ICS31200 L56 . 中 華 人 民 共 和 國 國 家 標 準 GB/T158782015 代替 GB/T158781995 半導(dǎo)體集成電路 小外形封裝引線框架規(guī)范 Semiconductorintegratedcircuits Specificationofleadframesforsmalloutlinepackage2015-05-15發(fā)布 2016-01-01實施 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 發(fā) 布 中 國 國 家 標 準 化 管 理 委 員 會GB/T158782015 目 次 前言 范圍1 1 規(guī)范性引用文件2 1 術(shù)語和定義3 1 技術(shù)要求4 1 引線框架尺寸 4.1 1 引線框架形狀和位置公差 4.2 1 引線框架外觀 4.3 2 引線框架鍍層 4.4 3 引線框架外引線強度 4.5 3 銅剝離試驗 4.6 3 銀剝離試驗 4.7 3 檢驗規(guī)則5 3 檢驗批的構(gòu)成 5.1 3 鑒定批準程序 5.2 4 質(zhì)量一致性檢驗 5.3 4 訂貨資料6 6 標志 包裝 運輸 貯存7 、 、 、 6 標志 包裝 7.1 、 6 運輸 貯存 7.2 、 7 附錄 規(guī)范性附錄 引線框架機械測量 A ( ) 8 GB/T158782015 前 言 本標準按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。本標準代替 小外形封裝引線框架規(guī)范 GB/T158781995 。本標準與 相比主要變化如下 GB/T158781995 : 按照標準的使用范圍 將原標準的標準名稱修改為 半導(dǎo)體集成電路 小外形封裝引線框架 , “ 規(guī)范 ”; 關(guān)于規(guī)范性引用文件 增加引導(dǎo)語 抽樣標準由 代替 增 : ; GB/T2828.12012 SJ/Z900787; 加引用文件 GB/T2423.602008、SJ20129; 標準中的 由 設(shè)計 改為 引線框架尺寸 將原標準中精壓深度和金屬間隙的有關(guān)內(nèi)容調(diào) 4.1 “ ” “ ”, 整到 并將原標準中 精壓區(qū) 的有關(guān)內(nèi)容并入到 精壓深度 條款中 4.2, “ ” “ ” ; 對標準的 引線框架形狀和位置公差 中相應(yīng)條款順序進行了調(diào)整 并增加了芯片粘接區(qū) “4.2 ” , 下陷和引線框架內(nèi)部位置公差的有關(guān)要求 ; 修改了標準中對 側(cè)彎 的要求 見 原標準中僅規(guī)定了在 的長度方向上 不超 “ ” ( 4.2.1): 150 mm , 過 本標準在整個標稱長度上進行規(guī)定 0.5mm, ; 修改了標準中對 卷曲 的要求 見 原標準中僅規(guī)定了卷曲變形小于 本標準根 “ ” ( 4.2.2): 0.5mm, 據(jù)材料的厚度分別進行了規(guī)定 ; 修改了標準中對 條 帶 扭 曲 的 要 求 見 原 標 準 中 僅 規(guī) 定 了 每 條 框 架 上 扭 曲 不 超 過 “ ” ( 4.2.4): 本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲 并根據(jù)材料的厚度分別進行了規(guī)定 0.51mm, , ; 修改了標準中對 引線扭曲 的要求 見 原標準中規(guī)定了引線扭曲的角度及引線寬度上 “ ” ( 4.2.5): 的最大偏移量 本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規(guī)定 , ; 原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響 簡單地規(guī)定了精壓深度的尺寸范圍 本標準修改 , 。 為 在保證精壓寬度不小于引線寬度 的條件下 精壓深度不大于材料厚度的 其參考 : 90% , 30%, 值為 見 0.015mm0.06mm( 4.2.6); 將 金屬間隙 修改為 絕緣間隙 并修改了標準中對 絕緣間隙 的要求 見 原標準規(guī) “ ” “ ”, “ ” ( 4.2.7): 定 引線框架各內(nèi)引線之間 內(nèi)引線與芯片粘接區(qū)之間的距離不小于 本標準修改 “ , 0.152 mm”, 為 相鄰兩精壓區(qū)端點間的間隔及精壓區(qū)端點與芯片粘接區(qū)間的間隔大于 “ 0.076mm”; 修改了標準中對 芯片粘接區(qū)斜度 的要求 見 原標準中分別規(guī)定了在打凹和未打凹條 “ ” ( 4.2.9): 件下的最大斜度 本標準統(tǒng)一規(guī)定為在長或?qū)捗?尺寸最大傾斜 , 2.54mm 0.05mm; 將原標準中的 芯片粘接區(qū)平面度 與 芯片粘接區(qū)平整度 統(tǒng)一規(guī)定為 芯片粘接區(qū)平面度 “ ” “ ” “ ” 見 ( 4.2.11); 修改了標準中對 毛刺 的要求 見 取消了原標準中連筋內(nèi)外不同區(qū)域垂直毛刺的不同 “ ” ( 4.3.1): 要求 本標準統(tǒng)一規(guī)定為 , 0.025mm; 修改了標準中對 凹坑 壓痕和劃痕 的要求 見 在 原 標 準 的 基 礎(chǔ) 上 增 加 劃 痕 的 有 關(guān) “ 、 ” ( 4.3.2): 要求 ; 修改了標準中對 局部鍍銀層厚度 的要求 見 原標準僅規(guī)定了局部鍍銀層的厚度 本 “ ” ( 4.4.1): , 標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規(guī)定 ; 增加了 銅剝離試驗 的有關(guān)要求 見 “ ” ( 4.6); 增加了 銀剝離試驗 的有關(guān)要求 見 “ ” ( 4.7); 對標準 檢驗規(guī)則 中相應(yīng)條款進行修改 參照 檢驗規(guī)則 并增加了鑒 “5 ” , GB/T141122015 , GB/T158782015 定批準程序和質(zhì)量一致性檢驗的有關(guān)內(nèi)容 ; 修改了標準中對 貯存 的有關(guān)要求 原標準有鍍層的保存期為 個月 本標準規(guī)定為 個月 “ ” : 3 , 6 見 ( 7.2); 增加了規(guī)范性附錄 引線框架機械測量 A“ ”。 請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任 。 。 本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出 。 本標準由全國半導(dǎo)體器件標準化技術(shù)委員會 歸口 (SAC/TC78) 。 本標準起草單位 廈門永紅科技有限公司 : 。 本標準主要起草人 林桂賢 王鋒濤 申瑞琴 : 、 、 。 本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為 : GB/T158781995。 GB/T158782015 半導(dǎo)體集成電路 小外形封裝引線框架規(guī)范1 范圍 本標準規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路小外形封裝 引線框架 以下簡稱引線框架 的技術(shù)要求及檢驗 (SOP) ( ) 規(guī)則 。 本標準適用于半導(dǎo)體集成電路小外形封裝沖制型引線框架 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 部分 試驗方法 試驗 引出端及整體安 GB/T2423.602008 2 : U: 裝件強度 計數(shù)抽樣檢驗程序 第 部分 按接收質(zhì)量限 檢索的逐批檢驗抽樣 GB/T2828.12012 1 : (AQL) 計劃 半導(dǎo)體集成電路外形尺寸 GB/T7092 半導(dǎo)體集成電路 塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范 GB/T141122015 半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語 GB/T14113 金屬鍍覆層厚度測量方法 SJ20129 3 術(shù)語和定義 和 中界定的術(shù)語和定義適用于本文件 GB/T141122015 GB/T14113 。4 技術(shù)要求 41 引線框架尺寸 . 引線框架的外形尺寸應(yīng)符合 的有關(guān)規(guī)定