1、元器件可靠性技術(shù)第4章元器件可靠性試驗與評價技術(shù)張素娟：為民樓438;mail:課程內(nèi)容v 4.1元器件可靠性試驗技術(shù)v 4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗v 4.3元器件可靠性壽命試驗v 4.4元器件加速壽命試驗技術(shù)v 4.5元器件可靠性試驗的設(shè)計v 4.6現(xiàn)代元器件可靠性評價技術(shù)v 4.7計算機輔助集成電路可靠性評價技術(shù)可靠性工程研究所元器件工程部4.1元器件可靠性試驗技術(shù)v元器件可靠性試驗是指對受試樣品施加一定的應(yīng)力，在這些應(yīng)力(指電的、機械的、環(huán)境的)作用下，使受試樣品反映出性能的變化，從而來判斷元器件是否失效的試驗。v元

2、器件可靠性試驗不僅是判定其性能參數(shù)是否符合元器件的技術(shù)指標，即判定合格或不合格，而且還要用數(shù)理統(tǒng)計方法進行定量分析，最終目的得出元器件可靠性指標。v可靠性試驗貫穿于元器件產(chǎn)品的研制開發(fā)、設(shè)計定型、批量生產(chǎn)和使用的各個階段?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.1元器件可靠性試驗技術(shù)v 可靠性試驗的分類按工作方式、試驗性質(zhì)、目的等多種分類正常壽命試驗加速壽命試驗強制老煉試驗遞增老煉試驗貯存壽命試驗壽命試驗現(xiàn)場試驗破壞性試驗元器件可靠性試驗極限試驗模擬試驗正常使用試驗工作試驗環(huán)境試驗非破壞性試驗篩選試驗貯存試驗可靠性工程研究所元器件工程部4.1元器件可靠性試驗技術(shù)v 按試驗目的分類:可靠性鑒定試驗：確定

3、元器件產(chǎn)品的可靠性特征量是否達到所要求的水平；壽命試驗：評價分析元器件的壽命特征量；耐久性試驗：考察元器件性能與所施加的應(yīng)力條件的影響關(guān)系； 篩選試驗：選擇具有一定特征或剔除早期失效的元器件而進行的試驗；可靠性增長試驗：通過對元器件可靠性試驗中出現(xiàn)的問題進行深入分析，采取有效糾正措施，系統(tǒng)地并永久消除失效機理，使元器件可靠性獲得提高，從而滿足或超過預定的可靠性要求的試驗?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.1元器件可靠性試驗技術(shù)元器件可靠性試驗方法的國內(nèi)外標準（1）中國國家標準GBGB/TGB/T GB/T15297-1994：4937-1995：微電路模塊機械和氣候試驗方法半導體器件機械和氣候試

4、驗方法2423.44-1997：電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗（2）中國國家標準GJBGJBGJB GJB128A-97：半導體分立器件試驗方法360A-96：電子及電氣元件試驗方法548B-2005：微電子器件試驗方法和程序GJB1217-91：電連接器試驗方法可靠性工程研究所元器件工程部4.1元器件可靠性試驗技術(shù)（3）日本工業(yè)標準JISCJISC JISC JISC JISC JISCJISC7022：半導體集成電路的環(huán)境和疲勞試驗方法7030：晶體管試驗方法7031：小信號半導體二極管試驗方法7033：整流二極管試驗方法7021：半導體分立器件的環(huán)境和疲勞試驗方法5020：電子設(shè)備用元件的耐候性及

5、機械強度試驗方法通則5003：電子設(shè)備用元件的失效率試驗方法通則（4） 日本電子機械工業(yè)協(xié)會標準SD-121：半導體分立器件的環(huán)境及疲勞性試驗方法IC-121：集成電路的環(huán)境及疲勞性試驗方法（5） 國際電工委員會標準IECIEC 60749：半導體器件機械和氣候環(huán)境試驗方法（6） 英國標準BSBS 9300：半導體器件試驗方法BS 9400：集成電路試驗方法可靠性工程研究所元器件工程部4.1元器件可靠性試驗技術(shù)（7）美國標準MILMIL-STD-202E：電子、電氣元件試驗方法MIL-STD-750D：半導體器件試驗方法MIL-STD-883G：微電子器件試驗方法和程序（8）美國電子器件工程聯(lián)

6、合會標準JEDECJESD22-A101-B：穩(wěn)態(tài)溫度濕度偏壓壽命試驗方法JESD22-A103C：高溫貯存試驗方法JESD22-A110-B：高加速溫度濕度應(yīng)力試驗方法JESD74：早期失效計算方法JESD-020C：非密封表貼器件潮濕敏感度等級評價方法可靠性工程研究所元器件工程部4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗v 組成可靠性試驗的最基本的試驗可靠性基礎(chǔ)試驗一般通用的可靠性基礎(chǔ)試驗可分為電+熱應(yīng)力試驗、機械環(huán)境應(yīng)力試驗、氣候環(huán)境應(yīng)力試驗、與引線有關(guān)的試驗、與封裝有關(guān)的試驗、特殊分析、輻射試驗等，可靠性基礎(chǔ)試驗類型、方法、目的及可能暴露的缺陷詳細分類見表4-2?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩靠煽啃怨こ?/p>

7、研究所元器件工程部機械環(huán)境應(yīng)力試驗離心加速度試驗封裝有關(guān)試驗細檢漏試驗掃頻振動試驗粗檢漏試驗隨機振動試驗粒子碰撞噪聲檢測試驗振動噪聲試驗內(nèi)部水汽含量分析振動疲勞試驗鍵合強度試驗機械沖擊試驗剪切強度試驗電應(yīng)力試驗+熱應(yīng)力壽命、老煉試驗引線相關(guān)試驗外引線可焊性試驗電性能測試試驗引線涂覆層附著力試驗氣候環(huán)境試驗高、低溫試驗引線抗拉、彎、折、扭、疲勞試驗高溫存儲標志相關(guān)耐溶劑試驗溫度循環(huán)試驗輻射應(yīng)力試驗中子輻射試驗熱沖擊試驗電離輻射總劑量試驗熱性能試驗劑量率感應(yīng)鎖定試驗恒定濕熱試驗數(shù)字微電路的劑量率翻轉(zhuǎn)試驗交變濕熱試驗線性微電路劑量率響應(yīng)和翻轉(zhuǎn)閾值鹽霧試驗封裝引起的錯誤試驗(粒子)低氣壓試驗4.2元器

8、件可靠性基礎(chǔ)試驗可靠性工程研究所元器件工程部應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用電應(yīng)力+ 熱應(yīng)力高溫靜態(tài)老煉剔除有隱患的元器件或剔除有制造缺陷的元器件（剔除早期失效的元器件）擴散缺陷鍵合缺陷電遷移金屬化缺陷參數(shù)漂移篩選試驗可靠性評價壽命試驗高溫動態(tài)老煉高溫交流工作高溫反偏低溫工作熱載流子效應(yīng)可靠性評價4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗可靠性工程研究所元器件工程部應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用氣候環(huán)境應(yīng)力試驗高溫貯存考核元器件在高溫條件下工作或貯存的適應(yīng)能力電穩(wěn)定性、金屬化缺陷、腐蝕、引線鍵合鑒定檢驗篩選試驗、可靠性評價溫度循環(huán)考核元器件在短期內(nèi)反復承受溫度變化的能

9、力及不同結(jié)構(gòu)材料之間的熱匹配性能。封裝的密封性、引線鍵合管芯焊接、硅(裂紋)、PN 結(jié)熱缺陷熱沖擊考核元器件在突然遭到溫度劇烈變化時之抵抗能力及適應(yīng)能力的試驗鑒定檢驗可靠性評價交變濕熱試驗確定元器件在高溫、高濕度或伴有溫度濕度變化條件下工作或貯存的適應(yīng)能力外引線腐蝕、外殼腐蝕、離子遷移、封裝材料（絕緣、膨脹、機械性能）鑒定檢驗可靠性評價鹽霧考核元器件在鹽霧環(huán)境下的抗腐蝕能力外殼腐蝕、外引線腐蝕、金屬化腐蝕、電參數(shù)漂移低氣壓試驗考核元器件對低氣壓工作環(huán)境的適應(yīng)能力絕緣（電離、放電、介質(zhì)損耗）PN結(jié)溫度可靠性評價4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用機械環(huán)境

10、應(yīng)力試驗恒定加速度封裝結(jié)構(gòu)缺陷芯 片 粘 片 引 線 鍵 合 芯 片 裂 紋 機械強度鑒 定 檢 驗 篩 選 試 驗 可靠性評價確定元器件在離心加速度作用下的適應(yīng)能力或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。檢驗并篩選掉粘片欠佳、內(nèi)引線與鍵合點強度較差的器件掃頻振動引線鍵合芯片粘片芯片裂紋尋找被試驗的試驗樣品的各階固有頻率及在這個頻率段的耐振情況振動噪聲考核在規(guī)定振動條件下有沒有噪聲產(chǎn)生。封 裝 異 物 封裝結(jié)構(gòu)缺陷鑒 定 檢 驗 可靠性評價振動疲勞引線鍵合芯片粘片芯片裂紋封裝結(jié)構(gòu)缺陷考核在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)的外載荷的長時間激勵對集成電路封裝的影響。機械沖擊封裝結(jié)構(gòu)缺陷封 裝 異 物 芯 片 粘 片 引 線 鍵 合

11、 芯片裂紋鑒 定 檢 驗 篩 選 試 驗 可靠性評價確定元器件受到機械沖擊時的適應(yīng)性或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性?？煽啃怨こ萄芯克庠骶€件缺陷工程部4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用與封裝及結(jié)構(gòu)有關(guān)的試驗密封-粗檢漏確定具有內(nèi)空腔的元器件和含有封裝的元器件的氣密性封裝的密封。鑒定檢驗篩選試驗可靠性評價密封-細檢漏PIND試驗檢驗封裝腔體內(nèi)是否存在可動多余物。（可動導電多余物可能導致微電路等的內(nèi)部短路失效。）封裝異物鑒定檢驗篩選試驗可靠性評價內(nèi)部水汽含量試驗測定在金屬或陶瓷氣密封裝器件內(nèi)的氣體中水汽的含量它是破壞性試驗，封裝內(nèi)水汽含量過高鑒定檢驗可靠性評價

12、鑒定檢驗可靠性評價鍵合強度試驗檢驗元器件鍵合處(如微電路封裝內(nèi)部的內(nèi)引線與芯片和內(nèi)引線與封裝體內(nèi)外引線端)的鍵合強度封裝內(nèi)引線鍵合芯片剪切強度試驗考核芯片與管殼或基片結(jié)合的機械強度可靠性工程研究芯片粘片所元器件工程部4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用與引線有關(guān)的試驗外引線可焊性試驗考核外引線低熔點焊接能力外引線可焊性鑒定檢驗篩選試驗可靠性評價涂覆層附著力試驗考核外引線各涂覆層的牢固性外引線涂、覆層牢固性外引線抗拉試驗考核外引線在與其平行方向拉力作用下的引線牢固性和封裝密封性引線牢固性封裝密封性研究所元器件工程部鑒定檢驗篩選試驗可靠性評價外引線抗彎試驗

13、考核外引線受彎曲應(yīng)力作用（外引線在與其垂直方向的力)時的劣化程度。鑒定檢驗可靠性評價外引線抗疲勞試驗考核外引線抗金屬疲勞的能力外引線抗扭矩試驗考核外引線受扭轉(zhuǎn)應(yīng)力作用(外引線在與其垂直方向的力)時的劣化程度?？煽啃怨こ?.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗可靠性工程研究所元器件工程部應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用與標志、標識有關(guān)耐溶劑性試驗驗證當器件受到溶劑作用時，其標志是否會變模糊。標記附著性差鑒 定 檢 驗 可靠性評價特殊試驗靜電放電敏感度試驗考核元器件抗靜電放電能力抗靜電能力鑒 定 檢 驗 可靠性評價X射線檢查檢測元器件封裝內(nèi)缺陷，特別是密封工藝引起的缺陷和諸如多余物、錯誤的內(nèi)

14、引線連接、芯片粘接空洞等內(nèi)部缺陷芯片粘片引線形狀封裝異物芯片裂紋分析篩選試驗聲學掃描顯微鏡利用超聲波不同材料接觸面的反射特性非破壞性地查找物理缺陷封裝材料的空洞、裂紋、分層；芯片的裂紋、粘 接空洞等分析、篩選（主要用于塑封器件）掃描電鏡通過對入射電子與樣品表面互相作用產(chǎn)生二次電子信號檢測得到樣品表面放大的圖像芯片表面缺陷引線材料表面缺陷鍵合缺陷分析能譜分析通過對入射電子與樣品表面互相作用產(chǎn)生電子信號檢測得到樣品表面檢測點的元素成份表面成份分析4.2元器件可靠性基礎(chǔ)試驗應(yīng)力類型可靠性基礎(chǔ)試驗方法試驗目的可能暴露的缺陷應(yīng)用輻射應(yīng)力總電離劑量輻照對已封裝的半導體集成電路進行鈷60射線源電離輻射總劑量

15、作用，以評價低劑量率電離輻射對器件作用（明顯的時變效應(yīng)）漏電流增大 工作速度改變 參數(shù)和功能失效增益下降衰減增大翻轉(zhuǎn)燒毀閂鎖暗電流增大研究所元器件工程部鑒定檢驗可靠性評價中子輻射檢測和測量半導體器件關(guān)鍵參數(shù)在中子環(huán)境中的 與中子注量的關(guān)系單粒子效應(yīng)獲得器件單粒子翻轉(zhuǎn)截面、鎖定截面與入射離子LET的關(guān)系，測定半導體器件單粒子翻轉(zhuǎn)與鎖定的敏感性；考核MOSFETs單粒子燒毀和柵穿的敏感度可靠性工程v 環(huán)境試驗是將元器件等暴露在某種環(huán)境中，以此來評價元器件在實際工作環(huán)境中遇到的運輸、儲存、使用環(huán)境條件下的性能?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗v （1）溫度循環(huán)試驗v （2）高溫

16、貯存試驗v （3）溫度熱沖擊試驗v （4）恒定濕熱試驗v （5）交變濕熱試驗v （6）鹽霧試驗v （7）高低溫低氣壓試驗可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗高溫存儲v 試驗目的：考核高溫對電子元器件的影響，確定電子元器件在高溫條件下工作和儲存的適應(yīng)性。v 試驗原理：有嚴重缺陷的電子元器件處于一種不穩(wěn)定態(tài)的非平衡態(tài)，在向平衡態(tài)的過渡過程既是誘發(fā)有嚴重缺陷元器件失效的過程， 也是促使元器件從非穩(wěn)定態(tài)向穩(wěn)定態(tài)的過渡的物理變化，其 速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度成指數(shù)增加。高溫應(yīng)力的 目的是為了縮短這種變化的時間。所以該實驗又可以視為一 項穩(wěn)定元器件性能的工藝。v 可能暴露的缺陷：電

17、穩(wěn)定性金屬化層腐蝕引線鍵合可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗溫度循環(huán)v 試驗目的：模擬溫度交替變化環(huán)境對電子元器件的機械性能及電氣性能影響的試驗。v 試驗原理：電子元器件在短期內(nèi)反復承受溫度變化，產(chǎn)生因為 熱脹冷縮而引起的交變應(yīng)力，這個交變應(yīng)力會造成材料開裂、接觸不良、性能變化等有害影響。v 可能暴露的缺陷：封裝的密封性結(jié)熱缺陷引線鍵合管芯焊接硅(裂紋)可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗熱沖擊v 試驗目的：考核電子元器件在突然遭到溫度劇烈變化時之抵抗能力及適應(yīng)能力的試驗。v 試驗原理：溫度的劇烈變化引起熱變形的劇烈變化，從而引起 劇烈的應(yīng)力變化。應(yīng)力超過

18、極限應(yīng)力，便會出現(xiàn)裂紋，甚至斷裂。熱沖擊之后能否正常工作便表明該電子元器件的抗熱沖擊能力。v 可能暴露的缺陷：封裝的密封性結(jié)熱缺陷引線鍵合芯片粘片硅(裂紋)可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗恒定濕熱v 試驗目的：確定元器件在高溫、高濕條件下工作或儲存適應(yīng)能力。v 試驗原理：高溫和高濕度的同時作用，會加速金屬材料的腐蝕和絕緣材料的老化。對于半導體器件，如果水汽滲透進管芯，就會引起電參數(shù)的變化。尤其在兩種不同金屬的鍵合處或連接處，由于水汽滲入會產(chǎn)生電化學反應(yīng)，從而使腐蝕速度大大加快。此外， 在濕熱環(huán)境中，管殼的電鍍層可能會剝落，外引線可能生銹或銹斷。因此，高溫高濕度的環(huán)境條件是

19、影響器件穩(wěn)定性和可靠性的重要原因之一。v 可能暴露的缺陷：外引線腐蝕機械性能）外殼腐蝕離子遷移封裝材料（絕緣、膨脹、可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗交變濕熱v 試驗目的：確定電子元器件在高溫、高濕度或伴有溫度濕度變化條件下工作或儲存的適應(yīng)能力v 試驗原理：器件處于交變的高濕高熱條件下時，水汽借助于溫度以擴散、熱運動、呼吸作用、毛細現(xiàn)象等被吸人器件內(nèi)部。這時的吸入量一方面和溫度、絕對濕度、時間有關(guān)(溫度越高、水分子的活動能越大，水分子越容易進入器件內(nèi)部。絕對濕度越大，水分子含量就越多，水分子滲入器件內(nèi)部的可能性也增大)；另一方面與溫度變化率、溫差、絕對濕度和時間有關(guān)。溫差的

20、大小決定了“呼吸”程度的大小，溫度變化率則決定了單位時間內(nèi)“呼吸”的次數(shù)。高溫和高濕度的同時交變作用，會加速金屬配件的腐蝕和絕緣材料的老化。v 可能暴露的缺陷：外引線腐蝕機械性能）外殼腐蝕離子遷移封裝材料（絕緣、膨脹、可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候環(huán)境應(yīng)力試驗鹽霧v 試驗目的：考核電子元器件在鹽霧環(huán)境下的抗腐蝕能力v 試驗原理：鹽霧對電子元器件有較大的侵蝕和電解腐蝕作用； 如果器件在鹽霧環(huán)境下抗腐蝕的能力低(器件的電鍍層或油漆層質(zhì)量不好，器件密封不嚴等)，經(jīng)過鹽霧試驗后，器件便失效。v 可能暴露的缺陷：外殼腐蝕外引線腐蝕金屬化腐蝕電參數(shù)漂移可靠性工程研究所元器件工程部4.2.3氣候

21、環(huán)境應(yīng)力試驗低氣壓v 試驗目的：考核元器件對低氣壓工作環(huán)境的適應(yīng)能力。v 試驗原理：當氣壓減小時空氣絕緣材料的絕緣強度會減弱；易 產(chǎn)生電暈放電、介質(zhì)損耗增加、電離等現(xiàn)象；氣壓減小使散熱條件變差，元器件溫度上升。這些因素都會使被試樣品在低氣壓條件下喪失規(guī)定的功能， 有時會產(chǎn)生永久性損傷。v 可能暴露的缺陷：絕緣（電離、放電、介質(zhì)損耗）結(jié)溫可靠性工程研究所元器件工程部4.2.4機械環(huán)境試驗v （1）機械振動試驗v （2）機械沖擊試驗v （3）離心加速度試驗可靠性工程研究所元器件工程部4.2.4機械環(huán)境試驗機械振動試驗考核被試電子元器件抵抗各種機械振動應(yīng)力的能力v 掃頻振動試驗：尋找被試驗樣品在規(guī)定

22、的頻率范內(nèi)的各階固有頻率及耐振情況。v 振動疲勞試驗：考核被試樣品在規(guī)定的頻率范圍內(nèi)長時間激勵下的抗疲勞能力。v 振動噪聲試驗：考核被試樣品在規(guī)定的振動條件下元器件有沒有電噪聲產(chǎn)生。v 隨機振動試驗：考核被試樣品在隨機激勵下抵抗隨機振動的能力。可靠性工程研究所元器件工程部4.2.4機械環(huán)境試驗機械振動試驗試驗原理v 機械振動試驗是在實驗室里模擬各種惡劣的振動條件（將樣品緊固在振動臺專用的夾具上）以檢驗對器件性能和可靠性的影響，確定器件承受規(guī)定振動等級的能力。通過試驗能暴露產(chǎn)品在生產(chǎn)工藝中的一些缺陷(諸如封裝結(jié)構(gòu)、引線焊接、鍵合不良、內(nèi)引線過長、粘接缺陷等)。v 振動試驗可分為在振動過程中加電檢

23、查和不加電檢查兩種。加電檢查振動試驗能夠發(fā)現(xiàn)元器件的瞬時短路、開路等缺陷。v 可能暴露的缺陷：外引線、引線鍵合、芯片粘片、芯片裂紋、結(jié)構(gòu)缺陷?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.4機械環(huán)境試驗機械沖擊試驗v 試驗目的：確定電子元器件受到機械沖擊時的適應(yīng)性或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。v 試驗原理：短時間內(nèi)極大的沖擊力(極大的沖量)作用在試驗樣品上，從而引起試驗樣品產(chǎn)生極大的瞬態(tài)振動（位移），在試驗樣品內(nèi)產(chǎn)生極大的應(yīng)力和應(yīng)變，抗沖擊能力弱的試驗樣品就會因沖擊而損壞或性能降低。v 可能暴露的缺陷：結(jié)構(gòu)缺陷封裝異物芯片粘片引線鍵合芯片裂紋外引線可靠性工程研究所元器件工程部4.2.4機械環(huán)境試驗離心加速度試驗

24、v 試驗目的：確定電子元器件在離心加速度作用下的適應(yīng)能力或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。v 試驗原理：強大的離心力作用在試驗樣品的各個截面上，從而 引起各個截面的強大的拉應(yīng)力，強度低的試驗樣品便會出現(xiàn)裂紋，有的還會斷裂。v 可能暴露的缺陷：結(jié)構(gòu)缺陷強度芯片粘片引線鍵合芯片裂紋機械可靠性工程研究所元器件工程部4.2.4機械環(huán)境試驗離心加速度試驗v 施加的應(yīng)力強度與管殼重量、管殼內(nèi)腔周長及器件類型有關(guān)，應(yīng)嚴格按照標準規(guī)定執(zhí)行，以免由于過v 器件外殼應(yīng)采用專用夾具固定好，否則容易對外殼產(chǎn)生損傷性應(yīng)力。例如：用細砂物質(zhì)作填充料的離心罐應(yīng)盡量將其填實并對器件表面加以保護，以免填充料磨壞器件表面，甚至壓凹器件管帽。

25、v 對內(nèi)部元件主基座平面與Y軸垂直的器件，管殼安裝的方向應(yīng)是使芯片脫離粘結(jié)的方向，即僅在稱為Y1 的方向進行試驗?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.5與封裝有關(guān)的試驗方法v （1）外部目檢v （2）多余物檢測試驗v （3）內(nèi)部目檢v （4）引線鍵合強度試驗v （5）芯片剪切強度試驗v （6）內(nèi)部氣體（成份）分析試驗可靠性工程研究所元器件工程部4.2.5與封裝有關(guān)的試驗方法-PINDv 試驗目的：檢驗封裝腔體內(nèi)是否存在可動多余物?？蓜訉щ姸嘤辔锟赡軐е挛㈦娐返鹊膬?nèi)部短路失效。v 試驗原理：對有內(nèi)腔的密封件(如微電路)施加適當?shù)臋C械沖擊應(yīng)力，使粘附于微電路腔體等有內(nèi)腔的密封件內(nèi)的多余物成為可動多

26、余物。再同時施加振動應(yīng)力，使可動多余物產(chǎn)生振動，振動的多余物與腔體壁撞擊產(chǎn)生噪聲。通過換能器檢測噪聲，判斷腔內(nèi)有無多余物?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.5與封裝有關(guān)的試驗方法-內(nèi)部水汽含量分析v 試驗目的：測定在金屬或陶瓷氣密封裝器件內(nèi)的氣體中水汽的含量，它是破壞性試驗v 試驗原理：。四極質(zhì)譜儀檢測氣體分子量烘烤器件抽真空穿刺抽氣分析v 可能暴露的缺陷：密封性、內(nèi)部水汽含量可靠性工程研究所元器件工程部4.2.5與封裝有關(guān)的試驗方法-內(nèi)部目檢試驗目的v a）為了檢查元器件的內(nèi)部材料、結(jié)構(gòu)和工藝是否符合適用文件的要求。v b）為了查出可能導致器件在正常使用時失效的內(nèi)部缺陷并剔除相應(yīng)的器件，通

27、常應(yīng)在封蓋或密封前對器件作100%的內(nèi)部目檢。v c）在確定承制方對微電子器件的質(zhì)量控制和操作程序的有效性時，也可在封蓋前按抽樣方式作本項試驗。v d）破壞性物理分析需要進行的項目。v e）高可靠微電路規(guī)定了嚴格和詳細的內(nèi)部目檢項目和程序。v f）進行失效分析。試驗設(shè)備v 具有規(guī)定放大倍數(shù)的光學儀器、照相設(shè)備和各種目檢判據(jù)（如標尺、圖樣和照片等）、合適的夾具?？蓹z查的缺陷v 金屬化、鈍化層、鍵合、芯片可粘靠接性、工程芯研片究、所元內(nèi)器引件線工程等部缺陷。4.2.5與封裝有關(guān)的試驗方法-鍵合強度v 試驗目的：檢驗電子元器件鍵合處(如微電路封裝內(nèi)部的內(nèi)引線與芯片和內(nèi)引線與封裝體內(nèi)外引線端)的鍵合強

28、度。v 破壞性和非破壞性強度試驗。v 判據(jù)與材料和線徑相關(guān)?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.5與封裝有關(guān)的試驗方法-芯片附著強度、剪切強度v 試驗目的：考核芯片與管殼或基片結(jié)合的機械強度。v 試驗原理：對芯片加垂直芯片脫離基片底座方向的力(附著 強度試驗)，或?qū)π酒悠叫行酒c基片底座結(jié)合面方向的力(剪切強度試驗)，若此力達到某規(guī)定值， 則該芯片為合格品?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.6與密封有關(guān)的試驗有關(guān)方法密封v 試驗目的：確定具有內(nèi)空腔的和含有封裝的電子元器件的氣密性。v 試驗原理：先把試驗樣品置于密封容器內(nèi)，把容器抽成真空，然后把試驗樣品放進含有檢驗介質(zhì)的容器中，設(shè)法使檢驗介

29、質(zhì)進入電子元器件內(nèi)腔。從該容器中取出試驗樣品后，再設(shè)法檢查出有沒有檢驗介質(zhì)進入電子元器件內(nèi)腔，從而判斷該電子元器件密封是否完好。v 粗檢漏試驗：碳氟化合物粗檢漏試驗，染料浸透粗檢漏試驗， 增重粗檢漏試驗v 細檢漏試驗：示蹤氣體氦(He)細檢漏試驗，放射性同位素細檢漏試驗可靠性工程研究所元器件工程部4.2.6與密封有關(guān)的試驗有關(guān)方法密封v檢漏分為粗檢漏和細檢漏兩種情況。通常以漏氣速率1Pacm3/s（1 Pa=9.8710-3atm）為分界，即等效標準漏率小于1Pacm3/s的任何泄漏為細漏，標準漏率大于1Pacm3/s的任何泄漏為粗漏。粗檢漏用來檢查漏率較大的器件(漏氣率大于10-5atmcm

30、3/s，即漏氣嚴重的)，細檢漏用于檢查細微的漏氣(漏氣率小于10-5atmcm3/s)。一般要求兩種情況都做。vva） 對氣密性要求不高的器件，允許僅作粗檢漏。但對于氣密性要求高的器件，由于細檢漏檢測不出大漏率的器件，所以僅作細檢是不夠的， 必須細、粗檢漏配合進行。b） 由于粗檢漏使用液體做示蹤媒質(zhì)，可能會堵塞細小漏孔而影響細檢 結(jié)果的準確性，所以檢漏的順序必須是先做細檢后做粗檢漏。c） 在加壓時應(yīng)考慮待檢器件的封裝能否承受這個壓強。如不能耐受， 可按篩選規(guī)范的標準選擇合適的氣壓及相應(yīng)的恒壓時間，以免損壞元器件的封裝。vv可靠性工程研究所元器件工程部4.2.7老練試驗v 試驗目的剔除早期失效元

31、器件。v 試驗原理老煉也稱“老化”。是指在一定的環(huán)境溫度下、較長的時間內(nèi)對元器件連續(xù)施加一定的電應(yīng)力，通過電-熱應(yīng)力的綜合作用來加速元器件內(nèi)部的各種物理、化學反應(yīng)過程，促使隱藏于元器件內(nèi)部的各種潛在缺陷及早暴露，從而達到剔除早期失效產(chǎn)品的目的。v 老煉篩選一般有如用：a） 對于工藝制造過程中可能存在的一系列缺陷，如表面沾污、引線焊接不良、溝道漏電、硅片裂紋、氧化層缺陷、局部發(fā)熱點、擊穿等都有較好的篩選效果。b） 對于無缺陷的元器件，老煉也可促使其電參數(shù)穩(wěn)定?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.7老練試驗v常溫靜態(tài)功率老煉在室溫下老煉，半導體的PN結(jié)處于正偏導通狀態(tài)，器件老煉所需要的熱 應(yīng)力，是

32、由器件本身所消耗的功率轉(zhuǎn)換而來的。 高溫反偏老煉在高溫反偏老煉中，器件的PN結(jié)被同時加上高溫環(huán)境應(yīng)力和反向偏壓電 應(yīng)力，器件內(nèi)部無電流或僅有微小的電流通過，幾乎不消耗功率。在一 些反向應(yīng)用的半導體器件老煉中得到廣泛的應(yīng)用。高溫靜態(tài)功率老煉高溫靜態(tài)功率老煉的加電方式及試驗電路形式均與常溫靜態(tài)功率老煉的 相同，區(qū)別在于前者在較高的環(huán)境溫度下進行。高溫動態(tài)老煉高溫動態(tài)老煉主要用于數(shù)字器件，這種老煉方法是在被老煉器件的輸入 端由脈沖信號驅(qū)動，使器件不停地處于翻轉(zhuǎn)狀態(tài)。這種老煉方法很接近器件的實際使用狀態(tài)。vvvv可靠性工程研究所元器件工程部4.2.7老練試驗v （3）元件的老煉電阻老煉試驗一般按照規(guī)范

33、的要求施加功率和溫度環(huán)境，要特別注意的是老煉是否有散熱的要求。v 電容器老煉試驗一般采用高溫電壓老煉。這種方法是：在電容器最高額定工作溫度下施加額定電壓，持續(xù)96至100小時， 以剔除因介質(zhì)有缺陷而造成擊穿、短路的產(chǎn)品。例如有機薄膜電容器介質(zhì)中的針孔、疵點和導電微粒，在高溫電壓老煉中會導致電容器短路失效；有嚴重缺陷的液體鉭電解電容器在高溫電壓老煉時，流經(jīng)缺陷處的短路電流很大，使產(chǎn)品溫度驟然升高。電解質(zhì)與焊料迅速氣化，使壓力達到足以使產(chǎn)品遭到破壞的程度。v 對于沒有潛在缺陷的電容器，高溫電壓老煉能消除產(chǎn)品中的內(nèi)應(yīng)力，改善介質(zhì)性能，提高電容器的容量穩(wěn)定性。高溫電壓老煉能使介質(zhì)有缺陷的金屬化紙介（或

34、塑料箔膜）電容器產(chǎn)生“自愈”，恢復其性能?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.7老練試驗v （4）做高溫老煉試驗應(yīng)該注意的幾點v 各種元器件的電應(yīng)力的選擇要適當，可以等于或稍高于額定條件，但應(yīng)注意高于額定條件不能引入新的失效機理。例如有些元器件負荷瞬時超過最大額定值時會立即劣化或擊穿，即使一些劣化的器件以后能暫時工作，其壽命也將會縮短；v 經(jīng)過高溫老煉試驗后要求殼溫冷卻到低于35時才允許給器件斷電。由于在高溫無電場作用下，可動離子能作無規(guī)則運動，使得器件已失效的性能恢復正常，從而可能會掩蓋曾經(jīng)失效的現(xiàn)象；v 老煉試驗后的測試一般要求在試驗結(jié)束后96小時內(nèi)完成。可靠性工程研究所元器件工程部4.2

35、.8與外引線有關(guān)的試驗方法v （1）外引線可焊性試驗考核元器件外引線接受低熔點焊接的能力。v （2）外引線牢固性試驗考核電子元器件外引線在拉力、扭矩、彎曲、疲勞應(yīng)力作用下的引線牢固性和封裝密封性。v （3）外引線涂覆層附著力試驗 考核外引線各涂覆層的牢固性?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.9特殊試驗v （1）X射線檢查試驗v （2）聲學掃描顯微分析試驗v （3）掃描電鏡分析v （4）能譜分析v （5）靜電放電敏感度試驗可靠性工程研究所元器件工程部4.2.9特殊試驗-X射線檢查試驗試驗目的用非破壞性的方法檢測封裝內(nèi)的缺陷，特別是密封工藝引起的缺陷和諸如外來物質(zhì)、錯誤的內(nèi)引線連接、芯片附著材料

36、中的或采用玻璃密封時玻璃中的空隙等內(nèi)部缺陷。試驗原理根據(jù)樣品不同部位對X射線吸收率和透射率的不同，利用X射線通過樣品各部位衰減后的射線強度檢測樣品內(nèi)部缺陷的一種方法。透過材料的X射線強度隨材料的X射線吸收系數(shù)和厚度作指數(shù)衰減。v 可能暴露的缺陷：芯片粘片、引線形狀、引線損傷、焊接質(zhì)量、鍵合質(zhì)量、封裝密封性、封裝異物?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩靠煽啃怨こ萄芯克骷こ滩靠煽啃怨こ萄芯?.2.9 特殊試驗-聲學掃描顯微分析試驗vvvvvvv試驗目的利用超聲反射成像原理非破壞性地查找元器件封裝存在的物理缺陷。試驗原理：聲學掃描顯微分析技術(shù)主要利用超聲波的如下特性：a）碰到空氣(分層或離層)100

37、%反射； b）在任何界面會反射；c）波長非常短，所以和光線一樣直線傳播.所元器件工程部4.2.9特殊試驗-聲學掃描顯微分析試驗v 可能暴露的缺陷：a）模塑化合物與引線框架、芯片基座之間的分層； b）模塑化合物的空洞和裂紋；c）芯片粘接材料中的未粘接區(qū)域和空洞(如果可能）?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩啃酒芽p方向檢測B-Scan ImageDie CrackPKG SurfaceDie Surface Die BottomB-ScanDie SurfaceDie BottomDie Crack Direction可靠性工程研究所元器件工程部4.2.9特殊試驗-掃描電鏡分析v試驗目的檢查集成電路晶

38、圓或芯片表面上器件互連線金屬化層的質(zhì)量，特別是對鈍化層臺階處的金屬化質(zhì)量。試驗原理入射電子束與樣品固體表面互相作用， 產(chǎn)生各種信號（二次發(fā)射電子、背散射電子、吸收電子、X射線、俄歇電子、陰極發(fā)光和透射電子等）。v各種信息產(chǎn)生的因素vv(1) 加速電壓或者電子束入射能量。(2) 樣品表面的形貌及電子束入射角(樣品傾斜角)。vvv(3)(4)(5)樣品的原子密度即平均原子序數(shù)。樣品表面的化學特性和晶體學特性樣品表面的電荷積累?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩靠煽啃怨こ萄芯克骷こ滩靠煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.2.9 特殊試驗-靜電放電敏感度試驗v 試驗目的給出半導體器件所承受靜電放電的能力，通

39、過對受靜電放電作用造成損傷和的敏感度的測定，可對半導體器件進行靜電敏感度分級。該試驗為破壞性試驗。v 試驗原理通過模擬人體、設(shè)備或器件放電的電流波形，按規(guī) 定的組合及順序?qū)ζ骷母饕龆朔烹?。找出器件產(chǎn)生損傷的閾值靜電放電電壓，以器件敏感參數(shù)的變化量超過規(guī)定值的最小靜電放電電壓作為器件抗靜電放電的能力的表征值。v 試驗設(shè)備：靜電敏感度測試儀可靠性工程研究所元器件工程部4.2.11與輻射有關(guān)的試驗v （1）輻射總劑量TID(Total Ionizing Dose)v （2）單粒子效應(yīng)SEE(Single-Event Effect)單粒子效應(yīng)分類可靠性工程研究所元器件工程部類型英文縮寫定義單粒子翻

40、轉(zhuǎn)SEU(Single Event Upset)存儲單元邏輯狀態(tài)改變單粒子閂鎖SEL(Single Event Latchup)PNPN結(jié)構(gòu)中的大電流再生狀態(tài)單粒子燒毀SEB(Single Event Burnout)大電流導致器件燒毀單粒子柵穿SEGR(Single Event Gate Rupture)柵介質(zhì)因大電流流過而擊穿單粒子多位翻轉(zhuǎn)MBU(Multiple Bit Upset)一個粒子入射導致存儲單元多個位的狀態(tài)改變單粒子擾動SED(Single Event Disturb)存儲單元邏輯狀態(tài)出現(xiàn)瞬時改變單粒子瞬態(tài)脈沖SET(Single Event Transient)瞬態(tài)電流在混

41、合邏輯電路中傳播，導致輸出錯誤單粒子快速反向SES(Single Event Snapback)NMOS器件中產(chǎn)生的大電流再生狀態(tài)單粒子功能中斷SEFI(Single Event FunctionalInterrupt)一個翻轉(zhuǎn)導致控制部件出錯單粒子位移損傷SPDD(Single Particle Displacement Damage)因位移效應(yīng)造成的永久損傷（晶格錯亂）單粒子位硬錯誤SHE(Single HardError)&Stuck at Bit Error單個位出現(xiàn)不可恢復性錯誤4.2.12塑封器件特殊的可靠性基礎(chǔ)試驗方法可靠性工程研究所元器件工程部最終檢查失效模式失效機理使用的標準

42、可靠性型條件試驗方溫度/濕度偏壓試驗85/85%RH加偏置外觀檢查電性能測試焊線拉起，引線間漏電，芯片/芯片粘附性差，界面剝離，焊接基座腐蝕， 金屬化和/或引線開路電解腐蝕，分層和開裂延伸JESD22-Al01高加速應(yīng)力試驗HAST135/85%RH加偏置外觀檢查電性能測試焊線拉起，引線間漏電， 芯片/芯片基座粘附性差， 界面剝離，焊接基座腐蝕， 金屬化和/或引線開路相互擴散，腐蝕，生長枝狀結(jié)晶、聚合差，粘附性差JESD22-Al10耐焊接熱試驗在100260范圍內(nèi)以40/s的速率變化并在260時保持10 秒聲學掃描外觀檢驗封裝裂紋或界面剝離、分層濕氣進入，產(chǎn)生裂紋和裂紋擴展JESD22-B1

43、06高壓蒸煮試驗121，相對濕度100，15psig。最短試驗時間為96小時聲學掃描外觀檢驗焊線拉起，引線間漏電， 芯片/芯片基座粘附性差， 界面剝離，焊接基座腐蝕， 金屬化和/或引線開路金屬化腐蝕、潮濕進入和分層JESD22-A102-C4.3元器件可靠性壽命試驗v 4.3.1壽命試驗的定義和分類在實驗室里模擬元器件實際工作狀態(tài)或貯存狀態(tài)，投入一定數(shù)量的樣品進行試驗，記錄樣品數(shù)量、試驗條件、失效個數(shù)、失效時間等，試驗結(jié)束后進行統(tǒng)計分析，從而評估元器件的壽命特征、失效規(guī)律，計算元器件的失效率和平均壽命等可靠性特征量。v 分類方法：1按試驗結(jié)束的方式來分類，則可分為定時截尾(試驗達到規(guī)定試驗時間

44、就停止)試驗和定數(shù)截尾(試驗達到規(guī)定的失效數(shù)就停止)試驗；2按試驗時間長短來分類，可分為長期壽命試驗和加速壽命試驗；3長期壽命試驗又可分為長期貯存壽命試驗和長期工作壽命試驗?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.3元器件可靠性壽命試驗（1）長期貯存壽命試驗貯存壽命試驗是指模擬元器件在規(guī)定環(huán)境條件下處于非工作狀態(tài)時，評價其存放壽命的試驗。（2）長期工作壽命試驗工作壽命試驗是指模擬元器件在規(guī)定環(huán)境應(yīng)力條件下，加上負荷使之處于工作狀態(tài)時，評價其工作壽命的試驗。工作壽命試驗又可分為連續(xù)工作壽命試驗和間斷工作壽命試驗。間斷工作壽命試驗可以用于評估大功率器件內(nèi)部耐溫度劇變和電應(yīng)力突變的能力。1000小時以上可靠

45、性工程研究所元器件工程部4.3元器件可靠性壽命試驗4.3.2指數(shù)分布壽命試驗方案的確定元器件的壽命分布為指數(shù)分布，即失效率接近于常數(shù)（1）試驗樣品的抽取方法和數(shù)量的確定受試樣品的多少，將影響可靠性特征量估計的精確度，其一般原則是:樣品數(shù)量大，則試驗時間短，試驗結(jié)果較精確，但測試工作量大，試驗成本高。高可靠、長壽命的樣品數(shù)要多一些。（2）試驗應(yīng)力類型的選擇和應(yīng)力水平的確定v 試驗應(yīng)力類型的選擇視試驗目的而定。v 電子元器件與材料使用狀態(tài)所承受的和導致失效最主要的應(yīng)力是溫度和電應(yīng)力，因此常選用這些應(yīng)力進行壽命試驗。v 試驗應(yīng)力的水平也應(yīng)視試驗目的而定。應(yīng)以不改變元器件在正常使用條件下的失效機理為原

46、則。v 如無特殊規(guī)定，試驗應(yīng)力水平應(yīng)選擇產(chǎn)品技術(shù)標準規(guī)定的額定值。可靠性工程研究所元器件工程部4.3元器件可靠性壽命試驗（3） 測試周期的確定要了解元器件的失效情況或失效分布，各測試周期內(nèi)能比較均衡地測試到失效樣品數(shù)，防止某個測試周期內(nèi)失效過于集中或不必要地增加測試次數(shù)。（4） 試驗截止時間的確定對于低應(yīng)力壽命試驗，常采用定時截尾，即試驗達到規(guī)定時間停止試驗，對于高應(yīng)力下的壽命試驗，常采用定數(shù)截尾，即當累積失效數(shù)或累積失效概率達到規(guī)定值（5） 失效標準或失效判據(jù)在壽命試驗中規(guī)定：只要元器件有一項指標(或參數(shù))超 出了標準就判為失效可靠性工程研究所元器件工程部4.3元器件可靠性壽命試驗（6） 確

47、定應(yīng)測量的參數(shù)和測試方法選擇的測試參數(shù)要能夠顯示失效機理的發(fā)展進程選擇參數(shù)的測量方法時，必須盡量避免對其樣品失效機理的發(fā)展引起促進、減緩或破壞作用，更不能引入新的失效機理。（7） 壽命試驗結(jié)束后數(shù)據(jù)的處理方法v 圖估法和數(shù)值解析統(tǒng)計方法。v 數(shù)值解析法目前最常采用的是點估計和區(qū)間估計。v 點估計法：就是利用數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析，從子樣的觀測值對母體分布的未知參數(shù)真實值給出一個估計數(shù)值的方法得到的是一種近似的估計值，其估計近似程度與子樣的大小和所采用的計算方法有關(guān)。v 區(qū)間估計法：就是利用統(tǒng)計分析對分布的未知參數(shù)給出一個估計范圍的方法?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.4元器件加速壽命試驗技術(shù)4.4.1

48、加速壽命試驗加速壽命試驗就是為解決壽命試驗樣品數(shù)量和試驗時間之間的矛盾，在不改變元器件失效機理的前提下，采用提高試驗應(yīng)力的方法，使其加速失效，利用高應(yīng)力下的壽命特征去外推計算出在正常應(yīng)力條件下的壽命特征量。加速應(yīng)力：機械應(yīng)力、熱應(yīng)力、電應(yīng)力、高濕、鹽霧或其他應(yīng)力?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩客ㄟ^加速壽命試驗可達到以下目的：（1） 解決試驗樣品數(shù)量和試驗時間之間矛盾；（2） 通過數(shù)理統(tǒng)計及外推的方法，獲得有效的可靠性特征數(shù)據(jù)；（3） 預測工作在特定條件下的可靠性；（4） 考核元器件的材料和工藝過程，鑒定和改進元器件的質(zhì)量；（5） 運用加嚴的環(huán)境條件和應(yīng)力條件，檢查元器件是否有異常分布，剔除有缺陷

49、的早期失效的元器件，即對元器件進行可靠性篩選；（6） 通過在加嚴的環(huán)境條件和應(yīng)力條件下的試驗，確定元器件能承受安全應(yīng)力的極限水平；（7） 作為失效率鑒定試驗的一種手段?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩?.4元器件加速壽命試驗技術(shù)4.4.2加速壽命試驗的分類按照施加于元器件的加速應(yīng)力方式不同，加速壽命試驗分為:恒定應(yīng)力加速：應(yīng)力不隨時間變化，確定失效時間的分布序進應(yīng)力加速：應(yīng)力按時間步進，確定失效所對應(yīng)的應(yīng)力步進應(yīng)力加速：應(yīng)力按時間連續(xù)增加，確定影響壽命的應(yīng)力分布.可靠性工程研究所元器件工程部4.4.3加速壽命試驗的理論依據(jù)實現(xiàn)加速壽命試驗的關(guān)鍵是建立壽命特征與應(yīng)力水平之間的關(guān)系，即加速模型。（1）

50、以溫度應(yīng)力為加速變量的加速模型阿倫尼斯模型R(T ) = Ae- Ea / kTR(T): 在溫度為T時的反應(yīng)速度的能量）EA:激活能（引起失效或可靠性工程研究所元器件工程部產(chǎn)品初始狀態(tài)的量為M1，對應(yīng)時間為t1；另一狀態(tài)的量為M2，對應(yīng)時間為t2。溫度T為常數(shù)時，當量M2達到某個值Mp時，則認為該器件失效，而影響到由產(chǎn)品構(gòu)成設(shè)備的性能參數(shù)或工作。這時的時間差(t2-t1)就是產(chǎn)品從t1開始延續(xù)的壽命L。ln L = a + Ea/ kT即 令a=ln(Mp-M1)/A0，待定參數(shù)；L為某壽命特征，如中位壽命，平均壽命等。壽命特征L的對數(shù)與是溫度倒數(shù)的線性函數(shù).它符合化學反應(yīng)器件的壽命L與溫度T的關(guān)系?？煽啃怨こ萄芯克骷こ滩縱v 加速系數(shù)t = t(F ) = exp E( 1- 1 )00at1 (F0 )kT0T1v 阿倫尼斯模型有下述特點：v (1)該模型反映的是產(chǎn)品某特性量與激活能和所施加應(yīng)力的關(guān)系；v (2)阿倫尼斯模型使用的壽命與溫度的表達形式及加速因子都是基于量