1、微電阻率測(cè)井微電阻率測(cè)井的目的方法原理及應(yīng)用1目的: 劃分薄層、求沖洗帶電阻率主要方法: 微電極測(cè)井 微側(cè)向測(cè)井 鄰近側(cè)向測(cè)井 微球形聚焦測(cè)井 球形聚焦測(cè)井 八側(cè)向 21 微電極測(cè)井電極結(jié)構(gòu)及測(cè)量原理曲線特征資料用途3A0.025M10.025M2微梯度A 0.05 M2微電位4 Ra公式56 曲線特點(diǎn)泥巖段:兩條曲線無(wú)幅度差,電阻 率顯示 低值滲透層井段:出現(xiàn)明顯的幅度差,電阻率中值等致密層井段:無(wú)差異或正負(fù)不定的小的差異,電阻率值最高7 曲線應(yīng)用1.劃分地層2.劃分巖性及滲透層3.求Rxo4.確定井徑擴(kuò)大井段89微電極曲線在滲透層出現(xiàn)幅度差的原因: Rmc Rxo 通常情況下 RmcRxo

2、102 微側(cè)向測(cè)井（ML） 鄰近側(cè)向測(cè)井（PL） 微球形聚焦測(cè)井（MSFL）11七側(cè)向 LL7三側(cè)向 LL3球形聚焦 SFL12微側(cè)向微電極微側(cè)向13微球形聚焦MSFL14三側(cè)向LL3七側(cè)向LL7雙側(cè)向DLL微側(cè)向ML鄰近側(cè)向PL微球形聚焦MSFL球形聚焦SFL八側(cè)向LL8探測(cè)深度大，可探測(cè)侵入帶及其以外區(qū)域介質(zhì)電阻率探測(cè)深度小，用于測(cè)量沖洗帶電阻率15當(dāng)CWCmf時(shí) 當(dāng)CWCmf時(shí) 泥巖層 RMSFL=RLLS=RLLD 含可動(dòng)油氣地層 RMSFLRLLSRLLSRLLD 致密層不含可動(dòng)油氣地層 RMSFLRLLS RLLD RMSFL RXORLLS RiRLLD Rt16氣層:泥漿侵入深

3、,RLLS受Rt影響小,3條曲線幅度差異較大泥巖層油層水層17微側(cè)向電路原理框圖1819MSFL電路原理框圖20MSFL儀器特點(diǎn)探測(cè)深度適中,所測(cè)RXO既受泥餅影響小,原狀地層的影響也小;采用恒壓測(cè)量方式,為了擴(kuò)大測(cè)量范圍和提高測(cè)量精度,參考電壓VREF分為2擋,即10mv和32mv;21感應(yīng)測(cè)井(IL)提出感應(yīng)測(cè)井的目的基本原理感應(yīng)測(cè)井資料的用途22發(fā)射線圈接收線圈一次磁場(chǎng)二次磁場(chǎng)渦流交變電流 發(fā)射線圈 一次磁場(chǎng) 感應(yīng)電勢(shì) 渦流 二次磁場(chǎng) 接收線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)23 感應(yīng)測(cè)井資料的用途:與側(cè)向測(cè)井相同兩者的對(duì)應(yīng)關(guān)系: RILD RLLD RILM RLLS RSFL(RLL8) RMSFL(

4、RMLL) 2425感應(yīng)測(cè)井儀原理框圖26感應(yīng)測(cè)井儀發(fā)射電路振蕩分頻濾波功放27Q1,Q2為雙發(fā)射極晶體管,此處作為開(kāi)關(guān)管使用,其工作狀態(tài)如下:當(dāng)VCVb時(shí),處于導(dǎo)通狀態(tài),e1e2間呈低阻狀態(tài),導(dǎo)通時(shí)的剩余電壓非常小;當(dāng)VC2000m, 各種孔隙度小于1%,FIL或EPT無(wú)裂縫顯示,VDL條紋清晰,黑白反差很強(qiáng),縱橫波聲幅無(wú)衰減(在井徑 不擴(kuò)大時(shí)).GR低值(一般小于10API). （2）泥質(zhì)層：高GR,尤其以U、K含量高為主要特征，低Ra，AC增高，N明顯增大，電磁波傳播時(shí)間和幅度衰減率曲線同時(shí)出現(xiàn)高值異常。DEN略有下降，但經(jīng)常因含有黃鐵礦而使密度值非但不降，反而大于石灰?guī)r密度值。 （3）

5、炭質(zhì)層：GR不高， N高，DEN小，AC與儲(chǔ)層類似，但Ra偏高。532、尋找相對(duì)低電阻率段 在碳酸鹽巖剖面中，儲(chǔ)層總是以相對(duì)低電阻率的特征出現(xiàn)，因此，首先應(yīng)在剩下的可疑層段中劃出相對(duì)低電阻率段，然后在分析造成低電阻率的原因。除泥巖外，有些碳酸鹽巖含有較多的黃鐵礦，尤其是條帶狀的黃鐵礦，造成電阻率明顯降低，因此須將其排除。方法是利用DEN，比石灰?guī)r和白云巖密度值更高的低電阻率層應(yīng)予以排除。3、尋找具有一定孔隙度的地層 在非泥質(zhì)、非含黃鐵礦的低電阻率層段中找具有一定孔隙度的地層，主要找AC增高，DEN降低的地層， N僅作參考（？）544、尋找有效裂縫發(fā)育段 根據(jù)各種裂縫的測(cè)井響應(yīng)特征，識(shí)別出裂縫段

6、，進(jìn)一步分析裂縫的產(chǎn)狀和組合情況。 雙側(cè)向測(cè)井在裂縫段的響應(yīng)特征551.高角度裂縫電阻率值在致密層高電阻率背景上有所降低,曲線形狀較平緩,深淺雙側(cè)向值呈正差異.差異的大小與裂縫張開(kāi)度、侵入半徑及裂縫縱向延伸長(zhǎng)度有關(guān)。2.低角度裂縫電阻率值在致密層高電阻率背景上明顯降低,曲線形狀尖銳,深淺雙側(cè)向值一般呈負(fù)差異,差異小,顯示井段短.56聲波測(cè)井對(duì)裂縫的響應(yīng)特征1.聲速 國(guó)外資料認(rèn)為,裂縫使ACS增大,但對(duì)ACP基本無(wú)影響,但四川測(cè)井實(shí)驗(yàn)表明:低角度裂縫、水平縫要使ACP增高,只有高角度裂縫、垂直縫才對(duì)ACP無(wú)影響,實(shí)際測(cè)井資料已證實(shí)了這一現(xiàn)象.2.聲幅 AP ASWFVDL57裂縫徑向延伸深度的估

7、算天然縫與人工縫的鑒別585960 陣列感應(yīng)成像儀(AIT) (Array Induction Imager Tool)全井眼地層微電阻率掃描成像儀(FMI) (Fullbore Formation MicroImager)方位電阻率成像儀(ARI) (Azimuthal Resistivity Imager)電成像測(cè)井61(一)陣列陣列感應(yīng)成像儀(AIT)基本原理 特點(diǎn) 同時(shí)測(cè)量多個(gè)參數(shù),得到5條徑向探測(cè) 深度不同的電阻率曲線(探測(cè)深度分別為 10、20、30、60和90英寸).資料用途6263(二)地層微電阻率掃描成像測(cè)井目的地層微電阻率掃描測(cè)井(FMS) (Formation Microscanner Servise) 1.電極結(jié)構(gòu) 2.工作過(guò)程646566在81/2井眼中運(yùn)行一次,可覆蓋井壁的39%67 在61/4in井眼中,儀器可提供93%覆蓋率,在81/2in井眼中,可提供80%的覆蓋率,在121/2in 井眼中,FMI的覆蓋率為50%. 68FMI的測(cè)井模式69FMI測(cè)井資料及其應(yīng)用 70 方位電阻率成像測(cè)井(ARI)電極結(jié)構(gòu)及測(cè)量原理ARI成像測(cè)井資料及其應(yīng)用717273ARI成像測(cè)井儀一次下井所提供的資料12