1、最新精品文檔，知識共享！1.1 項目背景現(xiàn)代社會已進(jìn)入以微電子技術(shù)為核心的信息時代，信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為現(xiàn)代經(jīng)濟的重要支柱產(chǎn)業(yè)。微電子技術(shù)和微電子工業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，又是一個國家科技水平、工業(yè)水平和綜合國力的體現(xiàn)。微電子技術(shù)和微電子工業(yè)的代表是集成電路產(chǎn)業(yè)，該產(chǎn)業(yè)屬于技術(shù)、人才與資本密集型產(chǎn)業(yè)。.隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，通訊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和個人計算機需求持續(xù)增長，大大促進(jìn)了集成電路市場的擴大。為此， 預(yù)期2000 2010年全世界集成電路的年平均增長率可達(dá)20 25%， 近年來， 國際上集成電路的加工生產(chǎn)重心己轉(zhuǎn)移到亞太地區(qū)。我國擁有發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)最重要的人力和智力資源，在面對世界經(jīng)濟激

2、烈競爭的時刻，加快發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是一項緊迫而長期的任務(wù)，意義十分重大。XXXX 集成電路制造（XX）有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目是國內(nèi)建設(shè)深亞微米集成電路的重大工程。深亞微米工藝技術(shù)已是國際上的主流生產(chǎn)技術(shù)，本項目的實施可以推廣在國內(nèi)微電子技術(shù)的升級發(fā)展，提高電子產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)能力，并促進(jìn)我國集成電路產(chǎn)業(yè)走向國際。目前，我國的超大規(guī)模集成電路芯片設(shè)計大部分采用國內(nèi)設(shè)計、境外加工的流程，一些設(shè)計在真正轉(zhuǎn)化成芯片時，會出現(xiàn)轉(zhuǎn)換受阻和模塊兼容性等問題，需要花費相當(dāng)長的時間進(jìn)行整改。本項目的建設(shè)可以加強設(shè)計與加工的交流與合作，這是縮短投片時間、提高芯片質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。本項目建設(shè)單位是XXX

3、X集成電路制造有限公司，它是一家在開曼群島注冊的股份有限公司，從事包括芯片代理加工在內(nèi)的各種經(jīng)營項目，包括：各類半導(dǎo)體（硅片及各類化合物半導(dǎo)體）集成電路芯片制造及測試，與集成電路有關(guān)的開發(fā)設(shè)計服務(wù)、技術(shù)服務(wù)、光掩膜制造、測試封裝，銷售自產(chǎn)產(chǎn)品等。公司計劃以XX 投資為主，有計劃地在XX 建立芯片的加工生產(chǎn)線，并實現(xiàn)量產(chǎn)。本項目建于XX 經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)。擬建設(shè)8 0.35 0.18 m， 預(yù)計量產(chǎn)時，月投片 30000片；12先進(jìn)制程線，0.13 0.09 m，月投產(chǎn)3000片。集成電路產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，隨著科技的發(fā)展，電子信息產(chǎn)業(yè)將以更快的速度發(fā)展。微電子技術(shù)的發(fā)展目標(biāo)是不斷提高集成

4、電路的性能和性價比，不斷縮小半導(dǎo)體器件的特征尺寸。本項目建設(shè)期確定為8 年，建設(shè)期2 年（2002 2003 年，實際1.25 年） ，建設(shè)投產(chǎn)期 2 年，達(dá)產(chǎn)期4 年?？偼顿Y為12.5 億美元，所需的資金由投資方以注冊資本投入6億美元， 5000 萬美元由投資方自籌，6 億美元通過境內(nèi)外銀行貸款解決。本項目預(yù)計5.78 年后即可收回全部投資，達(dá)產(chǎn)年平均創(chuàng)利稅19469.88萬美元，說明該項目有較好的盈利能力?！?XXXX 集成電路制造（ XX ） 有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目”是 XX經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的建設(shè)項目之一，也進(jìn)一步加速推動了國外集成電路產(chǎn)業(yè)向我國轉(zhuǎn)移，使我國盡快成為世界集成

5、電路生產(chǎn)制造基地之一。2003 年 6 月 5 日國家發(fā)展和改革委員會頒發(fā)了發(fā)改高技2003604 號文“印發(fā)國家發(fā)展改革委員會關(guān)于審批XXXX 集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建議書的請示的通知”， 2003 年 6 月 30 日 XX 市發(fā)展計劃委員會頒發(fā)了京計高技文20031059 號文“關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)國家發(fā)展改革委關(guān)于 XXXX 集成電路芯片生產(chǎn)線項目建議書的請示的通知”。根據(jù) 中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法、 建設(shè)項目環(huán)境保護(hù)管理條例（國務(wù)院令253號）和國家環(huán)境總局的有關(guān)規(guī)定，該項目屬國家環(huán)?？偩謱徟椖?。受 XXXX 集成電路制造（XX ）有限公司的委托，XX市

6、環(huán)境保護(hù)科學(xué)研究院承擔(dān)本項目的環(huán)境影響報告書的編制工作。1.2 編制依據(jù)環(huán)保政策、法規(guī)中華人民共和國環(huán)境保護(hù)法， 1989年12月；中華人民共和國環(huán)境影響評價法， 2003年 9月 1 日起實施；中華人民共和國大氣污染防治法， 2000年 4月；中華人民共和國水污染防治法， 1996年 5月；中華人民共和國環(huán)境噪聲污染防治條例， 1996年 10月；中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法， 1995年 10月；建設(shè)項目環(huán)境保護(hù)管理條例，國務(wù)院令第253 號， 1998年 11 月；關(guān)于加強工業(yè)節(jié)水工作的意見國經(jīng)貿(mào)資源20001015 號；關(guān)于推行清潔生產(chǎn)的若干意見， 國家環(huán)保局環(huán)控1997023

7、2 號， 1997 年 4 月； TOC o 1-5 h z GB18597-2001危險廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)； 關(guān)于危險廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法；XX 市環(huán)境保護(hù)局“關(guān)于執(zhí)行危險廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法的通知”；中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進(jìn)法， 2002年 6月； XX市環(huán)境空氣質(zhì)量功能區(qū)劃； XX市水環(huán)境功能區(qū)劃； XX市國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十五個計劃綱要亦莊衛(wèi)星城總體規(guī)劃（2001-2020年 ）。立項文件國家發(fā)展和改革委員會文件發(fā)改高技2003604 號文 “印發(fā)國家發(fā)展改革委員會關(guān)于審批 XXXX 集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建議書的請示的通知”。批復(fù)文件1國

8、家發(fā)展和改革委員會文件發(fā)改高技2003483 號文“國家發(fā)展改革委關(guān)于審批XXXX 集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目建議書的請示” ；XX 市發(fā)展計劃委員會的京計高技文20031059 號文 “關(guān)于轉(zhuǎn)發(fā)國家發(fā)展改革委關(guān)于 XXXX 集成電路芯片生產(chǎn)線項目建議書的請示的通知”；XX經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會文件京技管2002233 號關(guān)于外商獨資XX中芯環(huán)球半導(dǎo)體有限公司微電子廠房可行性研究報告的批復(fù)； XXXX 集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目環(huán)境影響評價大綱， 2003 年 6 月；關(guān)于XXXX 集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集

9、成電路芯片生產(chǎn)線項目環(huán)境影響評價大綱的評估意見，國環(huán)評估綱2003143 號。技術(shù)導(dǎo)則 TOC o 1-5 h z HJ/T2.1 2.3 93環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則；HJ/T2.4 1995環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則聲環(huán)境；技術(shù)文件1信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院承擔(dān)編制的XX中芯環(huán)球半導(dǎo)體有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目初步設(shè)計；國家危險廢物名錄；XXXX集成電路制造（上海）有限公司的一期工程“三同時”竣工驗收環(huán)境保護(hù)設(shè)施監(jiān)測報告；XXXX集成電路制造（上海）有限公司提供的各種監(jiān)測和測試報告。1.2.6 任務(wù)委托書XXXX 集成電路制造（XX）有限公司環(huán)境影響評價任務(wù)委托書。評價工作總體設(shè)計本

10、評價核心問題是在XX經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)，XXXX 集成電路制造（XX）有限公司建設(shè)超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目，從環(huán)保角度分析是否可行。圍繞這一核心問題，評價工作將從以下幾個方面?zhèn)戎丶右杂懻摚涸u價區(qū)環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀；結(jié)合XX 市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)總體規(guī)劃（亦莊衛(wèi)星城總體規(guī)劃），論證廠址選擇的環(huán)境可行性；從水資源的供給和利用等方面論證項目選址的可行性，進(jìn)一步分析并提出節(jié)水途徑和措施；擬建項目的清潔生產(chǎn)水平；對有毒危險品的儲運及使用進(jìn)行風(fēng)險分析；污染治理措施；污染物達(dá)標(biāo)排放分析等七個方面進(jìn)行全面闡述。以實現(xiàn)XX 市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的經(jīng)濟效益、社會效益和環(huán)境效益協(xié)調(diào)發(fā)展為最終目的。評價目的和工作原則評價目的通

11、過對項目擬建地周圍地區(qū)環(huán)境現(xiàn)狀調(diào)查，以及對擬建項目生產(chǎn)工藝、工程污染源的調(diào)查與分析，預(yù)測項目投產(chǎn)后對環(huán)境可能造成的影響程度、范圍以及當(dāng)?shù)丨h(huán)境可能發(fā)生的變化狀況，并在此基礎(chǔ)上，對擬建項目建設(shè)的可行性從環(huán)境角度做出結(jié)論。同時提出相應(yīng)的環(huán)保治理措施與建議，為領(lǐng)導(dǎo)的決策、設(shè)計部門的設(shè)計和建設(shè)單位的管理提供依據(jù)。本次評價最終目的就是結(jié)合芯片生產(chǎn)項目的特點和環(huán)境敏感問題，及早發(fā)現(xiàn)該項目可能發(fā)生的環(huán)境問題，提出解決這些環(huán)境問題的途徑，給出環(huán)境監(jiān)管和治理措施方案。做到既對環(huán)境保護(hù)管理的法律、法規(guī)、制度和技術(shù)保障負(fù)責(zé)，也要對建設(shè)單位負(fù)責(zé)。評價原則在工程項目的評價中，要認(rèn)真貫徹執(zhí)行國家、XX 市和 XX 經(jīng)濟技術(shù)

12、開發(fā)區(qū)的有關(guān)法律和法規(guī)，在貫徹執(zhí)行“一控雙達(dá)標(biāo)”和清潔生產(chǎn)的前提下，以確保擬建項目實施后的環(huán)境污染問題得到有效解決，做到既要發(fā)展生產(chǎn)，又要保護(hù)環(huán)境的宗旨，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略。具體評價方法如下：1根據(jù)（86）國環(huán)字第117 號文件精神，在保證報告書質(zhì)量的前提下，盡量收集利用已有的資料和數(shù)據(jù)，并結(jié)合必要的調(diào)查和監(jiān)測，適應(yīng)建設(shè)項目的需要。2結(jié)合XX 市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)發(fā)展總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃，論證廠址選擇的環(huán)境可行性。3 本工程所需用水全部來自城市自來水，對水量的需求相當(dāng)大。XX 是水資源緊缺地區(qū)， 為了地區(qū)的持續(xù)發(fā)展，必須節(jié)約用水。本評價重點是節(jié)水問題，擴大廢水回用率，確保節(jié)水、減污方針得以落實

13、。4本工程屬于新建項目，環(huán)境影響評價工作需要算清楚項目按計劃實施后公司各種污染物的實際排放量。根據(jù)上海同類產(chǎn)品實測資料，結(jié)合本項目的產(chǎn)量和工藝特點進(jìn) 行污染源強的核算。5按照清潔生產(chǎn)、總量控制、達(dá)標(biāo)排放的原則，項目建成后，公司污染物排放濃度和總量報請主管環(huán)保管理部門，作為本公司核定總量控制指標(biāo)的依據(jù)。1.5 評價等級環(huán)境空氣質(zhì)量等級根據(jù)環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則大氣環(huán)境（ HJ/T2.2 93）的有關(guān)要求，評價工作的分級參照主要大氣污染物的等標(biāo)排放量和地形條件來確定，見下式：PiQiCoi9m3/h) ；式中：Pi等標(biāo)排放量（Qi單位時間排放量（t/h） ；Coi大氣環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（mg/m3） 。本

14、項目處于平原地區(qū)，大氣污染源中主要污染物為HF、 HCl、 NH3和 NOX等，其等標(biāo)排放量（Pi）見表1-1表 1-1 擬建工程主要污染物等標(biāo)排放量（Pi ）序號污染物Pi1HF0.44 1072HCl0.30 1073NH30.03 1074NOX0.001 107由表 1-1 可知，HF等標(biāo)排放量最大，Pi 為 0.44 107，遠(yuǎn)小于2.5 108，據(jù)此，將大氣環(huán)境影響評價工作等級定為三級。水環(huán)境影響評價等級本項目建成后生產(chǎn)廢水和生活污水將納入市政污水管網(wǎng)，建設(shè)項目污水水質(zhì)復(fù)雜程度為中等，污水排放量約3666m3/d。因此，本項目將分析該工程廢污水經(jīng)處理后是否符合市政污水管網(wǎng)排放標(biāo)準(zhǔn)。

15、據(jù)此，按照環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則地面水環(huán)境（ HJ/T2.3 93）的有關(guān)規(guī)定，可以將本項目的水環(huán)境影響評價工作等級定為三級。噪聲評價工作等級本項目建設(shè)地點位于工業(yè)區(qū)，離居民生活區(qū)較遠(yuǎn)，預(yù)計本工程項目建成投產(chǎn)后，噪聲對居民不會有很大影響。根據(jù)聲環(huán)評導(dǎo)則，本項目噪聲評價工作定為三級。1. 6評價工作重點根據(jù)擬建項目的工程性質(zhì)和當(dāng)?shù)氐淖匀缓蜕鐣h(huán)境特點，確定本評價的重點為：工程分析、工程所排大氣污染物、水污染物、固體廢棄物及噪聲的污染防治措施及其對周圍環(huán)境的影響。2清潔生產(chǎn)中節(jié)水措施分析，從水資源角度論述本項目的可行性。1.7 評價范圍大氣評價范圍以工程擬建地為中心，東 - 西方向邊長4km， 北

16、- 南方向邊長4km， 評價面積約為16km2。水環(huán)境影響評價范圍擬建工程排水口至受納市政下水道有關(guān)管段。噪聲評價范圍廠界外1m（廠界圍墻）處。1. 8環(huán)境保護(hù)目標(biāo)從本項目所處的地理位置及周邊環(huán)境分析，項目開發(fā)區(qū)內(nèi)沒有重要文物古跡和珍稀動植物，因此把在評價范圍內(nèi)的居民區(qū)、學(xué)校和醫(yī)院等受影響人群作為本次評價的環(huán)境保護(hù)敏感點。主要有：旭東房地產(chǎn)、卡爾生活館、大雄房地產(chǎn)等本項目以西和西北側(cè)的一片居民區(qū)和學(xué)校，還有 XX 職教園和北工大實驗學(xué)院等。 主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)見表1-2 。表 1-2 主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)序號主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)距離（m）方位（相對與本項目）開發(fā)區(qū)內(nèi)的地塊號1多倫多國際醫(yī)院1750北側(cè)2

17、亦莊衛(wèi)生院1875西北側(cè)3貴園北里五區(qū)2000西北側(cè)4貴北一區(qū)1900西北側(cè)5貴園南里五區(qū)1850西北側(cè)6貴園南里一區(qū)1750西北側(cè)7貴南四區(qū)1725西北側(cè)8貴南二區(qū)1650西北側(cè)9富園南里三區(qū)1500西北側(cè)10亦鳴春曉1600西北側(cè)11新康家園1700北側(cè)112昕濤雅園1500北側(cè)13東晶國際公寓1525北側(cè)14大雄城市花園1650北側(cè)215一棟洋房1225北側(cè)1116鹿鳴苑1375北側(cè)1217長新別墅1350北側(cè)1218金地四季翠園950北側(cè)1819獅城百驪1000北側(cè)1720卡爾生活館750北側(cè)2421旭東房地產(chǎn)650北側(cè)2522大雄房地產(chǎn)800北側(cè)2623星島三四期2275西北側(cè)24青

18、年公寓1500南側(cè)X1225北工大實驗學(xué)院800西南側(cè)X426XX職教園1075東南側(cè)X527亦莊中學(xué)1725西北側(cè)28亦莊小學(xué)1930西北側(cè)29開發(fā)區(qū)實驗學(xué)校1325西北側(cè)830社區(qū)體育中心1325西北側(cè)831雙語幼兒園1250西北側(cè)932同仁醫(yī)院1175東南側(cè)6233三海子公園1825西側(cè)9評價因子的確定根據(jù)項目所在地區(qū)的環(huán)境特征和保護(hù)目標(biāo)敏感程度，并參照篩選結(jié)果，選定下列因子作為評價因子：大氣評價因子1環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀評價因子TSP、 PM10、 SO2、 NO2、氟化物、HCl、 Cl2、 NH3、硫酸霧、非甲烷總烴和惡臭共 11 項。2環(huán)境影響預(yù)測因子HF、 HCl、硫酸霧、Cl2、 N

19、H3、非甲烷總烴和NOX共 7 項。水評價因子1 排水評價因子PH、 CODcr、 BOD5、 SS、 F 、 NH3-N、 TOC 和 AOX 共 8項。2地下水水質(zhì)現(xiàn)狀評價因子除常規(guī)外，主要為鎢、硼2 項。聲環(huán)境評價因子1 環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀評價因子環(huán)境背景值（廠界噪聲（Leq） ）2環(huán)境影響預(yù)測因子廠界噪聲（Leq）固體廢物評價因子水處理污泥、生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢溶劑、廢酸、廢異丙醇等物質(zhì)以及生活垃圾等。土壤評價因子砷（As） 、硼（ B） 、氟（F）和鎢（W） 共 4項。施工期環(huán)境影響分析因子施工揚塵和噪聲總量控制因子1大氣污染物總量控制因子HF。2水污染物總量控制因子CODcr 、 NH-N

20、 。3固體廢物總量控制因子各類工業(yè)固體廢物和生活垃圾。1.10 評價標(biāo)準(zhǔn)大氣評價標(biāo)準(zhǔn)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)新建生產(chǎn)線大氣排放標(biāo)準(zhǔn)（部分污染物）執(zhí)行GB16297-1996大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)中（表2）新污染源二級標(biāo)準(zhǔn)，氨執(zhí)行GB14554-93惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)中氨的限值，PH3、 H3PO4和 SiH4等采用荷 蘭排放導(dǎo)則中的標(biāo)準(zhǔn)，具體指標(biāo)見表1-3。表 1-3 大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)污染物最高允許排放濃度（mg/m 3）最高允許排放速率(kg/h)20m30m40m50m60mH2SO4霧452.68.8152333NOx2401.34.47.51216氟化物90.170.591.01.52

21、.2HCl1000.431.42.63.85.4Cl 265-0.872.95.07.7非甲烷總烴1201753100-氨 *1-8.72035-75H3PO45.0 *20.05 *2SiH4*2 5.0 20.05 *2PH31.0 *20.01 *2*1 取自 GB14554-93中氨的限值*2 荷蘭排放導(dǎo)則本項目建有天然氣鍋爐房和VOC使用天然氣，其污染物排放標(biāo)準(zhǔn)，執(zhí)行XX市地方標(biāo) TOC o 1-5 h z 準(zhǔn)鍋爐污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)( DB11/139-2002)中燃?xì)忮仩t的規(guī)定，見表1-4。表 1-4 鍋爐大氣污染物排放限值污染物名稱最高允許排放濃度(mg/Nm 3)標(biāo)準(zhǔn)來源(DB

22、11/139-2002)煙塵10全部區(qū)域、全部段SO220NOx200 TOC o 1-5 h z 環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境空氣質(zhì)量執(zhí)行GB3095-1996環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)( 2000 年修改本)中的二級標(biāo)準(zhǔn)和 TJ36-79工業(yè)企業(yè)設(shè)計衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)居住區(qū)大氣中有害物質(zhì)的最高允許濃度，大氣環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)限值見表1-5。表 1-5 各項污染物的濃度限值單位：mg/m3污染物取值時間濃度限值(二級)標(biāo)準(zhǔn)來源SO2年平均0.06環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)( GB3095-1996)日平均0.151 小時平均0.50TSP年平均0.20日平均0.30NO2年平均0.08日平均0.121 小時平均0.24PM10年平均0

23、.10日平均0.15氟化物(F-)日平均7( g/Nm3)1 小時平均20( g/Nm3)NH3最 高 允 許一次0.20工業(yè)企業(yè)設(shè)計衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)HCl一次0.05( TJ36-79)日平均0.015硫酸霧一次0.30居住區(qū)大氣中有害物質(zhì)的最高允許濃度日平均0.10Cl 2濃 度一次0.10日平均0.03總烴 *日平均2.0以色列國家標(biāo)準(zhǔn)1 小時平均5.0*作為非甲烷總烴標(biāo)準(zhǔn)的參考值惡臭廠界標(biāo)準(zhǔn)值執(zhí)行國家GB1454-93中氨的標(biāo)準(zhǔn)，見表1-6。表 1-6 惡臭污染物廠界標(biāo)準(zhǔn)值控制項目單位廠界二級惡臭濃度無量綱20水評價標(biāo)準(zhǔn)廢水排放標(biāo)準(zhǔn)本項目污水按規(guī)劃排入開發(fā)區(qū)污水處理廠，最終匯入涼水河。目前，開

24、發(fā)區(qū)污水處理廠已建成，排水水質(zhì)按照XX 市水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（試行）中“排入城市下水道的水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)”中的 B 標(biāo)準(zhǔn)和污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)（ GB8978-1996）中的三級標(biāo) TOC o 1-5 h z 準(zhǔn)中的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)限值執(zhí)行。本項目污染物最高允許排放濃度見表1-7 。表 1-7 本項目水污染物最高允許排放濃度（單位：mg/L，除PH外）項目CODcrPHF-SSBOD5AOXTOC氨氮最高允許排放濃度5006-9104003008.0-采用標(biāo)準(zhǔn)名稱 XX市水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)排入市政下水道標(biāo)準(zhǔn)中的B標(biāo)準(zhǔn)污水綜合排放標(biāo)準(zhǔn)中的三級標(biāo)準(zhǔn) TOC o 1-5 h z 地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)涼水河水質(zhì)評價采用

25、GB3838-2002 地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)中的類標(biāo)準(zhǔn)，見表1-8。表 1-8 地表水類標(biāo)準(zhǔn)項目NH3-NCODBOD高錳酸鹽 指數(shù)石油類溶解氧陰離子 表面活性劑標(biāo)準(zhǔn)值2.04010151.020.3 TOC o 1-5 h z 固體廢物標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行 中華人民共和國固體廢物污染環(huán)境防治法、 關(guān)于危險廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法、危險廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)以及XX 市環(huán)境保護(hù)局“關(guān)于執(zhí)行危險廢物轉(zhuǎn)移聯(lián)單管理辦法的通知”中的有關(guān)規(guī)定。噪聲標(biāo)準(zhǔn)根據(jù) XX 市噪聲功能區(qū)的劃分，該地區(qū)屬于噪聲環(huán)境功能區(qū)的3 類區(qū)。因此，擬建地周圍的環(huán)境噪聲執(zhí)行國家城市區(qū)域噪聲標(biāo)準(zhǔn)(GB3096-93)中3 類標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)限值見表1-9，

26、廠界噪聲執(zhí)行工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)(GB12348 90)中“III 類”地區(qū)的規(guī)定，見表1-10。表 1-9 城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)單位： dB(A)適用標(biāo)準(zhǔn)晝間夜間適用范圍城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)3 類6555工業(yè)區(qū)表 1-10 工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)等效聲級：dB(A)類別晝夜III6555施工期噪聲施工期噪聲應(yīng)執(zhí)行建筑施工場界噪聲限值標(biāo)準(zhǔn) (GB12523-90)的有關(guān)規(guī)定，具體數(shù)值詳見表表1-11 。 表 1-11 施工期噪聲執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)施工階段主要噪聲源噪聲限值dB(A)晝間夜間土石方推土機、挖掘機、裝載機等7555打樁各種打樁機等85禁止施工結(jié)構(gòu)混凝土攪拌機、振搗棒、電鋸等7055裝修吊車、升

27、降機等6555土壤環(huán)境本項目所在區(qū)域的砷(As)采用土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)( GB15618-1995)中的二級標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評價，其標(biāo)準(zhǔn)值見表1-12 。表 1-12 土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)值mg/Kg指標(biāo)PH7.5砷 ( 旱地 ) 403025綠化標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行XX市城市綠化管理條例中的有關(guān)規(guī)定，即“新建住宅區(qū)和其它成片建設(shè)地區(qū)的綠化，要與建設(shè)工程同時規(guī)劃，同時設(shè)計，在郊區(qū)其綠化面積不得少于百分之三十”的規(guī)定。 ”2 工程概況項目投資方情況項目投資方及法定代表人 TOC o 1-5 h z 投資方名稱：XXXX集成電路制造有限公司（以下簡稱XXXX）Semiconductor Manufacturing Inte

28、rnational Corporation（以下簡稱SMIC）公司注冊地址：PO Box 309 ， Grand Cyman法定代表人：Richard R.Chang （ （張汝京）經(jīng)營范圍包括各類半導(dǎo)體（硅片及各類化合物半導(dǎo)體）集成電路芯片制造、針測及測試，與集成電路有關(guān)的開發(fā)服務(wù)、技術(shù)服務(wù)、光掩摸制造、測試封裝，銷售自產(chǎn)產(chǎn)品。擬建項目基本情況項目性質(zhì)、投資及建設(shè)地點項目名稱：XXXX 集成電路制造（XX）有限公司超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項目項目注冊地址：XX市 XX經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18 號建設(shè)性質(zhì)：新建項目企業(yè)性質(zhì)：外企獨資建設(shè)地點：XX 經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18 號， XX 經(jīng)

29、濟技術(shù)開發(fā)區(qū)41 和 47 地塊上，擬建項目在開發(fā)區(qū)位置見圖2-1，開發(fā)區(qū)地理位置見圖2-2。項目總規(guī)劃用地：240030m2，其中一期工程占地136753 m2項目一期建設(shè)面積：180422.43 m2項目一期投資：12.5億美元項目實施方案和進(jìn)度實施方案總項目分兩期規(guī)劃建設(shè)4 個 Fab（生產(chǎn)廠房），環(huán)評按一期2 個 Fab 進(jìn)行評價。項目進(jìn)度本項目實施計劃見表2-1 。表 2-1 項目實施計劃時間進(jìn)度要點2003 年 06 月立項審批2003 年 08 月可行性報告批準(zhǔn)、編寫環(huán)境影響評價報告書2004 年 02 月土建（結(jié)構(gòu)）完成2004 年 03 月動力設(shè)備、凈化安裝完成2004 年

30、04 月工藝設(shè)備安裝完成2004 年 06 月Fab4 月產(chǎn)2000 片2005 年 01 月Fab4月產(chǎn)16000 片2005 年 07 月Fab4 月產(chǎn)28000 片2004 年 11 月Fab5 土建完成2005 年 03 月Fab5 凈化間安裝完成2005 年 05 月Fab5 工藝設(shè)備安裝完成2005 年 06 月Fab5 月產(chǎn)2000 片2005 年 08 月Fab5 月產(chǎn)3000 片人員編制及生產(chǎn)制度人員編制本項目員工預(yù)計2500 人，其中生產(chǎn)及輔助人員1700 人，技術(shù)人員800 人。生產(chǎn)班次采用 4 班 2 運轉(zhuǎn)，每天2 班，每班12 小時， 2 天上班 2 天休息的工作制度

31、，每年除 7 天動力檢修外連續(xù)工作。投資估算和資金籌備公司總投資為12.5 億美元，所需的資金由投資方以注冊資本投入6 億美元，5000萬美元由投資方自籌，6 億美元由投資方通過境內(nèi)外銀行代款解決?？偼顿Y中建設(shè)投資113967.00萬美元，流動資金11033.00萬美元。環(huán)保投資約為1 億美元，約占項目總投資的8%。建設(shè)規(guī)模和產(chǎn)品方案項目一期生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品：1建設(shè)8 0.35 0.18 m IC Foundry 生產(chǎn)線，月投片30000片，實現(xiàn)芯片制造的規(guī)?；a(chǎn)；2建設(shè)12先導(dǎo)線，0.13 0.09 m，月投片3000片。項目組成和主要設(shè)備項目組成本項目由生產(chǎn)設(shè)施、動力設(shè)施、化學(xué)品設(shè)施、氣體

32、設(shè)施、環(huán)保設(shè)施、安全衛(wèi)生設(shè)施、消防設(shè)施、管理服務(wù)設(shè)施以及相應(yīng)的建筑物組成。芯片項目組成見表2-2。表 2-2芯片項目組成表序號設(shè)施名稱內(nèi)容1生產(chǎn)設(shè)施生產(chǎn)廠房（FAB4、 FAB5） 、支持廠房（FAB6C）包括：集成電路芯片生產(chǎn)設(shè)施、集成電路測試設(shè)施、實驗設(shè)施、各種庫房、生產(chǎn)管理設(shè)施。2動力設(shè)施動力廠房（CUB2） ，包括：水泵房、純水站、空壓站、冷凍站、鍋爐房、真空站、凈化、通風(fēng)和排風(fēng)系統(tǒng)、消防等；變電站（PS2） 、柴油發(fā)電機房（備用） 、大宗氣體供應(yīng)站（空分裝置）。3輔助設(shè)施化學(xué)品庫（ CW2） 、 硅烷站（ SiH4） 、 天然氣調(diào)壓站（ NG） 、 特殊氣體供應(yīng)系統(tǒng)、大宗氣體供應(yīng)系統(tǒng)

33、，空分主裝置（PL-2E） ， 包括：主空氣壓縮機, 氮氣壓縮機。工廠空氣裝置（CDA） ，包括：空氣壓縮機。4環(huán)保設(shè)施工業(yè)廢水處理系統(tǒng)、生活污水處理系統(tǒng)、廢氣處理系統(tǒng)、廢液、廢渣收集 系統(tǒng)、綠化、雨水回收處理系統(tǒng)。5服務(wù)設(shè)施辦公樓（OS2） ，包括：辦公、會議、餐廳等用房；停車場6廠外設(shè)施排水管線、蒸汽管線、天然氣管線、工藝物料外管線、高壓輸電線注：本項目新鮮水、電、蒸汽、天然氣的供給及生產(chǎn)、生活污水末端處理依托開發(fā)區(qū)生產(chǎn)線設(shè)備生產(chǎn)線設(shè)備主要包括：大圓片生產(chǎn)設(shè)備探針測試（p/w）設(shè)備組裝、可靠性測試及成品測試設(shè)備計算機輔助設(shè)計（CAD）設(shè)備工藝設(shè)備主要包括氧化擴散爐、低壓化學(xué)氣相沉積（ LP

34、CVD ） 、 常態(tài)化學(xué)氣相沉積（ APCVD ） 、高壓氣相沉積PECVD、步進(jìn)光刻機、涂膠顯影系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、濕法腐蝕清洗系統(tǒng)、離子注入機、金屬化濺射系統(tǒng)、電子束光刻系統(tǒng)等。本項目主要設(shè)備的數(shù)量和供貨方見表2-3 和表2-4。表 2-3 8 英寸生產(chǎn)線引進(jìn)設(shè)備清單序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量1Dishing & Errosion 檢測設(shè)備KLA-Tencor/USA12Dielectric thickness measurement 介質(zhì)厚度測量THERMAWA VE (USA)/Rudolph (USA)33Metal Thickness Measurement 金屬厚度測量Rudolph (U

35、SA)/Nanometrics (USA)14High Resolution Profiler 高清晰度靠模機KLA-TENCOR (UAS)15Overlay measurement 覆蓋度量測機ACCENT (USA)/KLA-Tencor (USA)96StarLight Mask Inspection System 星光罩檢查系統(tǒng)KLA-TENCOR (USA)17Field Patterened Wafers 面圖案晶圓KLA-TENCOR (USA)38Defect Review 缺陷復(fù)查器KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)19Review Station 檢查

36、站Leica (GER)/SONY (JAP)410Sheet Resistance 薄膜電阻檢查機KLA-TENCOR (USA)/KE (USA)311Stress Gauge 壓力標(biāo)準(zhǔn)檢查器KLA-TENCOR (USA)/KE (USA)2序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量12TXRF X 射線光譜分析設(shè)備Philips Technos (HOLLAND)213In-line WAT Tester 測試機Keithley (USA)/Agilent (USA)314In-line WAT Prober 探查機TEL (JAP)/TSK (JAP)315Defect Inspection 缺陷檢查機A

37、MA T (USA)/KLA-Tencor (USA)716Auto Macro Defect Inspection 自動宏觀缺陷檢查機Nikon (JAP)/Nidek (JAP)317Dose Measurement 劑量檢測機THERMAWA VE (USA)118Optistation-(AEI 、 ADI) 光學(xué)臺Nikon (JAP)/Nidek (JAP)719Profiler 靠模工具機KLA-TENCOR (USA)220Particle Counter 微粒計數(shù)器KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)821FTIR 傅立葉變換紅外光譜儀ACCENT (USA

38、)122Backside Thickness Measurement晶背厚度檢測器Philips Technos (HOLLAND) /KLA-TENCOR (USA)123Reticle Charger /Macro Check Station 宏觀檢測器HOGAN-SMIC (CN)124Microscope/Wafer Loader 顯微鏡Nikon (JAP)/Nidek (JAP)825Surface Charge Analyzer 表面電荷分析KLA-TENCOR (USA)/SDI (USA)126Ammonia Detector 氨檢測儀MOLECULAR (USA)/Yoko

39、gawa (JAP)127SEM 掃描電鏡HITACHI (JAP)/KLA-TENCOR (USA)2228Film Thickness 膜厚測量儀THERMAWA VE (USA)/AMA T (USA)629WAT IV Tester 測試儀Keithley (USA)/Agilent (USA)130XRF X 射線熒光光譜儀RIGAKU (JAP)131Backside grinder 倒角機DISCO (JAP)132Cu CMP 銅化學(xué)機械拋光AMA T (USA)/LAM (USA)633Ash 去灰設(shè)備Mattson (USA)/Axcelis (USA)134Al Etch

40、 鋁刻蝕設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)135Oxide Etcher 氧化物刻蝕TEL (JAP)/SCCM (USA)1036Alloy furnace 合金爐管設(shè)備TEL (JAP)/KE (JAP)137Polyimide cure 聚酰亞胺復(fù)原設(shè)備TEL (JAP)/KE (JAP)438BARC coater BARC 覆膜設(shè)備TEL (JAP)/KE (JAP)139Polyimide coat-4C 聚酰亞胺4C 覆膜設(shè)備FSI (USA)/TEL (JAP)140Polyimide develop 聚酰亞胺顯影設(shè)備FSI (USA)/TEL (JAP)141CM

41、P（ Poly 、 STI、 W、 Oxide） 化學(xué)機械拋光設(shè)備AMA T (USA)/LAM (USA)2142barrier & seed 光柵和種源AMA T (USA)/Novellus (USA)543ECD Cu 銅制程電導(dǎo)檢測器;AMA T (USA)/Novellus (USA)344FSG dep 第一石墨化階段設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)245SiN and SiON 氮化硅和氮氧化硅生成設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)346Wafer Scrubber 擦片機TEL (JAP)/DNS (JAP)1847BPTEOS

42、硼磷有機硅涂層設(shè)備AMAT (USA)/Novellus (USA)448IMD_HDP/FSG 中電流_高密度電漿生成器AMA T (USA)/Novellus (USA)949Nitride PASS Dep 氮化物測試設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)250INORGANIC ARC & PEOxide_IMD無機電弧& 高密度電漿氧化機AMA T (USA)/Novellus (USA)7序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量51HDP_STI 高密度電漿量測儀AMA T (USA)/Novellus (USA)352PETEOS Cap_ILD 高密度電漿有機硅覆蓋設(shè)備AMA T

43、 (USA)/Novellus (USA)553W CVD 鎢化學(xué)氣相淀積AMA T (USA)/Novellus (USA)554WSix CVD 鎢聚硅化學(xué)氣相淀積AMA T (USA)/TEL (JAP)155wet clean 清洗設(shè)備Semitool (USA)/Mattson (USA)356Detape 去膜封設(shè)備TAKA TORI (JAP)157Resist Strip-(Generic 、 Co、 Metal) 光刻膠、金屬 去除AXCELIS (USA)/Mattson (USA)1858Backside Etch 晶背蝕刻設(shè)備SEZ (Austria)/TEL (JAP

44、)159Oxide Etch- 氧化物刻蝕TEL (JAP)/LAM (USA)1660Metal/W Etchback Etch 金屬/鎢晶背蝕刻設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)861Nitride Etch-Spacer(Nitride 、 Oxide) 氮化物蝕刻設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)562Poly Etch-Poly(1)(2) 聚硅蝕刻設(shè)備Lam (USA)/AMA T (USA)563Trench Etch 深槽刻蝕TEL (JAP)/LAM (USA)464UV Curing-MET 深紫外固膠機AXCELIS (USA)/AMA T (US

45、A)165Hot Plate 前烘設(shè)備TEL (JAP)/FSI (USA)266In-Line( DUV 、 I-Line) Track 深紫外光清洗設(shè)備TEL (JAP)/FSI (USA)2567High Energy IMP 高能離子注入設(shè)備AXCELIS (USA)/AMA T (USA)268High Current IMP 高速流離子注入設(shè)備AXCELIS (USA)/AMA T (USA)1069Medium Current IMP 中速流離子注入設(shè)備AXCELIS (USA)/AMA T (USA)770BARC/PR Coater 正光阻涂布機TEL (JAP)/FSI (

46、USA)271In-Line I-Line Stepper 曝光對準(zhǔn)機AMA T (USA)/CANON (JAP)472Polyimide Coater 聚胺正光阻涂布機TEL (JAP)/FSI (USA)173Polyimide Developer/PR Reworker 聚胺正光阻顯影TEL (JAP)/FSI (USA)174Polyimide Reworker Dryer before cure 聚胺重工烘干設(shè)備SEMITOOL (USA)/SES (JAP)175In-Line DUV Scanner 深紫外光刻機ASML (Holland)/CANON (JAP)1076I-L

47、ine Scanner I 線光刻機ASML (Holland)/ CANON(JAP)1277Sputter 濺射設(shè)備AMA T (USA)/Novellus (USA)878CVD TiN 氮化鈦化學(xué)氣相沉積AMA T (USA)/Novellus (USA)679RTA 快速熱退火AMA T (USA)/AXCELIS (USA)980Tape 封膜機TAKA TORI (JAP)181VF LP Alloy 低壓合金垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)282VF Poly Oxide/Anneal(Post Metal) 聚合氧化膜垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)4

48、83VF BPSG Flow 硼磷有機硅垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)284VF LPCVD Poly-Doped 聚硅低壓化學(xué)氣相沉積垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)785VF Oxide 氧化物淀積垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)2186VF LPCVD 低壓化學(xué)氣相沉積垂直爐管TEL (JAP)/KE (JAP)2087VAPOR HF 氣相氫氟酸清洗設(shè)備FSI (USA)1序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量88WAT Prober 晶圓最終測試探針TEL (JAP)/KFI (USA)589WAT Tester 晶圓最終測試儀Agilent (USA)/Keit

49、hley (USA)590W.S. CoSi CR Strip 鈷硅顯影設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)191W.S. Clean 清洗設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)1292W.S. Oxide Etch 氧化層蝕刻設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)193W.S. P.M.D. 晶圓清洗設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)194W.S. PR strip 正光阻清洗設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)795W.S. Nitride strip 氮化硅蝕刻設(shè)備SCP (USA)/Mattson (USA)196W.

50、S. WAT WS 晶圓最終測試儀SCP (USA)/Mattson (USA)197Horizontal Tube Clean 水平爐管清洗LUMAX (USA)198Quartz Parts Stocker 石英部件暫存處SJTC (USA)/Boscien (USA)199Cleaner (Etch) 清洗設(shè)備(蝕刻)SJTC (USA)/Boscien (USA)3100N2 parts stocker box (Etch) 氮氣部件暫存盒(蝕刻 )SJTC (USA)/Boscien (USA)4101Bake Oven 晶圓烤爐SJTC (USA)/Boscien (USA)171

51、02Ultrasonic+Brush (Etch) 超聲波刷洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1103Ultrasonic cleaner (Etch) 超聲波清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1104Aceton Cleaner (Photo-Track Cup) 丙酮清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1105Reticle ALU 光罩標(biāo)準(zhǔn)操作面板ASYST (USA)/Brooks (USA)1106Ammonia Detector for Litho 曝光區(qū)環(huán)境微氨偵測器MOLECULAR (USA)/Yokogawa (

52、JAP)1107Reticle Stocker 光罩貯存器ASYST (USA)/DAIFUKU (JAP)2108Pod Cleaner 晶片貯盒清洗設(shè)備Semitool (USA)/Boscien (USA)1109Ultrasonic cleaner (TF) 超聲波清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1110HF Cleaner (TF) 氫氟酸清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)2111N2 parts stocker box (TF) 氮氣部件暫存盒SJTC (USA)/Boscien (USA)2112Sink 晶圓專用化學(xué)槽Polycon

53、cepts (USA)1113POD/Cassette Clean 晶片貯盒清洗設(shè)備SEMITOOL (USA)/SES (JAP)1114WS Reclaim WS 回收設(shè)備SES (USA)/Mattson (USA)4115POD/Cassette Inspection 晶片貯盒微粒檢查設(shè) 備METRON (USA)/ KLA-TENCOR (USA)1116Aceton Cleaner 丙酮氣相清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)2117Acid sink/H2O2 & DI (TF) 酸槽SJTC (USA)/Boscien (USA)1118ACT140 Cle

54、aner (Etch) ACT140 清洗設(shè)備SJTC (USA)/Boscien (USA)1119ALU 標(biāo)準(zhǔn)操作面板ASYST (USA)/Brooks (USA)4120Cup Stocker 光阻承接器Boscien (USA)/SJTC (USA)1121(DIW 、 HF、 Ultrasonic) Cleaner (Photo 、 TF、 Etch) 清洗槽Boscien (USA)/SJTC (USA)8122Horizontal Tube Clean 水平爐管清洗LUMAX (USA)2123N2 box (Etch 、 Imp、 TF) 充氮貯存盒Boscien (USA)

55、/SJTC (USA)18124Parts Clean working station (Imp) 部件清洗站Boscien (USA)/SJTC (USA)2125Quartz Parts Stocker 石英部件貯存器Boscien (USA)/SJTC (USA)5126Reticle ALU 光罩標(biāo)準(zhǔn)操作面板ASYST (USA)/Brooks (USA)1序號設(shè)備名稱廠家數(shù)量127Single Ultrasonic (Diff) 單超聲清洗設(shè)備Boscien (USA)/SJTC (USA)1128Ultrasonic+Brush (Etch) 超聲波刷洗設(shè)備Boscien (USA

56、)/SJTC (USA)1129Vertical Tube Clean 垂直爐管清洗設(shè)備LUMAX (JAP)2130Wafer Sort 硅片排序機ASYST (USA)/RECIF (USA)27131Wafer Marker 硅片打標(biāo)機NEC (JAP)/Intergen (USA)1132Wafer RS&Thk/Flat 硅片平坦儀ADE (USA)1133Wafer transfer 硅片傳輸設(shè)備EVER TEAM (USA)/ 九佳科技(CN)4小計605表 2-4 12 英寸生產(chǎn)線引進(jìn)設(shè)備清單序號設(shè)備名稱廠商數(shù)量1Alph_step 臺階儀KLA-TENCOR (USA) or

57、 al.12Ammonia Detector 氨檢測儀MOLECULAR (USA) or al.13Backside Poly Etch 背面刻蝕SEZ (EUROPE)14CMP Oxide or Metal or Cu化學(xué)機械研磨氧化層/金屬/銅AMAT (USA)/EBARA (JAPAN) / LAM (USA)35Coater/Developer/BARC Track 黃光設(shè)備TEL (JAPAN)/DNS (JAPAN)36Cu electrofill 銅鍍膜設(shè)備NOVELLUS (USA)/AMAT (USA)27Cu seeding 銅送料系統(tǒng)NOVELLUS (USA)/A

58、MAT (USA)28CVD TiN 氮化鈦化學(xué)氣相淀積AMA T (USA)/TEL (JAPAN)29Defect Inspection 缺陷檢測儀KLA-TENCOR (USA)/AMAT (USA)110Dose Measurement 計量儀THERMAWA VE (USA)/ KLA TENCOR (USA)111DUV Scanner 深紫外光刻機ASML (EUROPE)/CANON (JAPAN) /NIKON (JAPAN)312膜厚測量儀THERMAWA VE (USA)/KLA-TENCOR (USA)/ROUDOLPH (USA)/NANOMETRICS (USA)3

59、13FTIR 傅立葉變換紅外分光計Accent (USA) or al.114HDP Oxide 高密度等離子體氧化物淀積AMAT (USA)/NOVELLUS (USA)215High Current IMP 高束流離子注入設(shè)備VARIAN (USA)/AXCELIS (USA) /AMAT (USA)216Hot Plate-MET 前烘設(shè)備TEL (JAPAN)217I-Line Sacnner I 線光刻機ASML (EUROPE)/CANON (JAPAN) /NIKON (JAPAN)318INORGANIC ARC 無機物消反射涂層AMAT (USA)/NOVELLUS (USA

60、)219Macro Defect Inspection 宏缺陷檢測OLYMPUS (JAPAN)/LEICA (EUROPE) /NIKON (JAPAN)220Mask Inspection 掩膜檢測KLA-TENCOR (USA)121Medium Current IMP 中束流離子注入設(shè)備VARIAN (USA)/AXCELIS (USA) /AMAT (USA)222MeV IMP 兆伏離子注入機VARIAN (USA)/AXCELIS (USA) /AMAT (USA)123Metal Etch 金屬刻蝕機AMA T (USA)/LAM (USA)324Metal Sputter 金