面罩、防護(hù)套袖、防護(hù)服、防酸堿手套、防酸堿膠鞋等。2、設(shè)備準(zhǔn)備：確認(rèn)設(shè)備能正常運(yùn)行,DI水、壓縮空氣等壓力及流量正常。確認(rèn)設(shè)定的刻蝕工藝，堿洗工藝和HF腐蝕工藝名稱及參數(shù)。3、工藝潔凈管理：穿好凈化服，戴口罩，操作時(shí)戴潔凈PVC手套。4、原材料準(zhǔn)備：觀察外觀是否正常。常見的不合格片包括含缺角、裂紋、手印、孔洞的硅片等。,注意事項(xiàng)（1）生產(chǎn)中的操作必須帶手套，佩帶口罩，并經(jīng)常更換手套，保證生產(chǎn)的清潔。（2）要隨時(shí)注意硅片在設(shè)備內(nèi)的傳輸狀況，以免發(fā)生大量卡片現(xiàn)象。如在腐蝕槽發(fā)生卡片，可用耐酸工具對(duì)其進(jìn)行疏導(dǎo)。情況嚴(yán)重時(shí)要立即進(jìn)行Drain Bath操作，將酸液排到TANK中，穿好整套防護(hù)裝備，手動(dòng)取出卡片。（3）除設(shè)備維護(hù)，更換藥液，使用DI-水噴槍時(shí)，嚴(yán)禁將水流入藥液槽。（4）工藝過程中：定時(shí)檢查設(shè)備運(yùn)行情況，傳輸速度、氣體流量等參