第一章緒論1、什么是Scaling-down，它對(duì)集成電路的進(jìn)展有什么重要作用？在器件按比例縮小過(guò)程中需要遵守哪些規(guī)章，，，這些規(guī)章的具體實(shí)現(xiàn)方式Scaling-down使集成Scaling-down是推動(dòng)集成電路進(jìn)展的重要理論。CE規(guī)章中，全部幾何尺寸，包括橫向和縱向尺寸，都縮小k倍；襯底摻雜濃度增大k倍；電源電壓下降k倍。CV規(guī)章中，全部幾何尺寸都縮小k倍；電源電壓保持不變；襯底摻雜濃度增k2倍。在E規(guī)章中，器件尺寸kαk倍〕變化，襯底摻雜濃度增大αk倍218個(gè)月增加一倍。3幅員設(shè)計(jì)就是依據(jù)線路的要求和確定的工藝參數(shù)，設(shè)計(jì)出元件的圖形并進(jìn)展排列IC確定功能的電路構(gòu)造；確定的工藝規(guī)章4、集成電路全定制和半定制設(shè)計(jì)的過(guò)程，及區(qū)分自動(dòng)化技術(shù)：半定制，標(biāo)準(zhǔn)單元技術(shù)手工技術(shù)：全定制，一般用于高性能數(shù)字電路或者模擬電路其次章電路根底學(xué)問(wèn)1、管子的串并聯(lián)，電阻模型分析。串聯(lián)：兩個(gè)寬長(zhǎng)比為W/L的管子串聯(lián)，假設(shè)等價(jià)為一個(gè)管子，其寬長(zhǎng)比為多少？并聯(lián)：兩個(gè)寬長(zhǎng)比為W/L的管子并聯(lián)，假設(shè)等價(jià)為一個(gè)管子，其寬長(zhǎng)比為多少？2、管子的尺寸標(biāo)注3、簡(jiǎn)潔規(guī)律門的功能分析〔寫(xiě)出規(guī)律表達(dá)式，或依據(jù)規(guī)律表達(dá)式，畫(huà)出S電路圖4傳輸門構(gòu)造，原理MOS管〔一個(gè)P溝道，一個(gè)N溝道〕組成。1時(shí)，兩個(gè)管子都夾斷，傳輸門截止，不能傳輸數(shù)據(jù)。0時(shí)，傳輸門導(dǎo)通。雙向傳輸門：數(shù)據(jù)可以從左邊傳輸?shù)接疫?，也可以從右邊傳輸?shù)阶筮?，因此是一個(gè)雙向傳輸門。5、CMOS電路中，NMOS和PMOSCMOSNMOS和PMOS管子的寬長(zhǎng)比一樣，則上升和下降時(shí)間之間有什么關(guān)系。第三章半導(dǎo)體制造工藝1、當(dāng)摻雜的雜質(zhì)濃度增高時(shí)，電阻率會(huì)隨著濃度增高快速降低嗎？著下降2圖形轉(zhuǎn)移工藝：包括光刻工藝和刻蝕工藝。摻雜工藝：包括集中工藝和離子注入工藝。3來(lái)再轉(zhuǎn)移到晶圓做預(yù)備，這就是制版4〔正膠或負(fù)膠5、多晶硅的刻蝕需要哪幾步？預(yù)刻蝕、主刻蝕、過(guò)刻蝕6、什么是光刻？什么是刻蝕？光刻：將圖形轉(zhuǎn)移到掩蓋在半導(dǎo)體硅片外表的光刻膠刻蝕：將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下面組成器件的各層薄膜上7、哪一種刻蝕方法簡(jiǎn)潔產(chǎn)生橫向鉆蝕？濕法刻蝕8、常用的摻雜工藝有哪兩種？二者相比，優(yōu)勢(shì)工藝表達(dá)在哪些方面？主要的摻雜工藝：集中和離子注入集中：依據(jù)集中的原理，使雜質(zhì)從高濃度處向低濃度處集中。兩個(gè)要素：高溫存濃度梯度，用于結(jié)較深，線條較粗的器件、摻雜種類廣泛等優(yōu)點(diǎn)，用于淺結(jié)與細(xì)線條圖形9、什么是方塊電阻？與電阻值的關(guān)系〔用公式表示〕？g用表示，稱為方塊電阻第四章幅員設(shè)計(jì)根底1、繪圖層和研磨層之間存在什么關(guān)系？n:12MOS管幅員〔四端〕和尺寸標(biāo)注3、接觸孔和通孔的區(qū)分接觸孔特指最低層金屬孔，用于將最低層金屬和多晶硅或者集中層連接起來(lái)。而通孔則是指允許更高層金屬進(jìn)展相互連接的孔4、什么是幅員設(shè)計(jì)規(guī)章？制定的目的是什么？物理效應(yīng)的消滅帶來(lái)的問(wèn)題，盡可能地提高電路制備的成品率5、幅員設(shè)計(jì)規(guī)章包括哪兩種？各自優(yōu)缺點(diǎn)？設(shè)計(jì)規(guī)章或規(guī)整格式設(shè)計(jì)規(guī)章優(yōu)點(diǎn)：幅員設(shè)計(jì)獨(dú)立于工藝和實(shí)際尺寸間的最大套準(zhǔn)偏差微米設(shè)計(jì)規(guī)章，又稱自由格式規(guī)章優(yōu)點(diǎn)：由于各尺寸可相對(duì)獨(dú)立地選擇，所以可把尺寸定得合理缺點(diǎn)：對(duì)于一個(gè)設(shè)計(jì)級(jí)別，就要有一整套數(shù)字，因而顯得煩瑣6、幅員設(shè)計(jì)規(guī)章，填表。7、分析芯片設(shè)計(jì)結(jié)果圖，分析是由于違反了哪種設(shè)計(jì)規(guī)章。8、識(shí)幅員：依據(jù)幅員，給出規(guī)律表達(dá)式〔管子的串并聯(lián)。9、幅員驗(yàn)證包括哪些？各個(gè)概念。DRCERCLVS第五章數(shù)字電路幅員設(shè)計(jì)1、驅(qū)動(dòng)力氣的設(shè)計(jì)原則在確保驅(qū)動(dòng)的前提下，盡量選擇小的器件2、在標(biāo)準(zhǔn)單元技術(shù)中，如何兼顧局部?jī)?yōu)化和全局優(yōu)化？全局優(yōu)化。3、標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)需要哪三方面的內(nèi)容？分別在集成電路設(shè)計(jì)流程的哪一步使用？規(guī)律單元符號(hào)庫(kù)與功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；幅員單元庫(kù)。4、幅員單元的特點(diǎn)有哪些？〔寬度，高度，電源、地線，輸入/輸出端〕各幅員單元可以有不同的寬度，但必需有一樣的高度。單元的電源線和地線通常安排在單元的上下端，從單元的左右兩側(cè)同時(shí)出線，電源、地線兩側(cè)的位置要一樣，線的寬度要全都，以便單元電源、地線的對(duì)接。單元的輸入/輸出端通常安排在電源和地線垂直的位置5、輸入單元主要考慮〔保護(hù)〕功能，輸出單元除了考慮其〔驅(qū)動(dòng)〕力氣之外，還要具有確定的〔功能。6、什么是〔cS集成電路要考慮D保護(hù)問(wèn)題？由于薄柵氧化層的擊穿電壓較低，必需參與有效的在片ESD保護(hù)電路以箝位加到內(nèi)部電路柵氧上的過(guò)沖電壓7、承受漏端開(kāi)路構(gòu)造實(shí)現(xiàn)規(guī)律與。第六章模擬電路幅員設(shè)計(jì)1、與數(shù)字電路幅員設(shè)計(jì)相比，模擬電路幅員設(shè)計(jì)更留意〔性能。2、模擬電路幅員設(shè)計(jì)需要考慮的寄生效應(yīng)包括哪些？寄生電容、寄生電阻、寄生電感3、削減寄生電容的設(shè)計(jì)方法包括哪些？讓那一局部布線寄生參數(shù)小的導(dǎo)線盡量短，以削減重疊選擇遠(yuǎn)離襯底的金屬層走線在布線時(shí)最好繞過(guò)電路模塊，而不是僅僅簡(jiǎn)潔的在它上面走線。應(yīng)當(dāng)讓敏感的信號(hào)遠(yuǎn)離4、在幅員設(shè)計(jì)中，可以利用寄生參數(shù)嗎？為什么