直接帶隙與間接帶隙躍遷_第1頁(yè)
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第二節(jié) 直接帶隙與間接帶隙躍遷 1 一.豎直躍遷與非豎直躍遷 豎直躍遷：電子躍遷的初態(tài)、終態(tài)對(duì)應(yīng)著布里淵的同一波矢K。GaAs, -族、-族化合物。 非豎直躍遷：電子躍遷的初態(tài)、態(tài)終不對(duì)應(yīng)著布里淵區(qū)的同一波矢K。Ge、Si中。2二.躍遷的K選擇定則 以上兩種躍遷均滿足： 能量守恒 動(dòng)量守恒3 三.直接帶隙躍遷 光子的波數(shù)很小 直接帶隙躍遷（豎直躍遷） 參與者：光子、電子、空穴 躍遷幾率大，屬一級(jí)微擾過(guò)程。 四.間接帶隙躍遷 電子躍遷初、終態(tài)的 值不相等，有聲子參與（ ）4 有聲子參加才滿足動(dòng)量守恒的躍遷稱為間接帶隙躍遷。 有四種量子參與的躍遷5 二.躍遷幾率 首先確定包括微擾在內(nèi)的描述能量的哈密頓量和該系統(tǒng)的波函數(shù),再求解薛定諤方程.6 7 8三.電子在淺雜質(zhì)能級(jí)和與其相對(duì)的能帶之間躍遷 束縛電子波函數(shù):9 四.重?fù)诫s下帶-帶躍遷 當(dāng)摻雜濃度外層電子的波函數(shù)交疊形成雜質(zhì)能帶進(jìn)入本征拋物線能帶帶尾帶隙變窄光譜變寬 躍遷矩陣元 10

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