1、可控硅可控硅是硅可控整流元件的簡稱，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強等特 點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品中，多用來 作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風扇、空調(diào)機、 電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙 控、攝像機及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。按其工作特性，可控硅（THYRISTOR）可分為普 通可控硅（SCR）即單向可控硅、雙向可控硅（TRIAC）和其它特殊可控硅?？煽毓璧闹饕獏?shù)非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移

2、相觸發(fā)，即通過可控硅 的主要參數(shù)1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極-陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復 加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反 向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、 控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極一陰極間加有一定電壓時，可控硅 從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的最小控制極電流和電壓。

3、5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩 個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等?？煽毓璧挠|發(fā)過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅。非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正 弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比?？煽毓璧闹饕獏?shù)可控硅的主要參數(shù)：1額定通態(tài)電流（亶）即最大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅

4、的IT一般為一安到幾十安。2反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM 一般為幾百伏到一千伏。3控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT 一般為幾微安到幾十毫安。可控硅的常用封裝形式常用可控硅的封裝形式有 TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、 TO-252等。改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。單向可控硅參數(shù)_單向可控硅管的主要參數(shù)一、單向可控硅參數(shù)_額定通態(tài)平均電流IT （AV）在環(huán)境溫度為+40C及規(guī)定的散熱條件、純電阻

5、負載、元件導通角大于己于170 電角度時，可控硅所允許的單相工頻正 弦半波電流在一個周期內(nèi)的最大平均值。二、單向可控硅管的參數(shù)_通態(tài)平均電壓UT （AV）在規(guī)定環(huán)境、溫度散熱條件下，元件通以額定通態(tài)平均電流，結(jié)溫穩(wěn)定時，陽極和陰極間電壓平均值。三、單向可控硅參數(shù)_控制極觸發(fā)電壓UGT在室溫下，陽極和陰極間加6V電壓時，使可控硅從截止變?yōu)橥耆珜ㄋ璧淖钚】刂茦O直流電壓。四、單向可控硅管的參數(shù)_控制極觸發(fā)電流IGT在室溫下，陽極和陰極間加6V電壓時，使可控硅從截止變?yōu)橥耆珜ㄋ璧目刂茦O最小直流電流。五、單向可控硅參數(shù)_斷態(tài)重復峰值電壓UPFV在控制極斷開和正向阻斷的條件下，陽極和陰極間可重復施

6、加的正向峰值電壓。其數(shù)值規(guī)定為斷態(tài)下重復峰值電壓UPSM 的 80%。六、單向可控硅管的參數(shù)_反向重復峰值電壓UPRV在控制極斷開的條件下，陽極和陰極之間可重復施加的反向峰值電壓。其數(shù)值規(guī)定為反向不重復峰值電壓URSM的80%。 一般把UPFV和UPRV中較小的數(shù)值作為元件的額定電壓。七、單向可控硅參數(shù)維持電壓IH在室溫和控制極斷路時，可控硅從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持元件處于通態(tài)的最小電流，一般為幾十到一百多mA。 如果通過的正向電流小于此值，可控硅就不能繼續(xù)保持導通而自行截止。參數(shù)符號說明：IT(AV)-通態(tài)平均電流VRRM-反向重復峰值電壓IDRM-斷態(tài)重復峰值電流ITSM-通態(tài)一個周

7、波不重復浪涌電流VTM-通態(tài)峰值電壓IGT-門極觸發(fā)電流VGT-門極觸發(fā)電壓IH-維持電流dv/dt-斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt-通態(tài)電流臨界上升率Rthjc-結(jié)殼熱阻VISO-模塊絕緣電壓Tjm-額定結(jié)溫VDRM-通態(tài)重復峰值電壓IRRM-反向重復峰值電流IF(AV)-正向平均電流單向可控硅-SCRs器件型號MCR100-6封裝形式:TO-92Package一腳位排列:C-G-A主要參數(shù):電流-IT(RMS):0.8A電壓-VDRM:N400V觸發(fā)電流:IGT:1030|iAIGT:3060|iA元件品牌，型號MCR100-6電流0.8 (A)電壓400 (V)觸發(fā)電流 10-30/30-60m (A)結(jié)溫 110 (C).單向可控硅-SCRs器件型號:MCR100-8封裝形式:TO-92 腳位排列：K-G-A主要參數(shù)電流-IT(RMS):