1、晶體硅太陽能電池的基本原理分析3.2 太陽電池的分類工作原理太陽電池的分類工作原理太陽電池基本構造：半導體的太陽電池基本構造：半導體的PN結結導體：銅（導體：銅（106/(cm)） 絕緣體絕緣體: SiO2(10-16/(cm)）半導體半導體: 10-4104/(cm)半導體半導體元素：硅（元素：硅（SiO2）、鍺（）、鍺（Ge）、硒（）、硒（Se）等）等化合物：硫化鎘（化合物：硫化鎘（CdS）、砷化鎵（）、砷化鎵（GaAs）等）等合金：合金：GaxAl1-xAs(x為為0-1之間的任意數(shù)之間的任意數(shù))有機半導體有機半導體3.2.1 半導體半導體+4+4+4+4+4+4+4+4+4硅是四價元素

2、，每個原子的硅是四價元素，每個原子的最外層上有最外層上有4個電子。個電子。這這4個電子又被稱為價電子個電子又被稱為價電子硅晶體中，每個原子有硅晶體中，每個原子有4個個相鄰原子，并和每一個相鄰相鄰原子，并和每一個相鄰原子共有原子共有2個價電子，形成個價電子，形成穩(wěn)定的穩(wěn)定的8原子殼層。原子殼層。當溫度升高或受到光的當溫度升高或受到光的照射時，束縛電子能量照射時，束縛電子能量升高，有的電子可以掙升高，有的電子可以掙脫原子核的束縛，而參脫原子核的束縛，而參與導電，稱為自由電子。與導電，稱為自由電子。自由電子產(chǎn)生的同時，自由電子產(chǎn)生的同時，在其原來的共價鍵中就在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)一個空位，稱為空出

3、現(xiàn)一個空位，稱為空穴。穴。+4+4+4+4+4+4+4+4+4自由自由電子電子空穴空穴3.2.2 能帶結構能帶結構量子力學證明，由于晶體中各原子間的相互影響，原來各原子中量子力學證明，由于晶體中各原子間的相互影響，原來各原子中能量相近的能級將分裂成一系列和原能級接近的新能級。這些新能量相近的能級將分裂成一系列和原能級接近的新能級。這些新能級基本上連成一片，形成能帶能級基本上連成一片，形成能帶 當當N N個原子靠近形成晶體時，由于各原子間的相互作用，對應于個原子靠近形成晶體時，由于各原子間的相互作用，對應于原來孤立原子的一個能級，就分裂成原來孤立原子的一個能級，就分裂成N N條靠得很近的能級。使

4、原條靠得很近的能級。使原來處于相同能級上的電子，不再有相同的能量，而處于來處于相同能級上的電子，不再有相同的能量，而處于N N個很接個很接近的新能級上。近的新能級上。由于晶體中原子的周期性排列，價電子不再為單個原子所有的現(xiàn)由于晶體中原子的周期性排列，價電子不再為單個原子所有的現(xiàn)象。共有化的電子可以在不同原子中的相似軌道上轉移，可以在象。共有化的電子可以在不同原子中的相似軌道上轉移，可以在整個固體中運動。整個固體中運動。 n = 3n = 2 原子能級原子能級 能帶能帶N N條能級條能級E E禁帶禁帶滿帶：排滿電子的能帶滿帶：排滿電子的能帶空帶：未排電子的能帶空帶：未排電子的能帶未滿帶：排了電子

5、但未排滿的能帶未滿帶：排了電子但未排滿的能帶禁帶：不能排電子的區(qū)域禁帶：不能排電子的區(qū)域11滿帶不導電滿帶不導電22未滿能帶才有導電性未滿能帶才有導電性導帶：最高的滿帶導帶：最高的滿帶價帶：最低的空帶價帶：最低的空帶電子可以從價帶激發(fā)到導帶，價帶中產(chǎn)生空穴，導帶中出現(xiàn)電子，電子可以從價帶激發(fā)到導帶，價帶中產(chǎn)生空穴，導帶中出現(xiàn)電子，空穴和電子都參與導電成為載流子空穴和電子都參與導電成為載流子導體，在外電場的作用下，大量共有化電子很易獲得能量，集體導體，在外電場的作用下，大量共有化電子很易獲得能量，集體定向流動形成電流。定向流動形成電流。絕緣體：在外電場的作用下，共有化電子很難接受外電場的能量絕緣

6、體：在外電場的作用下，共有化電子很難接受外電場的能量，所以形不成電流。從能級圖上來看，是因為滿帶與空帶之間有，所以形不成電流。從能級圖上來看，是因為滿帶與空帶之間有一個較寬的禁帶（一個較寬的禁帶（E Eg g 約約3 36 eV6 eV），共有化電子很難從低能級（），共有化電子很難從低能級（滿帶）躍遷到高能級（空帶）上去。滿帶）躍遷到高能級（空帶）上去。半導體：的能帶結構半導體：的能帶結構, ,滿帶與空帶之間也是禁帶，滿帶與空帶之間也是禁帶， 但是禁帶很窄但是禁帶很窄（E Eg g 約約3 eV3 eV以下以下 ) )。 導體導體 半導體半導體 絕緣體絕緣體Eg Eg 價帶價帶導帶導帶最高的滿

7、帶最高的滿帶最低的空帶最低的空帶導帶導帶價帶價帶滿帶滿帶部分部分填充填充能帶能帶在本征半導體硅或鍺中摻入微量的其它適當元素后所形成在本征半導體硅或鍺中摻入微量的其它適當元素后所形成的半導體的半導體2 2 摻雜半導體摻雜半導體3.2.3 3.2.3 雜質半導體雜質半導體1 1 本征半導體本征半導體無雜質，無缺陷的半導體無雜質，無缺陷的半導體本證載流子：電子、空穴均參與導電本證載流子：電子、空穴均參與導電本征半導體中正負載流子數(shù)目相等，數(shù)目很少本征半導體中正負載流子數(shù)目相等，數(shù)目很少根據(jù)摻雜的不同，雜質半導體分為根據(jù)摻雜的不同，雜質半導體分為N N型半導體型半導體P P型半導體型半導體N N型半導

8、體：摻入五價雜質元素（如磷、砷）的雜質半導體型半導體：摻入五價雜質元素（如磷、砷）的雜質半導體P P型半導體：在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼等。型半導體：在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼等?？湛?帶帶滿滿 帶帶施主能級施主能級DEDDEg空空 帶帶DEa滿滿 帶帶受主能級受主能級DEg摻入少量五價雜質元素磷摻入少量五價雜質元素磷+4+4+4+4+4+4+4+4P P多出一多出一個電子個電子出現(xiàn)了一個出現(xiàn)了一個正離子正離子電子是多數(shù)載流子，簡電子是多數(shù)載流子，簡稱多子稱多子; ;空穴是少數(shù)載流子，簡空穴是少數(shù)載流子，簡稱少子。稱少子。施主雜質施主雜質半導體整體呈電中性半導體整體呈電中性

9、摻入少量三價雜質元素硼摻入少量三價雜質元素硼+4+4+4+4+4+4+4+4B空穴空穴負離子負離子空穴是多數(shù)載流子，空穴是多數(shù)載流子，簡稱多子簡稱多子; ;電子是少數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子，簡稱少子。簡稱少子。受主雜質受主雜質半導體整體呈電中性半導體整體呈電中性3.2.5 PN3.2.5 PN結結半導體中載流子有擴散運動和漂移運動兩種運動方式。半導體中載流子有擴散運動和漂移運動兩種運動方式。載流子在電場作用下的定向運動稱為漂移運動載流子在電場作用下的定向運動稱為漂移運動. .在半導體中，如果載流子濃度分布不均勻，因為濃度差，在半導體中，如果載流子濃度分布不均勻，因為濃度差，載流子將會從濃度高

10、的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動，這種載流子將會從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動，這種運動稱為擴散運動。運動稱為擴散運動。將一塊半導體的一側摻雜成將一塊半導體的一側摻雜成P P型半導體，另一側摻雜成型半導體，另一側摻雜成N N型半導體，在兩種半導體的交界面處將形成一個特殊的型半導體，在兩種半導體的交界面處將形成一個特殊的薄層薄層PN結結 多子擴散運動形成空間電荷區(qū)多子擴散運動形成空間電荷區(qū)由于濃度差，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向由于濃度差，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向擴散的結果，擴散的結果，交界面交界面P P區(qū)一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，區(qū)一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，N N區(qū)一

11、區(qū)一側因失去電子而留下不能移動的正離子，這樣在交界面處出現(xiàn)側因失去電子而留下不能移動的正離子，這樣在交界面處出現(xiàn)由數(shù)量相等的正負離子組成的空間電荷區(qū)，并產(chǎn)生由由數(shù)量相等的正負離子組成的空間電荷區(qū)，并產(chǎn)生由N N區(qū)指向區(qū)指向P P區(qū)的內電場區(qū)的內電場E EININ。PNPN結結晶體硅太陽能電池的基本原理分析17 內電場內電場E EININ阻止多子擴散，促使少子漂移阻止多子擴散，促使少子漂移多子擴散多子擴散空間電荷區(qū)加寬內空間電荷區(qū)加寬內電場電場E EININ增強增強 少子漂移少子漂移促使促使阻止阻止E EININE EININ空間電荷區(qū)變窄空間電荷區(qū)變窄內電場內電場E EININ削弱削弱 擴散與

12、漂移達到動態(tài)平衡形成一定寬度的擴散與漂移達到動態(tài)平衡形成一定寬度的PNPN結結3.2.6 3.2.6 光生伏特效應光生伏特效應當光照射當光照射p-np-n結，只要入射光子能量大于材料禁帶寬度，就會在結區(qū)激結，只要入射光子能量大于材料禁帶寬度，就會在結區(qū)激發(fā)電子發(fā)電子- -空穴對。這些非平衡載流子在內建電場的作用下，空穴順著電空穴對。這些非平衡載流子在內建電場的作用下，空穴順著電場運動，電子逆著電場運動，最后在場運動，電子逆著電場運動，最后在n n區(qū)邊界積累光生電子，在區(qū)邊界積累光生電子，在p p區(qū)邊區(qū)邊界積累光生空穴，產(chǎn)生一個與內建電場方向相反的光生電場，即在界積累光生空穴，產(chǎn)生一個與內建電場

13、方向相反的光生電場，即在p p區(qū)區(qū)和和n n區(qū)之間產(chǎn)生了光生電壓區(qū)之間產(chǎn)生了光生電壓U UOCOC，這就是，這就是p-np-n結的光生伏特效應。只要光結的光生伏特效應。只要光照不停止，這個光生電壓將永遠存在。照不停止，這個光生電壓將永遠存在。3.2.7 3.2.7 太陽電池的基本工作原理太陽電池的基本工作原理光電轉換的物理過程：光電轉換的物理過程：（1 1）光子被吸收，使）光子被吸收，使PNPN結的結的P P側和側和N N側兩邊產(chǎn)生電子側兩邊產(chǎn)生電子- -空穴對空穴對（2 2）在離開）在離開PNPN結一個擴散長度以內產(chǎn)生的電子和空穴通過擴散到達空結一個擴散長度以內產(chǎn)生的電子和空穴通過擴散到達空

14、 間電荷區(qū)間電荷區(qū)（3 3）電子）電子- -空穴對被電場分離，空穴對被電場分離，P P側的電子從高電位滑落至側的電子從高電位滑落至N N側，空穴側，空穴沿著相反的方向移動沿著相反的方向移動（4 4）若）若PNPN結開路，則在結兩邊積累的電子和空穴產(chǎn)生開路電壓結開路，則在結兩邊積累的電子和空穴產(chǎn)生開路電壓3.2.8 3.2.8 晶硅太陽電池的結構晶硅太陽電池的結構由于半導體不是電的良導體，電子在通過由于半導體不是電的良導體，電子在通過p pn n結后如果在半導體中結后如果在半導體中流動，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬，流動，電阻非常大，損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金

15、屬，陽光就不能通過，電流就不能產(chǎn)生，因此一般用金屬網(wǎng)格覆蓋陽光就不能通過，電流就不能產(chǎn)生，因此一般用金屬網(wǎng)格覆蓋p pn n結（如圖柵狀電極），以增加入射光的面積。結（如圖柵狀電極），以增加入射光的面積。另外硅表面非常光亮，會反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。另外硅表面非常光亮，會反射掉大量的太陽光，不能被電池利用。為此，科學家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護膜，將反射為此，科學家們給它涂上了一層反射系數(shù)非常小的保護膜，將反射損失減小到損失減小到5 5甚至更小。一個電池所能提供的電流和電壓畢竟有甚至更小。一個電池所能提供的電流和電壓畢竟有限，于是人們又將很多電池（通常是限，于是人們又將很

16、多電池（通常是3636個）并聯(lián)或串聯(lián)起來使用，個）并聯(lián)或串聯(lián)起來使用，形成太陽能光電板。形成太陽能光電板。3.3 3.3 太陽能電池的電學性能太陽能電池的電學性能3.3.1 3.3.1 標準測試條件標準測試條件光源輻照度：光源輻照度：1000W/m1000W/m2 2測試溫度：測試溫度：25250 0C C太陽光譜輻照度分布太陽光譜輻照度分布3.3.2 3.3.2 太陽電池等效電路太陽電池等效電路 R Rsese表示來自電極接觸、基體材料等歐姆損耗的串聯(lián)電阻表示來自電極接觸、基體材料等歐姆損耗的串聯(lián)電阻R Rshsh表示來自泄漏電流的旁路電阻表示來自泄漏電流的旁路電阻R RL L表示負載電阻表

17、示負載電阻I ID D表示二極管電流表示二極管電流I IL L表示光生電流表示光生電流晶體硅太陽電池的等效電路晶體硅太陽電池的等效電路seLDshV + IRI = I + I +R根據(jù)等效電路根據(jù)等效電路將將p p- -n n結二極管電流方程結二極管電流方程qVnkTD0I= Ie-1代入上式的輸出電流代入上式的輸出電流seq(V+IR)senkTL0shV + IRI = I - Ie-1 -R式中式中q q為電子電量，為電子電量， k k為波爾茲曼常數(shù)，為波爾茲曼常數(shù)，T T為絕對溫度，為絕對溫度，n n為二極管質量因子。為二極管質量因子。理想情況下，理想情況下， R Rshsh , ,

18、R Rsese0 0seq(V+IR)nkTL0I = I - Ie-13.3.3 3.3.3 太陽電池的主要技術參數(shù)太陽電池的主要技術參數(shù)伏安特性曲線（伏安特性曲線（I-VI-V曲線）曲線）當負載當負載R RL L從從0 0 變化到無窮大時，輸出電壓變化到無窮大時，輸出電壓V V 則從則從0 0 變到變到V VOCOC，同時輸出電流便從同時輸出電流便從I ISCSC變到變到0 0，由此得到電池的輸出特性曲線，由此得到電池的輸出特性曲線太陽能電池的伏安曲線太陽能電池的伏安曲線電池產(chǎn)生電池產(chǎn)生的電能的電能MvmIm0最大功率點最大功率點mmmaxP = IU= PM M點為改太陽電池的最佳工作點

19、點為改太陽電池的最佳工作點太陽能電池的伏安曲線太陽能電池的伏安曲線電池產(chǎn)生電池產(chǎn)生的電能的電能MvmIm0短路電流是指當穿過電池的電壓為零時流過電池的電流（或者短路電流是指當穿過電池的電壓為零時流過電池的電流（或者說電池被短路時的電流）。通常記作說電池被短路時的電流）。通常記作ISC。短路電流源于光生載流子的產(chǎn)生和收集。對于電阻阻抗最小的短路電流源于光生載流子的產(chǎn)生和收集。對于電阻阻抗最小的理想太陽能電池來說，短路電流就等于光生電流。因此短路電理想太陽能電池來說，短路電流就等于光生電流。因此短路電流是電池能輸出的最大電流。流是電池能輸出的最大電流。在大氣質量光譜下的硅太陽能電池，其可能的最大電

20、流為在大氣質量光譜下的硅太陽能電池，其可能的最大電流為4646mAmA/ /cmcm2 2。實驗室測得的數(shù)據(jù)已經(jīng)達到。實驗室測得的數(shù)據(jù)已經(jīng)達到4242mAmA/ /cmcm2 2，而商業(yè)用，而商業(yè)用太陽能電池的短路電流在太陽能電池的短路電流在2828到到3535mAmA/ /cmcm2 2之間。之間。開路電壓開路電壓VOC是太陽能電池能輸出的最大電壓，此時輸出電流是太陽能電池能輸出的最大電壓，此時輸出電流為零。開路電壓的大小相當于光生電流在電池兩邊加的正向偏為零。開路電壓的大小相當于光生電流在電池兩邊加的正向偏壓。開路電壓如下圖伏安曲線所示。壓。開路電壓如下圖伏安曲線所示。開路電壓是太陽能電池

21、的開路電壓是太陽能電池的最大電壓，即凈電流為零最大電壓，即凈電流為零時的電壓。時的電壓。上述方程顯示了上述方程顯示了VOC取決于太陽能電池的飽和電流和光生電流。取決于太陽能電池的飽和電流和光生電流。由于短路電流的變化很小，而飽和電流的大小可以改變幾個數(shù)由于短路電流的變化很小，而飽和電流的大小可以改變幾個數(shù)量級，所以主要影響是飽和電流。飽和電流量級，所以主要影響是飽和電流。飽和電流I0主要取決于電池主要取決于電池的復合效應。即可以通過測量開路電壓來算出電池的復合效應。的復合效應。即可以通過測量開路電壓來算出電池的復合效應。實驗室測得的硅太陽能電池在光譜下的最大開路電壓能達到實驗室測得的硅太陽能電

22、池在光譜下的最大開路電壓能達到720mV，而商業(yè)用太陽能電池通常為，而商業(yè)用太陽能電池通常為600mV。01LOCInkTVlnqI 通過把輸出電流設置成零，便可得到太陽能電池的開路電壓方程：通過把輸出電流設置成零，便可得到太陽能電池的開路電壓方程：填充因子被定義為電池的最大輸出功率與開路填充因子被定義為電池的最大輸出功率與開路VOC和和ISC的乘積的的乘積的比值。比值。短路電流和開路電壓分別是太陽能電池能輸出的最大電流和最大短路電流和開路電壓分別是太陽能電池能輸出的最大電流和最大電壓。然而，當電池輸出狀態(tài)在這兩點時，電池的輸出功率都為電壓。然而，當電池輸出狀態(tài)在這兩點時，電池的輸出功率都為零

23、。零?！疤畛湟蜃犹畛湟蜃印?，通常使用它的簡寫，通常使用它的簡寫“FF”，是由開路電壓，是由開路電壓VOC和短路電流和短路電流ISC共同決定的參數(shù)，它決定了太陽能電池的輸出共同決定的參數(shù)，它決定了太陽能電池的輸出效率。從圖形上看，效率。從圖形上看，F(xiàn)F就是能夠占據(jù)就是能夠占據(jù)IV曲線區(qū)域最大的面積。曲線區(qū)域最大的面積。如下圖所示。如下圖所示。太陽能電池的轉換：太陽電池接受的最大功率與入射到該電池太陽能電池的轉換：太陽電池接受的最大功率與入射到該電池上的全部輻射功率的百分比。上的全部輻射功率的百分比。mmtin= I U/ A PU Um m、I Im m分別為最大功率點的電壓分別為最大功率點的電

24、壓A At t為包括柵線面積在內的太陽電池總面積為包括柵線面積在內的太陽電池總面積P Pinin為單位面積入射光的功率。為單位面積入射光的功率。在太陽能電池中，受溫度影響最大的參數(shù)是開路電壓。溫度的改在太陽能電池中，受溫度影響最大的參數(shù)是開路電壓。溫度的改變對伏安曲線的影響如下圖所示。變對伏安曲線的影響如下圖所示。短路電流短路電流ISC提高幅度很提高幅度很小小溫 度 較 高 的溫 度 較 高 的電池電池開路電壓開路電壓Voc下降幅度大下降幅度大太陽輻照度對太陽能電池的伏安特性的影響太陽輻照度對太陽能電池的伏安特性的影響短路電流短路電流I ISCSC隨著隨著聚光呈線性上升聚光呈線性上升開路電壓隨

25、光強呈對數(shù)上升開路電壓隨光強呈對數(shù)上升3.3.4 3.3.4 影響太陽電池轉換效率的因素影響太陽電池轉換效率的因素 1. 1. 禁帶寬度禁帶寬度V VOCOC隨隨E Eg g的增大而增大，但另一方面，的增大而增大，但另一方面，I ISCSC隨隨E Eg g的增大而減小。結果的增大而減小。結果是可期望在某一個確定的是可期望在某一個確定的E Eg g隨處出現(xiàn)太陽電池效率的峰值。隨處出現(xiàn)太陽電池效率的峰值。 隨溫度的增加，效率隨溫度的增加，效率下降。下降。I ISCSC對溫度對溫度T T不很敏感，溫度主要對不很敏感，溫度主要對V VOCOC起作用。起作用。 對于對于SiSi，溫度每增加，溫度每增加1

26、 10 0C C，V VOCOC下降室溫值的下降室溫值的0.4%0.4%，也因而降低約同，也因而降低約同樣的百分數(shù)。例如，一個硅電池在樣的百分數(shù)。例如，一個硅電池在20200 0C C時的效率為時的效率為20%20%，當溫度升，當溫度升到到1201200 0C C時，效率僅為時，效率僅為1212。又如。又如GaAsGaAs電池，溫度每升高電池，溫度每升高1 10 0C C，V VOCOC降降低低1.7mv 1.7mv 或降低或降低0.2%0.2%。 2. 2. 溫度溫度希望載流子的復合壽命越長越好，這主要是因為這樣做希望載流子的復合壽命越長越好，這主要是因為這樣做I ISCSC大。大。少子長壽

27、命也會減小暗電流并增大少子長壽命也會減小暗電流并增大V VOCOC。在間接帶隙半導體材。在間接帶隙半導體材料如料如SiSi中，離結中，離結100m100m處也產(chǎn)生相當多的載流子，所以希望它處也產(chǎn)生相當多的載流子，所以希望它們的壽命能大于們的壽命能大于1s1s。在直接帶隙材料，如。在直接帶隙材料，如GaAsGaAs或或GuGu2 2S S中，只中，只要要10ns10ns的復合壽命就已足夠長了。的復合壽命就已足夠長了。達到長壽命的關鍵是在材料制備和電池的生產(chǎn)過程中，要避達到長壽命的關鍵是在材料制備和電池的生產(chǎn)過程中，要避免形成復合中心。在加工過程中，適當而且經(jīng)常進行工藝處免形成復合中心。在加工過程

28、中，適當而且經(jīng)常進行工藝處理，可以使復合中心移走，因而延長壽命。理，可以使復合中心移走，因而延長壽命。 將太陽光聚焦于太陽電池，可使一個小小的太陽電池產(chǎn)生出大將太陽光聚焦于太陽電池，可使一個小小的太陽電池產(chǎn)生出大量的電能。設想光強被濃縮了量的電能。設想光強被濃縮了X X倍，單位電池面積的輸入功率和倍，單位電池面積的輸入功率和J JSCSC都將增加都將增加X X倍，同時倍，同時V VOCOC也隨著增加也隨著增加(kT/q)lnX(kT/q)lnX倍。因而輸出功倍。因而輸出功率的增加將大大超過率的增加將大大超過X X倍，而且聚光的結果也使轉換效率提高了。倍，而且聚光的結果也使轉換效率提高了。 3.

29、 3. 復合壽命復合壽命4. 4. 光強光強5. 5. 摻雜濃度及剖面分布摻雜濃度及剖面分布 對對V VOCOC有明顯的影響的另一因素是摻雜濃度。雖然有明顯的影響的另一因素是摻雜濃度。雖然N Nd d和和N Na a出現(xiàn)在出現(xiàn)在V Vococ定定義的對數(shù)項中，它們的數(shù)量級也是很容易改變的。摻雜濃度愈高，義的對數(shù)項中，它們的數(shù)量級也是很容易改變的。摻雜濃度愈高，V Vococ愈高。一種稱為重摻雜效應的現(xiàn)象近年來已引起較多的關注，在愈高。一種稱為重摻雜效應的現(xiàn)象近年來已引起較多的關注，在高摻雜濃度下，由于能帶結構變形及電子統(tǒng)計規(guī)律的變化，所有方高摻雜濃度下，由于能帶結構變形及電子統(tǒng)計規(guī)律的變化，所有方程中的程中