1、 3.1 位錯的運動(Dislocation Movement)3.1.1 刃型位錯的滑移刃型位錯的滑移(Slip)運動運動圖圖3.1 刃型位錯滑移的示意圖刃型位錯滑移的示意圖（a滑移時周圍原子的位移；滑移時周圍原子的位移； （b滑移過程滑移過程圖圖3.3 螺型位錯滑移的示意圖螺型位錯滑移的示意圖（a原始位置；（原始位置；（b位錯向左移動了一個原子間距；（位錯向左移動了一個原子間距；（c滑移過程滑移過程 圖圖3.3a表示螺型位錯運動時，位錯線周圍原子的移動表示螺型位錯運動時，位錯線周圍原子的移動情況，當位錯線沿滑移面滑過整個晶體時，同樣會在晶體表面情況，當位錯線沿滑移面滑過整個晶體時，同樣會在

2、晶體表面沿柏氏矢量方向產生寬度為一個柏氏矢量的臺階，見圖沿柏氏矢量方向產生寬度為一個柏氏矢量的臺階，見圖3.3b所示。在滑移時，螺型位錯的移動方向與位錯線垂直，也與柏所示。在滑移時，螺型位錯的移動方向與位錯線垂直，也與柏氏矢量垂直，其滑移過程見圖氏矢量垂直，其滑移過程見圖3.3c所示。所示。 圖圖3.5 位錯的滑移方向與外加切應力位錯的滑移方向與外加切應力及柏氏矢量的關系及柏氏矢量的關系（a刃型位錯；（刃型位錯；（b螺型位錯；（螺型位錯；（c混合型位錯混合型位錯 刃型位錯在垂直于滑移面方向的運動稱為攀移。通常把多余刃型位錯在垂直于滑移面方向的運動稱為攀移。通常把多余半原子面向上運動稱為正攀移，

3、向下運動稱為負攀移，如圖半原子面向上運動稱為正攀移，向下運動稱為負攀移，如圖3.6所所示。刃型位錯的攀移相當于多余半原子面的伸長或縮短，可通過示。刃型位錯的攀移相當于多余半原子面的伸長或縮短，可通過物質遷移即原子或空位的擴散來實現。螺型位錯沒有多余的半原物質遷移即原子或空位的擴散來實現。螺型位錯沒有多余的半原子面，因此不會發(fā)生攀移運動。子面，因此不會發(fā)生攀移運動。3.1.3 刃型位錯的攀移刃型位錯的攀移(Climb)運動運動圖圖3.6 刃型位錯的攀移運動示意圖刃型位錯的攀移運動示意圖（a未攀移的位錯；（未攀移的位錯；（b空位引起的正攀移；（空位引起的正攀移；（c間隙原子引起的負攀移間隙原子引起

4、的負攀移 位錯攀移需要熱激活，較滑移所需的能量更大，所以對大多數材位錯攀移需要熱激活，較滑移所需的能量更大，所以對大多數材料，在室溫下很難進行位錯的攀移，而在較高溫度下，攀移較易實現。料，在室溫下很難進行位錯的攀移，而在較高溫度下，攀移較易實現。圖圖3.7 刃型位錯的攀移刃型位錯的攀移 A 位錯攀移的阻力位錯攀移的阻力(Resistance Force)bl dsdV)(其值為正表示材料增加，為負表其值為正表示材料增加，為負表示材料減少。對于單位長度位錯示材料減少。對于單位長度位錯線的體積變化為：線的體積變化為： bdlV 令一個原子或一個空位的體積為令一個原子或一個空位的體積為 ，則產生體積

5、變，則產生體積變化化 需要的空位數為：需要的空位數為： 假設形成一個空位所需能量為假設形成一個空位所需能量為u1，則刃型位錯向上，則刃型位錯向上攀移攀移dl距離，形成距離，形成dN個空位所需的能量為：個空位所需的能量為：故位錯攀移的阻力為：故位錯攀移的阻力為：233|bdlbbdlbVdN121ubdludNdu21budlduFc因因u1很高，表明攀移是很困難的。很高，表明攀移是很困難的。 3bbdlV 攀移運動雖然困難，但還是能夠進行的。那么驅動力是什么呢？這必須了解攀移運動的特點。攀移運動要通過原子的遷移，要引起體積變化，而體積變化可由外加正應力和空位或間隙原子的聚集產生。因此攀移的驅動

6、力可分為彈性攀移力和滲透力。（1彈性攀移力(Climbing Force) 如圖如圖3.8所示，由所示，由2-38式得：式得：式中式中 Fy沿沿y方向垂直滑移面的作用力；方向垂直滑移面的作用力； b 位錯強度；位錯強度； xx與與b平行的正應力分量；平行的正應力分量； 負號表示如果負號表示如果xx為拉應力，則體積增加，向下攀移，為拉應力，則體積增加，向下攀移， Fy指向下；如果指向下；如果xx為壓應力，則向上攀移，為壓應力，則向上攀移， Fy指向上。指向上。圖圖3.8 位錯所受的彈性攀移力位錯所受的彈性攀移力xxybF 晶體中的過飽和空位或間隙原子，它們將向位錯線附晶體中的過飽和空位或間隙原子

7、，它們將向位錯線附近滲透，而聚集在位錯線上，使位錯線向上或向下攀移，近滲透，而聚集在位錯線上，使位錯線向上或向下攀移，這種力稱為滲透力，它與空位或間隙原子的過飽和度這種力稱為滲透力，它與空位或間隙原子的過飽和度(Degree Of Supersaturation)有關。有關。 假設在某一溫度下，晶體中空位的平衡濃度為假設在某一溫度下，晶體中空位的平衡濃度為C0，而，而實際濃度為實際濃度為C晶體中空位數晶體中空位數n與原子總數與原子總數N的比值），且的比值），且C大于大于C0，這就相當于空位形成能在位錯附近由，這就相當于空位形成能在位錯附近由u1降為降為u1，也就是攀移的阻力由也就是攀移的阻力由

8、 降為降為 ，這個降低的阻力就是驅，這個降低的阻力就是驅動力，并稱為滲透力，用動力，并稱為滲透力，用Fs表示。表示。（2滲透力滲透力(Penetrability)21bu21bu2112121buububuFs知：知： （n為肖特基缺陷濃度），則平衡濃度為肖特基缺陷濃度），則平衡濃度KTuNen1)exp(11KTueNnCKTuO)exp(11KTueCKTuKTuuKTuKTuCCO1111lnlnCCKTuuoln11同理可得：同理可得：兩式取對數相減：兩式取對數相減：所以所以 （3-1） 從上述分析可知，從上述分析可知，x方向的正應力和滲透力為位錯方向的正應力和滲透力為位錯攀移的驅動力

9、；而且溫度越高，空位過飽和度越大，滲攀移的驅動力；而且溫度越高，空位過飽和度越大，滲透力透力Fs越大，這表明溫度越高并存在過飽和空位時，刃越大，這表明溫度越高并存在過飽和空位時，刃型位錯易于產生攀移運動。型位錯易于產生攀移運動。OOSCCbKTCCbKTFlnln222112121buububuFs 對于螺型位錯，由于所有包含位錯線的晶面都可成對于螺型位錯，由于所有包含位錯線的晶面都可成為其滑移面，因此，當某一螺型位錯在原滑移面上運動為其滑移面，因此，當某一螺型位錯在原滑移面上運動受阻時，有可能從原滑移面轉移到與之相交的另一滑移受阻時，有可能從原滑移面轉移到與之相交的另一滑移面上去繼續(xù)滑移，這

10、一過程稱為交滑移。如果交滑移后面上去繼續(xù)滑移，這一過程稱為交滑移。如果交滑移后的位錯再轉回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運動，則的位錯再轉回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運動，則稱為雙交滑移，如圖稱為雙交滑移，如圖3.9所示。所示。圖圖3.9 螺型位錯的交滑移螺型位錯的交滑移 面心立方晶體中的交滑移是由不同的面心立方晶體中的交滑移是由不同的111面沿同一面沿同一方向滑移，如圖方向滑移，如圖3.10所示，所示， 是是 和和 兩個密排面的共同方向。兩個密排面的共同方向。A、B、C位置為位置為交滑移，交滑移，D位置位錯又回到位置位錯又回到(111)面上滑移，即為雙交滑移。面上滑移，即為雙交滑移。 圖圖3

11、.10 面心立方晶體中的雙交滑移示意圖面心立方晶體中的雙交滑移示意圖011 ) 111 ()111( 體心立方晶體中的螺型位錯也有交滑移，它是體心立方晶體中的螺型位錯也有交滑移，它是110、112和和123面同時沿面同時沿方向滑移，如純鐵的方向滑移，如純鐵的 、 和和 面可同面可同時沿時沿111方向滑移，見圖方向滑移，見圖3.11所示，所示， 。 ； ； 。因此晶體中的滑移線常呈波浪形。因此晶體中的滑移線常呈波浪形。圖圖3.11 體心立方晶體中的交滑移體心立方晶體中的交滑移)101()211()321(111|babaab 方向）面上的為（111321ab方向）面上的為（111211ba 方向

12、）面上的為（111101ba 3.2 運動位錯的交割運動位錯的交割(Dislocation Intersection) 當一位錯在某一滑移面上運動時，會與穿過滑移面當一位錯在某一滑移面上運動時，會與穿過滑移面的其他位錯交割。位錯交割時會發(fā)生相互作用，這對材的其他位錯交割。位錯交割時會發(fā)生相互作用，這對材料的強化、點缺陷料的強化、點缺陷(Point Defect)的產生有重要意義。的產生有重要意義。 在位錯的滑移過程中，其位錯線很難同時實現全長在位錯的滑移過程中，其位錯線很難同時實現全長的運動，因而一個運動的位錯線，特別是在受到阻礙的的運動，因而一個運動的位錯線，特別是在受到阻礙的情況下，有可能

13、通過其中一部分線段首先進行滑移。若情況下，有可能通過其中一部分線段首先進行滑移。若由此形成的曲折線段在位錯的滑移面上時，稱為扭折；由此形成的曲折線段在位錯的滑移面上時，稱為扭折；若該曲折線段垂直于位錯的滑移面時，稱為割階。扭折若該曲折線段垂直于位錯的滑移面時，稱為割階。扭折和割階也可由位錯之間的交割而形成。和割階也可由位錯之間的交割而形成。3.2.1 兩個柏氏矢量互相垂直兩個柏氏矢量互相垂直(Vertical)的刃型位錯交割的刃型位錯交割圖圖3.12 兩個柏氏矢量互相垂直的刃型位錯交割兩個柏氏矢量互相垂直的刃型位錯交割（a交割前；交割前； （b交割后交割后 如圖如圖3.12所示，所示，柏氏矢量

14、為柏氏矢量為b1的刃型的刃型位錯位錯XY和柏氏矢量為和柏氏矢量為b2的刃型位錯的刃型位錯AB分分別位于兩垂直的平面別位于兩垂直的平面PXY、PAB上，柏氏上，柏氏矢量矢量b1與與b2相互垂直。相互垂直。 若若XY向下運動與向下運動與AB交割，由于交割，由于XY掃過的區(qū)域，其滑移面掃過的區(qū)域，其滑移面PXY兩兩側的晶體將發(fā)生側的晶體將發(fā)生b1距離的相對位移，因此交割后，在位錯線距離的相對位移，因此交割后，在位錯線AB上產上產生生PP小臺階。顯然，小臺階。顯然，PP的大小和方向取決于的大小和方向取決于b1。由于位錯的柏氏。由于位錯的柏氏矢量的守恒性，矢量的守恒性，PP的柏氏矢量仍為的柏氏矢量仍為b

15、2，b2垂直于垂直于PP，因而，因而PP是刃是刃型位錯，且不在原位錯線的滑移面上，故是割階。至于位錯型位錯，且不在原位錯線的滑移面上，故是割階。至于位錯XY，由，由于它平行于它平行b2，因此交割后不會在，因此交割后不會在XY上形成割階。上形成割階。 如圖如圖3.13所示，所示，柏氏矢量為柏氏矢量為b1的刃的刃型位錯型位錯XY和柏氏矢和柏氏矢量為量為b2的刃型位錯的刃型位錯AB分別位于兩垂直分別位于兩垂直的平面的平面PXY、PAB上，上，柏氏矢量柏氏矢量b1與與b2相相互平行。互平行。 圖圖3.13 兩個柏氏矢量互相平行的刃型位錯交割兩個柏氏矢量互相平行的刃型位錯交割（a交割前；交割前； （b交

16、割后交割后3.2.2 兩個柏氏矢量互相平行兩個柏氏矢量互相平行(Parallel)的刃型位錯交割的刃型位錯交割 AB不動，不動，XY向右運動，交割后，在向右運動，交割后，在AB位錯線上出現一段平行位錯線上出現一段平行于于b1的的PP臺階，其大小和方向與臺階，其大小和方向與b1相同；在相同；在XY位錯線上也出現一位錯線上也出現一段平行于段平行于b2的的QQ臺階，其大小和方向與臺階，其大小和方向與b2相同。但它們的滑移面相同。但它們的滑移面和原位錯的滑移面一致，故稱為扭折，屬于螺型位錯。在運動過程和原位錯的滑移面一致，故稱為扭折，屬于螺型位錯。在運動過程中，這種扭折在線張力的作用下可能被拉直而消失

17、。中，這種扭折在線張力的作用下可能被拉直而消失。3.2.3 兩個柏氏矢量垂直的刃型位錯與螺型位錯的交割兩個柏氏矢量垂直的刃型位錯與螺型位錯的交割圖圖3.14 刃型位錯與螺型位錯的交割刃型位錯與螺型位錯的交割（a交割前；（交割前；（b交割后交割后 BB不動，不動，AA向左運動，交割后，在刃型位錯向左運動，交割后，在刃型位錯AA上形成大小和上形成大小和方向與方向與b2相同的割階相同的割階MM，其柏氏矢量為，其柏氏矢量為b1。由于該割階的滑移面與。由于該割階的滑移面與原刃型位錯原刃型位錯AA的滑移面不同，因而當帶有這種割階的位錯繼續(xù)運動的滑移面不同，因而當帶有這種割階的位錯繼續(xù)運動時，將受到一定的阻

18、力。同樣，交割后在螺型位錯時，將受到一定的阻力。同樣，交割后在螺型位錯BB上也形成大小上也形成大小和方向與和方向與b1相同的一段折線相同的一段折線NN，由于它垂直于，由于它垂直于b2，故屬于刃型位錯；，故屬于刃型位錯；又由于它位于螺型位錯又由于它位于螺型位錯BB的滑移面上，因此的滑移面上，因此NN為扭折。為扭折。 如圖如圖3.14所示，所示， 為滑移面，為滑移面，AA為刃型位錯，其為刃型位錯，其柏氏矢量為柏氏矢量為b1，BB為螺型位錯，其柏為螺型位錯，其柏氏矢量為氏矢量為b2。 11,圖圖3.15 兩個螺型位錯的交割兩個螺型位錯的交割（a交割前；（交割前；（b交割后交割后3.2.4 兩個柏氏矢

19、量互相垂直的螺型位錯交割兩個柏氏矢量互相垂直的螺型位錯交割如圖如圖3.15所示，所示，AA為螺型位為螺型位錯，其柏氏矢錯，其柏氏矢量為量為b1，BB也為螺型位錯，也為螺型位錯，其柏氏矢量為其柏氏矢量為b2。 BB不動，不動，AA向左運動，交割后，在刃型位錯向左運動，交割后，在刃型位錯AA上形成大小上形成大小和方向與和方向與b2相同的割階相同的割階MM，其柏氏矢量為，其柏氏矢量為b1，其滑移面不在，其滑移面不在AA的滑移面上，是刃型割階。同樣在位錯線的滑移面上，是刃型割階。同樣在位錯線BB上也形成一刃型割階上也形成一刃型割階NN。這種刃型割階都阻礙螺型位錯的移動。這種刃型割階都阻礙螺型位錯的移動

20、。 綜上所述，運動的位錯交割后，每根位錯線上都可綜上所述，運動的位錯交割后，每根位錯線上都可能產生一扭折或割階，其大小和方向取決于另一位錯的能產生一扭折或割階，其大小和方向取決于另一位錯的柏氏矢量，但具有原位錯線的柏氏矢量。所有的割階都柏氏矢量，但具有原位錯線的柏氏矢量。所有的割階都是刃型位錯，而扭折可以是刃型也可以是螺型的。另外，是刃型位錯，而扭折可以是刃型也可以是螺型的。另外，扭折與原位錯線在同一滑移面上，可隨主位錯線一起運扭折與原位錯線在同一滑移面上，可隨主位錯線一起運動，幾乎不產生阻力，而且扭折在線張力作用下易于消動，幾乎不產生阻力，而且扭折在線張力作用下易于消失。但割階則與原位錯線不

21、在同一滑移面上，故除非割失。但割階則與原位錯線不在同一滑移面上，故除非割階產生攀移，否則割階就不能隨主位錯線一起運動，成階產生攀移，否則割階就不能隨主位錯線一起運動，成為位錯運動的障礙。為位錯運動的障礙。 3.2.5 帶割階位錯的運動帶割階位錯的運動 按割階高度不同可分為小、中、大三種類型。按割階高度不同可分為小、中、大三種類型。A 小割階小割階的高度一般只有小割階小割階的高度一般只有12個原子間距）個原子間距）圖圖3.16 帶割階的螺型帶割階的螺型位錯的運動位錯的運動 圖圖3.16為帶割階的螺型位錯的運動。螺為帶割階的螺型位錯的運動。螺型位錯在滑移面上與其他位錯交割，在其位型位錯在滑移面上與

22、其他位錯交割，在其位錯線上產生許多割階，異號割階反向運動，錯線上產生許多割階，異號割階反向運動，相互對消，最后只剩下同號割階。同號割階相互對消，最后只剩下同號割階。同號割階相互排斥，形成一定距離，最后在位錯線上相互排斥，形成一定距離，最后在位錯線上留下許多不可動割階，如圖留下許多不可動割階，如圖3.16a所示。所示。當滑移面上受切應力作用時，由于不動割階當滑移面上受切應力作用時，由于不動割階的阻礙作用，螺型位錯被割階釘扎而發(fā)生彎的阻礙作用，螺型位錯被割階釘扎而發(fā)生彎曲，如圖曲，如圖3.16b所示。只有增加滑移面所示。只有增加滑移面上的切應力，才能克服彎曲位錯線的向心恢上的切應力，才能克服彎曲位

23、錯線的向心恢復力，使彎曲位錯線繼續(xù)向前擴展。當切應復力，使彎曲位錯線繼續(xù)向前擴展。當切應力增加到一定程度時，螺型位錯便會拖著不力增加到一定程度時，螺型位錯便會拖著不動割階向前一起運動，但在割階后面留下一動割階向前一起運動，但在割階后面留下一串空位或間隙原子，如圖串空位或間隙原子，如圖3.16c所示。所示。 B 中割階中割階 中割階的高度從幾個到中割階的高度從幾個到20個原子間距，這時位錯不可能拖著割個原子間距，這時位錯不可能拖著割階一起運動。當滑移面上作用的切應力大到一定值時，位錯自己向前階一起運動。當滑移面上作用的切應力大到一定值時，位錯自己向前滑移，位錯與割階連結點滑移，位錯與割階連結點O

24、、P被拉長，形成兩條符號相反的刃型位被拉長，形成兩條符號相反的刃型位錯線錯線OO與與PP，稱為位錯偶，稱為位錯偶(Dislocation Couple)，如圖，如圖3.17所示。所示。位錯偶達到一定長度，即與原位錯脫離，形成一個長位錯環(huán)，并分裂位錯偶達到一定長度，即與原位錯脫離，形成一個長位錯環(huán)，并分裂成若干小的位錯環(huán)。原位錯又恢復到帶割階的原來狀態(tài)。成若干小的位錯環(huán)。原位錯又恢復到帶割階的原來狀態(tài)。圖圖3.17 位錯偶的形成過程位錯偶的形成過程 大割階的長度在大割階的長度在20個原子間距以上，它對位錯線的釘扎作用更個原子間距以上，它對位錯線的釘扎作用更明顯。由于割階較長，割階兩端的位錯相距較

25、遠，彼此間相互作用較明顯。由于割階較長，割階兩端的位錯相距較遠，彼此間相互作用較小，在切應力作用下，它們可以在各自的滑移面上以割階為軸而發(fā)生小，在切應力作用下，它們可以在各自的滑移面上以割階為軸而發(fā)生滑移運動，如圖滑移運動，如圖3.18。C 大割階大割階圖圖3.18 大割階的運動大割階的運動 對刃型位錯，其割階與柏氏矢對刃型位錯，其割階與柏氏矢量所組成的面，一般都與原位錯線量所組成的面，一般都與原位錯線的滑移方向一致，能與原位錯一起的滑移方向一致，能與原位錯一起運動。但此時割階的滑移面并不一運動。但此時割階的滑移面并不一定是晶體的最密排面，故運動時割定是晶體的最密排面，故運動時割階所受到的晶格

26、阻力較大，但螺型階所受到的晶格阻力較大，但螺型位錯的割階阻力則相對要小得多。位錯的割階阻力則相對要小得多。3.3 位錯的增殖位錯的增殖(Dislocation Multiplication) 從直觀上看，位錯在塑性變形中要不斷地逸出晶從直觀上看，位錯在塑性變形中要不斷地逸出晶體表面，使晶體中位錯密度不斷減少，然而事實恰恰體表面，使晶體中位錯密度不斷減少，然而事實恰恰相反，經劇烈變形后的金屬晶體，其位錯密度可增加相反，經劇烈變形后的金屬晶體，其位錯密度可增加45個數量級，這種現象充分說明晶體在變形過程中個數量級，這種現象充分說明晶體在變形過程中位錯在不斷地增殖，所以，位錯的增殖機制位錯在不斷地增

27、殖，所以，位錯的增殖機制(Multiplication Mechanism)是位錯理論中一個很重是位錯理論中一個很重要的問題。要的問題。 位錯的增殖機制有許多種，其中一種主要方式是位錯的增殖機制有許多種，其中一種主要方式是弗蘭克弗蘭克-瑞德瑞德Frank-Read位錯源。圖位錯源。圖3.19表示弗表示弗蘭克蘭克瑞德源的位錯增殖機制。瑞德源的位錯增殖機制。 圖圖3.19 弗蘭克一瑞德源的增殖過程弗蘭克一瑞德源的增殖過程 為了使弗蘭克一瑞德源開動，外加切應力需克服位為了使弗蘭克一瑞德源開動，外加切應力需克服位錯線彎曲時線張力所引起的阻力。由位錯線張力一節(jié)可錯線彎曲時線張力所引起的阻力。由位錯線張力

28、一節(jié)可知，外加切應力知，外加切應力與位錯線彎曲時的曲率半徑與位錯線彎曲時的曲率半徑r之間的關之間的關系為系為 ，即曲率半徑越小，要求與之相平衡的切應，即曲率半徑越小，要求與之相平衡的切應力越大。從圖力越大。從圖3.19可以看出當可以看出當AB彎成半圓形時，曲率彎成半圓形時，曲率半徑最小，所需的切應力最大，此時半徑最小，所需的切應力最大，此時r=L/2，L為為A與與B之間的距離，故使弗蘭克一瑞德源開動的臨界切應力之間的距離，故使弗蘭克一瑞德源開動的臨界切應力為為 。若外加切應力。若外加切應力 ，則位錯環(huán)將繼續(xù)向，則位錯環(huán)將繼續(xù)向外擴張。外擴張。rb2Lbcc 弗蘭克一瑞德的位錯增殖機制已為實驗所

29、證實，人弗蘭克一瑞德的位錯增殖機制已為實驗所證實，人們已在們已在Si、Cd、Al-Cu、Al-Mg合金，不銹鋼和氯化鉀等合金，不銹鋼和氯化鉀等晶體中直接觀察到了弗蘭克一瑞德源。晶體中直接觀察到了弗蘭克一瑞德源。 圖圖3.20 螺型位錯雙交滑移的增殖機制螺型位錯雙交滑移的增殖機制 位錯的增殖機制常見的還有雙交滑移增殖機制，位錯的增殖機制常見的還有雙交滑移增殖機制，如圖如圖3.20所示。所示。 螺型位錯經雙交滑移后可形成刃型割階，由于此割階螺型位錯經雙交滑移后可形成刃型割階，由于此割階不在原位錯的滑移面上，因此它不能隨原位錯線一起向前不在原位錯的滑移面上，因此它不能隨原位錯線一起向前運動，即對原位

30、錯產生釘扎作用，并使原位錯在滑移面上運動，即對原位錯產生釘扎作用，并使原位錯在滑移面上滑移時成為一個弗蘭克一瑞德源。由于螺型位錯線發(fā)生交滑移時成為一個弗蘭克一瑞德源。由于螺型位錯線發(fā)生交滑移后形成了兩個刃型割階滑移后形成了兩個刃型割階AC和和BD，因而使位錯在新滑，因而使位錯在新滑移面移面111上滑移時成為一個弗蘭克一瑞德源。有時在上滑移時成為一個弗蘭克一瑞德源。有時在第二個第二個111面擴展出來的位錯環(huán)又可以通過交滑移轉面擴展出來的位錯環(huán)又可以通過交滑移轉移到第三個移到第三個111面上進行增殖。從而使位錯迅速增加，面上進行增殖。從而使位錯迅速增加，因此雙交滑移增殖機制是比弗蘭克一瑞德源更有效的增殖因此雙交滑移增殖機制是比弗蘭克一瑞德源更有效的增殖機制。機制。小結小結n位錯的滑移：刃型位錯的滑移方向與外加切應力位錯的滑移：刃型位錯的滑移方向與外加切應力及柏氏及柏氏矢量一致，正、負刃型位錯方向相反；螺