05-電子類專利撰寫模板地大05-電子類專利撰寫模板地大05-電子類專利撰寫模板地大xxx公司05-電子類專利撰寫模板地大文件編號：文件日期：修訂次數(shù)：第1.0次更改批準(zhǔn)審核制定方案設(shè)計，管理制度（填寫說明：如申請發(fā)明或由代理機(jī)構(gòu)申請實用新型，只需填寫第四部分-說明書即可；如需知識產(chǎn)權(quán)與技術(shù)轉(zhuǎn)移中心做實用新型電子申請，請將各個部分填寫完整。）電子領(lǐng)域?qū)＠暾埖幕咎攸c(diǎn)：1、電子領(lǐng)域的專利涉及的技術(shù)較廣，從電子產(chǎn)品的材料到結(jié)構(gòu)到控制方法，都可能產(chǎn)生專利點(diǎn)。如一臺DVD機(jī)上便涉及6C、3C、湯姆遜、杜比、MPEGLA等5家專利聯(lián)盟的上千項專利，從電路、芯片、編解碼技術(shù)到外形設(shè)計，中國每生產(chǎn)一臺DVD要交納專利費(fèi)30美元。其中僅DVD使用的視頻圖像壓縮技術(shù)MPEG-2就包含795項專利，由美國MPEG專業(yè)技術(shù)管理公司（MPEGLA）代表57個國家的24家專利人進(jìn)行管理。由此可見，在一個電子產(chǎn)品（系統(tǒng)）上，往往可產(chǎn)生多項專利。電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代快，新技術(shù)的不斷研發(fā)也促進(jìn)了電子領(lǐng)域?qū)＠脑鲩L。2、電子領(lǐng)域內(nèi)，可以申請專利的發(fā)明創(chuàng)造包括：（1）新的電子元件或電子元件的改進(jìn)，可能涉及元件材料及結(jié)構(gòu)；（2）新的功能模塊或功能模塊的改進(jìn)，包括電路設(shè)計、模塊物理結(jié)構(gòu)設(shè)計等；（3）新的設(shè)備、裝置或設(shè)備、裝置的改進(jìn)，最常見的是通過增減模塊或者改變模塊的連接關(guān)系來實現(xiàn)新的功能或者改進(jìn)呢性能；（4）新的系統(tǒng)或系統(tǒng)的改進(jìn)，包括系統(tǒng)構(gòu)架設(shè)計、系統(tǒng)中設(shè)備的增減、設(shè)備連接關(guān)系的改變等；（5）針對主設(shè)備或者主系統(tǒng)的配套設(shè)備或配套系統(tǒng)，出于一些專用目的，如散熱、除塵等；（6）針對具體電子設(shè)備或系統(tǒng)的新的控制方法或控制方法的改進(jìn)；（7）電子產(chǎn)品的新生產(chǎn)工藝或生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，包括新的制造設(shè)備或制造設(shè)備的改進(jìn)；（8）電子產(chǎn)品的新測試設(shè)備、新測試方法或測試設(shè)備、測試方法的改進(jìn)。（9）……說明書摘要本發(fā)明（實用新型）公開了一種XXXl簡要寫明發(fā)明（實用新型）的名稱、技術(shù)方案的要點(diǎn)以及主要用途，尤其是寫明發(fā)明內(nèi)容主要的技術(shù)特征（構(gòu)造和/或電連接關(guān)系），獲得的有益效果。注意：字?jǐn)?shù)不超過300字。摘要附圖指定一幅最能從整體上反映本發(fā)明的圖。權(quán)利要求書1、一種（主題名稱），其特征在于：（其特征是：）。（獨(dú)立權(quán)利要求：前序部分+特征部分，前序部分=本發(fā)明主題名稱+與現(xiàn)有（或接近）技術(shù)共有的必要技術(shù)特征【必要：是指缺少了就不能夠解決技術(shù)問題】，特征部分=區(qū)別于現(xiàn)有現(xiàn)有技術(shù)的必要特征）2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的（主題名稱），其特征在于：。（從屬權(quán)利要求：引用部分+特征部分，對引用的權(quán)利要求作進(jìn)一步要求）權(quán)利要求書由一組權(quán)利要求（權(quán)項）組成，一份權(quán)利要求書至少有一項權(quán)利要求，權(quán)利要求中所描述技術(shù)特征的總和是該發(fā)明的技術(shù)方案。說明書名稱1、發(fā)明或?qū)嵱眯滦蜕暾埖拿Q應(yīng)當(dāng)采用本領(lǐng)域通用的技術(shù)術(shù)語，清楚、簡短、全面地反映要求保護(hù)的主題和類型；2、一般不得超過25個字。示范性舉例：“一種二氧化錫基壓敏電阻材料及制備方法”技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及……，屬……領(lǐng)域。1、該部分應(yīng)當(dāng)寫明發(fā)明或?qū)嵱眯滦退鶎倩蛘咧苯討?yīng)用的具體技術(shù)領(lǐng)域。示范性舉例：“本發(fā)明涉及一種二氧化錫基壓敏電阻材料及制備方法，屬于電子陶瓷制備及應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域?！北尘凹夹g(shù)寫明本專利要解決的技術(shù)問題。寫明對本發(fā)明的理解、檢索有用的背景技術(shù)，并引證反映這些背景技術(shù)的專利或期刊等文獻(xiàn)，有引用文獻(xiàn)的，需要說明文獻(xiàn)出處；簡要介紹與本發(fā)明的內(nèi)容最接近的技術(shù)/產(chǎn)品，同時指出該已有技術(shù)/產(chǎn)品相對于本發(fā)明來說存在的缺點(diǎn)或不足之處。該部分不需要寫入針對現(xiàn)有技術(shù)作出改進(jìn)的技術(shù)手段或技術(shù)方案。示范性舉例：“SnO2基壓敏電阻材料是一種多功能新型陶瓷材料，它是以SnO2為主相，添加若干其它氧化物改性后的燒結(jié)體材料。與目前應(yīng)用最廣泛的ZnO基壓敏陶瓷相比，SnO2基壓敏陶瓷具有摻雜量相對較少、由氧化物揮發(fā)導(dǎo)致的摻雜損失小以及熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，其在結(jié)構(gòu)均勻性、晶界有效性、熱穩(wěn)定性和抗老化特性方面表現(xiàn)更好，在電子、電力系統(tǒng)中應(yīng)用前景很好。SnO2基壓敏電阻材料的非線性特性源于晶界效應(yīng)。其中，Nb2O5、Ta2O小5等施主摻雜產(chǎn)生自由電子，是SnO2基壓敏電阻的壓敏特性形成氧化物；同時，由于SnO2基壓敏電阻難于燒結(jié)，常加入一些燒結(jié)助劑，如Bi2O3等，通常摻雜量不超過1％。在此三元體系的基礎(chǔ)上，還常常需要添加一些壓敏特性增強(qiáng)劑以改善SnO2基壓敏電阻材料的非線性特性，如Cr2O3以及部分稀土元素的氧化物等。它們或是改善材料微觀結(jié)構(gòu)的均勻性、晶粒大小、氣孔率等，或是參與形成耗盡層，提高晶界勢壘，亦或是充分進(jìn)入晶格，改善了晶粒電阻，從而改善材料的電學(xué)性能。但是，由于摻雜元素種類繁多，作用機(jī)制各不相同，如何控制SnO2基壓敏電阻材料的組成和微觀結(jié)構(gòu)、提高其非線性和綜合性能是近年來的研究熱點(diǎn)?！卑l(fā)明內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種……。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是……。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是……。說明本專利達(dá)到目的或解決問題的技術(shù)手段。包括產(chǎn)品的組成、結(jié)構(gòu)，尤其說明各組成部分之間的相互關(guān)系，例如連接關(guān)系、被作用的工作電流或信號的走向。寫明本專利的工作原理，本專利與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別點(diǎn)。清楚客觀的說明本發(fā)明與已有技術(shù)/產(chǎn)品相比所具有的有益效果，有益效果可以由工作性能的提高，制作成本、能量損耗的減少，穩(wěn)定性的增加，操作、控制、使用的簡便，以及其他有用性能的出現(xiàn)等方面反映出來。示范性舉例：“本發(fā)明提出一種新型二氧化錫基壓敏電阻材料及制備方法。用這種材料制作的SnO2基壓敏電阻材料組分簡單、揮發(fā)量少、摻雜元素更容易精確可控，材料的微觀結(jié)構(gòu)更加均勻、致密，能顯著提高SnO2基壓敏電阻材料的非線性系數(shù)，壓敏電壓較高，綜合性能優(yōu)良，特別適合家用電器以及高壓避雷器等應(yīng)用。本發(fā)明提出的材料配方，其特征在于，以SnO2為主相，采用Ta2O5為非線性形成氧化物，ZnO、TiO2為非線性增強(qiáng)劑，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO中的一種或者多種添加劑。所述主相SnO2摩爾百分含量為70～％，非線性形成氧化物Ta2O5的摩爾百分含量為～8％，非線性增強(qiáng)劑ZnO、TiO2的摩爾百分含量分別為～10％，其他添加劑的摩爾百分含量為0～2％。本發(fā)明提出的所述材料的相應(yīng)制備方法，其特征在于，其技術(shù)方法簡單，采用傳統(tǒng)的電子陶瓷制備技術(shù)，其工藝流程依次包括“稱料、混料、高能球磨、烘干、預(yù)燒、研磨、過篩、模壓成型、燒結(jié)和被銀”工序。然后，對所得產(chǎn)品進(jìn)行組成、結(jié)構(gòu)及性能等相應(yīng)檢測即可。在上述制備方法中，根據(jù)本發(fā)明提出的配方，在對各組分進(jìn)行稱量、混料的同時，還按照所設(shè)計的SnO2基壓敏電阻材料中全部固相的總質(zhì)量，分別添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)0～10％的分散劑和粘接劑。在上述制備方法中，所述混料采用高能球磨方式，所述高能球磨為濕式球磨，即將所稱得的所有陶瓷原料的粉料(混合粉料)、分散劑和粘接劑、氧化鋯磨球、去離子水分散介質(zhì)按照一定的比例同時放在聚氨酯球磨罐中，在高能球磨機(jī)上磨細(xì)、混勻；其中，混合粉料、氧化鋯磨球、去離子水的質(zhì)量比為1∶(2～10)∶(2～5)，球磨時間24～72小時。在上述制備方法中，所述烘干在常壓干燥箱中進(jìn)行，將磨細(xì)混勻的漿料在溫度100～150℃下保溫24～72小時。在上述制備方法中，所述預(yù)燒的溫度為450～850℃，保溫時間1～4小時。在上述制備方法中，需將預(yù)燒好的粉料進(jìn)行研磨，并選用合適目數(shù)的篩子進(jìn)行過篩。所述研磨和過篩后，粉料晶粒小于μm，團(tuán)聚體小于。在上述制備方法中，所述模壓成型是對研磨后的粉料隨產(chǎn)品尺寸需要在指定規(guī)格和形狀的模具中干壓成型。在上述制備方法中，所述燒結(jié)在電爐中和空氣全循環(huán)環(huán)境下進(jìn)行，升溫速度1～5℃/min，300～550℃保溫排膠1～6小時，在最高溫度1100～1500℃下保溫1～5小時，然后隨爐冷卻。在上述制備方法中，所述被銀工藝為，將樣品兩極均勻涂抹上特制銀漿料，并在500～800℃下保溫1～4小時焙干。用本發(fā)明提供的材料配方及制備方法制得的二氧化錫基壓敏電阻片，其電位梯度E(電流密度為1mA/cm2時對應(yīng)的電位梯度值)為400～1200V/mm，非線性系數(shù)α[根據(jù)公式α＝1/log(E10mA/E1mA)計算]為10～40，漏電流IL(75％E所對應(yīng)的電流密度值)為10～100μA/cm2，綜合性能優(yōu)良?？捎糜谑謾C(jī)、家用電器以及高壓避雷器等領(lǐng)域?！备綀D說明產(chǎn)品構(gòu)造或裝置或設(shè)備的圖解，圖應(yīng)以電子制圖或流程圖的標(biāo)準(zhǔn)繪制，而非掃描圖。使專利工作人員可直接在附圖上編輯修改，實用新型申請必須帶附圖。示范性舉例：“圖1是本發(fā)明實施例1所制得二氧化錫基壓敏電阻材料的X-射線衍射譜圖；圖2是本發(fā)明實施例1所制得二氧化錫基壓敏電阻材料的掃描電鏡照片；圖3是本發(fā)明實施例2所制得二氧化錫基壓敏電阻材料的X-射線衍射譜圖；圖4是本發(fā)明實施例2所制得二氧化錫基壓敏電阻材料的掃描電鏡照片?！本唧w實施方式對照附圖，說明本專利的具體實施方式，必須有詳細(xì)的工作機(jī)理，包括附圖中各具體器件功能介紹、及流程圖中具體各個流程的功能。最好提供相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)、數(shù)據(jù)來具體說明有益效果，可同時提供原有技術(shù)的參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行對比。示范性舉例：“下面結(jié)合實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步說明。本發(fā)明提出一種新型二氧化錫基壓敏電阻材料及制備方法，其特征在于，所述二氧化錫基壓敏電阻材料以SnO2為主相，采用Ta2O5為非線性形成氧化物，ZnO、TiO2為非線性增強(qiáng)劑，并含有CoO、Cr2O3、Fe2O3、CuO、MnO、NiO中的一種或者多種添加劑。所述主相SnO2摩爾百分含量為70～％，非線性形成氧化物Ta2O5的摩爾百分含量為～8％，非線性增強(qiáng)劑ZnO、TiO2的摩爾百分含量分別為～10％，其他添加劑的摩爾百分含量為0～2％。所述制備方法，包括如下工藝步驟和內(nèi)容：1)按照所述二氧化錫基壓敏電阻材料的設(shè)計組成稱取原料，并分別添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)0～10％的分散劑和粘接劑。2)將所稱粉料、分散劑和粘接劑、氧化鋯球、去離子水在聚氨酯球磨罐中混合，在高能球磨機(jī)上磨細(xì)、混勻。3)在常壓干燥箱中，將磨細(xì)混勻的漿料在溫度100～150℃下保溫24～72小時烘干。4)將烘干的粉料在450～850℃下進(jìn)行預(yù)燒，保溫時間1～4小時。5)將預(yù)燒好的粉料進(jìn)行研磨，并選用合適目數(shù)的篩子進(jìn)行過篩。6)對研磨后的粉料在指定規(guī)格和形狀的模具中干壓成型。7)按照預(yù)先設(shè)定的燒結(jié)制度對二氧化錫基壓敏陶瓷素坯進(jìn)行燒結(jié)。8)對二氧化錫基壓敏陶瓷燒結(jié)體進(jìn)行被銀，制作電極。9)在銀電極上焊制引線。所得到二氧化錫壓敏電阻為青白色固體。實施例1：將市售分析純SnO2、Ta2O5、ZnO、TiO2以摩爾比進(jìn)行混料，其中％、％、ZnO％、％，并添加5％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))聚乙烯醇和5％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))DavonC，按1∶4∶2的粉料∶鋯球∶去離子水的質(zhì)量比投入聚氨脂球磨罐中，在球磨機(jī)上球磨24小時后，在空氣中、干燥箱中150℃下24小時烘干，在450℃保溫4小時進(jìn)行預(yù)燒，研磨后，干壓成型，在1100℃下燒結(jié)5小時，在800℃下保溫1小時被銀制作電極。本實例所得二氧化錫基壓敏電阻經(jīng)分析為典型的單相結(jié)構(gòu)(如圖1所示)，晶粒大小均勻、致密(如圖2所示)。本實例所制