1、最新電大光伏電池材料形考作業(yè)任務01-04網(wǎng)考試題及答案100%通過考試說明：光伏電池材料形考共有4個任務。任務1至任務4是客觀題，任務1至任務4需在考試中多次抽取試卷，直到出現(xiàn)01任務_0001、02任務_0001、03任務_0001、04任務_0001試卷，就可以按照該套試卷答案答題。做考題時，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。本文庫還有其他教學考一體化答案，敬請查看。01任務01任務_0001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）1.關(guān)于四氯化硅以下說法錯誤的是（）A.無色而有刺鼻氣味的液體B.熔點-70，沸點57.6C.可以

2、經(jīng)吸入、食入、經(jīng)皮吸收，對眼睛及上呼吸道有強烈刺激作用D.不溶于苯、氯仿、石油醚等多數(shù)有機溶劑2.觀察晶體中位錯最簡單的方法是（）。A.浸蝕觀察法B.透射電鏡法C.手觸感覺法D.肉眼觀察法3.室溫一個大氣壓下，液態(tài)水的自由度為（）。A.1B.2C.3D.04.西門子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是（）A.99.9999%（6個9）的為太陽能級硅B.99.999999999%（11個9）的為電子級硅C.95%-99%的冶金級硅D.P型硅半導體5.二元相圖通常采用（）的坐標系。A.溫度-壓力（T-p）圖B.溫度-濃度（T-x）圖C.三棱柱模型D.壓強-濃度（p-x）圖6.關(guān)于硅單質(zhì)說法錯誤的是

3、（）。A.原子晶體，是深灰色而帶有金屬光澤的晶體B.熔點為1420，沸點為2355C.在常壓下具有金剛石型結(jié)構(gòu)D.具有類似金屬的塑性7.以下（）不是自然界中的硅同位素。A.28SiB.29SiC.30SiD.32Si8.關(guān)于二氧化硅以下說法錯誤的是（）A.制造冶金硅的主要原料之一B.能與HF反應C.SiO2不溶于水，但能于熱的濃堿溶液反應生成硅酸鹽，反應較快D.石英是地殼中分布很少的礦物9.雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當，容易形成（）A.空位B.置換原子C.間隙原子D.位錯10.關(guān)于位錯密度說法錯誤的是（）。A.是單位體積晶體中所包含的位錯線總長度B.也可理解為穿越單位截面積的位錯線的數(shù)目C.位錯

4、密度大或小，相應材料的力學性能均較佳D.通常情況下制得位錯密度較小的材料二、判斷題（共10道試題，共20分。）1.在絕對溫度零度和無外界激發(fā)的條件下，硅晶體沒有自由電子存在，完全不導電。A.錯誤B.正確2.可很方便制備得到位錯很少的多晶硅片。A.錯誤B.正確3.硅晶體的半導體性源于共價鍵。A.錯誤B.正確4.點缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。A.錯誤B.正確5.硅在地殼中的豐度為25.90%，僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。A.錯誤B.正確6.柏氏矢量說明了畸變發(fā)生在什么晶向，是一個沒有大小的量。A.錯誤B.正確7.內(nèi)能是隨缺陷增加而增加的，所以空位越多越不穩(wěn)定。A.錯誤B.正

5、確8.硅烷就是甲硅烷。A.錯誤B.正確9.硅是通過自由電子導電的，所以載流子就是自由電子。A.錯誤B.正確10.刃型位錯和螺型位錯的判斷可以通過晶體發(fā)生局部滑移的方向是與位錯線垂直還是平行來區(qū)分。A.錯誤B.正確三、連線題（共10道試題，共30分。）1.將晶體的特性與解釋一一對應。（1）各向異性A.晶體常具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)（2）長程有序B.粒子排列具有三維周期性、對稱性（3）解理性C.在不同方向上，晶體的物理性質(zhì)不同，如電阻率、導電性能、導熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等（1）C（2）B（3）A2.將晶體結(jié)構(gòu)與晶胞中原子數(shù)一一對應。（1）簡單立方結(jié)構(gòu)A.4（2）體心立方

6、結(jié)構(gòu)B.2（3）面心立方結(jié)構(gòu)C.1（1）C（2）B（3）A3.將各種硅化合物與描述一一對應。（1）二氧化硅A.沸點31.5，室溫下無色透明液體（2）三氯氫硅B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進行篩分得到（3）四氯化硅C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會產(chǎn)生煙霧（1）B（2）A（3）C4.（1）A（2）B（3）C5.將硅材料與描述一一對應。（1）電子級硅A.99.9999%（2）冶金級硅B.99.999999999%（3）太陽能級硅C.95%-99%（1）B（2）C（3）A6.將晶體生長方式與實例一一對應。（1）固相生長A.水汽凝結(jié)為冰晶（2）液相生長B.鹽水溶液結(jié)晶（3）汽相生長C.石墨在

7、高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?）C（2）B（3）A7.將各種硅化合物與作用一一對應。（1）二氧化硅A.可作為西門子法提純硅材料的中間產(chǎn)物（2）三氯氫硅B.制造冶金硅的主要原料之一（3）甲硅烷C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解（1）B（2）A（3）C8.將各類晶體缺陷與實例一一對應。（1）點缺陷A.位錯（2）線缺陷B.空位（3）面缺陷C.相界（1）B（2）A（3）C9.將硅的用途與性質(zhì)一一對應。（1）二極管A.通過掩蔽、光刻、擴散等工藝，可在一個或幾個很小的硅晶片上集結(jié)成一個或幾個完整的電路（2）集成電路B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能（3）光電池C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波（1）C（2）A（

8、3）B10.將各種硅化合物與熔沸點一一對應。（1）四氯化硅A.熔點-185，沸點-111.8（2）三氯氫硅B.熔點-70，沸點57.6（3）甲硅烷C.熔點-128，沸點31.5（1）B（2）C（3）A四、不定項選擇題（共10道試題，共30分。）1.關(guān)于硅的電阻率說法錯誤的是（）。A.在高純硅中摻入極微量的電活性雜質(zhì)，其電阻率會顯著下降B.硅的電導率對外界因素（如光、熱、磁等）高度敏感C.N型半導體中也有自由電子，但數(shù)量很少，稱為少數(shù)載流子D.N型半導體和P型半導體的導電能力都比本征半導體大得多2.關(guān)于石英說法錯誤的是（）。A.與晶體硅一樣是原子晶體B.每個硅原子以SP3雜化形式同四個氧原子結(jié)合

9、，形成SiO4四面體結(jié)構(gòu)單元C.由一個個的簡單SiO2分子組成D.石英砂開采、加工成本較低3.下列屬于晶體的宏觀特性的有（）A.長程有序B.固定熔點C.解理性D.各向異性4.金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子數(shù)為（），配位數(shù)為（）。A.4、4B.8、4C.8、8D.12、45.兩側(cè)晶粒位向差為1的晶界屬于（）。A.亞晶界B.小角度晶界C.大角度晶界D.刃位錯6.不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是（）A.原子排練是否有序B.是否具有確定的熔點C.密度的大小D.熔點的高低7.關(guān)于固溶體與中間相說法錯誤的是（）。A.某一組元作為溶劑，其他組元為溶質(zhì)，所形成的與溶劑有相同晶體結(jié)構(gòu)、晶格常數(shù)稍有變化的固相，稱為固溶體B.

10、形成的新相的晶體結(jié)構(gòu)不同于任一組元，新形成的固相叫中間相C.固熔體一般具有較高的熔點及硬度D.Cu-Ni合金屬于中間相8.關(guān)于臨界晶核說法錯誤的是（）。A.當晶胚的尺寸小于臨界晶核，晶胚不穩(wěn)定，難以長大，最終熔化而消失B.晶胚的尺寸大于臨界晶核，晶胚就成為穩(wěn)定的晶核而后繼續(xù)長大C.均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同D.臨界半徑與過冷度T無關(guān)9.關(guān)于硅的鹵化物說法錯誤的是（）。A.都是無色的B.都是共價化合物C.一般都是無毒的D.熔點、沸點都比較低10.解理面通常是晶面間距較大的晶面。在金剛石結(jié)構(gòu)中，下面晶面的晶面間距最大的是（）。A.111B.100C.110D.12002任務02任務_0

11、001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）1.關(guān)于采用區(qū)域提純法去除硅中硼雜的區(qū)域提純雜質(zhì)描述正確的是（）A.幾乎無法效果去除B.效果一般完全去除C.取決于溫度效果顯著D.取決于硼的含量2.占據(jù)晶格間隙位置的雜質(zhì)原子為（）。A.間隙雜質(zhì)原子B.替位雜質(zhì)原子C.本征點缺陷D.原生長缺陷3.在工業(yè)硅的生產(chǎn)爐中，溫度在2000以上的部分，（）。A.只有熔煉過程中生成的SiCB.底下是SiC，其上面是產(chǎn)品工業(yè)硅C.全部都是產(chǎn)品工業(yè)硅D.以上皆不是4.生產(chǎn)直拉單晶硅生產(chǎn)時，單晶爐內(nèi)需要通入（）作為保護氣體爐體內(nèi)通常是（）。A.常壓的空氣B.氧氣低壓的空氣C.低壓的氬氣D.低壓的氮氣氫氣5.太陽電池

12、用直拉單晶硅中的主要缺陷是（）。A.空位B.雜質(zhì)原子C.位錯D.二次缺陷6.金剛石結(jié)構(gòu)的晶體中位錯滑移最容易產(chǎn)生的滑移面是（）。A.110面B.111面C.100面D.101面7.Dash工藝主要解決的是（）。A.加入轉(zhuǎn)晶B.減少缺陷（位錯）C.放肩D.熱應力8.CZ法生長單晶硅工藝依次有加料、熔化以及（）。A.放肩生長、縮頸生長、等徑生長、尾部生長B.等徑生長、縮頸生長、放肩生長、尾部生長C.縮頸生長、放肩生長、等徑生長、尾部生長D.縮頸生長、等徑生長、放肩生長、尾部生長9.吸附時不發(fā)生任何化學變化，是（）。A.化學吸附B.不可逆過程C.物理吸附D.以上皆不是10.區(qū)熔法制備單晶硅時，需要（

13、）。A.不需要坩堝B.需要一個石英坩堝用于溶化C.需要一個石英坩堝和一個石墨坩堝D.需要一個石墨坩堝二、不定項選擇題（共10道試題，共30分。）1.關(guān)于對czCZ法和fzFZ法說法描述正確的是（）。A.生長時都需借助要采用籽晶B.熔化時都需要采用坩堝C.都需要采用真空氣氛保護D.都需要使用縮頸工藝2.磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā)B.磷的密度小C.磷在硅中的分配系數(shù)小于1D.磷的熔點低3.無坩堝區(qū)域提純（）。A.也可用于晶體生長B.避免了坩堝的污染C.熔硅不會流動是由于其很大的表面張力D.硅也能采用水平區(qū)域提純法4.化學法提純高純多晶硅的工藝包括（）。A.中間化合物

14、的合成B.中間化合物的分離提純C.中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅還原成高純硅D.區(qū)域提純5.關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組成的相圖，說法正確的是（）。A.被兩條曲線分為三個區(qū)域B.降溫到液相線上，正好產(chǎn)生第一個氣泡，故液相線又稱為泡點曲線C.升溫到氣相線上，正好產(chǎn)生第一個氣泡，故氣相線又稱為泡點曲線D.降溫到液相線，產(chǎn)生第一個液滴，故液相線稱為露點曲線6.關(guān)于晶轉(zhuǎn)說法正確的是（）。A.晶體和坩堝的旋轉(zhuǎn)方向相同，以改善熱場的對稱性B.吊索和晶體出現(xiàn)共振時效果最好C.過高的晶轉(zhuǎn)會使固液界的形狀太凹D.在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線或者小平面與直徑的讀取同步，引起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動

15、7.具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理面包括位錯線的優(yōu)先方向為（）。A.100晶向晶面族B.211211晶面族晶向C.111晶面族111晶向D.210晶向110晶面族8.直拉單晶爐的主室包括（）。A.石英坩堝B.石墨坩堝C.石墨加熱器D.熱絕緣筒和地盤9.工業(yè)吸附對于吸附劑的要求包括（）。A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大B.選擇性高C.具有一定的機械強度，抗磨損D.有良好的物理及化學性能，耐熱沖擊，耐腐蝕10.以下對吸附描述正確的是升溫和降壓有助于（）。A.物理吸附的進行吸附是可逆的B.脫咐的進行物理吸附是不可逆的C.升溫對于物理吸附影響很小化學吸附是可逆的D.化學吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更

16、容易揮發(fā)三、判斷題（共10道試題，共20分。）1.FZ硅占領了85%以上的硅單晶市場。A.錯誤B.正確2.冶金法制備高純多晶硅與改良西門子法相比，前者的成本更低，但是電耗更多。A.錯誤B.正確3.只通過濕法冶金技術(shù)來提純硅材料，是很難將工業(yè)硅提純到滿足制作太陽能電池所需的要求。A.錯誤B.正確4.化學吸附是放熱過程，而物理吸附是吸熱過程。A.錯誤B.正確5.改良西門子法是一個閉路循環(huán)系統(tǒng)，多晶硅生產(chǎn)中的各種無聊得到充分的利用，排出的廢料極少。A.錯誤B.正確6.改良西門子法能對產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、氯硅烷等副產(chǎn)物進行回收利用。A.錯誤B.正確7.硅是自然界分布最廣泛的元素之一，是介于金屬和非金屬

17、之間的半金屬。A.錯誤B.正確8.分子篩具有極性，對非極性分子具有較強的親和力。A.錯誤B.正確9.MCZ法磁致粘滯性控制了流體的運動，也減少了熔體的溫度波動。A.錯誤B.正確10.改良西門子法的原料主要是硅石。A.錯誤B.正確四、連線題（共10道試題，共30分。）1.將化學反應與作用一一對應。（1）SiHCl3+H2Si+3HClA.中間產(chǎn)物的合成（2）Si+3HClSiHCl3+H2B.工業(yè)硅的合成（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO+2COC.中間產(chǎn)物的還原（1）C（2）A（3）B2.將元素及其在硅熔體中的分凝系數(shù)一一對應。（1）A（2）B（3)C3.將Cz法中的設備與描述一一對應

18、。（1）石英坩堝A.底部比較厚，以起到較好的絕熱效果（2）石墨坩堝B.電阻會隨著使用次數(shù)的增加而升高（3）石墨加熱器C.純度和耐熱性能要求很搞（1）C（2）A（3）B4.將工業(yè)硅生產(chǎn)過程中的注意事項與作用一一對應。（1）保持適宜的SiO2與碳的分子比A.避免爐內(nèi)過熱造成硅的揮發(fā)或再氧化生成SiO（2）保證反應區(qū)有足夠高的溫度B.分解生成的SiC使反應向有利于生成硅的方向進行（3）及時搗爐，幫助沉料C.防止過多的SiC生成（1）C（2）B（3）A5.將氧的存在方式及其描述一一對應。（1）熱施主A.熱處理溫度處于550850（2）新施主B.處理溫度處于300500（3）氧沉淀C.適當?shù)臏囟认逻M行熱

19、處理時會脫溶（1）B（2）A（3）C6.將FZ單晶硅中的雜質(zhì)與描述一一對應。（1）OA.危害大（2）CB.濃度低，影響小（3）NC.增強機械性能（1）A（2）B（3）C7.將工藝與提純方法一一對應。（1）硅烷法A.精餾（2）改良西門子法B.吸附（3）冶金C.物理提純（1）B（2）A（3）C8.將Cz法中的工藝與描述一一對應。（1）縮頸生長A.減少位錯（2）放肩生長B.硅片取材的部位（3）等徑生長C.肩部夾角接近180，這樣可以提高多晶硅的利用率（1）A（2）C（3）B9.將工業(yè)硅的應用與用量一一對應。（1）生產(chǎn)合金A.5%（2）有機硅B.40%（3）半導體器件和太陽能電池C.55%（1）C（2

20、）B（3）A10.將吸附的設備與工藝一一對應。（1）流體和固體吸附劑置于同一容器內(nèi)A.半連續(xù)操（2）固定吸附床B.連續(xù)操作（3）移動吸附器C.間歇操作（1）C（2）A（3）B03任務03任務_0001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）1.硅片中磷擴散進行摻雜的原料是（）。A.PH3B.PH5C.POCl3D.B2O32.生產(chǎn)1kg鑄造多晶硅所需的能耗是（）kWh。A.30B.1840C.815D.以上都不對3.最常用于測試半導體材料電阻率的方法是（）。A.擴展電阻法B.四探針法C.兩探針法D.范德堡法4.一般制造一個重量為250300kg的鑄造多晶硅錠需要（）時間。A.3545hB.2

21、535hC.5565hD.1525h5.用于測試硅片中少數(shù)載流子類型的測試是（）。A.四探針法B.X射線法C.整流法D.顯微鏡觀察法6.鑄造多晶硅制備目前最常用的方法是（）。A.布里奇曼法B.電磁鑄錠法C.澆鑄法D.熱交換法7.電磁鑄錠法說法錯誤的是（）。A.熔體與坩堝不直接接觸B.電磁力對硅熔體的作用，可能使硅熔體中摻雜劑的分布更為均勻C.硅錠中晶粒較細小D.較少晶體缺陷8.硅的熔點約為（）。A.1200B.800C.2200D.14209.鑄造多晶硅的晶粒的大小一般為（）。A.10cm左右B.1mm左右C.100m左右D.10mm左右10.單晶硅片的電阻率一般控制在（）。A.24cm左右B

22、.0.52cm左右C.0.10.3cm左右D.13cm左右二、不定項選擇題（共10道試題，共30分。）1.硅片清洗的作用是（）。A.提高絕緣性能B.去除邊緣腐蝕時的油污、水氣、灰塵C.降低雜質(zhì)離子對P-N結(jié)性能的影響D.降低雜質(zhì)的存在帶來的硅片的電阻率不穩(wěn)定2.以下哪些工藝是熱交換法制備多晶硅必須的（）。A.化料B.晶體生長C.退火D.坩鍋噴涂3.鑄造多晶硅相對于直拉單晶硅的優(yōu)點有（）。A.材料利用率高B.能耗小C.成本低D.轉(zhuǎn)換效率高4.金屬雜質(zhì)的吸雜工藝一般包括（）。A.升溫熔化金屬雜質(zhì)B.原金屬沉淀的溶解C.金屬原子的擴散D.金屬雜質(zhì)在吸雜點處的重新沉淀5.澆鑄法的缺點在于（）。A.熔融

23、和結(jié)晶使用不同的坩堝，會導致二次污染B.有坩堝翻轉(zhuǎn)機構(gòu)及引錠機構(gòu)，使得其結(jié)構(gòu)相對較復雜C.生產(chǎn)效率低D.能耗高6.多晶硅錠的低質(zhì)量區(qū)雜質(zhì)較多是由于（）。A.與坩堝接觸部分引入了雜質(zhì)B.晶粒尺寸較小C.晶體凝固的分凝作用D.熱應力7.太陽電池用單晶硅的切片通常采用（）。A.外圓切割機B.內(nèi)圓切割機C.線切割D.帶式切割機8.按照硅的存在形式，可將硅基太陽電池分為（）。A.多晶硅太陽電池B.單晶硅太陽電池C.非晶硅太陽電池D.化合物太陽電池9.影響鑄造多晶硅晶體生長的主要因素包括（）。A.固液界面B.熱應力C.來自坩堝的污染等D.保護氣氛10.鑄造多晶硅的制備方法有（）。A.布里奇曼法B.熱交換法

24、C.電磁鑄錠法D.澆鑄法三、判斷題（共10道試題，共20分。）1.目前的技術(shù)，大規(guī)模生產(chǎn)制造p型摻硼鑄造多晶硅、摻鎵的p型鑄造多晶硅都是沒有問題的。A.錯誤B.正確2.與高純石英坩堝相比，高純石墨坩堝的成本更低，但更可能引入碳污染和金屬雜質(zhì)污染。A.錯誤B.正確3.硅錠與坩堝壁接觸的底部與四周都是晶粒較大的區(qū)域。A.錯誤B.正確4.通常晶體的生長速率越快，生產(chǎn)效率越高，但其溫度梯度也越大，最終導致熱應力越大，而高的熱應力會導致高密度的位錯，嚴重影響材料的質(zhì)量。A.錯誤B.正確5.直流光電導衰退法可用于測量少子壽命，不需要接觸硅片。A.錯誤B.正確6.影響鑄造多晶硅晶體生長的主要因素是晶粒尺寸、

25、固液界面、熱應力、來自坩堝的污染等。A.錯誤B.正確7.多晶硅錠中晶粒越細小，晶界越少。A.錯誤B.正確8.澆鑄法是很有應用前景的鑄造多晶硅生產(chǎn)的新技術(shù)。A.錯誤B.正確9.熱交換法的鑄錠爐底部不需要水冷。A.錯誤B.正確10.純凈的晶界也具有電活性，會影響多晶硅的電學性能。A.錯誤B.正確四、連線題（共10道試題，共30分。）1.將化學反應與作用一一對應。（1）3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NOA.去除硅表面的致密保護膜（2）SiO2+6HF=H2SiF6+2H2OB.堿腐蝕（3）SiH2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2C.酸腐蝕（1）A（2）C（3）B2.將制備方法與描

26、述一一對應。（1）布里曼法A.坩堝需升降（2）熱交換法B.固液界面比較平穩(wěn)（3）澆鑄法C.熔化和結(jié)晶在兩個不同的坩堝中進行（1）A（2）B（3）C3.將測試方法與作用一一對應。（1）整流法A.少子壽命（2）四探針法B.電阻率（3）光電導衰退法C.導電型號（1）C（2）B（3）A4.將清洗時試劑與作用一一對應。（1）無機酸A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)（2）有機溶劑B.對一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)（3）過氧化氫C.相似相溶（1）A（2）C（3）B5.將各工藝與能耗一一對應。（1）區(qū)熔單晶硅A.815kWh/Kg（2）直拉單晶硅B.1840kWh/Kg（3）鑄造多晶硅C

27、.30kWh/Kg（1）C（2）B（3）A6.將吸雜工藝與描述一一對應。（1）磷吸雜A.去除磷硅玻璃，將其中的金屬雜質(zhì)一并去除（2）鋁吸雜B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層，熱處理合金化（3）磷-鋁共吸雜C.除雜效果最佳（1）A（2）C（3）B7.將硅片參數(shù)與作用一一對應。（1）BOWA.彎曲度（2）TTVB.平整度的一種量度（3）TIRC.總厚度偏差（1）A（2）C（3）B8.將各種硅生產(chǎn)工藝與特點一一對應。（1）mc-SiA.生產(chǎn)成本最高（2）cz-SiB.對硅料的要求一般（3）fz-SiC.轉(zhuǎn)換效率一般最低（1）C（2）B（3）A9.將硅中的各種元素與影響一一對應。（1）BA.危害較大（

28、2）OB.有鈍化效果（3）HC.特意加入，形成摻雜（1）C（2）A（3）B10.將拋光工藝與描述一一對應。（1）機械拋光法A.現(xiàn)代半導體工業(yè)中普遍應用（2）化學拋光法B.采用細磨料顆料（3）化學機械拋光法C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液（1）B（2）C（3）A04任務04任務_0001一、單項選擇題（共10道試題，共20分。）1.銅銦鎵硒薄膜太陽電池最高轉(zhuǎn)換效率的記錄（）。A.25%B.10.1%C.19.4%D.16.7%2.二氧化鈦的幾種晶體結(jié)構(gòu)中最適合用于太陽電池的是（）。A.金紅石B.銳鈦礦C.板鈦礦D.都差不多3.非晶硅的PIN結(jié)構(gòu)的P部分是采用（）形成的。A.PH3加BH3B.SiH4加

29、PH3C.SiH4加B2H6D.SiH4加BH34.非晶硅的禁帶寬度為（）。A.1.5eV，并且在一定程度上可調(diào)5.關(guān)于染料敏化太陽電池中的納米晶要求錯誤的是（）。A.高的比表面積和大量的孔隙B.盡可能多的吸附染料C.晶粒越大越好D.最大限度的與電解質(zhì)緊密接觸6.非晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率約為（）。A.5B.20C.15D.107.非晶硅薄膜的厚度約為（）。A.數(shù)百微米B.數(shù)百納米C.數(shù)十毫米D.數(shù)十微米8.銳鈦礦相二氧化鈦晶體的禁帶寬度為（）。9.以下太陽電池成本（單位：美元/W）最低的是（）。A.非晶硅薄膜B.多晶硅C.銅銦鎵硒D.微晶硅薄膜10.銦儲量最多的國家是（）。A.中國B.日本C.

30、美國D.俄羅斯二、不定項選擇題（共10道試題，共30分。）1.旋涂成膜存在的問題有（）。A.溶解性B.揮發(fā)性C.溶劑殘留D.薄膜的均勻性難以保證2.化學氣相沉積直接制備多晶硅薄膜的方法有（）。A.等離子增強化學氣相沉積B.低壓化學氣相沉積制備多晶硅C.熱絲化學氣相沉積制備多晶硅D.非晶硅晶化制備多晶硅薄膜3.輝光放電系統(tǒng)中的I-V特性曲線可分為（）階段。A.湯森放電B.正常放電C.異常放電D.電弧放電4.可用于多孔納米晶薄膜的材料有（）。A.TiO2B.ZnOC.SnO2D.Al2O35.常用的多晶硅薄膜的制備方法有（）。A.利用化學氣相沉積直接制備多晶硅薄膜B.非晶硅晶化制備C.將多晶硅片切

31、薄D.對多晶硅片進行熱處理6.關(guān)于D/A界面說法正確的是（）。A.電離電勢（IP）較小的材料被稱為電子施主，相當于無機半導體中的N型材料B.具有大電子親和能（EA）的材料被稱為作電子受主，相當于無機半導體中的P型材料C.類似于無機太陽電池中的PN結(jié)D.D/A界面處D型材料和A型材料存在能級差7.有機太陽電池產(chǎn)生電流的流程（）。A.吸收光子B.產(chǎn)生激子C.電子空穴分離D.運輸?shù)紻/A界面處8.關(guān)于光致衰減效應說法正確的是（）。A.簡稱S-W效應B.在長期輻照下，其光電導和暗電導同時下降，導致光電轉(zhuǎn)換效率降低C.在150200熱處理又可以恢復原來的狀態(tài)D.鑄造多晶硅沒有光致衰減9.染料敏化太陽電池

32、的基本結(jié)構(gòu)包括（）。A.多孔納米晶薄膜B.染料敏化劑C.電解質(zhì)D.對電極10.有機太陽電池基本的結(jié)構(gòu)模型有（）。A.PIN結(jié)構(gòu)B.單層同異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)C.雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)D.單層混合膜異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)三、判斷題（共10道試題，共20分。）1.有機太陽電池中電離電勢（IP）較小的材料被稱為電子施主（Donor，簡稱D型材料），相當于無機半導體中的P型材料。A.錯誤B.正確2.非晶硅太陽電池中也存在晶體硅太陽電池中一樣的pn節(jié)結(jié)構(gòu)。A.錯誤B.正確3.非晶硅太陽電池生產(chǎn)出來以后，轉(zhuǎn)換效率不會隨時間發(fā)生改變。A.錯誤B.正確4.高純硅原料價格增加，對薄膜太陽電池的成本影響不大。A.錯誤B.正確5.苝衍生物是一種應用較多的光敏劑和A型材料，在450到600nm波段內(nèi)具有較強的吸收，在光照條件下穩(wěn)定性好，成本低。A.錯誤B.正確6.單晶硅與多晶硅的物理特性是各向異性，而非晶硅的物理特性是各向異性A.錯誤B.正確7.隨著非晶硅中氫含量的增加，其能隙寬度從1.5eV可以增加到1.8eV。A.錯誤B.正確8.在150200熱處理，可以使得因為S-W效應而效率降低的非晶硅太陽電池