1、順大半導(dǎo)體進(jìn)展太陽(yáng)能用硅單晶片生產(chǎn)技術(shù)目錄一、硅片生產(chǎn)工藝中使用的主要原輔材料 1、拉制單晶用的原輔材料，設(shè)備和部件：2、供硅片生產(chǎn)用的原輔材料，設(shè)備和部件：二、硅片生產(chǎn)工藝技術(shù)1、硅單晶生產(chǎn)部對(duì)處理后原材料質(zhì)量要求、腐蝕清洗生產(chǎn)工藝流程多晶硅塊料，復(fù)拉料和頭，尾料處理工藝流程 邊皮料酸堿清洗處理工藝流程堝底料酸清洗處理工藝流程廢片的清洗處理工藝流程、硅單晶生長(zhǎng)工藝技術(shù)、單晶生長(zhǎng)中的必備條件和要求單晶爐 配料與摻雜，單晶生長(zhǎng)工藝參數(shù)選擇、質(zhì)量目標(biāo)：、硅單晶生長(zhǎng)工藝流程2、硅片生產(chǎn)部、硅片加工生產(chǎn)工藝技術(shù)、硅片加工工藝中的必備條件和要求切割機(jī)、質(zhì)量目標(biāo)、硅片加工工藝技術(shù)流程 開(kāi)方錠生產(chǎn)工藝流程

2、切片生產(chǎn)工藝流程、硅片尺寸和性能參數(shù)檢測(cè)前 言104112伙伴2022進(jìn)展，擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)鏈，解決硅單晶的上下游產(chǎn)品的供需關(guān)系，2022在揚(yáng)州投資多晶硅工程，投資規(guī)模到達(dá)億。工程分兩期建設(shè)，總60002022年產(chǎn)多晶硅噸。盡自己的一份力氣。1拉制單晶硅生產(chǎn)部、供單晶生產(chǎn)用的原輔材料質(zhì)量要求和驗(yàn)收：1原料：多晶硅， 邊皮料，鍋底料，復(fù)拉料包括頭尾料以及廢硅片料等組成。池的性能和轉(zhuǎn)換效率。為此，對(duì)多晶硅等原材料來(lái)源，純度，外觀形貌和后處理工序中物料干凈處理質(zhì)量等因應(yīng)具有嚴(yán)格的要求并制定 出相應(yīng)的廠內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。原料，特別是多晶硅進(jìn)廠時(shí)應(yīng)按以下程序進(jìn)展驗(yàn)收：產(chǎn)品廠家，產(chǎn)品分析單，包裝袋有無(wú)破損。高的純度，質(zhì)量牢

3、靠。來(lái)自本單晶和硅片各生產(chǎn)工序。進(jìn)洗料庫(kù)時(shí)，應(yīng)按如下所列要求進(jìn)展檢查和驗(yàn)收。1 對(duì)原材料質(zhì)量要求檢查檢查質(zhì) 量 要 求來(lái) 源原料內(nèi)在質(zhì)量外 觀多晶硅電阻率：N50 順大公司P50 一體邊皮料質(zhì)量與單晶相像是否會(huì)有粘膠存在開(kāi)方整形的下腳料鍋底料鍋底料按電阻率分檔有無(wú)石英渣及夾雜物單晶生產(chǎn)工藝復(fù)拉料 頭質(zhì)量與單晶相像外表有無(wú)污物單晶生產(chǎn)工藝尾料廢片料質(zhì)量與單晶相像有無(wú)砂漿外表夾雜物切片工藝雜質(zhì)元素2要求質(zhì)量要求狀態(tài)要求質(zhì)量要求狀態(tài)備注名稱HF氫氟酸分析純液態(tài)安全存放HNO3硝酸分析純濃度55%液態(tài)安全存放KOH氫氧化鉀分析純液態(tài)或固態(tài)安全存放NAOH氫氧化鈉分析純液態(tài)或固態(tài)安全存放無(wú)水乙醇分析純液

4、態(tài)安全存放、供單晶生產(chǎn)需要的主要部件：籽晶與籽晶夾頭：由兩種材料制成。3籽晶與籽晶夾頭的材質(zhì)和尺寸部件名稱材 料尺寸mm來(lái) 源籽晶無(wú)位錯(cuò)硅單晶100100130150外協(xié)加工自加工金屬鉬依據(jù)籽晶尺寸定外協(xié)加工籽晶夾頭籽晶夾頭高純高強(qiáng)度石 依據(jù)籽晶尺寸定外協(xié)加工墨5；1HF 和HNO3清洗，烘干后用塑料袋裝好備用。籽晶需要連續(xù)用屢次時(shí)，外表有污物，需要腐蝕時(shí)，只能腐蝕籽晶下部，以免轉(zhuǎn)變固定夾頭部的尺寸。對(duì)石墨，碳?xì)值炔牧系馁|(zhì)量要求：石墨和碳?xì)种饕怯米骷訜?，隔熱，保溫等部件材料。依?jù)部件的用途，對(duì)其質(zhì)量要求也有所不同。用于制備加熱器，反射板，導(dǎo)流筒，坩堝，坩堝軸等部件的石墨材質(zhì)應(yīng)具備致密度好，機(jī)

5、械強(qiáng)度高，純度高，灰分少等特點(diǎn)的等靜壓石墨材料，在工作期間性能穩(wěn)定。假設(shè)材料經(jīng)高溫氯化煅燒,質(zhì)量就更好了。少的中粗石墨材料。主要部件用石墨材料質(zhì)量參數(shù)：4 對(duì)石墨材質(zhì)的要求參數(shù)要求參數(shù)要求質(zhì) 量 要 求來(lái)源名稱加熱器外協(xié)少，性能穩(wěn)定導(dǎo)流筒外協(xié)坩堝托少，性能穩(wěn)定外協(xié)坩堝軸少，性能穩(wěn)定外協(xié)反射板少外協(xié)保溫筒少，性能穩(wěn)定，中粗構(gòu)造，機(jī)械強(qiáng)度比較高，純度高，外協(xié)灰分比較少，性能穩(wěn)定加熱器：依據(jù)單晶爐的爐型，設(shè)計(jì)了并且目前正在承受和運(yùn)行662068主要部件構(gòu)造如下：反射板：雙層石墨夾碳?xì)謱訕?gòu)造，導(dǎo)流筒：雙層石墨夾碳?xì)謱訕?gòu)造，坩 堝： 三瓣構(gòu)造，坩堝軸，與金屬坩堝軸直徑尺寸一樣，長(zhǎng)度依據(jù)要求而定。而成的。

6、石英坩堝：石英坩堝直接與多晶硅料接觸，并伴隨單晶生長(zhǎng)過(guò)程在高溫下經(jīng)受長(zhǎng)時(shí)間的烘烤并與硅熔體發(fā)生反響和溶解，因此，應(yīng)具有耐高溫，坯料(二氧化硅)純度高,和外形尺寸標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)氣泡，無(wú)黑點(diǎn)等質(zhì)量特的耐高溫氧化鋇膜。17，1820驗(yàn)收時(shí)特別留意檢察：外形尺寸是否標(biāo)準(zhǔn)，是否存在氣泡，黑點(diǎn)，破損，邊緣損傷等缺陷。摻雜劑雜質(zhì)元素和液氬：雜質(zhì)元素Ar55 摻雜劑雜質(zhì)元素和液氬等質(zhì)量要求要求要求質(zhì)量要求狀態(tài)備注名稱硼B(yǎng) %晶體狀或粉末狀留意保存鎵Ga %常溫下為液態(tài)冰廂內(nèi)保存母合金P型1- 固態(tài)留意保存無(wú)水乙醇分析純液態(tài)安全存放液氬Ar%液態(tài)液氬罐存放、供單晶生產(chǎn)需要的設(shè)備：供腐蝕清洗工序需要的設(shè)備6 腐蝕清洗硅

7、原料和單晶棒料的設(shè)備超聲清洗槽SGT28-3600清洗硅原料3備注超聲清洗槽HTA清洗硅原料2烘 箱DY08-16烘干硅原料18離心熱風(fēng)脫水機(jī)3000W烘干硅原料4通風(fēng)櫥二工位酸腐蝕料2鹼腐蝕槽腐蝕邊皮料2酸腐蝕罐非標(biāo)準(zhǔn)酸腐堝底料假設(shè) 干、供硅單晶生產(chǎn)需要的主要設(shè)備： 7 生產(chǎn)單晶用設(shè)備參數(shù)名稱型號(hào)和參數(shù)功 能數(shù)量(臺(tái))備 注單晶爐1820拉制單晶112漢宏公司生產(chǎn)單晶爐1820拉制單晶86晶運(yùn)通公司生產(chǎn)單晶爐17拉制單晶22晶運(yùn)通公司生產(chǎn)單晶爐1820拉制單晶4天龍公司帶 鋸3/分截?cái)鄦尉?外購(gòu)棒紅外測(cè)試儀470FT-IR測(cè)氧碳含量1進(jìn)口電阻率測(cè)試儀4測(cè)單晶電阻率1廣洲生產(chǎn)型號(hào)測(cè)試型號(hào)測(cè)試測(cè)

8、晶體導(dǎo)2廣洲生產(chǎn)儀電型號(hào)2、硅片生產(chǎn)部要求質(zhì) 量 要 求功能備注名稱無(wú)水已醇分析純清潔處理KOH氫氧化鉀分析純要求質(zhì) 量 要 求功能備注名稱無(wú)水已醇分析純清潔處理KOH氫氧化鉀分析純腐蝕晶錠安全存放NAOH氫氧化鈉分析純腐蝕晶錠安全存放切削液聚本醇含水量5%，導(dǎo)電率4000C沾開(kāi)方錠A，B 膠WALTECH沾線切割錠磨砂1500井8m配磨砂漿料切割金屬線120m切割砂輪片厚度8滾磨砂輪配有三種粒徑：150井，270井，300井滾磨開(kāi)方錠切削液配制切削液磨砂=1線切割用加工部配制參數(shù)型號(hào)和參數(shù)功能數(shù)量備注(2)、供硅片生產(chǎn)用的主要設(shè)備:參數(shù)型號(hào)和參數(shù)功能數(shù)量備注設(shè)備名稱(臺(tái))粘棒機(jī)粘接開(kāi)方錠3線

9、切割機(jī)HCT-Shaping切割開(kāi)方錠6滾磨機(jī)SINUMERK-802C滾磨開(kāi)方錠3開(kāi)方機(jī)外圓切割82線切割機(jī)NTC-nippei Toyama切割硅片70超聲清洗機(jī)TCH-7 , 8清洗切割硅片4網(wǎng)式電阻爐WL-1烘干硅片10馬弗爐熱,處理消退熱施主2硅片厚度測(cè)試儀MS 203測(cè)硅片厚度電阻率測(cè)試儀MS 203測(cè)硅片電阻率彎曲度測(cè)試儀測(cè)硅片彎曲度6日 產(chǎn)硅單晶生產(chǎn)部6日 產(chǎn)、腐蝕清洗工序生產(chǎn)工藝技術(shù)對(duì)腐蝕清洗工序要求物料來(lái)源不同，擺放有序，以免消滅混料事故，洗料間嚴(yán)禁承受金屬制品用具，洗料間經(jīng)常清掃，隨時(shí)保持清潔。在處理工藝中會(huì)使用大量強(qiáng)酸HF，HNO和強(qiáng)鹼KOH，NaOH3和工作鞋膠膠，帶

10、好工作冒，膠皮手套和眼鏡等防護(hù)等。一旦消滅事故，應(yīng)準(zhǔn)時(shí)用水沖洗等進(jìn)展初步處理，同時(shí)通報(bào)相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)。供給應(yīng)拉制硅單晶用的原材料來(lái)源不同，計(jì)有本公司承受西門(mén)子法生產(chǎn)的多晶硅，硅片生產(chǎn)過(guò)程中切下的邊皮料，復(fù)拉料，單晶棒的頭尾料以及堝底料等。由于在運(yùn)輸，加工等過(guò)程中，其外表沾污或沾嚴(yán)格的去污處理用去離子水沖洗或丙酮和無(wú)水乙醇擦。依據(jù)原材料來(lái)源不同，外表狀態(tài)和污染狀況皆不一樣，故對(duì)來(lái)源不同的原料應(yīng)承受分別單獨(dú)處理工藝。對(duì)處理后原材料質(zhì)量要求：外表光亮，無(wú)斑點(diǎn)包括酸斑，無(wú)印跡包括手印無(wú)黃色酸斑，無(wú)夾雜物等。、腐蝕清洗生產(chǎn)工藝流程、多晶硅塊料，復(fù)拉料和頭，尾料處理工藝流程多晶硅塊料料料硅塊料打磨腐蝕過(guò)程物料外

11、表酸腐蝕不能與空氣接觸153水沖洗兩遍電阻15 兆酸液環(huán)保處理去離子水頻率為 3600Hz電阻15 兆低頻超聲兩遍清洗去離子水低頻超聲600C電阻15 兆高頻超聲三遍清洗去離子水，600C高頻超聲間內(nèi)進(jìn)展烘 干烘箱溫度 700C，5 小時(shí)包 裝在相對(duì)干凈間承受雙層塑料密封包裝內(nèi)進(jìn)展、邊皮料酸堿清洗處理工藝流程邊皮料去 膠600C邊皮料去 膠鹼 洗KOHNOH，1200Ca水沖洗自來(lái)水酸腐蝕不能與空氣接觸酸腐蝕HF+HNO153水沖洗兩遍電阻10M水沖洗兩遍酸液環(huán)保處理去離子水頻率為 3600Hz電阻10M低頻超聲兩遍清洗去離子水低頻超聲600C電阻10M高頻超聲三遍清洗去離子水，600C高頻超

12、聲間內(nèi)進(jìn)展烘干溫度 700C，1 小時(shí)離心熱風(fēng)烘干包 裝承受雙層塑料密封包裝離心熱風(fēng)烘干、堝底料酸清洗處理工藝流程堝底料堝底料電阻率分擋選出PN結(jié)料打 磨去除料外表石英渣50-60進(jìn)一步去除石英渣酸 泡HF，濃度 50%水沖洗中水經(jīng)過(guò)處理的廢水腐蝕過(guò)程物料外表酸腐蝕不能與空氣接觸153水沖洗兩遍電阻10 兆酸液環(huán)保處理去離子水頻率為3600Hz低頻超聲兩遍清洗電阻10 兆去離子水600C電阻10 兆高頻超聲三遍清洗去離子水，600C高頻超聲間內(nèi)進(jìn)展離心熱風(fēng)甩干烘干溫度 700C，1 小時(shí)包 裝承受雙層塑料密封包裝建議：應(yīng)改為自來(lái)水，最好為去離子水。、廢片的清洗處理工藝流程廢 片廢 片水沖洗去污

13、泥攪拌水沖洗去氧化膜加 HF，攪拌水沖洗攪拌，自來(lái)水水沖洗酸腐蝕在通風(fēng)櫥內(nèi)操作酸腐蝕HF+HNO15，攪拌3沖 洗電阻10 兆去離子水沖 洗酸液環(huán)保處理攪拌鹼 腐 蝕KOH，攪拌鹼 腐 蝕水沖洗電阻10 兆去離子水水沖洗攪拌離心熱風(fēng)甩干700C，1離心熱風(fēng)甩干包 裝雙層塑料袋封裝包 裝建議：1鑄錠料或復(fù)拉后作為直拉單晶原料。23、硅單晶生長(zhǎng)工藝技術(shù)太陽(yáng)能用硅單晶一般都承受的直拉法制備的。該方法也稱有坩堝J Czochralski1918CZ1950G. K. TealJ. B.LittleG. 移植到拉制硅單晶上。1960Dash該方法的主要特點(diǎn)：a、設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)潔，便于操作和摻雜便利。b、可拉

14、制大直徑單晶，200 mm300 mm產(chǎn)，更大直徑的單晶，如400mmc、由于單晶氧含量高，機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異,適于制造半導(dǎo)體器件。缺乏之處由于物料與石英坩堝發(fā)生化學(xué)反響單晶的純度受到影響。、供單晶生產(chǎn)中需要的條件和要求、單晶爐：?jiǎn)尉Ч璋羰窃趩尉t內(nèi)生長(zhǎng)的，本公司現(xiàn)有不同型號(hào)和尺寸的，供拉制6821670加熱系統(tǒng)熱場(chǎng) 熱場(chǎng)系統(tǒng)組成的部件：它是由石墨加熱器，石墨坩堝，保溫筒， 保溫蓋板，石墨電極，梅花托以及導(dǎo)流筒熱屏等部件配置而成。17，1820熱系統(tǒng)，并全部配置了導(dǎo)流筒熱屏。導(dǎo)流筒熱屏有多層兩層石墨中間夾一層碳?xì)止?jié)的。附有導(dǎo)流筒的熱系統(tǒng)是近年來(lái)隨著單晶直徑不斷增大，加料量不斷增加而興起的 ，并已被眾

15、多單晶廠家所承受的熱場(chǎng)。其最大的特點(diǎn)：25%左右。、由于熱屏對(duì)爐熱的屏蔽使熱場(chǎng)的軸向溫度梯度增大，為提高單晶生長(zhǎng)速度制造條件。、削減熱對(duì)流，加快蒸發(fā)氣體從熔體外表?yè)]發(fā)，對(duì)降低單晶氧含量格外有利。配置的熱場(chǎng)應(yīng)附和如下要求：配置成功的熱場(chǎng)不但要保持熔體和晶體生長(zhǎng)所需要的，適宜的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，而且又能得到比較低的所需要的加熱功率和具有比較高的成晶率。同時(shí)還要考慮氣流的合理走向，以便削減雜質(zhì)沾污和保證有一個(gè)良好的單晶生長(zhǎng)環(huán)境。除此之外，還能夠符合由生產(chǎn)實(shí)際閱歷得出的，對(duì)引晶和晶體生長(zhǎng)格外重要的參考數(shù)據(jù)：60加熱器上開(kāi)口與液面距離： 2530 導(dǎo)流筒下沿2530導(dǎo)流筒內(nèi)層2530石英坩堝：

16、配置了與熱系統(tǒng)三種尺寸相對(duì)應(yīng)的，內(nèi)外表涂有高純度，耐高溫氧化鋇的石英坩堝，其裝料量分別如下：1755 公斤，1860 公斤，20英寸熱系統(tǒng)，配置20英寸石英坩堝,裝料量95 公斤，、配料與摻雜配料：供拉制硅單晶用的有多晶硅料，復(fù)拉料，堝底料頭，尾料等四種。上述幾種原料的配置依據(jù)公司要求和客戶需要而定。摻雜：摻雜劑摻雜元素的選擇P的摻雜元素為硼B(yǎng)和鎵G。硼B(yǎng)的分凝系數(shù)為，制得的單晶軸向和徑向電阻率分布均比較能電池轉(zhuǎn)換效率有比較明顯的衰減現(xiàn)象。鎵Ga的分凝系數(shù)為，由于分凝系數(shù)格外小，其在晶體中分布不抱負(fù)的。但用摻鎵硅片制備的太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率衰減現(xiàn)象很小，尚德公司摻雜方法：硼B(yǎng)的分凝系數(shù)為，需要的

17、摻入量比較少。為保證稱量的準(zhǔn)確性，多承受硼和硅母合金的形式摻入。鎵Ga的分凝系數(shù)為,，需要的摻入量多，故承受元素形式摻入。摻雜量計(jì)算：硼B(yǎng)的摻入量計(jì)算： 按公式：m=M.N/.n式中:m 摻入量(克)MN(cm-3) 硼的分凝系數(shù)n(cm-3)鎵Ga的摻入量計(jì)算：按公式：W/= M/W 裝料量(克)CL0- 硅熔體的初始雜質(zhì)濃度(cm-3)ADMN1023 cm0另有依據(jù)尚德公司供給的如下計(jì)算數(shù)據(jù)系統(tǒng)和曲線圖進(jìn)展計(jì)算，承受該計(jì)算方法。顯介紹如下：需要摻入純Ga母合金的狀況雜質(zhì)元素母合金的狀況雜質(zhì)元素摩爾質(zhì)量PNBGa P原料表?yè)诫s元素電阻率重量1B2B3B4B5B匯總1Ga234GaGa5體積

18、+00+00匯總+00+001P2P3P4P5P匯總總匯總+00+04xx、單晶生長(zhǎng)工藝參數(shù)選擇選擇適宜生長(zhǎng)工藝參數(shù)既能保證生長(zhǎng)單晶的質(zhì)量又能獲得比較高的生產(chǎn)效率，是件格外重要工作，應(yīng)給以重視。并公司在選擇工藝數(shù)：晶體轉(zhuǎn)速：12rpm轉(zhuǎn)/分坩堝轉(zhuǎn)速：8rpm轉(zhuǎn)/分爐室壓力： 1520乇35 %的引晶功率縮徑直徑： 3 (17,18)(20)縮徑長(zhǎng)度： 100(6)、質(zhì)量目標(biāo)：6P號(hào)和晶向的的硅單晶。質(zhì)量目標(biāo)的制訂是依據(jù)現(xiàn)時(shí)太陽(yáng)能電池對(duì)硅材料質(zhì)量要求和單晶生長(zhǎng)工藝條件而制訂的。具體指標(biāo)如下：檢測(cè)工程檢測(cè)工程技術(shù)參數(shù)要求直徑與偏差1531mm導(dǎo)電型號(hào)P晶向電 阻 率摻硼：13.摻鎵:1,24,36

19、.氧 含 量O1018/3碳 含 量C3少子受命 10 us晶體缺陷無(wú)位錯(cuò)成品率75 %關(guān)于黑心片的問(wèn)題是目前太陽(yáng)能行業(yè)中最為關(guān)心的話題，但現(xiàn)時(shí)效方法。故臨時(shí)條件不具備，不能列入質(zhì)量指標(biāo)。、硅單晶生長(zhǎng)工藝流程復(fù)拉料，堝底料裝料多晶硅，頭尾料固定籽晶籽晶固定籽晶真空度檢 漏漏氣量，3 分鐘內(nèi)1Pa檢 漏Ar氣40升/分加熱化料功率Kw，時(shí)間5小時(shí)籽晶下降烘烤溫度穩(wěn)定引晶溫度，二小時(shí)待熔接光環(huán)消滅熔接,引晶引晶速度2/分4,長(zhǎng)度100 10放肩放肩轉(zhuǎn)肩承受平肩速度2 轉(zhuǎn)肩等徑生長(zhǎng)控徑精度1速度/分等徑生長(zhǎng)收尾長(zhǎng)度100收尾長(zhǎng)度 150300截 斷截 斷頭尾料分段錠條電阻率,氧碳含量參數(shù)檢測(cè)切片(8

20、單晶生長(zhǎng)工藝流程簡(jiǎn)述裝料：將配制好的多晶硅料裝入石英坩堝內(nèi)，應(yīng)留意盡量避開(kāi)加熱化料度使其緩慢烘烤熔化掉。這樣做是有代價(jià)的，掛料或搭橋是消退了，但石英坩堝在高溫下進(jìn)展長(zhǎng)時(shí)間的烘烤，會(huì)加速石英坩堝與硅的反 應(yīng)，其結(jié)果不但硅熔體受到污染，還會(huì)對(duì)石英坩堝造成極大損傷。籽晶熔接和引晶：待物料完全熔化后，調(diào)整Ar40/分和爐室壓力，使其到達(dá)設(shè)定的減壓拉晶工藝要求。將熔體的溫2視加料量而定，在籽晶與熔體熔接前，先將籽晶降到離液面約3-5cm處，使其在該溫度下進(jìn)展烘烤，以削減籽晶與熔體間的溫度差。接觸，假設(shè)覺(jué)察籽晶與熔體接觸處未消滅光環(huán)，意味引晶溫度偏低，狀況相反，當(dāng)熔體接觸處馬上消滅光環(huán)，而且不斷擴(kuò)大，則意

21、味引晶溫度偏高，均應(yīng)準(zhǔn)時(shí)降低熔體溫度。適宜的引晶溫度，是在籽晶與熔體接觸處會(huì)籽晶作為漸漸消滅圓形光環(huán)，而且光環(huán)的尺寸緩慢地?cái)U(kuò) 大，漸漸地變得更加明顯，這意味著籽晶外表局部被熔體熔解。此時(shí)后可提升籽晶，開(kāi)頭引晶?？s徑：縮徑是保證獲得無(wú)位錯(cuò)單晶的關(guān)鍵因素。為了使籽晶中100和111晶向的縮徑三大根本要素為：a、籽晶提升速度要快，、縮徑要細(xì)視加量而定，通常為 c、要有肯定的長(zhǎng)度， 100，100和111111或垂直于晶體生長(zhǎng)軸的。任何一個(gè)位錯(cuò)都橫臥在111滑移面上并經(jīng)肯定縮頸長(zhǎng)度后會(huì)漸漸被排解到晶體外表。放肩和轉(zhuǎn)肩：當(dāng)縮頸到達(dá)足夠長(zhǎng)度，并推斷縮頸局部棱線清楚0.45mm/分或承受少許降低溫度的方法該

22、過(guò)程稱之為放肩。放出肩的外形一般有兩種，即平肩和錐形肩，也稱快放肩和慢放肩。轉(zhuǎn)肩: 當(dāng)晶體生長(zhǎng)到達(dá)設(shè)定的直徑前，即可開(kāi)頭轉(zhuǎn)肩，由于轉(zhuǎn)求的直徑尺寸。目前轉(zhuǎn)肩多承受快速提高拉速的方法來(lái)完成。漸漸將拉速提高到120180mm/小時(shí)。當(dāng)光環(huán)漸漸消滅并有將晶體包圍的趨勢(shì)時(shí)，開(kāi)頭漸漸降低拉速，直至光環(huán)將晶體全部包圍住時(shí)，調(diào)整坩堝上升速度，單晶進(jìn)入等徑生長(zhǎng)工藝。等徑生長(zhǎng)和收尾：等徑生長(zhǎng)：?jiǎn)尉нM(jìn)入等徑生長(zhǎng)時(shí)，承受等徑系統(tǒng)進(jìn)展把握。假設(shè)到收尾前。等徑精度可到達(dá)1mm。界面不僅有利于單晶生長(zhǎng)，還有利于降低單晶中微缺陷密度。要隨時(shí)留意觀看晶體生長(zhǎng)狀況。如覺(jué)察晶體“斷線”應(yīng)認(rèn)真觀看幾條棱線斷掉的緣由，一般認(rèn)為：幾條棱

23、線同時(shí)斷掉，很可能是溫度和熱場(chǎng)不適宜，反之則很有可能是雜質(zhì)和其它因素引起的。收尾：晶體等徑生長(zhǎng)完成后進(jìn)入收尾程序。所謂收尾就是將晶體的尾端拉制成圓錐形的細(xì)尾巴，尾端越細(xì)，越長(zhǎng)越好。收尾的作用通常為晶體的一個(gè)直徑，損失沉重。2、硅片生產(chǎn)部、硅片加工生產(chǎn)工藝技術(shù)硅片加工工藝有稱改形工藝，馬上硅錠加工成具有規(guī)定幾何尺寸態(tài)的硅片，是人們始終追求的目標(biāo)。為到達(dá)此目標(biāo)難度很大，這不但備一套完整的質(zhì)量治理體系。硅片的質(zhì)量是影響太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率和加工本錢(qián)的極為重要因素之一，也代表著本公司整體硅材料的生產(chǎn)水平和形象。、硅片加工工藝中的必備條件和要求、切割機(jī)以及承受的設(shè)備等也同步在進(jìn)展。如硅片切割由外圓，進(jìn)展到

24、內(nèi)圓，而今幾乎全部的硅片生產(chǎn)廠家都承受先進(jìn)的線切割機(jī)切割生產(chǎn)特點(diǎn)：生產(chǎn)效率高，一次配棒可生產(chǎn)數(shù)百枚硅片，承受的線徑尺寸小，切割的錠料損失少，1硅片外表無(wú)刀痕等開(kāi)方用的線切割機(jī) (HCT-Shaping度為/min25用于加工硅片的日產(chǎn)線切割機(jī)NTC-Nipei配有線徑為的金屬0 .34/min、切割漿液配制和要求PEG304按1配置而成的。切割用漿液是由牌號(hào)PEG30115008m碳化硅粉按1配置而成的。分布均勻性等.均有比較嚴(yán)格要求。聚本醇水含量0. 5 %，導(dǎo)電率(3)、質(zhì)量目標(biāo):厚度(m) ：125X 125 T V(m) :200 20mTTV(m) :20BOW(彎曲度)( m)：缺 陷：5050技術(shù)參數(shù)技術(shù)指標(biāo)晶 向：電阻率(.)：摻鎵：技術(shù)參數(shù)技術(shù)指標(biāo)晶 向：電阻率(.)：摻鎵：:;導(dǎo)電型號(hào)：硅片尺寸()：P空穴導(dǎo)電無(wú)劃痕，無(wú)崩邊，無(wú)色斑，線痕,缺 陷：無(wú)晶面體脫落， 無(wú)裂紋等成品率： 93 %、開(kāi)方錠生產(chǎn)工藝流程的初始硅棒。硅棒硅棒沾 棒開(kāi) 方固定車床上沾 棒開(kāi) 方線切割，線徑 250m去膠600去膠600不和格錠檢 測(cè)回 庫(kù)滾 磨300不和格錠檢 測(cè)回 庫(kù)滾 磨不和格錠檢 測(cè)不和格錠檢 測(cè)堿 腐 蝕不和格錠檢 測(cè)拋 光4開(kāi)