硅片清洗劑陸由東2012-12-10太陽能電池的應(yīng)用太陽能電池的應(yīng)用單晶硅太陽電池：

1、表面規(guī)則穩(wěn)定，通常呈黑色

2、光電轉(zhuǎn)換率最高，可達14-17%

左右,而且其發(fā)電效率穩(wěn)定可靠。

3、不能弱光發(fā)電。

4、因單晶硅襯底造價高，成本較貴。

5、光電單元間的空隙可透部分光。多晶硅太陽電池

1、結(jié)構(gòu)通常清晰，不透明

2、轉(zhuǎn)化率略低于單晶硅太陽電池，約10-12%

3、穩(wěn)定性不如單晶硅

4、不能弱光發(fā)電

5、成本低于單晶硅，多晶硅太陽電池正在逐步取代單晶硅太陽電池。非晶硅太陽電池1、具有透光性，透光度可從5%到75%,運用到建筑上的最理想的透光度為5%2、轉(zhuǎn)化率較低（6%-10%）3、具備弱光發(fā)電的性能，日發(fā)電時間可以從早上6點延續(xù)到晚上7點4、材料和制造工藝成本低，易于形成大規(guī)模生產(chǎn)5、承受的工作溫度比晶體硅要高

太陽能電池分為單晶電池和多晶電池，但是它們的結(jié)構(gòu)基本一樣，都有以下部分組成單晶電池多晶電池鋁硅形成背面硅基體擴散層藍色氮化硅絨面表面主柵線表面細(xì)柵線太陽能電池的結(jié)構(gòu)完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu)共價健

Si

Si

Si

Si價電子PN結(jié)及原理

Si

Si

Si

Si

在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子空穴工作原理：當(dāng)太陽光照射到太陽電池上并被吸收時，其中能量大于禁帶寬度的光子能把價帶中電子激發(fā)到導(dǎo)帶上去，形成自由電子，價帶中留下帶正電的自由空穴，即電子一空穴對；自由電子和空穴在不停的運動中擴散到P-N結(jié)的空間電荷區(qū)，被該區(qū)的內(nèi)建電場分離，電子被掃到電池的N型一側(cè)，空穴被掃到電池的P型一側(cè)，從而在電池上下兩面(兩極)分別形成了正負(fù)電荷積累，產(chǎn)生“光生電壓”，即“光伏效應(yīng)”，若在電池兩側(cè)引出電極并接上負(fù)載，負(fù)載中就有“光生電流”通過。太陽能電池的工作原理工業(yè)硅6N以上高純多晶硅單晶硅棒多晶硅錠物理化學(xué)處理高溫熔融單晶硅片多晶硅片組件系統(tǒng)組件太陽能電池的產(chǎn)業(yè)鏈硅片生產(chǎn)流程硅錠粘結(jié)開方機開方后的硅塊硅塊檢測硅塊截斷硅塊平磨倒角硅塊玻璃板和工件板粘結(jié)預(yù)清洗脫膠排片清洗機切割后硅片清洗好的硅片機器檢片人工檢片硅片包裝硅棒粘膠硅片切割硅片的清洗硅片分檢一、污垢附著力：

靜電力，范德華力，化學(xué)鍵等二、污垢的危害：

造成硅片易發(fā)生變花、發(fā)藍、發(fā)黑、影響制絨等現(xiàn)象，使硅片不合格。三、清洗劑的主要成分：

1、堿（氫氧化鈉、氫氧化鉀）2、表面活性劑3、螯合劑

4、有機溶劑

5、其他原料1、有機物污垢：利用表面活性劑的滲透、潤濕、乳化作用，解吸、包裹油脂、環(huán)氧樹脂、聚乙二醇等有機物顆粒離開硅片表面，并成為懸浮的自由粒子。同時在硅片表面形成致密的吸附層，防止二次污染，從而保證了硅片表面的清潔度。

清洗機理3、自然氧化層及大顆粒A、帶來的問題：接觸電阻增大難實現(xiàn)選擇性的CVD或外延成為金屬雜質(zhì)源難以生長金屬硅化物B、無機堿對硅有腐蝕作用，緩慢溶解原始氧化層，并再氧化去除顆粒OH－OH－OH－OH－OH－OH－超聲波清洗原理超聲波在清洗液中疏密相間的向前輻射，使液體流動而產(chǎn)生數(shù)以萬計的直徑為50-500μm的微小氣泡，這些氣泡在超聲波縱向傳播的負(fù)壓區(qū)形成、生長，而在正壓區(qū)，當(dāng)聲壓達到一定值時，氣泡迅速增大，然后突然閉合，并在氣泡閉合時產(chǎn)生沖擊波，在其周圍產(chǎn)生上千個大氣壓，振蕩污物而使他們分散于清洗液中，從而達到清洗件凈化的目的。超聲波清洗機如圖：輔助清洗方法清洗流程1、預(yù)清洗

為保證硅片清洗的潔凈度，在脫膠前的噴淋沖洗時間最好控制在30分鐘以上。3、清洗：①循環(huán)水清洗

②循環(huán)水清洗

③清洗劑清洗④清洗劑清洗

⑤循環(huán)水漂洗⑥循環(huán)水漂洗⑦慢拉⑧烘干或甩干清洗流程1、清洗操作規(guī)程：

A、清洗劑配比方案：

第三槽：3%復(fù)配第四槽：3%復(fù)配B、各清洗槽溫度控制：第三槽：溫度設(shè)定50~55℃

第四槽：溫度設(shè)定50~55℃

第五槽：溫度設(shè)定40~50℃

第六槽：溫度設(shè)定40~50℃2、各清洗槽清洗時間：不低于3分鐘；4~6分鐘為宜。3、清洗劑更換周期：清洗片數(shù)8000~1000片后更換三、四槽清洗劑。典型的清洗工藝一、臟污片產(chǎn)生原因：⑴清洗劑質(zhì)量異常⑵設(shè)備異常⑶預(yù)清洗時間不夠⑷清洗劑清洗能力不足解決方案：⑴查看清洗劑批次所對應(yīng)的質(zhì)保書，檢測清洗劑指標(biāo)是否正常⑵檢查超聲波清洗機超聲頻率、清洗槽溫度、溢流是否正常⑶增加預(yù)清洗時間，一般正常預(yù)清洗時間20-30分鐘⑷噴淋和脫膠過程是否有問題

⑸切片后是否長時間沒有進行噴淋和脫膠常見的問題及對策二、花斑片大多數(shù)是由于硅片在清洗前表面被氧化造成的，產(chǎn)生原因：⑴脫膠溫度太高⑵預(yù)清洗到清洗間隔時間過長⑶切片后到預(yù)清洗時間過長⑷清洗前硅片表面在空氣中自然干燥解決方案：⑴調(diào)整脫膠溫度⑵預(yù)清洗后盡快清洗，時間間隔不得超過4小時⑶切片后盡快預(yù)清洗，時間間隔不得超過6小時⑷硅片在清洗前保持濕潤

三、白斑片產(chǎn)生原因：⑴硅棒在切片后，預(yù)清洗前