1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題,第三章 雙極型晶體管及其放大電路,第四章 場效應(yīng)晶體管及其基本放大電路,第五章 集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用,第六章 負(fù)反饋放大電路,第七章 功率放大電路,第九章 波形發(fā)生和變換電路,第八章 有源濾波器,第一章 電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí),第二章 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路,第十章 直流穩(wěn)壓電源,1-1 哪些是我們在以后學(xué)習(xí)模擬電路中重點(diǎn)要掌握的內(nèi)容？ 解：重點(diǎn)要掌握的內(nèi)容有：電子器件和放大電路、運(yùn)算放大器的應(yīng)用、放大電路的性能指標(biāo)。 1-2 試對照圖1-2電子信息系統(tǒng)的框圖和圖1-10自動(dòng)感應(yīng)節(jié)能燈電路圖，分別寫出信號、信號處理、信號加工、負(fù)載和電源的具體組成部分。（以元器件為核心） 解

2、：0.110HZ、1mV左右的微弱電壓是信號，集成運(yùn)算放大器LM324進(jìn)行信號處理，晶體管V和雙向晶閘管進(jìn)行信號控制，負(fù)載是EL燈， 220V電源電壓經(jīng)過VD1、VD2、VD3組成直流電源。,第一章 思考題與習(xí)題,一、填空題 1. 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于_導(dǎo)體_和_絕緣體_之間的物質(zhì)。 2. 利用半導(dǎo)體的_雜敏_特性，制成雜質(zhì)半導(dǎo)體；利用半導(dǎo)體的_光敏_特性，制成光敏電阻；利用半導(dǎo)體的_熱敏_特性，制成熱敏電阻。 3. PN結(jié)加正向電壓時(shí)_導(dǎo)通_，加反向電壓時(shí)_截止_，這種特性稱為PN結(jié)_單向?qū)щ娦訽特性。 4. PN結(jié)正向偏置時(shí)P區(qū)的電位_高于_N區(qū)電位。 5. 二極管正向?qū)ǖ淖钚‰妷悍Q為_

3、正向電壓_電壓，使二極管反向電流急劇增大所對應(yīng)的電壓稱為_反向擊穿電壓_電壓。,第二章 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路,6. 二極管最主要的特點(diǎn)是_單向?qū)щ娦訽，使用時(shí)應(yīng)考慮的兩個(gè)主要參數(shù)是_最大整流電流_和_最高反向工作電壓_。 7. 半導(dǎo)體二極管加反向偏置電壓時(shí)，反向峰值電流越小，說明二極管的_單向?qū)щ娦阅茉胶胈的性能越好。 8. 半導(dǎo)體二極管分為點(diǎn)接觸型，面接觸型和平面型3種，通常_面接觸型_流過電流最大，_點(diǎn)接觸型_流過電流最小。對工作頻率而言，_點(diǎn)接觸型的_最高，_平面型的_最低。 9. 理想二極管正向電阻為_零_，反向電阻為_無窮大_，這兩種狀態(tài)相當(dāng)于一個(gè)_理想的開關(guān)_。 10. 穩(wěn)壓管

4、工作在伏安特性的_反向特性區(qū)_，在該區(qū)內(nèi)的反向電流有較大變化，但它兩端的電壓_幾乎不變_。,11. 當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的正向特性曲線將_左移_，反向特性曲線將_下移_。 12. 當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的正向電壓將_減小_，反向擊穿電壓_減小_，反向電流_增加_。 13. 整流電路的作用是_將交流電壓轉(zhuǎn)變成直流電壓_，核心元器件是_二極管_。 14. 濾波電路的作用是_脈動(dòng)的直流電壓變成平滑的直流電壓_，濾波電路包含有_儲(chǔ)能_元件。 15. 單相半波整流和單相橋式整流相比，脈動(dòng)比較大的是_單相半波整流_，整流效果好的是_單相橋式整流_。 16. 在單相橋式整流電路中，如果任意一個(gè)二極管反接，則_

5、電路燒毀_，如果任意一個(gè)二極管虛焊，則_變成單相半波整流_。,二、選擇題 1. 在半導(dǎo)體材料中，其正確的說法是（ C ）。 AP型半導(dǎo)體中由于多數(shù)載流子為空穴，所以它帶正電 BN型半導(dǎo)體中由于多數(shù)載流子為電子，所以它負(fù)正電 CP型和N型半導(dǎo)體材料本身都不帶電。 2. 二極管的導(dǎo)通條件是（ B ）。 A B 死區(qū)電壓 C 擊穿電壓 3. 硅二極管的正向電壓在0.7V的基礎(chǔ)上增加，它的電流（ C ）。 A基本不變 B增加 C增加以上 4. 硅二極管的正向電壓在0.3V的基礎(chǔ)上增加，它的電流（ C ）。 A基本不變 B增加 C增加以上 5. 當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（ A ）。 A增大

6、B不變 C減小,6. 當(dāng)溫度為時(shí)，二極管的導(dǎo)通電壓為0.7V，若其他參數(shù)不變，當(dāng)溫度升高到時(shí)時(shí)，二極管的導(dǎo)通電壓將（ B ）。 A等于0.7V B小于0.7V C大于0.7V 7. 二極管電路如圖2-51所示，V，二極管均為理想元件，則輸出電壓為（ A ）。 A0V B3V C6V D9V 圖2-51,8. 二極管電路如圖2-52所示，二極管均為理想元件，則輸出電壓為（ A ）。 A-2V B0V C4V D10V 9. 穩(wěn)壓管電路如圖2-53所示，穩(wěn)壓管VS1的穩(wěn)壓值為9V，VS2的穩(wěn)壓值為15V，輸出電壓等于（ B ）。 A15V B9V C24V 圖2-52 圖2-53,10. 電路如圖

7、2-54所示，VD1 VD3為理想二極管，HA、HB、HC是三只相同的白熾燈，其中最亮的燈是（ A ）。 AHB BHC CHA 圖2-54 11. 理想二極管橋式整流和電阻性負(fù)載電路中，二極管承受的最大反向電壓為（ B ）。 A小于 B等于 C大于,12. 圖2-55所示三個(gè)整流電路(a)、(b)、(c)，變壓器二次電壓，負(fù)載電壓的波形如圖(d)所示，符合該波形的電路是（ C ）。 圖2-55,三、判斷題 1. 在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。 （ ） PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。 （ ） 3. 在二極管的反向截止區(qū)，反向電流隨反向電壓增大而增大

8、。 （ ） 4. 如果穩(wěn)壓管工作電流，則管子可能被損壞。 （ ） 5. 橋式整流電路中，流過每個(gè)二極管的平均電流相同，都只有負(fù)載電流一半。（ ） 6. 當(dāng)變壓器中心抽頭式全波整流電路和橋式整流電路的輸入電壓相同時(shí)，它們的輸出電壓波形相同，每個(gè)二極管承受的反向電壓相同。 （ ）,四、分析計(jì)算題,解：,第三章 思考題與習(xí)題 一、 填空 1. 晶體管從結(jié)構(gòu)上看可以分成_PNP_和_NPN_兩種類型。 2. 晶體管工作時(shí)有_兩種_載流子參與導(dǎo)電，因此晶體管又稱為_雙極型_晶體管。 3. 晶體管具有放大作用的外部條件是_發(fā)射_結(jié)正向偏置，_集電_結(jié)反向偏置。 4. 設(shè)晶體管的壓降不變，基極電流為20A時(shí)

9、，集電極電流等于2mA，則_100_。若基極電流增大至25A，集電極電流相應(yīng)地增大至2.6mA，則_120_。 5. 某三極管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20A，穿透電流則其集電極電流_0.98mA_，電流放大系數(shù)_49_。 6. 當(dāng)晶體管工作在_放大_區(qū)時(shí)，才成立，此時(shí)，發(fā)射結(jié)_正向_偏置，集電結(jié)_反向_偏置。 7. 當(dāng)晶體管工作在_飽和_區(qū)時(shí)，。此時(shí)，發(fā)射結(jié)_正向_偏置，集電結(jié)_正向_偏置。 8. 當(dāng)NPN硅管處在放大狀態(tài)時(shí)，在三個(gè)電極電位中，以_集電_極的電位最高，_發(fā)射_極的電位最低，_基極_極和_發(fā)射_極電位差等于_0.7V _。 9. 當(dāng)PNP硅管處在放大狀態(tài)時(shí)，在三個(gè)電極

10、電位中，以_發(fā)射_極的電位最高，_集電_極的電位最低，等于_0.7V_。,10. 晶體管放大電路中，三個(gè)電極的電位分別為 ， ， ，試判斷晶體管的類型是_PNP_，材料是_鍺_。 11. 溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大系數(shù)將_增加_，穿透電流將_增加_，發(fā)射極電壓將_減小_。 12 溫度升高時(shí)，晶體管的共射輸入特性曲線將_左_移，輸出特性曲線將_上_移，而且輸出特性曲線的間隔將變_大_。 13. 查閱電阻器件手冊，了解下列常用晶體管的極限參數(shù)，并填寫在表3-5中。,14. 某放大電路，當(dāng)輸入電壓為10mV時(shí)，輸出電壓為6.5V；當(dāng)輸入電壓為15mV時(shí)，輸出電壓為7V。則該電路的電壓增益為_100

11、_。 15. 直流放大器能放大_交、直流信號_，交流放大器能放大_交流信號_。 16. 當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏低時(shí)，會(huì)引起_截止_失真，單級共射放大電路輸出電流波形的_底部_半周產(chǎn)生削波，需將基極上偏置電阻的值調(diào)_小_。 17. 當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏高時(shí)，會(huì)引起_飽和_失真，單級共射放大電路輸出電壓波形的_底部_半周產(chǎn)生削波，需將基極上偏置電阻的值調(diào)_大_。 18. 造成放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定的因素很多，其中影響最大的是_溫度升高_(dá)。 19. 三種基本組態(tài)的放大電路中，與相位相反的是_共射_電路，與相位相同的是_共集和共基_電路。,20. 三種基本組態(tài)的放大電路中，有電壓放大無電流放大的是_共基_

12、電路，有電流放大無電壓放大的是_共集_電路，既有電壓放大又有電流放大的是_共射_電路。 21. 分壓式偏置的共射極放大電路圖3-19中的作用是_穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)_。 22. 多級放大電路常見的耦合方式有_阻容耦合_、_直接耦合_、_變壓器耦合_。 23. 直接耦合放大電路既能放大_直流_信號，又能放大_交流_信號，但它存在零漂的問題需要考慮解決。 24. 多級放大電路與單級放大電路相比，電壓增益變_大_，通頻帶變_窄_。,二、 選擇題 1. 當(dāng)晶體管的兩個(gè)PN結(jié)都反偏時(shí)，則晶體管處于（ A ）。 A截止?fàn)顟B(tài) B飽和狀態(tài) C放大狀態(tài) D擊穿 2. 當(dāng)晶體管的兩個(gè)PN結(jié)都正偏時(shí)，則晶體管處于（ B

13、）。 A截止?fàn)顟B(tài) B飽和狀態(tài) C放大狀態(tài) D擊穿 3. 測得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對地電位分別為6V、5.3V和-6V，則該晶體管的類型為（ A ）。 A 硅PNP型 B硅NPN型 C鍺PNP型 D 鍺NPN型 4. 測得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對地電位分別為8V、2.3V和2V，則該晶體管的類型為（ D ）。 A 硅PNP型 B硅NPN型 C鍺PNP型 D 鍺NPN型 5. 測得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對地電位分別為6V、5.3V和12V，則該晶體管的類型為（ B ）。 A 硅PNP型 B硅NPN型 C鍺PNP型 D 鍺NPN型,6. 測得放大電路中某晶體管的三個(gè)電極對地電位分

14、別為6V、5.7V和-6V，則該晶體管的類型為（ C ）。 A 硅PNP型 B硅NPN型 C鍺PNP型 D 鍺NPN型 7. 檢查放大器中晶體管在靜態(tài)時(shí)是否進(jìn)入截止區(qū)，最簡單的方法是測量（ B ）。 A B C D 8. 放大器中晶體管在靜態(tài)時(shí)進(jìn)入飽和區(qū)的條件是（ A ）。 A B C死區(qū)電壓 D導(dǎo)通電壓 9. 工作在放大狀態(tài)的雙極型晶體管是（ A ）。 A 電流控制型 B電壓控制型 C不可控元件 10. 用直流電壓表測得晶體管電極1、2、3的電壓分別為 ， ， ，則三個(gè)電極為（ C ）。 A1為e；2為b；3為c B1為e；2為c；3為b C1為b；2為e；3為c D1為b；2為c；3為e,

15、11. 用直流電壓表測得晶體管電極1、2、3的電壓分別為 ， ， ，則三個(gè)電極為（ B ）。 A1為e；2為b；3為c B1為e；2為c；3為b C1為b；2為e；3為c D1為b；2為c；3為e 12. 處于放大狀態(tài)的NPN型晶體管，各電極的電位關(guān)系是（ C ）。 A B C D 13. 處于放大狀態(tài)的PNP型晶體管，各電極的電位關(guān)系是（ B ）。 A B C D 14. 晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一組曲線來表示，其中每一條曲線對應(yīng)一個(gè)特定的（ D ）。 A B C D 15. 放大電路的三種組態(tài)，都有（ C ）放大作用。 A電壓 B電流 C功率 D都沒有,16. 某晶體管的發(fā)射極電流等于1

16、mA，基極電流等于20A，正常工作時(shí)，它的集電極電流等于（ A ）。 A0.98mA B1.02mA C0.8mA D1.2mA 17. 固定偏置放大電路中，晶體管的，若將該管調(diào)換為的另一個(gè)晶體管，則該電路中晶體管集電極電流將（ A ）。 A增加 B減少 C基本不變 18. 測得某放大電路負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V，接入2k的負(fù)載后，測得輸出電壓降為2.5V，則該放大電路的輸出電阻為（ C ）。 A1.2k B1.6k C3.2k D10k 19. 固定偏置共射極放大電路，已知 ， ， ，忽略 ，若要使靜態(tài)時(shí) ，則 應(yīng)取（ C ）。 A600k B240k C480k D360k 20. 固定

17、偏置共射極放大電路 ， ， ， ，則該電路中晶體管工作在（ B ）。 A放大區(qū) B飽和區(qū) C截止區(qū) D無法確定,21. 固定偏置共射極放大電路 ， ， ， ，則該電路中晶體管工作在（ A ）。 A放大區(qū) B飽和區(qū) C截止區(qū) D無法確定 22. 單級共射極放大電路，輸入正弦信號，現(xiàn)用示波器觀察輸入電壓和晶體管集電極電壓的波形，二者相位（ B ）。 A相差 B相差 C相差 D相差 23. 單級共基極放大電路，輸入正弦信號，現(xiàn)用示波器觀察輸入電壓和晶體管集電極電壓的波形，二者相位（ A ）。 A相差 B相差 C相差 D相差,24. 圖3-63所示共射放大電路中，晶體管，。問：當(dāng)開關(guān)與A處相接時(shí)，晶體

18、管處于（ A ）狀態(tài)；開關(guān)與B相接時(shí)，晶體管處于（ B ）狀態(tài)；開關(guān)與C相接時(shí)，晶體管處于（ C ）狀態(tài)。 A放大 B飽和 C截止 圖3-63,25. 有兩個(gè)電壓放大倍數(shù)的放大電路A和B，分別對同一具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大，在相同的負(fù)載電阻的情況下，測得，則知B放大電路的（ C ）。 A輸入電阻小 B輸入電阻大 C輸出電阻小 D輸出電阻大 26. 直接耦合放大電路能放大（ C ）。 A直流信號 B交流信號 C交直流信號 27. 阻容耦合放大電路能放大（ B ）。 A直流信號 B交流信號 C交直流信號 28. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于（A）的存在

19、。 A耦合電容與旁路電容 B極間電容和分布電容 C晶體管的非線性 29. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號，高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于（B）的存在。 A耦合電容與旁路電容 B極間電容和分布電容 C晶體管的非線性 30. 兩個(gè)相同的單級共射放大電路空載時(shí)的電壓放大倍數(shù)均為30，現(xiàn)將它們級連后組成一個(gè)兩級放大電路，則總的電壓放大倍數(shù)（ C ）。 A等于60 B等于900 C小于900 D大于900,31. 已知兩級放大電路，則電路總的電壓放大倍數(shù)為（ B ）。 A100 B1000 C110 D1100 32. 已知三級放大電路，則電路總的電壓放大倍數(shù)為（ A ）dB。 A80 B10

20、C50 D1800,三、判斷題 1. 既然晶體管是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，而二極管內(nèi)部就包含一個(gè)PN結(jié)，因此可以用兩個(gè)二極管反向串接來構(gòu)成晶體管。 （ ） 2. 晶體管只有測得才工作在放大區(qū)。（ ） 3. 晶體管集電極和基極上的電流總能滿足的關(guān)系。 （ ） 4. 只有電路既放大電流又放大電壓，才稱其有放大作用。 （ ） 5. 可以說任何放大電路都有功率放大作用。（ ） 6. 電路中各電量的交流成份是交流信號源提供的。（ ）,7. 放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作。 （ ） 8. 由于放大的對象是變化量，所以當(dāng)輸入信號為直流信號時(shí)，任何放大電路的輸出都毫無變化。 （ ） 9. 只要是共射放大

21、電路，輸出電壓的底部失真都是飽和失真。 （ ） 10. 用微變等效電路可以分析放入器的輸入電阻和輸出電阻，因此也可以用來計(jì)算放大器的放大倍數(shù)。 （ ） 11. 利用微變放大電路，可以很方便地分析計(jì)算小信號輸入時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)。 （ ）,12. 放大器的電壓放大倍數(shù)隨負(fù)載而變化，負(fù)載愈高，電壓放大倍數(shù)愈大。 （ ） 13. 射極輸出器即共集電極放大器，其電壓放大倍數(shù)小于，輸入電阻小，輸出電阻大。（ ） 14. 射極輸出器因其電壓放大倍數(shù)小于，不能起緩沖、隔離作用，實(shí)際工作中很少使用。 （ ） 15. 阻容耦合多級放大電路各級的靜態(tài)工作點(diǎn)相互獨(dú)立，它只能放大交流信號。 （ ） 16. 直接耦合多級放

22、大電路各級的靜態(tài)工作點(diǎn)相互影響，它只能放大直流信號。 （ ） 只有直接耦合放大電路中晶體管的參數(shù)才隨溫度而變化， （ ） 18. 多級放大器的通頻帶比組成它的各級放大器的通頻帶窄，級數(shù)愈少，通頻帶愈窄。 （ ）,四、分析計(jì)算題,第五章 思考題與習(xí)題解答,解：,6-4 判斷圖6-28所示電路的反饋極性及反饋量（交、直流）。,a) 負(fù)反饋 交流,b) 負(fù)反饋 交流,c) 正反饋 交流,d) 負(fù)反饋 交流,e) 負(fù)反饋 交直流,6-5 判斷圖6-29所示電路的級間反饋極性。,6-6 判斷圖6-30所示各電路的反饋組態(tài)。,電流并聯(lián)交直流負(fù)反饋,R6：電流并聯(lián)直流負(fù)反饋,R7：電流并聯(lián)交直流負(fù)反饋,電流

23、串聯(lián)交流正反饋,電壓并聯(lián)交流負(fù)反饋,電壓串聯(lián)交流正反饋,電壓串聯(lián)交直流負(fù)反饋,6-7 如圖6-31所示的兩個(gè)電路中集成運(yùn)放的最大輸出電壓為12V。試分別說明，在下列三種情況下，是否存在反饋？若有是何反饋類型？輸出電壓是多少？ (1)當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)； (2)當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí)； (3)當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)。,當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)：有反饋，電壓串聯(lián)正反饋，輸出電壓不是12V就是-12V 當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí): 有反饋，電壓并聯(lián)負(fù)反饋，輸出電壓為4.5V 當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)：無反饋,6-7 如圖6-31所示的兩個(gè)電路中集成運(yùn)放的最大輸出電壓為12V。試分別說明，在下列三種情況下，是否存在反饋？若有是何反饋類型？輸出電壓是多少？

24、(1)當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)； (2)當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí)； (3)當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)。,當(dāng)m點(diǎn)接a點(diǎn)時(shí)：有反饋，電壓并聯(lián)正反饋，輸出電壓不是12V就是-12V 當(dāng)m點(diǎn)接b點(diǎn)時(shí): 有反饋，電壓串聯(lián)負(fù)反饋，輸出電壓為5V 當(dāng)m點(diǎn)接地時(shí)：無反饋,6-9 有一反饋電路開環(huán)放大倍數(shù)A=105，反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)為F=0.1，反饋組態(tài)為電壓并聯(lián)負(fù)反饋，試計(jì)算： （1）引入反饋后，輸入電阻和輸出電阻如何變化？變化了多少？ （2）閉環(huán)放大倍數(shù)穩(wěn)定性提高了多少倍？若 為25%，問 為多少？ 解：（1）由于并聯(lián)負(fù)反饋會(huì)使輸入電阻減小，其反饋后的電阻值與無反饋時(shí)的電阻關(guān)系是：,6-10 假設(shè)在深度負(fù)反饋條件下，估算圖6-32的閉環(huán)電

25、壓放大倍數(shù)。 解：,第七章 功率放大電路思考題與習(xí)題 7-1填空題 （1） 功率放大電路按三極管靜態(tài)工作點(diǎn)的位置不同可分為_A（甲）_類、_B（乙）_類、_AB（甲乙）_類。 （2）A類放大電路是指放大管的導(dǎo)通角等于 360 ，乙類放大電路的導(dǎo)通角等于 180，在甲乙類放大電路中，放大管導(dǎo)通角為 180-360 。 (3）B類互補(bǔ)推挽功率放大電路的 效率 較高，在理想情況下其值可達(dá) 78.5% 。但這種電路會(huì)產(chǎn)生一種被稱為 交越 失真的非線性失真現(xiàn)象。為了消除這種失真，應(yīng)當(dāng)使推挽功率放大電路工作在 AB 類狀態(tài)。 （4）由于在功放電路中功放管經(jīng)常處于極限工作狀態(tài)，因此，在選擇功放管時(shí)要特別注意

26、 ICM 、U（BR）CEO 和 PCM 三個(gè)參數(shù)。,（5）設(shè)計(jì)一個(gè)輸出功率為20W的擴(kuò)音機(jī)電路，若用B類OCL（即雙電源)互補(bǔ)對稱功放電路，則應(yīng)選至少為 4W 的功率管兩個(gè)。 （6）功率放大電路主要研究的指標(biāo)是_效率_ 、_輸出功率_、_失真度 _ 。,7-2 選擇填空題 （1）甲類單管功率放大電路結(jié)構(gòu)簡單，但最大缺點(diǎn)是 D 。 A有交越失真 B易產(chǎn)生自激 C效率低 D效率低，耗電量大 （2）互補(bǔ)對稱功放電路的放大作用是 C 。 A只對電壓有放大作用 B 對電壓和電流均有放大作用 C只對電流有放大作用 D對電壓和電流均無放大作用 （3）在互補(bǔ)對稱功率放大電路中。引起交越失真的原因是 D 。

27、A輸入信號過大 B晶體管值太大 C電源電壓太高 D晶體管輸入特性曲線的非線性 （4）作為輸出級的互補(bǔ)對稱電路常采用的接法是 C 。 A共射 B共基 C共集 D無所謂,（5）電路最大不失真輸出功率是指輸入信號幅值足夠大，而輸出信號基本不失真且幅值最大時(shí) D 。 A晶體管得到的最大功率 B電源提供的最大功率 C負(fù)載上獲得的最大直流功率 D負(fù)載上獲得的最大交流功率 （6）功率放大電路與電壓放大電路的共同點(diǎn)是 C A都使輸出電壓輸入電壓；B都使輸出電流大于輸入電流； C都使輸出功率大于信號源提供的輸入功率。 （7）功率放大電路與電壓放大電路的區(qū)別是 D 。 A前者比后者電源電壓高；B前者比后者電壓放大

28、倍數(shù)數(shù)值大； C前者比后者效率高； D在電源電壓相同的情況下，前者比后者的最大不失真輸出功率大。,（8）OTL電路輸出耦合電容的作用是 C 。 A隔直耦合 B對地旁路 C相當(dāng)于提供負(fù)電源 （9）由于功放電路的輸入和輸出信號幅度都較大，所以常用 B 法進(jìn)行分析計(jì)算。 A微變等效電路 B 圖解分析 C最大值估算 D 交流通道,7-3判斷題(正確的在括號內(nèi)畫，錯(cuò)誤的畫) （1）當(dāng)A類功放電路的輸出功率為零時(shí)，管子消耗的功率最大。 ( ) （2）在功率放大電路中，輸出功率最大時(shí)，功放管的功率損耗也是最大。（ ） （3）在輸入電壓為零時(shí)，AB類互補(bǔ)推挽功放電路中的電源所消耗的功率是兩個(gè)管子的靜態(tài)電流與電

29、源電壓的乘積。 ( ) （4）在管子的極限參數(shù)中，集電極最大允許耗散功率，是集電極最大電流與基極開路時(shí)集電極一發(fā)射極問反向擊穿電壓的乘積。( ) （5）只有當(dāng)兩個(gè)三極管的類型相同時(shí)才能組成復(fù)合管。 ( ) （6）復(fù)合管的類型(NPN或PNP)與組成它的最前面的管子類型相同 ( ),7-4 在如圖7-27所示電路中，已知 ， ， V1管和V2管的飽和管壓降 ，輸入電壓足夠大。試問： （1）最大輸出功率 和效率 各為多少? （2）晶體管的最大功耗 為多少? （3）為了使輸出功率達(dá)到 ，輸入電壓的有效值約為多少?,7-7 如圖7-30所示為一未畫全的功率放大電路。要求： （1）畫上三極管V1V2管的

30、發(fā)射極箭頭，使之構(gòu)成一個(gè)完整的準(zhǔn)互補(bǔ)OTL功率放大電路； （2）說明VD1、VD2、 和 的作用； （3）已知電路的最大輸出功率 ，估算V3、V4管集電極一發(fā)射極的最小電壓降。,7-8 OTL互補(bǔ)對稱功放如圖7-31（a）所示，試問： （1）三極管V1、V2 、V3、V4為哪那種工作方式? （2）靜態(tài)時(shí)，電容C兩端電壓應(yīng)是多少？調(diào)整哪個(gè)電阻能滿足這一要求？ （3）動(dòng)態(tài)時(shí)，如輸出電壓出現(xiàn)圖7-31（b）示的波形，則為何種失真？應(yīng)調(diào)整哪個(gè)電阻？如何調(diào)整？ （a）電路 （b）輸出波形,第8章思考題與習(xí)題 8-1填空題 （1）在f=0或f時(shí)的電壓放大倍數(shù)均等于零的電路是_帶通_濾波器。 （2）一階RC

31、高通電路截止頻率決定于 時(shí)間常數(shù) 的倒數(shù)，在截止頻率處輸出信號比通帶內(nèi)輸出信號小 -3 dB。 （3）一階濾波電路阻帶幅頻特性以 -20 dB /十倍頻斜率衰減，二階濾波電路則以 -40 dB /十倍頻斜率衰減。階數(shù)越 高 ，阻帶幅頻特性衰減的速度就越快，濾波電路的濾波性能就越好。 （4）在理想情況下，_帶阻_濾波器在 和 的電壓放大倍數(shù)相等，且不為零。,（5）_低通_濾波器的直流電壓放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。 （6）在理想情況下，_高通 _濾波器在的電壓放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。 （7）根據(jù)工作信號頻率范圍濾波器可以分為：低通濾波器 、 高通濾波器 、 帶通濾波器 及 帶阻濾

32、波器 。 （8）設(shè)某一階有源濾波電路的電壓放大倍數(shù)為 ， 則此濾波器為 低通 濾波器，其通帶放大倍數(shù)為 200 ，截止頻率為 200 。,8-2 選擇填空題 （1）帶阻濾波器可以由 A 組成。 A低通濾波電路和高通濾波電路并聯(lián) B低通濾波電路和高通濾波電路串聯(lián) C帶通濾波電路和反相器串聯(lián) D帶通濾波電路和減法電路串聯(lián)效率低，耗電量大 （2）某電路有用信號頻率為2kHz，可選用 C 。 A低通濾波器 B高通濾波器 C帶通濾波器 D帶阻濾波器 （3）在有源濾波器中運(yùn)算放大器和在滯回比較器中，運(yùn)算放大器分別工作在 B 。 A截止區(qū)，非線性區(qū) B線性區(qū)，非線性區(qū) C飽和區(qū)，線性區(qū) D線性區(qū)，線性區(qū) （

33、4）抑制50Hz交流電源的干擾和從輸入信號取出頻率低于2kHz的信號，分別應(yīng)采用 C 。 A低通濾波器，低通濾波器 B高通濾波器，低通濾波器 C帶通濾波器，低通濾波器 D帶阻濾波器，高通濾波器,8-3是非題 （1）高通濾波器的通頻帶是指電壓的放大倍數(shù)不變的頻率范圍。（ ） （2）在帶阻濾波器的阻帶內(nèi)，所有頻率信號的電壓放大倍數(shù)一定低于通帶的放大倍數(shù)。（ ） （3）全通濾波器也是直流放大器。（ ） （4）濾波器中的運(yùn)算放大電路工作在線性狀態(tài)，所以濾波電路中只引入了負(fù)反饋。（ ）,8-6 試判斷圖8-21中各電路是什么類型的濾波器（是低通、高通、帶通、還是帶阻濾波器，是有源還是無源濾波，幾階濾波？

34、）。 解：（a）是二階低通濾波器，（b）是雙T帶阻濾波器， （c）是一階高通濾波器，（d）是二階帶通濾波器。,8-7 圖8-21所示電路為一個(gè)一階 低通濾波電路。試推導(dǎo)電路 的電壓放大倍數(shù)，并求出 -3dB截止頻率。 解：這是一階有源低通濾波器，截止頻率即-3dB頻率,第9章 思考題與習(xí)題 9-1 選擇填空 （1）自激振蕩是電路在_B_的情況下，產(chǎn)生了有規(guī)律的、持續(xù)存在的輸出波形的現(xiàn)象。 A.外加輸入激勵(lì)信號 B.無輸入信號 C.無反饋信號 （2）根據(jù)輸出波形的特點(diǎn)，振蕩電路分為_D_兩種類型。 A.方波和矩形波 B.鋸齒波和三角波 C.矩形波和正弦波 D.正弦波和非正弦波 （3）正弦波振蕩電

35、路產(chǎn)生振蕩的條件是_B_ ，為使電路起振應(yīng)滿足_D_ 。 A. B. C. D. （4）在弦波振蕩電路中，能產(chǎn)生振蕩的想為平衡條件是_C_ 。 A. B. C. D.,（5）根據(jù)_C_的元件類型不同，將正弦波振蕩電路分為RC、LC和石英晶體振蕩器。 A.放大電路 B.反饋網(wǎng)絡(luò) C.選頻網(wǎng)絡(luò) D. 穩(wěn)幅環(huán)節(jié) （6）產(chǎn)生低頻正弦波一般可用_A_ 振蕩器；產(chǎn)生高頻正弦波可選用_B_ 振蕩器；產(chǎn)生頻率穩(wěn)定度很高的正弦波可選用_C_ 振蕩器。 A. RC B. LC C.石英晶體 （7）LC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)在諧振時(shí)呈_B_，在信號頻率大于諧振頻率時(shí)_A_，在信號頻率小于諧振頻率時(shí)呈_C_。 A.容性 B.阻性

36、C.感性 （8）石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度很高是因?yàn)開B_。 A低的Q值 B高的Q值 C小的接入系數(shù) D. 大的電阻,9-2 填空題 （1）根據(jù)石英晶體的頻率特性，當(dāng)=S時(shí)，石英晶體呈_電阻_性，在SP很窄頻率范圍內(nèi)石英晶體呈_電感_性；當(dāng)S或P時(shí)，石英晶體呈_電容_性。 （2）正弦波振蕩電路主要有_放大電路_、_反饋網(wǎng)絡(luò)_、_選頻網(wǎng)絡(luò)_、_穩(wěn)幅環(huán)節(jié)_組成。 （3）LC三點(diǎn)式振蕩器電路組成的相位平衡判別是與發(fā)射極相連接的兩個(gè)電抗元件必須 同性質(zhì)符號 ，而與基極相連接的兩個(gè)電抗元件必須為 相反的 。,9-3 判斷圖9-25所示各電路是否可能產(chǎn)生正弦波振蕩？說明不能產(chǎn)生振蕩的理由。,9-6 正弦波

37、振蕩電路如圖圖9-28所示，已知R1=2k，R2=4.5k，Rw在05 k范圍內(nèi)可調(diào)，設(shè)運(yùn)放A是理想的，振幅穩(wěn)定后二極管的動(dòng)態(tài)電阻近似為 =500。 （1）求Rw的阻值； （2）計(jì)算電路的振蕩頻率fo。 解：(1) 振蕩，AF=1，則 (2),9-7 根據(jù)相位條件分別判斷圖9-29電路能否振蕩。 （a） （b） （c） 解：（a）不能 （b）能 （c）能,（e） （f） （g） 解： (e) 不能 （f）不能 （g）能,（g） （h） 解： （g）能 （h）不能,9-9 試用相位平衡條件判斷圖9-27所示的各個(gè)電路是否可能產(chǎn)生自激振蕩。對不能產(chǎn)生自激振蕩的電路進(jìn)行改接，使之滿足相位平衡條件，請

38、畫出改進(jìn)后的電路。 （a） （b） 解：應(yīng)在（a）所示電路電感反饋回路中加耦合電容。 應(yīng)在（b）所示電路電感反饋回路中加耦合電容。,（c） （d） 解：應(yīng)在（c）所示電路放大電路的輸入端（基極）加耦合電容，且將變壓器的同銘端改為原邊的上端和副邊的上端為同銘端，或它們的下端為同銘端。 應(yīng)在（d）去掉CE,9-12 電路如圖9-34所示。 （1）分別說明A1和A2各構(gòu)成哪種基本電路； （2）求出uO1與uO的關(guān)系曲線uO1f（uO）； （3）求出uO與uO1的運(yùn)算關(guān)系式uOf（uO1）； （4）定性畫出uO1與uO的波形； （5）說明若要提高振蕩頻率，則可以改變哪些電路參數(shù)，如何改變。,9-14

39、電路如圖9-36所示。 （1）試說明A1、A2分別構(gòu)成什么電路； （2）定性畫出uO1、uO的波形； （3）若要調(diào)整輸出波形，則可以改變哪些電路參數(shù)？ 如何改變？ 解：（1）A1構(gòu)成同相輸入的滯回電壓比較器，A2構(gòu)成充放電回路不同的積分電路，A1、A2共同組成鋸齒波發(fā)生電路。,（2）,（3）調(diào)整R1、R2的阻值可以改變uO的幅值，調(diào)整R1、R2、R5、R6的阻值和C的容量可以改變uO的頻率，調(diào)整R5、R6的阻值可以改變uO的上升和下降的斜率。,第十章思考題與習(xí)題 10-1 選擇填空 （1）串聯(lián)型穩(wěn)壓電路中的放大環(huán)節(jié)所放大的對象是 C 。 A基準(zhǔn)電壓 B取樣電壓 C基準(zhǔn)電壓與取樣電壓之差 （2）

40、開關(guān)型直流電源比線性直流電源效率高的原因是 A 。 A調(diào)整管工作在開關(guān)狀態(tài) B輸出端有LC濾波電路 C可以不用電源變壓器 （3）在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中，對調(diào)整管基極控制信導(dǎo)的要求是 A 。 A周期不變，占空比增大 B頻率增大，占空比不變 C在一個(gè)周期內(nèi)，高電平時(shí)間不變，周期增大,（4）現(xiàn)有4個(gè)穩(wěn)壓電源，請根據(jù)以下要求，選取合適的穩(wěn)壓電源。,（5）固定式三端穩(wěn)壓電路78L06的輸出電壓、輸出電流為 B 。 A5V、100mA B6V、100mA C6V、100mA D5V、600mA,10-1 填空題 （1）小功率直流穩(wěn)壓電路一般由 調(diào)整管 、 比較放大 、 基準(zhǔn)電壓 和 取樣電路 等

41、四部分組成。 （2）當(dāng)電網(wǎng)電壓上升10%，穩(wěn)壓電路的輸出電壓由10V上升10.02V，則電路的穩(wěn)壓系數(shù)為 0.02 。 （3）線性直流電源中的調(diào)整管工作在 放大狀態(tài) ，開關(guān)型直流電源中的調(diào)整管工作在 開關(guān)狀態(tài) 。,（4）在圖10-32所示電路中，調(diào)整管為 V1 ，采樣電路由 R1、R2、R3 組成，基準(zhǔn)電壓電路由 R、DZ 組成， 比較放大電路由 V2、Rc 組成， 保護(hù)電路由 R0、V3 組成；輸出電壓最小值的表達(dá)式 為 ，最大值的表達(dá)式 為 。,10-3 電路如圖10-33所示，已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為6V，最小穩(wěn)定電流為5mA，允許耗散功率為240mw，動(dòng)態(tài)電阻小于15。試問： (1)當(dāng)輸

42、入電壓為2024v、RL為200600時(shí)，限流電阻R的選取范圍是多少? (2)若R390，則電路的穩(wěn)壓系數(shù)Sr為多少？,10-8 某儀器需要一組直流輸出電壓，請根據(jù)學(xué)過的知識(shí)畫出合適電路。具體要求是：輸入電壓220V、50HZ、輸出電壓和電流分別是+12V/400mA、5V/10mA。 解：,10-10 由理想運(yùn)放A組成的穩(wěn)壓電路如圖10-36所示， ， 。 （1）說明V2和R3電路的作用； （2）改變RP，求輸出電壓UO的變化范圍； （3）求輸出電流的最大值及V1的集電極最大容許功耗。,解：（1）V2和R3電路組成限流型過流保護(hù)電路 （2） （3）,8-1 選擇題 1）一輸入為十位二進(jìn)制（n=10）的倒T 型電阻網(wǎng)絡(luò)DAC 電路中，基準(zhǔn)電壓提供電流為 。 A. B. C. D. 2）權(quán)電阻網(wǎng)絡(luò)DAC電路最小輸出電壓是 。 A. B. C. D. 3）在D/A轉(zhuǎn)換電