資料文件料缺對料能的響女神維納斯因她的“無臂”之而廣為人知，但在日常的生產生活，人們更追求的是誤差的完美。么究竟缺陷能夠材料中造成什么響呢，在此我將進簡單的概述。材料具有多種能，大致分為兩，一是使用性能包括力學性能、物性能和化學性能等二是工藝性能例如鑄造性、可性、可焊性、切加工性以及熱處理等等。在我們生產經常用到的材料，性能常常因為微上小小的差異而得迥然不同。我們夢想型的完整晶體行對于材料缺陷對料性能的影響的究與探索。

.晶體缺陷：在想完整晶體中，原子按一的秩序嚴格地處空間有規(guī)則的、周性的格點上。但在實際晶體中，由于晶形成條件、原子熱運動及其它條件影響，原子的排列可能那樣完整和規(guī)，往往存在偏離夢想晶體結構的域。這些與完整周性點陣結構的偏離是晶體中的缺陷，破壞了晶體的對性。

.晶體中存在的陷種類很多，根幾何形狀和涉及范圍常可分為點缺、面缺陷、線缺陷種主要類型。點缺陷：是指維尺寸都很小，超過幾個原子直的缺陷。主要有空和間隙原子在一般情形下點缺陷主要影響體的物理性質，比容、比熱容、電率等比容的定義為了在晶體部產生一個空位需將該處的原子到晶體表面上的新子位置，這就導致晶體積增加。

.比熱容的定義:由于形點缺陷需向晶體提附加的能量（空生成焓），因而引附加比熱容。電阻率:金屬的電阻來于離子對傳導電的散射。在完整晶中，電子基本上是均勻電場中運動，而在缺陷的晶體中，缺陷區(qū)點陣的周性被破壞，電場急變化，因而對電子生強烈散射，導致體的電阻率增大

.此外，點缺陷影響其它物理性：如擴散系數、耗、介電常數等。在堿金屬的鹵化物體中，由于雜或過多的金屬離等點缺陷對可見的選擇性吸收，會晶體呈現色彩。這點缺陷便稱為色心。

.在一般情形下點缺陷對金屬力性能的影響較小它只是通過和位錯互作用，阻礙位錯動而使晶體強。但在高能粒子照的情形下，由形成大量的點缺陷擠塞子，會引起晶顯著硬化和脆化。種現象稱為輻照硬化。

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資料文件缺陷對物理性的影響很大，可極大的影響材料導熱，電阻，光學和機械性能，極大影響材料的各性能指標，比如度，塑性等?；阅苡绊懼饕胁牧媳砻嫘阅苌?，如雜質原子的缺陷在大氣環(huán)境下形原電池模型，極地加速材料的腐蝕另外表面能量也會到缺陷的極大影響表面化學活性，學能等等。

.總之影響非常，但是如果合理利用缺陷，可以高材料某一方面的能，比如人工在半體材料中進行雜，形成空穴，以極大地提高半體材料的性能。

.金屬材料的強與位錯在材料受外力的情況下如運動有很大的關系如果位錯運動受到阻礙較小，則料強度就會較高實際材料在發(fā)生性變形時，位錯的動是比較復雜的，錯之間相互反應、錯受到阻礙不斷積、材料中的溶原子、第二相等都阻礙位錯運動，從使材料出現加工硬。因此，要想增材料的強度就要過諸如：細化晶粒晶粒越細小晶界就多，晶界對位錯的動具有很強的阻作用）、有序化金、第二相強化、溶強化等手段使金的強度增加。以上加金屬強度的根原理就是想辦法礙位錯的運動。

.空位是指未被子所占有的晶格點間隙原是處在晶格間隙中多余原子點缺陷的出現，使周圍的原子生靠攏或撐開，成晶格畸變。使料的強度、硬度和阻率增加。所以金中，點缺陷越多,它的強度硬度越高。

.除了點缺陷這經常討論的缺陷，還有一些缺陷產生了重要的作用線缺陷：是指維空間中在二維向上尺寸較小，另一維方面上尺寸大的缺陷。屬于這缺陷主要是位。位錯是晶體中某處有一列或若列原子發(fā)生了某種規(guī)律的錯排現象。

.面缺陷：是指維尺寸很大而第維尺寸很小的缺。通常是指晶界和晶界。晶界：晶粒之的邊界稱為晶界亞晶界：亞晶之間的邊界叫亞界。按缺陷的形成可以分為本征缺和雜質缺陷。本征缺陷——晶體本身偏離晶結構形成的缺陷是由于晶格結點上粒子的熱運動產生的，也稱熱缺。如：空位缺陷：晶結點缺少了某些子（或離子）而現了空位。間充缺陷：在格結點的空隙中間充有原子（或子）。/3

資料文件錯位缺陷：在格結點上A類原子占據了B類原子應占據的位置。非整比缺陷：體的組成偏離了組成定律的非整性的缺陷。雜質缺陷——質粒子進入晶體成的缺陷，如雜粒子和間隙粒子缺。晶體缺陷一般晶體的化學性質響較小，而對晶的一些物理性質如電性、磁性、光學能及機械性能響很大。

.工業(yè)上使用的屬材料絕大多數是多晶體。由于晶格空位間隙原子的出現子間的作用力衡被破壞其周圍的其它子發(fā)生移動，偏離晶體的結位置，這種現象為晶格畸變。

.以上都為可以響材料性能的缺。在力學性能方，改變晶體強度以改變晶體缺陷量此圖為晶體強與晶體缺陷數量關系工業(yè)上提高金材料強度晶體強與晶體缺陷數量系的基本途徑兩個：１盡量