1、幻燈片1專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)Tanner pro 工具介紹幻燈片2Tanner Pro工具使用介紹l Tanner Pro是一套集成電路設(shè)計(jì)軟件，包括SEDIT，l T-SPICE，W-EDIT，L-EDIT，與LVS ，他們的l 主要功能分別如下：l 1、S-Edit:編輯電路圖l 2、T-Spice:電路分析與模擬l 3、W-Edit:顯示T-Spice模擬結(jié)果l 4、L-Edit：編輯布局圖、自動(dòng)配置與繞線(xiàn)、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查、截面觀(guān)察、電路轉(zhuǎn)化l 5、LVS：電路圖與布局結(jié)果對(duì)比幻燈片3S-Edit幻燈片4實(shí)驗(yàn)1 IC設(shè)計(jì)工具的使用l 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?l 1.學(xué)習(xí)tanner pro 軟件的組成l 2

2、.學(xué)會(huì)用S-EDIT設(shè)計(jì)基本組件符號(hào)幻燈片5實(shí)驗(yàn)1 IC設(shè)計(jì)工具的使用l 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:l 1.使用S-EDIT設(shè)計(jì)NMOS/PMOS符號(hào)l 2.用S-edit設(shè)計(jì)全局變量Vdd幻燈片6幻燈片7幻燈片8幻燈片9幻燈片10幻燈片11幻燈片12幻燈片13幻燈片14幻燈片15幻燈片16幻燈片17l幻燈片181.使用S-EDIT設(shè)計(jì)NMOS符號(hào)l 步驟:l (1)打開(kāi)S-EDIT幻燈片19l (2)另存新文件,如”EX1”l (3)環(huán)境設(shè)置.setup>colors幻燈片20l (5)切換模塊(電路設(shè)計(jì)模式schematic mode和符號(hào)模式symbol mode)l (6)繪制NMOS符號(hào),單擊

3、鼠標(biāo)左鍵為起點(diǎn),右鍵為終點(diǎn)幻燈片21l (7)加入組件接腳,用other pad工具作為NMOS組件符號(hào)的接腳l (8)編輯連接端口,先選中相應(yīng)端口,后用edit>flip horizontal,同樣方法,編輯D,s,B極幻燈片22l (9)建立組件特性,組件符號(hào)建立后,需要設(shè)置組件特性,如溝道長(zhǎng)度(L),寬度(w),源極周長(zhǎng)(PS),源極面積(AS),打開(kāi)create property對(duì)話(huà)框,l W=22U,L=2U,ps=24u,AS=66u,幻燈片23幻燈片24l (10)設(shè)置輸出性質(zhì)l 打開(kāi)Create Property 對(duì)話(huà)框.在Name 文本框中輸入特性名稱(chēng)“ SPICE O

4、UTPUT ”， 在Value 文本框中輸入l “ M# %D %G %S %B $model L=$L W=$W”l (11)更改模塊名稱(chēng)l幻燈片25幻燈片26實(shí)驗(yàn)報(bào)告及要求l 1.自己用tanner pro 軟件編輯PMOS組件l 2.編輯全局變量GNDl 3.自己對(duì)該軟件的認(rèn)識(shí)和體會(huì)幻燈片27說(shuō)明:幻燈片28Spice OUTPUT的特性說(shuō)明例如:1.nmos管的描述M1 OUT IN Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u 2.pmos管的描述M2 OUT IN Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p

5、 PD=24u AS=66p PS=24u幻燈片29實(shí)驗(yàn)2 使用S-Edit 設(shè)計(jì)單元電路l 2.1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康募耙髄 1 進(jìn)一步熟悉Tanner Pro 軟件中S-Edit 軟件的使用l 2 了解和掌握用S-Edit 設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單邏輯電路的流程和方法，并能自行設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單邏輯電l 路?；脽羝?0引例 lights調(diào)用l S-Edit 是一個(gè)電路圖編輯的環(huán)境，在此以Tanner Pro 所附范例的Lights.sdb 文件為l 例來(lái)進(jìn)行S-Edit 基本結(jié)構(gòu)的介紹。Lights.sdb 文件中有很多模塊(Module），如Lights模塊、Core 模塊、IPAD 模塊、OPAD 模塊幻燈片31l （

6、1）打開(kāi)S-Editl 到TannerS-Edittutorialschematic 目錄下選取Lights.sdbl （2）打開(kāi)Lights 模塊l （3）尋找引用到的模塊：選擇Module>Find Moudle 命令，打開(kāi)Find 對(duì)話(huà)框.在該列表框中選擇core 選項(xiàng).幻燈片32幻燈片33l （5）打開(kāi)core 模塊。選擇View>Schematic Model 命令會(huì)看到core模塊的詳細(xì)電路圖.l （6）電路輸出. ：S-Edit 繪制的電路圖，可以輸出成幾種形式的文件，如圖2.2.7 所l 示，有SPICE 文件（*.sp）、TPR 文件（*.tpr）、NetTran

7、 Macro 文件（*.mac）、EDIF Netlist文件（*.edn）、EDIF 圖解文件（*.eds）、VHDL 文件（*.vhd）。其中的SPICE 文件（*.sp）可在T-Spice 模擬時(shí)使用或者是用作LVS 對(duì)比。幻燈片342.3 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容l 2.3.1 使用S-Edit 編輯反相器l （1）打開(kāi)S-Edit 程序：選擇File>Save As 命令，打開(kāi)“另存為”對(duì)話(huà)框，在“文l 件名”文本框中輸入新文件名，建立EX2.sdbl （2）元件符號(hào)的引用.基本cmos反相器由nmospmosvddgnd共同構(gòu)成,這些基本組件可以自己建立,也可以從組件庫(kù)中引用.添加組件庫(kù)：幻

8、燈片35幻燈片36(3)從組件庫(kù)中引用模塊:從spice庫(kù)中引用nmospmosvddgnd到文件中l(wèi)幻燈片37（4）編輯反相器,加入連線(xiàn)說(shuō)l注意:nmos襯底接低電位,pmos襯底接高電位幻燈片38（5）編輯輸入輸出端口明幻燈片39(6)建立反相器符號(hào)幻燈片40范(7)加入輸入輸出端口l幻燈片41(8)模塊輸出格式l 將設(shè)計(jì)好的S-Edit 電路圖輸出成SPICE 文件，。輸出SPICE 文件的方法有兩種：1、選擇File>Export 命令；2、單擊S-Edit 右上方的按鈕，會(huì)自動(dòng)輸出成SPICE文件并打開(kāi)T-Spice 同時(shí)轉(zhuǎn)出文件。幻燈片42實(shí)驗(yàn)報(bào)告及要求l 1.自己用tann

9、er pro 軟件編輯CMOS 非門(mén)單元電路,并輸出sp文件.l 2.調(diào)用module>instance,繪制環(huán)形振蕩器ringosc原理圖幻燈片43實(shí)驗(yàn)3 反相器瞬時(shí)分析l T-spise工具簡(jiǎn)介l T-spise是電路仿真和分析的工具,文件內(nèi)容除了有元件與節(jié)點(diǎn)的描述外,還必須加上其他的設(shè)定.幻燈片44幻燈片45l T-spice的模擬結(jié)果可用W-Edit觀(guān)看.l 仿真前注意設(shè)置T-spice的參數(shù).l Option中的dependencies進(jìn)行設(shè)置l幻燈片46l (1)打開(kāi)上次課編輯的反相器電路.另存為“inv_tran”l (2)加入工作電源,確定inv模塊在電路設(shè)計(jì)模式,再選擇

10、Module-Symbol Brower命令,打開(kāi)對(duì)話(huà)框,在Library列表框中選中spice元件庫(kù),選擇Source_v_dc作為該電路的工作電源幻燈片47幻燈片48l 注意將直流電源的正端接Vdd,負(fù)端接Gnd幻燈片49l (3)加入輸入信號(hào):選擇Module-Symbol Brower命令,打開(kāi)對(duì)話(huà)框,在Library列表框中選中spice元件庫(kù),選擇Source_v_pulse作為該電路的輸入信號(hào),將脈沖信號(hào)源的(+)接輸入端IN,將(-)接Gnd.l (4)更改模塊名稱(chēng):可將本模塊名稱(chēng)int,改為int_tran,Module-Rename.幻燈片50例這種接法方便外加電源與設(shè)計(jì)電

11、路分開(kāi)幻燈片51l (5)輸出為SPICE文件,較簡(jiǎn)單使用S-Edit右上方的l 自動(dòng)生成SPICE格式并打開(kāi)T-spice軟件.l幻燈片52l (6)加載包含文件,本范例引用1.25 的CMOS流程文件模型”m12_125.md”,單擊Insert Command后,出現(xiàn).include "C:TannerTSpice70modelsml2_125.md"M幻燈片53l (7)分析設(shè)定.Edit-Insert Command,選擇Analysis-Transientl#設(shè)置仿真時(shí)間間隔2ns,總仿真時(shí)間400ns,單擊Insert Command后,出現(xiàn).tran/op

12、2n 600n method=bdf幻燈片54l (8)輸出設(shè)定:觀(guān)察瞬時(shí)分析結(jié)果為哪些節(jié)點(diǎn)的電壓或電流,在此要觀(guān)察的輸入節(jié)點(diǎn)IN與輸出節(jié)點(diǎn)OUT的電壓仿真結(jié)果.鼠標(biāo)移到文件尾,選擇Edit-Insert Command-output-transient results幻燈片55Ml (9)進(jìn)行仿真l (10)觀(guān)察結(jié)果l后跟幻燈片56仿真狀態(tài)分析幻燈片57(11)選擇工具圖樣的 ,來(lái)分隔v(IN)和v(OUT)W-Edit觀(guān)察到的仿真結(jié)果幻燈片58l (12)分析結(jié)果l (13)時(shí)間分析,反相器的瞬時(shí)分析除了可以由波形看出其輸出隨輸入發(fā)生變化外,還可以用measure指令計(jì)算信號(hào)的延遲或上升/

13、下降時(shí)間,分析輸出電壓的下降時(shí)間,輸出電壓的下降時(shí)間為最大穩(wěn)定電壓90%到10%所對(duì)應(yīng)的電壓,選擇第二個(gè)下降波形計(jì)算,在inv_tran.sp中加入measure指令.方法:幻燈片59幻燈片60Analysis type:transient, measurement result name:falltimeMeasurement type: difference ,trigger:表示計(jì)算下降沿0.5v到4.5v的時(shí)間差幻燈片61l 單擊插入命令幻燈片62l (14)進(jìn)行仿真:注意保存文件,file-save,再選擇運(yùn)行仿真文件,出現(xiàn)仿真結(jié)果報(bào)告”Simulation Status”,并打開(kāi)W

14、-Edit窗口觀(guān)察仿真波形.l (15)觀(guān)察時(shí)間分析結(jié)果幻燈片63小知識(shí):1.PMOS元件l PMOS元件有4個(gè)端點(diǎn),分別為:漏極源極柵極襯底,描述語(yǔ)法:l著NMOS描述相同幻燈片642.直流電壓源幻燈片653.脈沖電壓源幻燈片664.瞬時(shí)分析設(shè)定語(yǔ)法幻燈片675顯示仿真結(jié)果語(yǔ)法l幻燈片68實(shí)驗(yàn)報(bào)告及要求l 1.自己用tanner pro 軟件仿真非門(mén)電路l 2.計(jì)算反相器上升時(shí)間l 3.計(jì)算反相器延遲時(shí)間l幻燈片69實(shí)驗(yàn)4 與非門(mén)/或非門(mén)設(shè)計(jì)l 1.打開(kāi)S-Edit程序l 2.另存新文件.在S-Edit程序中新打開(kāi)的文件一律以File xx的名稱(chēng)命名，用戶(hù)可將其更名為較有意義的文件名，以利于

15、日后的應(yīng)用。選擇File-Save As命令，打開(kāi)“另存為”對(duì)話(huà)框，在“保存在”列表框中選取存儲(chǔ)目錄，在“文件名”文本框中輸入新文件的名稱(chēng)，如EX。 幻燈片70l 3.環(huán)境設(shè)置l S-Edit 默認(rèn)的工作環(huán)境是黑底白線(xiàn)，但這可依用戶(hù)的愛(ài)好而自義顏色。選擇Setup-Colors命令，打開(kāi)Color對(duì)話(huà)框，可分別設(shè)置背景色(Background Color)、前景色(Foreground Color)、選取的顏色(Selection Color)、格點(diǎn)的顏色(Grid Color)與原點(diǎn)的顏色(Origin Color)顏色。用鼠標(biāo)選定顏色部分，即可更換顏色，如圖所示。幻燈片71幻燈片72l 4

16、.編輯模塊l S-Edit編輯方式是以模塊(Module)為單位而不是以文件(File)為單位，每一個(gè)文件可以有多個(gè)模塊，而每一個(gè)模塊即表示一種基本組件或一種電路，故一個(gè)文件內(nèi)可能包含多種組件或多個(gè)電路。每次打開(kāi)新文件時(shí)便自動(dòng)打開(kāi)一個(gè)模塊并將其命名為“Module0”?；脽羝?3l 5.瀏覽組件庫(kù)l S-Edit本身附有4個(gè)組件庫(kù)，它們分別是在.TannerS-Editlibrary目錄的scmos.sdb，spice.sdb，pages.sdb與element.sdb。若要引入這些組件庫(kù)中的模塊，可以選擇Module-Symbol Browser命令，打開(kāi)Symbol Browser對(duì)話(huà)框，

17、 單擊Add Library按鈕，可加入要使用的組件庫(kù)，CMOS與非門(mén)只需要用到spice組件庫(kù)，如圖所示。幻燈片74幻燈片75l 6.從組件庫(kù)引用模塊l 編輯與非門(mén)電路會(huì)利用到NMOS，PMOS，Vdd與Gnd這4個(gè)模塊，所以要從組件庫(kù)中復(fù)制NMOS，PMOS，Vdd與Gnd這4個(gè)模塊到EX文件。即在的Symbol Browser對(duì)話(huà)框中，從spice組件庫(kù)中選擇Vdd等，點(diǎn)擊Place將所選模塊放置在原理圖中， 幻燈片76幻燈片77l 7.編輯與非門(mén)l 將加入的模塊拖動(dòng)到合適的位置，再連接信號(hào)線(xiàn)，在兩對(duì)象相連接處，各節(jié)點(diǎn)上小圓圈消失即代表連接成功，但若有3個(gè)或以上的聯(lián)機(jī)或組件節(jié)點(diǎn)接在一起時(shí)

18、，則會(huì)出現(xiàn)實(shí)心圓圈， 幻燈片78l 8.加入輸入端口與輸出端口幻燈片79l 9.建立與非門(mén)符號(hào)l 選擇View-Symbol Mode命令，即可切換至符號(hào)模式。使用S-Edit提供的工具畫(huà)出與非門(mén)的電路符號(hào)，并加入與原理圖相對(duì)應(yīng)的輸入輸出端口， 幻燈片80幻燈片81l 10 輸出成SPICE文件幻燈片82實(shí)驗(yàn)報(bào)告及要求l 1.自己用tanner pro 軟件編輯與非門(mén)或非門(mén)異或門(mén)元件l幻燈片83實(shí)驗(yàn)5 與非門(mén)直流分析l 1.打開(kāi)已編輯好的與非門(mén)電路l 2.加入工作電源,選取直流電壓源Source_v_dc作為該電路的工作電源l幻燈片84l 3.輸入工作電源.即在A(yíng)/B端口分別加入5V的直流電.

19、l 4.更改模塊名稱(chēng),NAND2_DC5.編輯Source_v_dc對(duì)象.目的:區(qū)分3個(gè)電源.選中要編輯的電源,使之變紅色.EditEdit Object幻燈片85幻燈片86l 6.選擇A與Gnd間的電源,使之變紅,選擇編輯對(duì)象,修改引用名稱(chēng)instance name為”Va”,修改properties中的SPICE OUTPUT文本框中的內(nèi)容”v#”改為”$instance”,修改后SPICE的輸出格式: Va A Gnd 5.0.按同樣的方法修改B輸入端的電源.l 7.輸出SPICE文件.l幻燈片87幻燈片88l 8加載包含文件l 9.分析設(shè)定.模擬輸入電壓va從0v到5v(以0.1v線(xiàn)性

20、增加),vb va從0v到5v(以1v線(xiàn)性增加),輸出電壓對(duì)輸入電壓的變動(dòng)結(jié)果.按下述方法設(shè)置l幻燈片89幻燈片90幻燈片91l 10.電源sweep設(shè)定結(jié)果l .dc lin source va 0 5.0 0.1 sweep lin source vb 0 5.0 1l 11.輸出設(shè)定幻燈片92結(jié)果:.print dc v(OUT)幻燈片93l 12進(jìn)行仿真,觀(guān)看結(jié)果l幻燈片94l 12,如果要觀(guān)看曲線(xiàn)性質(zhì),可以雙擊曲線(xiàn)2次.打開(kāi)trace properties對(duì)話(huà)框.幻燈片95任務(wù)l 進(jìn)行或非門(mén)或異或門(mén)的直流分析幻燈片96實(shí)驗(yàn)四 全加器和四位加法器電路設(shè)計(jì)l 1.實(shí)驗(yàn)?zāi)康?l 熟悉Tan

21、ner Pro軟件的使用；熟練掌握電路設(shè)計(jì)方法；幻燈片97l 2.實(shí)驗(yàn)內(nèi)容l 利用多種基本邏輯電路，組合成全加器電路，最終實(shí)現(xiàn)四位加法器電路?；脽羝?83.實(shí)驗(yàn)步驟l 1、打開(kāi)S-Edit程序，設(shè)置環(huán)境，將文件另存為新文件。 l 2、從組件庫(kù)中引用模塊，可從scmos組件庫(kù)分別復(fù)制NOR2C，NAND2C，NOR3C，NAND3C與Inv模塊，并在編輯畫(huà)面中引用。l 3、編輯全加器幻燈片99l 4、標(biāo)注節(jié)點(diǎn)名稱(chēng)，單擊按鈕，再到工作區(qū)中選擇要連接的端點(diǎn).l 5、加入輸入端口與輸出端口，全加器要建立A，B，Ci這三個(gè)輸入端口，Co與S兩個(gè)輸出端口l 6、建立全加器符號(hào)，選擇ViewSymbol M

22、ode命令，切換至符號(hào)模式，編輯全加器符號(hào)，然后加入輸入端口與輸出端口，并標(biāo)明全加器符號(hào)的輸入輸出信號(hào)的位置.幻燈片100l 7、更改模塊名稱(chēng)，將原來(lái)的模塊名稱(chēng)換成符合實(shí)際電路特性的名稱(chēng)，此電路為全加器，將其更改為“fulladder” l 8.將文件保存,新建一文件,將剛才的文件引用到新文件中,用module->symbol browser,后利用Add library加入,再?gòu)闹羞x擇fulladder符號(hào).l 9、組合四個(gè)全加器,完成各端口連接.幻燈片101l 10更改引用元件名稱(chēng),edit->edit objectl 11標(biāo)注節(jié)點(diǎn)名稱(chēng)l 12加入輸入輸出端口l 13建立四位全

23、加器符號(hào)l 14更改模塊名稱(chēng)l 15輸出spice文件l幻燈片102實(shí)驗(yàn)報(bào)告及要求l 1.自己用tanner pro 軟件編輯一位和四位全加器電路l幻燈片103實(shí)驗(yàn)5 L-Edit的使用 l 目的:l 1、熟悉版圖設(shè)計(jì)工具L-Edit的使用環(huán)境；l 2、掌握L-Edit的使用方法；幻燈片104版圖設(shè)計(jì)概念l 定義：版圖設(shè)計(jì)是創(chuàng)建工程制圖（網(wǎng)表）的精確的物理描述過(guò)程，而這一物理描述遵守有制造工藝、設(shè)計(jì)流程以及通過(guò)仿真顯示為可行的性能要求所帶來(lái)的一系列約束?；脽羝?05整數(shù) l 圖1 熱驅(qū)動(dòng)器版圖設(shè)計(jì)幻燈片106幻燈片107圖3 微馬達(dá)的版圖設(shè)計(jì)幻燈片108圖4 微陀螺儀的版圖設(shè)計(jì)幻燈片109L-

24、Edit的功能：l 編輯布局圖;l 自動(dòng)配置與繞線(xiàn);l 設(shè)計(jì)規(guī)則檢查;l 截面觀(guān)察;l 電路轉(zhuǎn)化幻燈片110二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟l 1、基本操作l 打開(kāi)L-Edit程序：雙擊圖標(biāo)，執(zhí)行l(wèi)edit.exe程序，界面如下圖所示?；脽羝?11幻燈片112l 2.另存新文件：選擇File-Save AS命令，打開(kāi)“另存為”對(duì)話(huà)框，在“保存在”下拉列表框中選擇存儲(chǔ)目錄，在“文件名”文本框中輸入新文件的名稱(chēng)，例如：My_design，后綴名為.tdb?；脽羝?13l 3.取代設(shè)定：選擇File-Replace Setup命令，將出現(xiàn)一個(gè)對(duì)話(huà)框，單擊From file下拉列表框右側(cè)的Browser按鈕，選擇所

25、需要的.tdb文件，單擊OK按鈕，就可以將該文件的設(shè)定選擇性應(yīng)用在目前編輯的文件中。幻燈片114l 4.編輯組件：L-Edit編輯方式是以組件(Cell)為單位而不是以文件(File)為單位的，每個(gè)文件可以有多個(gè)Cell，而每個(gè)Cell可以表示一種電路布局或說(shuō)明，每次打開(kāi)新文件時(shí)也自動(dòng)打開(kāi)一個(gè)Cell并將之命名為Cell0，在編輯畫(huà)面中的十字代表坐標(biāo)原點(diǎn)?；脽羝?15l 5.環(huán)境設(shè)定：繪制布局圖，必須要有確定的大小，因此繪圖前先要確認(rèn)或設(shè)定坐標(biāo)與實(shí)際長(zhǎng)度的關(guān)系。選擇Setup命令，打開(kāi)Design對(duì)話(huà)框，該對(duì)話(huà)框共有六頁(yè)，分別是：Technology(工藝參數(shù))、Grid(網(wǎng)格參數(shù)Select

26、ion(選擇參數(shù))、Drawing(繪圖參數(shù))、Curves(曲線(xiàn)參數(shù))、Xref files(外部交叉引用參數(shù))。在其中的Technology選項(xiàng)卡中出現(xiàn)使用技術(shù)的名稱(chēng)、單位與設(shè)定，如下圖所示，設(shè)定1個(gè)Lambda為1000個(gè)Internal Unit，也設(shè)定1個(gè)Lambda等于1個(gè)Micron?；脽羝?16l幻燈片117幻燈片118l幻燈片119l幻燈片120l 6.選擇繪圖形狀：在繪圖工具欄中選擇工具，直角多邊形、45度斜邊多邊形、任意拐角多邊形，直角拐彎線(xiàn)、45度斜線(xiàn)連接、任意拐角線(xiàn)，圓形、圓環(huán)、扇區(qū)等項(xiàng)目，按鼠標(biāo)左鍵拖拽可以畫(huà)圖。如要繪制一個(gè)方形的Poly圖層，注意左下角有狀態(tài)欄，表

27、面繪制的形狀、圖層、寬度(W)、高度(H)、面積(A)與周長(zhǎng)(P)。分別選擇長(zhǎng)方形工具、多邊形工具，可利用鼠標(biāo)左鍵拖拽并點(diǎn)出多邊形的端點(diǎn)，右鍵單擊結(jié)束，如下圖所示?；脽羝?21幻燈片122l 7.設(shè)計(jì)規(guī)則檢查：選擇Tools-DRC Setup命令，打開(kāi)Design Rule Check對(duì)話(huà)框，如下圖所示，若單擊按鈕會(huì)出現(xiàn)Setup Design Rules對(duì)話(huà)框，可以設(shè)定設(shè)計(jì)規(guī)則?；脽羝?23幻燈片124l 8.檢查錯(cuò)誤：選擇Tools-DRC命令，則進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查。當(dāng)出錯(cuò)時(shí)，系統(tǒng)會(huì)顯示其違背了設(shè)計(jì)規(guī)則，并標(biāo)出錯(cuò)誤的坐標(biāo)范圍?；脽羝?25l 9修改對(duì)象：將Poly圖層的寬度改為2個(gè)Lamb

28、da，可選擇Edit-Edit Object(s)命令，打開(kāi)Edit Object(s)對(duì)話(huà)框，在Boxs下拉列表中選擇bottom left corner and dimensions選項(xiàng)，將Width微調(diào)框改為2.000，單擊“確定”即可；也可利用Alt鍵加鼠標(biāo)拖拽的方式來(lái)修改對(duì)象大小。修改完畢后再進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查。l 10移動(dòng)對(duì)象：選擇Draw-Move By命令，打開(kāi)Move By對(duì)話(huà)框，設(shè)定移動(dòng)量X方向向右移動(dòng)一格，單擊確定即可?；脽羝?26實(shí)驗(yàn)報(bào)告及要求l 1.用ledit畫(huà)poly層,學(xué)習(xí)DRC命令的使用l 2.用圖層自繪圖形并用tools截面觀(guān)察所繪圖形l 3.打開(kāi)范例文件,尋

29、找NAND2,并抓取截面圖,顯示poly層和active層幻燈片127幻燈片128幻燈片129實(shí)驗(yàn)6 使用L-EDIT畫(huà)PMOS布局圖l 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?l 1、熟悉版圖設(shè)計(jì)工具L-Edit 的使用方法； 2、能運(yùn)用L-Edit 實(shí)現(xiàn)器件的布局圖；幻燈片130L-Edit 使用的注意事項(xiàng)l （1）L-Edit 編輯環(huán)境是預(yù)設(shè)在P 型基板上，故在P 型基板上制作PMOS 的第一步是需要做 出N Well 區(qū)，即需設(shè)定N 阱區(qū)； l （2）改變圖形大小的方法：“alt+鼠標(biāo)拖動(dòng)邊框”；移動(dòng)圖形的方法“alt+鼠標(biāo)拖動(dòng)圖形”； l （3）繪制各圖層之前需先通過(guò)Tools-DRC Setup 查看對(duì)應(yīng)的

30、設(shè)計(jì)規(guī)則，從而選擇確定圖層 的大??；繪制完一個(gè)圖層都需DRC 進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查； l （4）各圖層繪制無(wú)先后順序的規(guī)定； l （ 5 ） 繪圖時(shí)可適當(dāng)使用“ 尺子” 功能： ； 清除圖中的“ 尺寸” 使用 “View-Objects-Rules”；幻燈片131二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及步驟l （1） 打開(kāi)L-Edit 程序。 l （2） 另存新文件：選擇File-Save As 命令，打開(kāi)“另存為”對(duì)話(huà)框，在“保存在”下 拉列表框中選擇存儲(chǔ)目錄，在“文件名”文本框中輸入新文件名稱(chēng)，l （3） 取代設(shè)定：選擇File-Replace Setup 命令，單擊出現(xiàn)的對(duì)話(huà)框的From file 下拉列 表右側(cè)的B

31、rowser 按鈕，選擇lights.tdb 文件，再單擊OK 按鈕，就可將lights.tdb 文件的設(shè)定選擇性應(yīng)用在目前編輯的文件，包括格點(diǎn)設(shè)定、圖層設(shè) 定等?；脽羝?32(1)(2)(3)幻燈片133,幻燈片134l （4） 編輯組件：L-Edit 編輯方式是以組件(Cell)為單位而不是以文件(File)為單位的，每 一個(gè)文件可有多個(gè)Cell，而每一個(gè)Cell 可表示一種電路布局圖或說(shuō)明，每次打開(kāi)新文件時(shí) 自動(dòng)打開(kāi)一個(gè)Cell 并將之命名為Cell0，其中，編輯畫(huà)面中的十字為坐標(biāo)原點(diǎn)。幻燈片135l （5） 設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)定：選擇Setup 命令，打開(kāi) Design 對(duì)話(huà)框。在Techno

32、logy 選項(xiàng)卡中 設(shè)定1 個(gè)Lambda 為1000 個(gè)Internal Unit, 也設(shè)定1 個(gè)Lambda 等于1 個(gè)Micron；選擇Grid 選項(xiàng)卡，其中包括使用格點(diǎn)顯示設(shè)定、鼠標(biāo)停格設(shè)定與坐標(biāo)單位設(shè)定，在Grid display 選項(xiàng) 組中設(shè)定1 個(gè)顯示的格點(diǎn)(Displayed grid)等于1 個(gè)坐標(biāo)單位(Locator unit), 在Suppress grid less than 文本框中設(shè)定當(dāng)格點(diǎn)距離小于8 個(gè)像素(pixels)時(shí)不顯示；在Cursor type 選項(xiàng)中設(shè) 定鼠標(biāo)光標(biāo)顯示為Smooth 類(lèi)型，在Mouse snap grid 文本框中設(shè)定鼠標(biāo)鎖定的格點(diǎn)為

33、0.5 個(gè) 坐標(biāo)單位(Locator Unit)，在One Locator Unit 文本框中設(shè)定1 個(gè)坐標(biāo)單位為1000 個(gè)內(nèi)部單 位(Internal Units)。 設(shè)定結(jié)果為 1 個(gè)格點(diǎn)距離等于1 個(gè)坐標(biāo)單位也等于1 個(gè)Micron。 幻燈片136幻燈片137幻燈片138l （6） 選取圖層：在畫(huà)面左邊有一個(gè)Layers 面板，其中有一個(gè)下拉列表，可選取要繪制 的圖層，例如，Poly，則Layers 面板會(huì)選取代表Poly 圖層的紅色。在L-Edit 中的Poly 圖層代表制作集成電路中多晶硅(Poly Silicon)所需要的光罩圖樣。繪制PMOS 布局圖會(huì)用到 的圖層包括(N We

34、ll 圖層)、(Active 圖層)、(N Select 圖層)、(P Select 圖層)、(Poly 圖層)、(Metal1 圖層)、(Metal 2 圖層)、(Active Contact 圖層)、(Via 圖層)?；脽羝?39l （7） 繪制N Well 圖層：L-Edit 編輯環(huán)境是預(yù)設(shè)在P 型基板上，故不需要定義出P 型基 板范圍。在P 型基板上制作PMOS 的第一步流程要先做出N Well 區(qū)，即需要設(shè)計(jì)光罩以 限定N Well 的區(qū)域。繪制N Well 布局圖必須先了解是使用哪種流程的設(shè)計(jì)規(guī)則，本設(shè)計(jì)使 用MOSIS/ORBIT 2.0U 的設(shè)計(jì)規(guī)則。觀(guān)看N Well 繪制要遵

35、守的設(shè)計(jì)規(guī)則可選擇Tools-DRC Setup 命令，打開(kāi)Setup Design Rules 對(duì)話(huà)框(或單擊按鈕)，再?gòu)钠渲械腞ules list 列表框選 擇1.1 Well Minimum Width 選項(xiàng)，可知N Well 的最小寬度有10 個(gè)Lambda 的要求。 選取 Layers 面板下拉列表中的N Well 選項(xiàng)，再?gòu)腄rawing 工具欄中選擇工具，在Cell0 編輯窗口畫(huà)出占據(jù)橫向24 格縱向15 格的方形N Well，如下圖所示幻燈片140幻燈片141幻燈片142l （8） 繪制Active 圖層：設(shè)計(jì)了N Well 的布局區(qū)域之后，接著設(shè)計(jì)主動(dòng)區(qū)(Active)圖層圖

36、 樣，Active 圖層在流程上的意義是定義PMOS 或NMOS 的范圍，Active 以外的地方是厚氧 化層區(qū)(或稱(chēng)為場(chǎng)氧化層)，故需要設(shè)計(jì)光罩以限定Active 的區(qū)域，但要注意PMOS 的Active 圖層要繪制在N Well 圖層之內(nèi)。同樣，繪制Active 圖層必須先了解是使用何種流程的設(shè)計(jì) 規(guī)則，通過(guò)Tools-DRC Setup 命令，打開(kāi)Setup Design Rules 對(duì)話(huà)框(或單擊按鈕)，再?gòu)腞ules list 列表框中選擇2.1 Active Minimum Width 選項(xiàng)，可知Active 的最小寬度有3 個(gè)Lambda 的要求。 選取 Layers 面板中下拉

37、列表中的Active 選項(xiàng)，再?gòu)腄rawing 工具欄中選擇工具，在Cell0 編輯窗口中畫(huà)出占據(jù)橫向14 格縱向5 格的方Active 于N Well 圖層中。 幻燈片143幻燈片144利用tool-cross secion產(chǎn)生截面圖幻燈片145l （9） 繪制P Select 圖層：設(shè)計(jì)了Active 的布局區(qū)域之后，并需加上P Select 或N Select 圖層與Active 圖層重疊。在PMOS 中需要布置的是P 型雜質(zhì)，P Select 圖層在流程上的意 義是定義要布置P 型雜質(zhì)的范圍，故需要設(shè)計(jì)光罩以限定P 型雜質(zhì)的區(qū)域。但要注意P Select 區(qū)域要包住Active 圖層，

38、否則設(shè)計(jì)規(guī)則檢查會(huì)有錯(cuò)誤。同樣，繪制P Select 圖層必須 先了解是使用哪種流程的設(shè)計(jì)規(guī)則。要觀(guān)看P Select 圖層繪制要遵守的設(shè)計(jì)規(guī)則可選擇 Tools-DRC Setup 命令，打開(kāi)Setup Design Rules 對(duì)話(huà)框(或單擊按鈕)，再?gòu)腞ules list 列表 框中選擇4.2b/2.5 Active to P-Select Edge Active Minimum Width 選項(xiàng)。 從 4.2b 規(guī)則內(nèi)容可知，若Active 完全在P Select 內(nèi)，則Active 的邊界要與P Select 的 邊界至少要有兩個(gè)Lambda 的距離，這是環(huán)繞(Surround)規(guī)則

39、。選取Layers 面板中下拉列表 中的P Select 選項(xiàng)，使工具被選取，再?gòu)腄rawing 工具欄中選擇工具，于Cell0 編輯窗口 中畫(huà)出占據(jù)橫向18 格，縱向9 格的方形于N Well 圖層中?；脽羝?46幻燈片147幻燈片148l （10） 繪制Poly 圖層：接下來(lái)繪制Poly 圖層，Poly 圖層在流程上的意義是定義生長(zhǎng)多晶 硅(Poly Silicon)，需要設(shè)計(jì)光罩以限定多晶硅區(qū)域。同樣，繪制Poly 圖層必須先了解是使 用哪種流程的設(shè)計(jì)規(guī)則。要觀(guān)看Poly 圖層繪制要遵守的設(shè)計(jì)規(guī)則可選擇ToolsDRC 命令， 打開(kāi)Design Rule Check 對(duì)話(huà)框，單擊其中的S

40、etup 按鈕打開(kāi)Setup Design Rules 對(duì)話(huà)框(或單 擊按鈕)，再?gòu)钠渲械腞ules list 列表框中選擇3.1 Poly Minimum Width 選項(xiàng)，從3.1 規(guī)則內(nèi) 容可知，Poly 的最小寬度有兩個(gè)Lambda 的要求。橫2格,縱9格. 幻燈片149l 選擇tool-DRC命令,進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查幻燈片150剖面圖幻燈片151l （11） 繪制Active Contact 圖層：PMOS的源極區(qū)與漏極區(qū)各要加上電極,才能在其上加上偏壓.各元件間的信號(hào)傳遞,也需要靠金屬線(xiàn)連接,在最底層的金屬線(xiàn)是以Metal1圖層表示.在金屬層制作前,元件會(huì)被沉積上一層絕緣層,為了讓金

41、屬能接觸到擴(kuò)散區(qū)(D極和S極),必須在絕緣層上蝕刻出一個(gè)接觸孔,metal1與擴(kuò)散區(qū)間的接觸孔以Active Contact 圖層表示.l Active 圖層中畫(huà)出占據(jù)橫向兩格、縱向兩格的方形,左右兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)各畫(huà)一個(gè)Active Contact。 幻燈片152l （12） 繪制Metal1 圖層：NMOS的源極和漏極都要加上電極,才能在其加上偏壓,各元件的信號(hào)傳遞也需要金屬線(xiàn),在最低層的金屬線(xiàn)以Metal1圖層表示. 寬4 個(gè)格點(diǎn)高4 個(gè)格點(diǎn).幻燈片153幻燈片154小結(jié):l N WELL寬為24個(gè)格點(diǎn)，高為15 個(gè)格點(diǎn)： Active 寬為14 個(gè)格點(diǎn)，高為5 個(gè)格點(diǎn)：Poly 寬為2 個(gè)格點(diǎn)，高為9 個(gè)格點(diǎn)：P Select 寬為18 個(gè)格點(diǎn)，高為9 個(gè)格點(diǎn)；兩個(gè)Active Contact 寬皆為2 個(gè)格點(diǎn)，高皆為2 個(gè)格點(diǎn)： 兩個(gè)Metal1 寬皆為4 個(gè)格點(diǎn)，高皆為4 個(gè)格點(diǎn)。 幻燈片155練習(xí):按同樣方法生成nmos布局圖,cell-&