畢業(yè)論文題目外延抑制自摻雜技術(shù)研究學(xué)生姓名學(xué)號專業(yè)班級應(yīng)用物理指導(dǎo)教師學(xué)院答辯日期目錄摘要1ABSTRACT2第一章外延技術(shù)概述311概述412外延工藝知識413外延層制備的主要設(shè)備5第二章?lián)诫s存在的問題及解決方法721摻雜過程722摻雜劑的來源723外延參數(shù)的測量與控制824自摻雜925自摻雜的抑制1026外延抑制自摻雜的主要技術(shù)11第三章外延抑制自摻雜技術(shù)試驗(yàn)研究1531低壓外延技術(shù)1532低溫外延技術(shù)1833HCL腐蝕拋光技術(shù)2134背封技術(shù)25總結(jié)27參考文獻(xiàn)錯誤未定義書簽。致謝29附錄一外文資料翻譯譯文30附錄二外文原文46摘要外延層雜質(zhì)濃度是影響電學(xué)性能的重要參數(shù)，外延摻雜存在有意識摻雜和無意識摻雜（即自摻雜），自摻雜影響外延生長。自摻雜降低了襯底/外延界面過渡區(qū)的陡峭程度，同時也增加了外延淀積過程中的本底濃度。不但對外延層的電阻率控制帶來相當(dāng)大的困難，使外延層界面處雜質(zhì)分布梯度變緩，外延層有效厚度減薄，PN結(jié)擊穿電壓的顯著降低，晶體管的大電流特性變壞，特別不利于要求薄而界面處雜質(zhì)分布陡的外延層的微波器件的制造。而且一些有害雜質(zhì)的存在，還會使噪聲增加等。本文對外延淀積過程中自摻雜的產(chǎn)生進(jìn)行了分析，提出了在外延淀積過程中可以通過改變壓力、溫度、及采用HCL腐蝕拋光技術(shù)、背封技術(shù)、H2烘烤趕氣技術(shù)、二步外延技術(shù)等方法來解決外延自摻雜，從而改善器件的特性參數(shù)。關(guān)鍵詞外延；淀積；自摻雜；ABSTRACTTHEIMPURITYCONCENTRATIONISAKEYPARAMETERWHICHHASANEFFECTONTHEELECTRICALPERFORMANCEOFTHEDEVICEINTHEEPITAXY,THEDOPINGOFEPITAXYEXISTSCONSCIOUSANDUNCONSCIOUSDOPINGIE,SELFDOPING,THEGROWTHOFEPITAXYISINFLUENCEDBYSELFDOPINGSINCETHESELFDOPINGREDUCEDTHESTEEPDEGREEOFSUBSTRATEANDTHEEPITAXYINTERFACEOFTRANSITIONREGION,ALSOINCREASEDBACKGROUNDCONCENTRATIONINTHEPROCESSOFTHEEXTENSIONITMAKESTHECONTROLOFTHEEPITAXY,SRESISTIVITYDIFFICULT,THEEPITAXYOFTHEINTERFACEBETWEENLAYERIMPURITIESDISTRIBUTIONGRADIENTSLOW,THEEPITAXYOFEFFECTIVETHICKNESSTHIN,THEBREAKDOWNVOLTAGEOFPNJUNCTIONSIGNIFICANTLYREDUCE,ANDTHECURRENTCHARACTERISTICSOFTRANSISTORCHANGEBAD,ESPECIALLYTOTHEDISADVANTAGEOFMANUFACTURINGMICROWAVEDEVICES,WHICHWEREREQUIREDTHINANDTHEDISTRIBUTIONOFTHEIMPURITIESWERESTEEPINTHEINTERFACEANDTHEEXISTENCEOFSOMEHARMFULIMPURITIES,STILLCANMAKENOISEUP,ETCTHISPAPERANALISEDTHEGENERATIONOFSELFDOPINGDURINGTHEEPITAXIALDEPOSITION,SOMETECHNIQUESSUCHASALTERINGPRESS,TEMPERATURE，HCLROT,BACKSEAL,H2EXPEL，ANDTWOSTEPEPITAXY,AREPROPOSEDTOIMPROVETHEELECTRICALCHARATERISTICSOFTHEDEVICEBYREDUCINGSELFDOPINGEFFECTDURINGEPITAXIALDEPOSITIONKEYWORDSEPITAXY；DEPOSITION；SELFDOPING；第一章外延技術(shù)概述11概述外延生長（通常亦稱外延）是半導(dǎo)體材料和器件制造的重要工藝之一，它的應(yīng)用和發(fā)展對于提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和器件的性能，對于新材料、新器件的開發(fā)，對于半導(dǎo)體科學(xué)的發(fā)展都具有重要意義。所謂外延就是在一定的條件下，在單晶襯底上，沿原來的結(jié)晶方向生長一層導(dǎo)電類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)、完整性等都符合要求的新單晶層的工藝過程。生長的單晶層稱為外延層。如圖111所示。圖11硅外延層12外延工藝知識121外延優(yōu)點(diǎn)外延技術(shù)是60年代初開始逐漸發(fā)展起來的。外延的出現(xiàn)解決了半導(dǎo)體器件制造中的許多問題，大大提高了半導(dǎo)體的性能。這種方法被用于硅高頻大功率晶體管的生產(chǎn)，解決了擊穿電壓與串聯(lián)電阻之間的矛盾。利用外延層能較精確地控制其厚度和摻雜的特點(diǎn)，促使正處于迅速發(fā)展的半導(dǎo)體集成電路技術(shù)進(jìn)入比較完善的階段2。主要的優(yōu)點(diǎn)如下A減少串聯(lián)電阻B消除CMOS的可控硅效應(yīng)C簡化隔離技術(shù)D可以根據(jù)器件的要求,隨心所欲地生長各種不同型號、不同電阻率和厚度的外延層。122生長機(jī)理目前制備半導(dǎo)體單晶外延層的最主要方法是化學(xué)氣相淀積法CHEMICALVAPORDEPOSITION，CVD。所謂化學(xué)氣相淀積，就是利用氣態(tài)物質(zhì)在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成固態(tài)淀積物的過程。其主要的反應(yīng)式為SIHXCLYXH2SIYHCL外延的生長過程（如圖12）圖12外延的生長過程13外延層制備的主要設(shè)備圖13PER061桶式感應(yīng)加熱外延爐外形圖14ASME2單片紅外加熱外延爐外形3第二章?lián)诫s存在的問題及解決方法21摻雜過程摻雜是外延中一個非常重要的問題。最早的方法是把液態(tài)摻雜劑，如PH3、PH5和BBR3加入到反應(yīng)劑SICL4中。這種摻雜方法不能靈活改變摻雜濃度，同時由于摻雜的SICL4中摻雜劑濃度隨液體的減少而不斷變化，因此采用這種方法外延層的電阻率難以控制。這些缺點(diǎn)可以通過氣相摻雜克服。通過氣相摻雜外延人為地控制外延層中的摻雜程度，達(dá)到要求的外延電阻率。圖21為外延摻雜過程1。圖21硅的摻雜22摻雜劑的來源（1）主摻雜質(zhì)用于控制外延層的電阻率。常用磷烷、砷烷和乙硼烷作為主摻雜質(zhì)源。它與硅源一道隨主氣流進(jìn)入外延反應(yīng)室，在外延生長過程中進(jìn)入外延層。（2）固態(tài)外擴(kuò)散雜質(zhì)（A）襯底中摻入的雜質(zhì)在外延過程中，通過固態(tài)外擴(kuò)散進(jìn)入外延層；（B）對于同型外延，襯底中反型雜質(zhì)通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入外延層形成外延夾層。（3）氣相自摻雜重?fù)揭r底或重?fù)铰駥又械碾s質(zhì)經(jīng)蒸發(fā)后進(jìn)入氣流中在后又摻入外延層中。（4）系統(tǒng)自摻雜吸附在外延反應(yīng)室內(nèi)壁和外延基座表面的雜質(zhì)，解附后進(jìn)入氣流形成新的摻雜源。（5）金屬雜質(zhì)襯底硅片、外延基座和外延系統(tǒng)中沾污的金屬雜質(zhì)在外延過程中進(jìn)入外延層。23外延參數(shù)的測量與控制外延層的厚度和電阻率（摻雜濃度）是外延工藝中相互影響的兩個非常重要的參數(shù)，所以有必要介紹外延層厚度與電阻率的測量。電阻率（摻雜濃度）的測定是通過測量其方塊電阻來呈現(xiàn)的，外延層厚度是通過紅外光反射測量的，最終的電阻率是通過方塊電阻與厚度的乘積來決定4。231外延厚度的測量外延層厚度的測量方法有很多，這里只介紹FAB常用的紅外反射干涉法（見圖22）。測量范圍025200M,測量精度002M。圖22測量原理示意圖232外延層方塊電阻的測量外延層方塊電阻率的測量主要采用四探針法。所謂薄層電阻，就是表面為正方形的半導(dǎo)體薄層，在電流方向上所呈現(xiàn)的電阻，因此也稱為方塊電阻。圖23示出四探針法的基本組成圖。圖23四探針的基本組成它由相聚都為1MM，同在一個平面成一直線的四根探針，同時壓在硅片試樣表面上，外面兩個小探針通以恒定的小電流，中間兩個探針用高輸入阻抗的電壓表測量最終電壓4。如今FAB中都配有四探針測試儀，使用時只要調(diào)節(jié)好確定的修正系數(shù)C，就可以從測試儀控制界面上直接讀出RS的值。薄層電阻RS乘以外延層的厚度可以得到外延層的電阻率。由于外延層內(nèi)雜質(zhì)分布不均勻，因此求得的電阻率也是平均值。RSI/10000其中，為外延層平均電阻率，RS薄層電阻測量值，I為外延層厚度。24自摻雜外延摻雜中存在有意識摻雜和無意識摻雜，如圖24所示。有意識摻雜是指在外延層上有意進(jìn)行的摻雜，通過摻雜，使外延層的電阻率達(dá)到一定的值。無意識摻雜是襯底表面的固態(tài)擴(kuò)散和氣相中的自摻雜，是外延工藝中不希望存在的摻雜4。外延摻雜圖24外延摻雜的兩種途徑自摻雜通常定義為襯底雜質(zhì)在高溫下通過氣相輸運(yùn)到外延層，因此，外延層中的雜質(zhì)由兩部分組成，如圖25所示。圖25外延層中雜質(zhì)的組成241自摻雜的危害自摻雜降低了襯底/外延界面過渡區(qū)的陡峭程度，同時也增加了外延淀積過程中的本底濃度。不但對外延層的電阻率控制帶來相當(dāng)大的困難，使外延層界面處雜質(zhì)分布梯度變緩，外延層有效厚度減薄，PN結(jié)擊穿電壓的顯著降低，晶體管的大電流特性變無意識摻雜襯底表面的固態(tài)擴(kuò)散和氣相中的自摻雜有意識摻雜可通過在反應(yīng)物中增加氫化物雜質(zhì)源得到摻雜外延層壞，特別不利于要求薄而界面處雜質(zhì)分布陡的外延層的微波器件的制造。而且一些有害雜質(zhì)的存在，還會使噪聲增加等。242自摻雜的來源1、外延生長前摻雜劑進(jìn)入氣相A環(huán)境沾污效應(yīng)環(huán)境沾污效應(yīng)主要是由于管道系統(tǒng)、反應(yīng)器、反應(yīng)劑、石墨基座等不可能絕對地純凈，以及載氣H2中存在的O2等雜質(zhì)成分在高溫下分解進(jìn)入氣相而造的。B腐蝕效應(yīng)高溫下的HCL腐蝕雖然對改善晶格結(jié)構(gòu)有益，但同時產(chǎn)生一些副產(chǎn)物，而且在高溫下還要剝?nèi)ヒ粚右r底表面，所以這些副產(chǎn)物及襯底中的雜質(zhì)也有一部分進(jìn)入氣相環(huán)境中。2、外延生長中摻雜劑從襯底直接進(jìn)入氣相外延生長過程的反應(yīng)相當(dāng)復(fù)雜，所以自摻雜效應(yīng)是極為復(fù)雜的，其自摻雜過程可分為以下幾個主要階段A熱處理過程在此過程中，襯底中的雜質(zhì)與外延層之間存在雜質(zhì)濃度梯度，從而導(dǎo)致襯底的高濃度雜質(zhì)以氣固方式進(jìn)入氣相，參與到外延淀積過程中。B反應(yīng)過程在此過程中，襯底與人為摻入的雜質(zhì)源和硅源發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以化合物的方式進(jìn)入氣相，參與到反應(yīng)過程中。C結(jié)尾過程反映結(jié)束后，多余的雜質(zhì)沉積或吸附在系統(tǒng)中，不能完全排除，還要繼續(xù)參與到氣相中。25自摻雜的抑制在外延淀積過程中，如何有效地利用摻雜劑，減少自摻雜效應(yīng)，從而形成均勻的雜質(zhì)濃度分布，降低過渡區(qū)的寬度，是必須重點(diǎn)研究的問題。抑制外延自摻雜的主要技術(shù)有選取襯底、高溫處理、低壓外延、低溫外延、HCL腐蝕拋光、背封、二步外延、H2烘烤趕氣等。251選取襯底雜質(zhì)盡量選用擴(kuò)散系數(shù)小，蒸發(fā)速率低的雜質(zhì)做襯底雜質(zhì)，另外，雜質(zhì)從襯底表面的逸出和向外延層中的外擴(kuò)散都與襯底原始雜質(zhì)濃度成正比。因此，在保證足夠低的串聯(lián)電阻的前提下，襯底濃度不宜過高。這樣在高溫狀態(tài)下，襯底中的雜質(zhì)進(jìn)入氣相參與反應(yīng)的量就可大幅度減小。從而有效抑制自摻雜5。252高溫處理襯底在外延生長前，高溫處理襯底，使硅片表面附近形成一雜質(zhì)耗盡層，再進(jìn)行外延生長，雜質(zhì)逸出速率降低，可減少自摻雜。26外延抑制自摻雜的主要技術(shù)抑制外延自摻雜的主要技術(shù)有低壓外延技術(shù)、低溫外延技術(shù)、HCL腐蝕拋光技術(shù)、背封技術(shù)、二步外延技術(shù)、H2烘烤趕氣技術(shù)等6。261低壓外延利用低壓技術(shù)來淀積外延層，可較好地抑制自摻雜效應(yīng)，減少雜質(zhì)在外延層淀積初期的沾污，提高有效外延層厚度。在低壓環(huán)境下，氣體的分子密度變稀，分子的平均自由能增大，雜質(zhì)的擴(kuò)散速度加快，因而由襯底逸出的雜質(zhì)能快速穿過邊界層被排除出反應(yīng)室，重新進(jìn)入外延層的機(jī)會將大大減小，從而降低了自摻雜效應(yīng)對外延層雜質(zhì)濃度和分布的影響，因而可以得到陡峭的雜質(zhì)分布。如圖26所示。圖26減壓外延使滯留層變薄大部分雜質(zhì)進(jìn)入對流層帶走262低溫外延采用低溫外延技術(shù)可以有效地降低高溫產(chǎn)生的雜質(zhì)擴(kuò)散，從而減小了自摻雜對外延層雜質(zhì)濃度分布的影響，因而可以得到比較陡峭的雜質(zhì)分布。有利于制作較窄的PN結(jié)和性能理想的半導(dǎo)體器件5。在壓力恒定的條件下，隨著溫度的降低，氣體的熱傳導(dǎo)也會顯著降低，邊界層的溫度梯度變小，促使蒸發(fā)的摻雜劑加速通過邊界層，被H2氣流帶出反應(yīng)室。溫度的降低減小了氫在襯底表面的吸附，從而使硅化物更容易被吸附，使外延過程中雜質(zhì)的縱向和橫向擴(kuò)散受到抑制，有效減少了自摻雜的影響,下圖表明了不同溫度下的擴(kuò)展電阻曲線。圖27不同溫度下樣品的擴(kuò)展電阻分布圖由圖27可以看到，在不同溫度下其過渡區(qū)的寬度是不一樣的，在溫度為950，過渡區(qū)寬度為00255M,在溫度為900，過渡區(qū)寬度為0015M,在溫度為850，過渡區(qū)寬度僅為0005M,說明溫度對過渡區(qū)的影響特別大。當(dāng)然，在降低溫度的同時，還必須得保證外延層表面質(zhì)量的完好。263HCL腐蝕拋光HCL氣相腐蝕拋光技術(shù)是去除外延沾污和缺陷的重要手段之一，在高溫下通過HCL與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，把硅片表面剝?nèi)ヒ粚?，既可去除沾污和損傷層，又能去除尺寸較小的合金點(diǎn)，給外延生長提供一個潔凈、無損的表面。在低壓條件下，HCL攜帶的金屬雜質(zhì)會加速排除，對抑制外延層的自摻雜是非常有效的。壓力與HCL腐蝕速率的關(guān)系3如圖28所示。圖28壓力與HCL腐蝕速率的關(guān)系264背封背封技術(shù)的目的就是在襯底背面形成一個保護(hù)層，從而降低雜質(zhì)的擴(kuò)散速率。它通過在外延生長前延長高溫時間，改變氣流速度來改變生長環(huán)境，從而降低環(huán)境中的雜質(zhì)分壓，并形成一個背面、表面的雜質(zhì)耗盡層，然后通過大氣流趕氣，盡可能將環(huán)境中多余的雜質(zhì)趕出，是邊界層中的雜質(zhì)大大減小。通過采用背封技術(shù)，可以最大限度地減小雜質(zhì)從背面擴(kuò)散。此種方法對重?fù)诫s型襯底特別有用。265二步外延所謂二步外延技術(shù)是指在硅片上先生長一層0205M的本征外延層，如圖29所示，對硅片表面起到自封閉作用，阻止襯底雜質(zhì)的進(jìn)一步向外揮發(fā)，然后通過大流量H2沖洗趕氣、使吸附在晶片、基座表面的雜質(zhì)被主氣流吹走，到一定時間后，邊界層中雜質(zhì)被排盡，在進(jìn)行第二階段的生長，直到外延層要求的厚度。這樣由于自摻雜量的減少，在外延層/襯底界面處的雜質(zhì)濃度就會變得陡峭，使雜質(zhì)過渡區(qū)變窄。這種方法對于抑制縱向自摻雜非常有效，而對于防止在界面上最大值的橫向自摻雜的效果不是很明顯7。圖29二步外延266H2烘烤趕氣外延本征層H2烘烤趕氣對抑制埋層自摻雜有明顯的效果。H2烘烤的作用是通過降低表面雜質(zhì)濃度來減少自摻雜。據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道，理論計(jì)算可知1150、10MIN的烘烤期間，AS埋層中15的雜質(zhì)將蒸發(fā)到氣相環(huán)境中，而H2烘烤對降低B表面濃度比的腐蝕起的作用還要大。可見H2烘烤趕氣技術(shù)在抑制外延自摻雜中發(fā)揮著重要的作用。另外，H2流量與硅片邊緣厚度也存在著一定的關(guān)系，如圖210所示。增加H2流量通常會減少硅片邊緣的厚度，減少H2流量通常會增加硅片邊緣的厚度，對于100MM200MM的硅片，H2流量通常在4080SLPM之間選擇。圖210H2流量與硅片邊緣厚的關(guān)系3以上針對抑制外延自摻雜的幾種主要技術(shù)做了簡單介紹，在接下來的一章中將對以上幾種技術(shù)做詳細(xì)描述，并通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。第三章外延抑制自摻雜技術(shù)試驗(yàn)研究31低壓外延技術(shù)311引言由于常壓硅外延工藝雜質(zhì)的固相擴(kuò)散和自摻雜難以控制，外延層與襯底交界面處雜質(zhì)濃度過渡區(qū)分布緩變，不可能形成陡峭的雜質(zhì)濃度分布。1970年BOSS等人采用了一種新的外延工藝低壓外延技術(shù)，有效地減少了常壓外延對器件帶來的自摻雜的嚴(yán)重影響?，F(xiàn)在低壓外延技術(shù)已經(jīng)倍受人們關(guān)注，它是當(dāng)前超大規(guī)模集成電路和一些高壓特殊器件急需發(fā)展的新技術(shù)，在發(fā)展其型器件如異質(zhì)結(jié)晶體管、高速器件以及光電子器件中，都具有十分重大的意義。利用低壓外延技術(shù)可以制作出晶體結(jié)構(gòu)完整、界面過渡區(qū)雜質(zhì)分布陡峭的外延層，而且易于工業(yè)化大生產(chǎn)，在薄硅外延層以及重?fù)诫s襯底外延層的制備方面具有良好的應(yīng)用前景8。312原理低壓環(huán)境改變了反應(yīng)室中的氣體流動，使源氣體分子占主導(dǎo)地位，比較復(fù)雜的氣流環(huán)境變得簡單，原來的紊亂氣流變成層流氣流。同時，氣體的分子密度變稀，分子的平均自由能增大，雜質(zhì)的擴(kuò)散速度加快，因而由襯底逸出的雜質(zhì)能快速地穿過邊界層被主氣流排除出反應(yīng)室，使得這些雜質(zhì)重新進(jìn)入外延層的機(jī)會大大減少。反應(yīng)系統(tǒng)處于低壓狀態(tài)，當(dāng)反應(yīng)停止時，反應(yīng)室中殘存的反應(yīng)劑和摻雜劑也能迅速地被排除掉，縮小了襯底與外延層之間的過渡區(qū)，并能很好地改善厚度及電阻率的均勻性，減少了埋層圖形的漂移和畸變。另外，由于低壓下氫氣的分壓降低，硅原子在表面遷移時受到的阻礙減小，很容易結(jié)合到晶格中，減少了外延層中的層錯和位錯，更有利于形成平整光亮的外延層。圖31為低壓反應(yīng)腔1。圖31低壓反應(yīng)腔313實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)利用進(jìn)口的美國ASME2單片紅外加熱外延爐來進(jìn)行，硅源為SIH2CL2氣體，摻雜源為氫氣稀釋至100PMM的PH3氣體。選用硅片為N摻AS111硅襯底免洗片，其電阻率為00020004CM。硅片的摻雜分布通過四探針測方塊電阻來反映，硅片的厚度分布用紅外測厚儀來測量。1壓力對厚度的影響反應(yīng)室內(nèi)壓力降低，由于反應(yīng)劑分壓變小及生長動力學(xué)控制過程發(fā)生變化，在硅源摩爾濃度相同時，生長速率一般比常壓低。當(dāng)生長溫度和硅源濃度一定時，降低反應(yīng)室的壓力，外延層厚度也會隨之降低。表31比較了在相同溫度和相同的硅源濃度下，不同壓力條件下由紅外測厚儀測量的樣品片內(nèi)5點(diǎn)（標(biāo)準(zhǔn)抽樣點(diǎn)）厚度。表31壓力與生長速率的關(guān)系外延層厚度（M）樣品編號生長溫度（）生長時間（S）壓力（TORR）SIH2CL2濃度（ML/M）123450011080434100280736735742734731002108043480280734731734731729003108043460280726725725725726表31表明，在壓力為100TORR時，其片內(nèi)外延層厚度最高與最低相差了011M，在壓力為80TORR時，其片內(nèi)外延層厚度最高與最低相差了005M，而當(dāng)壓力降為60TORR時，其片內(nèi)外延層厚度最高與最低相差了001M。不難看出，當(dāng)壓力降低時，片內(nèi)厚度均勻性有了非常大的改善。圖32明顯地顯示了這一變化。圖32壓力外延層厚度的關(guān)系隨著壓力的降低，氣體分子密度變稀，雜質(zhì)濃度減小，厚度變薄，由襯底逸出的雜質(zhì)也相應(yīng)地減少，自摻雜降低。2壓力對外延層方阻的影響表32比較了在相同溫度和相同的硅源濃度下，不同壓力條件下由四探針測量儀測量的樣品片內(nèi)5點(diǎn)（標(biāo)準(zhǔn)抽樣點(diǎn)）方塊電阻。表32壓力與方阻的關(guān)系樣品編號生長溫度生長時間（S）壓力（TORR）SIH2CL2濃度（ML/M外延層方阻（/CM2）（）123450011080434100280286627042638256326840021080434802802794278327452695276500310804346028028892890289228952875圖33壓力與方阻的關(guān)系由圖33可以看出，60TORR壓力下的方塊電阻相對80TORR和100TORR明顯上升，這正是在低壓環(huán)境下自摻雜減小的緣故。綜合考慮表31和表32，可得出壓力與電阻率的關(guān)系,如表33所示。表33壓力與電阻率的關(guān)系外延層方阻（/CM）樣品編號生長溫度（）生長時間（S）壓力（TORR）SIH2CL2濃度（ML/M）123450011080434100280210198196188196002108043480280205203201197202003108043460280209210210210208表33表明，在壓力為100TORR時，電阻率的均勻性很差，最大與最小相差了022，偏差為553。在壓力為80TORR時，電阻率的最大與最小值相差了008，偏差為198。在壓力為60TORR時，電阻率的最大與最小值相差了002，偏差為048。圖34壓力與電阻率的關(guān)系由圖34可以看出，隨著壓力的降低，自摻雜減小，參與導(dǎo)電的離子減少，電導(dǎo)率降低，電阻率升高。所以，低壓能明顯抑制自摻雜現(xiàn)象。當(dāng)然，降低反應(yīng)室的壓力也有限度，在壓力降低到一定程度時，勢必會減小主氣流的流量才能達(dá)到此壓力值，然而隨著主氣流的減少，其雜質(zhì)排除出反應(yīng)室的時間就將變慢，必然又會增加自摻雜，使外延層與襯底之間的過渡區(qū)出現(xiàn)緩變趨勢。所以，壓力與氣流的匹配關(guān)系是十分重要的。3結(jié)論低壓條件下分子的平均自由能增大，雜質(zhì)的擴(kuò)散速度加快，因而由襯底逸出的雜質(zhì)能快速地穿過邊界層被排除出反應(yīng)室，重新進(jìn)入外延層的機(jī)會大大減少，從而降低了自摻雜效應(yīng)對外延層中雜質(zhì)濃度和分布的影響，因而可以得到陡峭的雜質(zhì)分布。低壓外延是降低自摻雜，改善外延層厚度和電阻率均勻性的一種有效方法，除此之外，低壓外延技術(shù)還能縮小多層外延的過渡區(qū)，減少系統(tǒng)沾污，降低生長溫度等?，F(xiàn)在低壓外延技術(shù)已成為一種比較成熟的工藝，在各種外延生長中得到了廣泛的應(yīng)用。32低溫外延技術(shù)321引言由于采用高溫外延，容易產(chǎn)生界面互擴(kuò)散和氣相自摻雜，通常難以獲得陡峭的界面雜質(zhì)分布，交界面處雜質(zhì)濃度過渡區(qū)分布緩變，不可能形成陡峭的雜質(zhì)濃度分布，使得高溫外延很難制得較窄的PN結(jié)和性能理想的半導(dǎo)體器件。采用低溫外延技術(shù)可以有效地解決這一難題。另外，溫度還與外延層厚度存在一定的關(guān)系。（如下圖35所示）圖35溫度與外延層厚度的關(guān)系3321原理當(dāng)溫度降低時，可以有效地降低高溫產(chǎn)生的雜質(zhì)擴(kuò)散，從而減小了自摻雜對外延層雜質(zhì)濃度分布的影響，因而可以得到比較陡峭的雜質(zhì)分布。323實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)利用進(jìn)口的美國ASME2單片紅外加熱外延爐來進(jìn)行，硅源為SIH2CL2氣體，摻雜源為氫氣稀釋至100PPM的PH3氣體。選用硅片為N摻AS111硅襯底免洗片，其電阻率為00020004CM。硅片的摻雜分布通過四探針測方塊電阻來反映，硅片的厚度分布用紅外測厚儀來測量。1溫度對厚度的影響在低溫條件下，外延層厚度的均勻性主要受氣流大小、氣流方向、溫度的大小等多種因素決定，當(dāng)氣流與壓力恒定后，隨著溫度的降低，其外延層厚度的均勻性會有微小的變化9。表34是不同溫度下的膜厚數(shù)據(jù)表34溫度與外延層厚度的關(guān)系外延層厚度（M）樣品編號生長溫度（）生長時間（S）壓力（TORR）SIH2CL2濃度（ML/M）12345001950240602603823783763733790029002406026037537037037237300385024060260362361362360361由表34可知，當(dāng)溫度為950，片內(nèi)外延層厚度最大值與最小值差了009M，其最大偏差為241，當(dāng)溫度為900，片內(nèi)外延層厚度最大值與最小值差了005M，其最大偏差為135，而當(dāng)溫度降為850，片內(nèi)外延層厚度最大值與最小值差了002M，其最大偏差為060，從樣品厚度的最大偏差不難看出，隨著溫度的降低，外延層厚度的均勻性也得到了一些改善。圖36表示了壓力與厚度的關(guān)系。圖36溫度與外延層厚度的關(guān)系圖由圖36可知，隨著反應(yīng)溫度的降低，雜質(zhì)濃度相對減小，生長速率減慢，厚度變薄。雜質(zhì)的擴(kuò)散速率減小，自摻雜降低。2溫度對外延層方阻的影響表35比較了在相同壓力和相同的硅源濃度下，不同溫度條件下由四探針測量儀測量的樣品片內(nèi)5點(diǎn)（標(biāo)準(zhǔn)抽樣點(diǎn)）方塊電阻。表35溫度與外延方阻的關(guān)系外延層方阻（/CM2）樣品編號生長溫度（）生長時間（S）壓力（TORR）SIH2CL2濃度（ML/M）12345001950240602601860188917991922195000290024060260187318921824190619180038502406026019801963199219861987圖37溫度與方阻的關(guān)系圖由圖37可以看出，溫度為850的方塊電阻相對900和950明顯上升，這也是在低溫環(huán)境下自摻雜減小的緣故。綜合考慮表34和表35，可得出溫度與電阻率的關(guān)系,如圖36所示。表36溫度與電阻率的關(guān)系外延層電阻率（/CM）樣品編號生長溫度（）生長時間（S）壓力（TORR）SIH2CL2濃度（ML/M）12345001950300601000710710680740740029003006010007007006707107200385030060100072071072071072表36表明，在溫度為950時，電阻率的均勻性很差，最大與最小相差了006，偏差為423。在溫度為900時，電阻率的最大與最小值相差了005，偏差為360。在溫度為850時，電阻率的最大與最小值相差了001，偏差為070。圖38溫度與電阻率的關(guān)系由圖38可知，溫度越高，電阻率越低，均勻性越差，存在的自摻雜現(xiàn)象就越嚴(yán)重。隨著溫度的逐步降低，電阻率的值和均勻性得到了很好的改善，自摻雜現(xiàn)象明顯減小。3結(jié)論隨著反應(yīng)溫度的降低，氣相環(huán)境中的氣流減小，雜質(zhì)濃度降低，外延層的方阻逐漸上升，自摻雜減小。因此，低溫外延是一種抑制自摻雜的有效方法。33HCL腐蝕拋光技術(shù)331引言HCL氣相腐蝕拋光技術(shù)是去除外延沾污和缺陷的重要手段之一，在高溫下通過HCL與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，把硅片表面剝?nèi)ヒ粚?，既可去除沾污和損傷層，又能去除去尺寸較小的合金點(diǎn)，給外延生長提供一個潔凈、無損的表面。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，HCL氣相拋光因降低表面雜質(zhì)濃度對抑制某些雜質(zhì)的自摻雜有明顯的效果。對于SB埋襯底，HCL的拋光作用比H2烘烤的作用更為明顯，而對于B埋襯底，H2烘烤的作用就大于HCL的拋光作用10。在低壓條件下，HCL攜帶的金屬雜質(zhì)會加速排除，對抑制外延層的自摻雜是非常有效的。壓力與HCL腐蝕速率的關(guān)系如圖39所示。圖39壓力與HCL腐蝕速率的關(guān)系3332原理HCL的腐蝕拋光過程實(shí)際上就是外延生長過程的逆反應(yīng)，反應(yīng)過程是多相反應(yīng)，它隨著反應(yīng)物的濃度、溫度、壓力以及反應(yīng)室的幾何形狀不同，會產(chǎn)生不同的副反應(yīng)HCLSISICL4H2HCLSISIHCL3H2HCLSISICL2H2在外延生長過程中，當(dāng)實(shí)際供給反應(yīng)室的硅源濃度過大時，硅襯底的某些區(qū)域就會從生長狀態(tài)變成被腐蝕狀態(tài)，致使外延生長速率下降。所以，合理控制反應(yīng)劑的濃度是必須的。一般情況下，HCL濃度越大，其硅片表面的腐蝕量也就越大，它可以在短時間內(nèi)除去表面01M05M,對消除外延層錯和乳突非常有效。而且還可以減少硅片的高溫處理時間，對抑制某些雜質(zhì)如SB、AS等的外延層自摻雜能夠起到明顯的作用。但HCL濃度越大，其攜帶金屬雜質(zhì)的能力也就越強(qiáng)，這些金屬雜質(zhì)源就會沾污外延層，或者存留在外延反應(yīng)系統(tǒng)的管道內(nèi)，對外延層雜質(zhì)濃度的精確控制帶來一定的困難。研究結(jié)果表明，外延層中FE和CR的濃度，隨HCL濃度的增加而增加11。同時，HCL濃度過大，會使雙極電路埋層方塊電阻上升量過大，圖形畸變嚴(yán)重，電路成品率迅速下降。（HCL腐蝕速率，如圖310所示。圖310HCL腐蝕速率3333實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)利用進(jìn)口的美國ASME2單片紅外加熱外延爐來進(jìn)行，硅源為SIH2CL2氣體，摻雜源為氫氣稀釋至50PPM的PH3氣體。選用硅片為N摻SB100硅襯底片，其電阻率為0008002CM。硅片的摻雜分布通過四探針測方塊電阻來反映，硅片的厚度分布用紅外測厚儀來測量。注紅外測厚儀不識別摻SB硅襯底片，在實(shí)驗(yàn)之前必須對硅片進(jìn)行AS離子注入。實(shí)驗(yàn)分兩組進(jìn)行，A組按常規(guī)菜單步驟運(yùn)行，菜單中不設(shè)置HCL拋光程序。B組在淀積單晶硅之前首先對SB埋襯底進(jìn)行HCL拋光處理，實(shí)驗(yàn)選用濃度為20L/MIN的HCL溶液，在溫度為1150，壓力為60TORR的條件進(jìn)行。表37表示了HCL拋光與外延層各參數(shù)的的關(guān)系。表37HCL拋光與外延層各參數(shù)的關(guān)系實(shí)驗(yàn)組別外延層厚度（M）、方塊電阻（/CM2）、電阻率（/CM）厚度562510526518530方阻32053575315831083075A電阻率170182166161163厚度556552548554553方阻33463354338033693359B電阻率186185185187186由表37得知電阻率的最大值與最小值只差了002，偏差為54。自摻雜得到了很好的控制。圖311拋光對外延層厚度的影響經(jīng)HCL處理后的硅片，更易于外延層的生長，厚度變厚，均勻性也很好。圖312拋光對外延層方塊電阻的影響經(jīng)HCL處理后的硅片，外延層的方塊電阻升高，均勻性變好，自摻雜降低。圖313HCL拋光對外延層電阻率的影響經(jīng)HCL處理后的硅片，電阻率上升，均勻性也很好，自摻雜明顯降低?？傊?，經(jīng)HCL腐蝕拋光處理，外延自摻雜得到了很好的控制。HCL腐蝕拋光技術(shù)已廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)實(shí)踐中。34背封技術(shù)341引言在重?fù)缴橐r底上生長N高阻外延層,一直是硅外延的技術(shù)難題。半導(dǎo)體器件要求外延層的電阻率分布盡可能一致,以滿足器件對擊穿電壓和串聯(lián)電阻的要求。但因重?fù)缴橐r底片在外延過程中存在著自摻雜效應(yīng),往往使生長出的外延層電阻率分布不能同時滿足器件對擊穿電壓和串聯(lián)電阻的要求。我們在功率肖特基二極管外延試制中一開始既遇到這樣的問題12。因沒有采取有效的自摻雜控制技術(shù),致使外延層電阻率分布達(dá)不到功率肖特基二極管對VR和VF的要求,器件合格率得不到保證。背封技術(shù)的目的就是在襯底背面形成一個保護(hù)層，從而降低雜質(zhì)的擴(kuò)散速率。它通過在外延生長前延長高溫時間，改變氣流速度來改變生長環(huán)境，從而降低環(huán)境中的雜質(zhì)分壓，并形成一個背面、表面的雜質(zhì)耗盡層，然后通過大氣流趕氣，盡可能將環(huán)境中多余的雜質(zhì)趕出，是邊界層中的雜質(zhì)大大減小。通過采用背封技術(shù)，可以最大限度地減小雜質(zhì)從背面擴(kuò)散6。此種方法對重?fù)诫s型襯底特別有用。342原理四氯化硅外延是在高溫下與氫氣反應(yīng),生成單晶硅和氯化氫。其化學(xué)反應(yīng)為SICL42H2SI4HCL自摻雜是外延生長過程中不希望的摻雜過程。自摻雜一般來自于反應(yīng)室、系統(tǒng)氣流管道、石墨基坐、襯底單晶片等。在重?fù)缴閱尉庋又?來自襯底片的自摻雜是自摻雜的主要來源。硅單晶片在EPI生長溫度下,一方面反應(yīng)生成的硅原子不斷淀積在襯底片表面,同時AS原子會從襯底單晶片中擴(kuò)散進(jìn)入反應(yīng)室氣流系統(tǒng),并隨EPI層的生長摻入外延層中,成為外延層中不希望存在的自摻雜質(zhì)源。襯底片的電阻率也是有一定能夠范圍的。隨著襯底片電阻率的不同,通過自摻雜進(jìn)入外延層的砷原子數(shù)量也不同。采用石墨基坐的包硅自封閉工藝可以有效的防止襯底AS原子的自摻雜效應(yīng)13。外延生長過程中,襯底與基坐的溫差比較大,高低溫區(qū)將發(fā)生不同的化學(xué)反應(yīng),造成硅的遷移。其反應(yīng)為SI2HCLSICL2H2從而導(dǎo)致基坐上所包的硅遷移到襯底背面,封閉了襯底背面的自摻雜擴(kuò)散。343實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)利用進(jìn)口的美國ASME2/E2000單片紅外加熱外延爐來進(jìn)行。硅片的摻雜分布通過四探針測方塊電阻來反映，硅片的厚度分布用紅外測厚儀來測量。A硅源為SIH2CL2氣體，摻雜源為氫氣稀釋至50PPM的PH3氣體。B選用硅片為N摻AS111硅襯底片，厚度為500550M,其電阻率為0008002CM。C基坐包硅條件H2150L/MIN,T1180,T10MIN,D12M,EPI生長條件H2150L/MIN,T1160,T7MIN。按相同工藝條件,分別生長5片的結(jié)果見表38表38采用背封技術(shù)后厚度和電阻率的均值第一片第二片第三片第四片第五片厚度（UM）575573576574572電阻率（/）458462459456455從表38可以看出，厚度均值最大值與最小值之間只差了004，偏差為僅035。電阻率均值的最大值與最小值之間差了007，偏差為077。由此可以看出，背封技術(shù)很好的抑制了自摻雜效應(yīng)，使厚度和電阻率的均勻性得到很好的改善。實(shí)踐證明，自封閉技術(shù)在功率肖特基整流二極管外延中已得到廣泛的應(yīng)用。經(jīng)以上實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)實(shí)踐證實(shí),包硅自封閉工藝是一種簡便的防止重?fù)诫s襯底片高溫自摻雜擴(kuò)散的有效方法。掩蔽效果好,適合于批量生產(chǎn),特別是N/N外延層的制造,宜于在生產(chǎn)中推廣使用。總結(jié)功率肖特基整流二極管是依據(jù)金屬和半導(dǎo)體接觸的整流理論發(fā)展起來半導(dǎo)體整流器件。因其工作頻率高,電能損耗小的優(yōu)越性能而得到越來越廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)已廣泛應(yīng)用在手機(jī)充電器、電視機(jī)、空調(diào)、電冰箱等大多數(shù)家用電器,及工業(yè)用儀器儀表等14。外延是功率肖特基整流二極管制造的關(guān)鍵工藝,外延層質(zhì)量直接關(guān)系到功率肖特基整流二極管的參數(shù)能否達(dá)到要求。而外延層摻雜濃度是影響其電學(xué)性能的重要參數(shù)，與之相關(guān)的器件相關(guān)參數(shù)主要有擊穿電壓，結(jié)電容，晶體管增益和開關(guān)速度等，所以精確控制摻雜量，盡量減少自摻雜效應(yīng)就顯得尤為重要。特別是近年來，為提高電路的集成度，傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)已向三維立體結(jié)構(gòu)發(fā)展，與之相適應(yīng)的多層結(jié)構(gòu)的外延層也在不斷的變化，立體結(jié)構(gòu)中有多種襯底雜質(zhì)以及不同的雜質(zhì)類型，就要求外延層有不同的摻雜濃度、不同的摻雜類型，并且層與層之間的界面要求更加陡峭，這就對外延層提出了新的更高的要求，也就需要更有效地抑制自摻雜效應(yīng)發(fā)生。為了適應(yīng)這些新的要求，就必須對外延淀積過程的熱力學(xué)、動力學(xué)等方面進(jìn)行研究，并且在淀積溫度、淀積速率、淀積壓力等方面進(jìn)行更深入和細(xì)致的探索，使工藝不斷地更新優(yōu)化，才能取得更好的效果。參考文獻(xiàn)1MICHLEQUIRK,JULIANSERDA，半導(dǎo)體制造技術(shù)M，韓鄭生等譯，北京電子工業(yè)出版社，33,822闕端麟主編，陳修治副主編,硅材料科學(xué)與技術(shù)M，浙江浙江大學(xué)出版社，280282，2892913EPSILONONESYSTEMVERSION40SOFTWAREUSERMANUALM,1164電子工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)手冊編委會編電子工業(yè)生產(chǎn)手冊（7），1991，691265第十四屆半導(dǎo)體集成電路、硅材料學(xué)術(shù)年會（下）論文集C6李智囊，侯宇，外延淀積過程中的自摻雜抑制J，微電子學(xué)，2003268707王向武，陸春一，減小硅外延自摻雜影響的改進(jìn)的二步外延法J，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，1995（3）2993018李智囊，李文等，多層硅外延技術(shù)研究J，微電子學(xué)，2011，59619王永珍，金長春等，生長溫度、過冷度對INASPSB外延層表面形貌影響的研究J發(fā)光學(xué)報(bào)，1996（1）222510張國仁，孫伯祥有埋層圖形外延片表面HCL腐蝕量的控制J，微電子技術(shù)，1995，23（4）313211王向武，陸春一，田光炎，減少硅外延自摻雜的一種新方法J，半導(dǎo)體技術(shù)，1992（4）575812DIETLT,OHNOH,MATSUKURAF,ETALZENERMODELDESCRIPTIONOFFERROMAGNETISMINZINCBLENDEMAGNETICSEMICONDUCTORSJSCIENCE,2000,28721019102213苗文生，摻AS硅單晶片外延技術(shù)，甘肅科技J，2004（6）4914劉康，功率肖特基整流二極管及其工藝制做原理的探討，甘肅科技J,1998（5）2931致謝本論文是在王青教授和杜金生師父的悉心指導(dǎo)下完成的，王青教授和杜金生師父對學(xué)術(shù)的嚴(yán)謹(jǐn)和精益求精的工作作風(fēng)給我留下了深刻的印象，受益匪淺。在實(shí)習(xí)期間，公司領(lǐng)導(dǎo)為我們實(shí)習(xí)大學(xué)生創(chuàng)造了優(yōu)越的學(xué)習(xí)和實(shí)踐環(huán)境，使我們在實(shí)踐中不斷提高自己。由衷感謝我的同學(xué)，他們對本論文的各種有益建議和幫助，使我的論文在討論中不斷獲得進(jìn)展。最后，感謝曾經(jīng)幫助過我的所有老師，衷心地感謝為評閱本論文而付出寶貴時間和辛勤勞動的教授和工程師們附錄一外文資料翻譯譯文11編輯程序窗口編輯程序主要包括兩個部分，菜單編輯和菜單文件管理，菜單編輯允許創(chuàng)作或修改程序菜單。菜單建立在一個表格里面，它的行是可控的因素并且有相應(yīng)的步驟編號。菜單文件允許菜單存儲在記憶系統(tǒng)中，存儲在左邊或右邊的磁盤驅(qū)動器中，或者存儲在四個菜單緩沖器的電池備份中，可以隨機(jī)存取記憶（RAMBBU）第六章。進(jìn)入編輯程序窗口，可以從程序菜單里面選擇編輯，編輯菜單顯示在屏幕頂端的第一個位置。111編輯菜單編輯菜單常常用于改變或修改程序菜單，它所展示的行列信息如圖111，信息都顯示在垂直欄中，信息與一個特定系統(tǒng)的可控因素相關(guān)，如設(shè)定一種特殊的氣體，就會顯示在橫向一排的信息。（可控和因素包括溫度，石墨機(jī)座轉(zhuǎn)速，閥門的位置和其他的一些參數(shù)）為滿足一個特殊的菜單，用戶可以選擇可控因素和可以以任何順序顯示那些元素。編輯程序被設(shè)計(jì)使得菜單的實(shí)際輸入數(shù)據(jù)可以通過鍵盤有效地輸入。注菜單處理器不能處理的可控因素包括（1）菜單中沒有被選中的，或（2）EPI系統(tǒng)正在運(yùn)行的菜單。菜單名稱左上角的第一行表111中的DCS800標(biāo)注的是反應(yīng)的步驟名稱，每一步都有一個名稱字母AZ,數(shù)字（09）和美元符，下劃線，句點(diǎn)來標(biāo)注菜單的名稱，觸摸名稱區(qū)域，刪除原有的名稱，輸入新的名稱，然后點(diǎn)擊屏幕離開菜單名稱界面，在保存后菜單會被重新命名。步驟欄“菜單步驟顯示在第一排從9到第16圖111。前三排的每一欄分別表示每一步的序號,名稱,所持續(xù)的時間。前面的八個步驟都是這樣顯示的?！毕到y(tǒng)控制元素行在菜單左側(cè)的第一列選定系統(tǒng)可控的因素，每一個可控的元素對應(yīng)一個行。不管翻到哪一頁，前兩行始終是可見的，因?yàn)橛性S多步驟的序號和名稱。1111顯示一個菜單每個菜單可支持200列和45行。比起在一個單一的窗口顯示的信息，這里有更多的信息。顯示其它欄目移動所需顯示的步驟號碼,將十字準(zhǔn)線移到最左邊的一步可見數(shù)字框一個帶著紅色的步驟數(shù)目,按刪除鍵，在鍵盤上,輸入所需的步驟號碼，或觸摸到確定按鈕。隨著數(shù)字的輸入，將顯示出一個頁面。左右移動菜單，每一頁將顯示八個步驟，向左移動將顯示前面的八步，向右移動將顯示后面的八步。按回車鍵將回到第一頁，第18步。最后按鈕顯示頁面包含最后一步和七個以前的步驟如果對于最后的步驟沒有進(jìn)行界定,編輯器將會跳到200步作為最后的一步）。最后一步只有當(dāng)有所需時間顯示時才是可見的。顯示其他的行如果要顯示其他的行，使用窗口中PG1,PG2,和PG3按鈕，只是列的序號和名稱保持不變。除此之外，如果它還包括其他的行，按鈕將顯示灰色，如果沒有，將顯示黑色。顯示其他的菜單在菜單編輯中通過FILE文件夾來顯示不同的菜單。創(chuàng)建一個新菜單可以通過FILE文件夾來創(chuàng)建新的菜單在菜單編輯下面的一些其他按鈕CLEARPG拖動此按鈕到一排的名稱，并按確定按鈕從顯示部分和菜單以及下拉行（包括沒有顯示的頁）中清理和刪除可編輯的名稱。FILES打開文件夾。MENU顯示一個允許菜單被命名或保存的窗口，并且解釋被編輯的部分。鍵盤上的方向鍵會使十字準(zhǔn)線從一個位置移動另一位置（它們也因此常被叫做十字準(zhǔn)線控制鍵）注TAB鍵主要用來校準(zhǔn)觸摸屏1112保存菜單和編輯注釋在菜單編輯屏幕中最底部的MENU按鈕打開了一個窗口（表112），允許保存菜單并且顯示當(dāng)前的信息如下所示菜單名稱注釋步驟序號最后一次修改的時間和日期注釋有兩行用來做注釋（通常用來說明菜單的功能）在窗口下面的四個小框（MEMORY,LEFT,RGHT,和PCRC0）用于保存菜單，存盤或者顯示循環(huán)次數(shù)。注如果窗口被打開，十字準(zhǔn)線會提前位于MEMORY的位置。保存菜單保存菜單，（如果在菜單編輯中有任何的改變），將十字準(zhǔn)線打到改變的位置并按確定。在保存之前菜單必須命名而且有最后一步。注注釋1緊接著菜單名稱下面的一行1113改變一個步驟的名稱要改變一步的名稱，點(diǎn)擊當(dāng)前的名稱，按DELECT鍵刪除當(dāng)前的名稱。輸入新的名稱，然后點(diǎn)擊確定按鈕。每一個名稱包含7個打印字符，空間是有限的，并計(jì)數(shù)字符位置。1114改變一步所持續(xù)的時間要改變一個步驟的持續(xù)時間或步驟時間，將十字準(zhǔn)線打到當(dāng)前的時間上，按DELECT按鈕恢復(fù)到0，再輸入新的數(shù)字即可。（變化范圍是0到6000,000秒）輸入時間秒，僅僅是數(shù)字。比方說，935秒只是一個步驟的有效的時間。輸入時間分鐘和秒，再輸入分鐘后輸入一個冒號。比如，943中包含了一步所需的分鐘和秒。1115編輯列編輯欄功能允許用戶通過清除，插入、刪除或者復(fù)制步驟來使菜單合理化。注菜單窗口給出了配置信息和每一區(qū)域的每一步信息。編輯一個列要編輯一個列，首先把十字線打到列的步驟名稱上，按確定按鈕，編輯列的窗口將會打開（如表113）窗口中的按鈕有以下功能CLEAR是當(dāng)前所選列回到它們的默認(rèn)值（每一頁）。INSERT在當(dāng)前和下一列中插入一個新的列，后面的步驟會重新編號。DELETE刪除當(dāng)前的列，后面的列會重新編號。COPYSTEPTO從當(dāng)前列到TYPE指定列復(fù)制所有的值，再輸入步驟序號后按確定按鈕。COPYSTEPTHRU復(fù)制所有值從當(dāng)前列到所有列，再輸入步驟序號后按確定按鈕。1116編輯行編輯行的功能允許使用者通過選擇每一行的可變元素來實(shí)現(xiàn)菜單的重新構(gòu)制。行的可控元素可以被刪除，通過其它元素來重新設(shè)置。編輯一個行，將十字線打到行的名稱上，然后點(diǎn)擊確定按鈕，編輯行的窗口將會打開（如表114），允許行被插入或者刪除。刪除一個行選取行，點(diǎn)擊清除，然后點(diǎn)擊確定按鈕。重新設(shè)置行選取行，點(diǎn)擊需要的行，然后點(diǎn)擊確定按鈕。隨著初始化的進(jìn)行，新的行會取代原來選擇行的位置。注重新設(shè)置行當(dāng)前的的可控元素和值后，所有當(dāng)前的信息都會丟失。注如果可控元素被激活在配置欄中將顯示為綠色，否則為琥珀色。有一些按鈕沒有在活動窗口顯示比如V_PRESS和LCPUR。1117數(shù)據(jù)編輯區(qū)域接下來的這一段將講述如何在一個實(shí)際菜單中編輯數(shù)據(jù)注為了在一個區(qū)域中獲得更多的信息，可將十字線移到該區(qū)域并點(diǎn)擊確定按鈕，幫助窗口用來解釋范圍限制，單位和一些不可行的標(biāo)志。行名稱的右邊是一個數(shù)據(jù)庫（目標(biāo)），每一個數(shù)據(jù)區(qū)域輸入的值在菜單運(yùn)行過程中會保存為每一行名稱下的值。目標(biāo)有兩個用途作為數(shù)據(jù)的直接輸入用于相應(yīng)的可控性和步驟。它們常常用于打開幫助窗口。幫助窗口一個窗口用于（A）顯示設(shè)置所需時間,標(biāo)記，分類按鈕的菜單；（B）給出額外的敘述性信息；（C）允許所需時間或標(biāo)簽被重新設(shè)置（比如，RAMP或VENT），并且允許下一步的值復(fù)制到其他步驟；（D）顯示當(dāng)前的值。設(shè)置值當(dāng)一個行的可控元素被選中后，就會自動初始化為默認(rèn)值。設(shè)置所需步驟的可控元素，可以點(diǎn)擊行列交叉地方處，然后輸入新的值。打開這一行的幫助窗口，點(diǎn)擊確定按鈕即可。行可控元素的標(biāo)注列在表111中。注每一個可控元素都有屬于自己的幫助窗口來顯示被標(biāo)注的部分。氣體流動在說明氣體流動的管道功能時；如果以前的步驟包含一個0點(diǎn)而且設(shè)定為0R點(diǎn)，這樣菜單編輯將會忽視RAMP的需求，這樣就會阻止不必要的氣體進(jìn)入反應(yīng)腔室。HCL和HCL_HI默認(rèn)值HCL和HCLHI行默認(rèn)值設(shè)置為排空，編輯時在所有步驟的行顯示為0V，為了使HCL進(jìn)入反應(yīng)腔室，使用者必須在ETCH中輸入一個值。復(fù)制一行的值到其它行復(fù)制選中行可控元素的值從當(dāng)前一步復(fù)制到所有的步驟，點(diǎn)擊行列相交處，然后點(diǎn)擊確定按鈕，幫助窗口（圖115）將會打開，輸入所需步驟的名稱，值就會復(fù)制到所有步驟。在例子中（表116），HCLVALVE值的步驟名稱PRELOAD是CLOSED。HCLVALVE當(dāng)前一步的值從第7步復(fù)制到第10步。其他可控元素的值在每一部都沒有發(fā)生變化。建立一個循環(huán)常常要使一個步驟重復(fù)，在編輯語言中，這通常被稱為一個循環(huán)。建立一個循環(huán)1、點(diǎn)擊TOKEN行和想要的列的交叉處，輸入X得到XREPEAT（或者按確定按鈕獲取幫助窗口，表116，XREPEAT可以被選到），選擇目標(biāo)將顯示為NNLPMM2、點(diǎn)擊確定按鈕打開一個幫助信息窗口來重復(fù)有可能被選到的步驟。3、進(jìn)入步驟重復(fù)NN,并且輸入的次數(shù)MM重復(fù)這些步驟。注在重復(fù)步驟區(qū)域顯示的步驟包含在內(nèi)的將重復(fù)或循環(huán)指定的次數(shù)。含有XREPEAT的一步將不會執(zhí)行循環(huán),直到所有步驟已完成。關(guān)于標(biāo)注名標(biāo)注名不是文本，它們只是操作的標(biāo)注或一些縮寫。一個標(biāo)注名通常是通過它名稱的首字母來輸入（表112）。在舉例窗口（圖117），TOKEN一行的值被設(shè)置為LOAD。額外的控制傳感器在菜單中。傳感器有4個位置移到朝上的