1.2微電子技術(shù)簡(jiǎn)介（1）微電子技術(shù)與集成電路（2）集成電路的制造（3）集成電路的發(fā)展趨勢(shì)（4）IC卡1.2.1微電子技術(shù)與集成電路微電子技術(shù)是信息技術(shù)領(lǐng)域中的關(guān)鍵技術(shù)，是發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)和各項(xiàng)高技術(shù)的基礎(chǔ)。微電子技術(shù)的核心是集成電路技術(shù)。1.2.微電子技術(shù)簡(jiǎn)介微電子技術(shù):是信息技術(shù)領(lǐng)域中的關(guān)鍵技術(shù)，是發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)和各項(xiàng)高技術(shù)的基礎(chǔ)是在電子電路和系統(tǒng)的超小型化及微型化過(guò)程中逐漸形成和發(fā)展起來(lái)的。是以集成電路核心的電子技術(shù)。1.2.1微電子技術(shù)與集成電路元器件即電子電路中使用的基礎(chǔ)元件，具有開(kāi)關(guān)和放大作用的電子元件（例如，真空電子管、二極管、三極管等）。1.2.1微電子技術(shù)與集成電路電子元器件即電子電路中使用的基礎(chǔ)元件，具有開(kāi)關(guān)和放大作用的電子元件（例如，真空電子管、二極管、三極管等以及電阻、電容）。微電子技術(shù)是在電子元器件小型化、微型化的過(guò)程中發(fā)展起來(lái)的。微電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)電子電路和電子系統(tǒng)的超小型化及微型化的技術(shù)，是以集成電路為核心的電子技術(shù)。真空電子管

傳統(tǒng)的電子技術(shù)的基礎(chǔ)元件

在這個(gè)階段產(chǎn)生了廣播、電視、無(wú)線電通信、儀器儀表、自動(dòng)化技術(shù)和第一代電子計(jì)算機(jī)。晶體管1948年晶體管的發(fā)明，再加上印制電路組裝技術(shù)的使用，使電子電路在小型化方面前進(jìn)了一大步。產(chǎn)生了第二代計(jì)算機(jī)

1.2.1微電子技術(shù)與集成電路電子線路使用的基礎(chǔ)元件的演變：真空電子管晶體管中小規(guī)模集成電路大規(guī)模超大規(guī)模集成電路1.2.1微電子技術(shù)與集成電路電子線路使用的基礎(chǔ)元件的演變：中/小規(guī)模集成電路(1950’s)大規(guī)模/超大規(guī)模集成電路(1970’s)第三代計(jì)算機(jī)第四代計(jì)算機(jī)和微型計(jì)算機(jī)1.2.1微電子技術(shù)與集成電路電子線路使用的基礎(chǔ)元件的演變：1904年英國(guó)電氣工程師弗萊明（JohnAmbroseFleming）真空二極管1906年美國(guó)工程師德·福雷斯特(LeeDeForest）真空三極管1.2.1微電子技術(shù)與集成電路電子線路使用的基礎(chǔ)元件的演變：1956年諾貝爾獎(jiǎng)肖克利WilliamBradfordShockley巴丁JohnBardeen布拉頓WalterBrattain1.2.1微電子技術(shù)與集成電路電子線路使用的基礎(chǔ)元件的演變基爾比JackS.Kilby“第一塊集成電路的發(fā)明家”諾依斯N.Noyce“提出了適合于工業(yè)生產(chǎn)的集成電路理論”的人它以半導(dǎo)體單晶片作為材料，經(jīng)平面工藝加工制造，將大量晶體管、電阻等元器件及互連線構(gòu)成的電子線路集成在基片上，構(gòu)成一個(gè)微型化的電路或系統(tǒng)。集成電路20世紀(jì)50年代出現(xiàn)集成電路使用的半導(dǎo)體材料通常是硅(Si)，也可以是化合物半導(dǎo)體如砷化鎵(GaAs)等。什么是集成電路？集成電路(IntegratedCircuit，簡(jiǎn)稱(chēng)IC）小規(guī)模集成電路超大規(guī)模集成電路什么是是集成成電路路？集成電電路的的規(guī)模模（集集成度度）集成電電路的的規(guī)模模由單單個(gè)芯芯片中中包含含的基基本電電子元元器件件（晶晶體管管、電電阻、、電容容等））的個(gè)個(gè)數(shù)確確定。。集成電電路的的特點(diǎn)點(diǎn)：體積小小、重重量輕輕、可可靠性性高（因集成成度大大，焊焊點(diǎn)少少，故故障率率低））、功耗耗低、、速度度快1.2.1微微電子子技術(shù)術(shù)與集集成電電路集成電電路第一個(gè)個(gè)集成成電路路小規(guī)模集集成電電路(SSI)中規(guī)模集集成電電路(MSI)大規(guī)模集集成電電路(LSI)超大規(guī)模集集成電電路(VLSI)極大規(guī)模集集成電電路(ULSI)小規(guī)模集集成電電路超大規(guī)模集集成電電路集成電電路的的分類(lèi)類(lèi)按集成成度（芯片中中包含含的元元器件件數(shù)目目）分集成度度小于于100個(gè)個(gè)電子子元件件集成度在在100～3000個(gè)個(gè)電子元元件集成度在在3000～10萬(wàn)個(gè)個(gè)電子元元件集成度達(dá)達(dá)10萬(wàn)萬(wàn)～100萬(wàn)個(gè)個(gè)電子元元件集成度超超過(guò)100萬(wàn)個(gè)個(gè)電子元元件通常并不不嚴(yán)格區(qū)區(qū)分VLSI和ULSI，而是統(tǒng)統(tǒng)稱(chēng)為VLSI。集成電路路的分類(lèi)類(lèi)集成電路路的集成成對(duì)象超大規(guī)模模和極大大規(guī)模集集成電路路：微處理器器、芯片片組、圖圖形加速速芯片中、小規(guī)規(guī)模集成成電路：簡(jiǎn)單的門(mén)門(mén)電路、、單級(jí)放放大器大規(guī)模集集成電路路：功能部件件、子系系統(tǒng)集成電路路的分類(lèi)類(lèi)按晶體管管結(jié)構(gòu)、、電路和和工藝分分雙極型(Bipolar)集成電電路金屬-氧氧化物-半導(dǎo)體體(MOS)集成電電路雙極－金金屬-氧氧化物-半導(dǎo)體體集成電路路(Bi-MOS)按集成電電路的功功能來(lái)分分，可分分為數(shù)字集成成電路模擬集成成電路如邏輯電電路、存存儲(chǔ)器、、微處理理器、微微控制器器、數(shù)字字信號(hào)處處理器等等又稱(chēng)為線線性電路路，如信信號(hào)放大大器、功功率放放大器等等通用集成成電路專(zhuān)用集成成電路（（ASIC）微處理器器、存儲(chǔ)儲(chǔ)器等按照某種種應(yīng)用的的特定要要求而專(zhuān)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)計(jì)、定制制的集成成電路集成電路路的分類(lèi)類(lèi)按它們的的用途可可分為：：1.2.1微微電電子技術(shù)術(shù)與集成成電路集成電路路的分類(lèi)類(lèi)先進(jìn)的微微電子技技術(shù)高集成度度芯片高性能的的計(jì)算機(jī)機(jī)利用計(jì)算算機(jī)進(jìn)行行集成電電路的設(shè)設(shè)計(jì)、生生產(chǎn)過(guò)程程控制及及自動(dòng)測(cè)測(cè)試又能制造造出性能能高、成成本更低低的集成成電路芯芯片。1.2.1微微電電子技術(shù)術(shù)與集成成電路集成電電路芯芯片是微電電子技技術(shù)的的結(jié)晶晶，是是計(jì)算算機(jī)的的核心心1.2.2集集成電電路的的制造造(選選學(xué))集成電電路的的制造造工序序繁多多，從從原料料熔煉煉開(kāi)始始到最最終產(chǎn)產(chǎn)品包包裝大大約需需要400多道道工序序，工藝藝復(fù)雜雜且技技術(shù)難難度非非常高高，有有一系系列的的關(guān)鍵鍵技術(shù)術(shù)。許許多工工序必必須在在恒溫溫、恒恒濕、、超潔潔凈的的無(wú)塵塵廠房房?jī)?nèi)完完成。。目前前興興建建一一個(gè)個(gè)有有兩兩條條生生產(chǎn)產(chǎn)線線能能加加工工8英英寸寸晶晶圓圓的的集集成成電電路路工工廠廠需需投投資資人人民民幣幣10億億元元以以上上1.2.2集集成成電電路路的的制制造造硅襯襯底底硅平平面面工工藝藝晶圓圓芯片片集成成電電路路成品品剔除除分分類(lèi)類(lèi)封裝裝成品品測(cè)測(cè)試試共有有400多多道道工工序序繼續(xù)續(xù)晶棒棒將單晶晶硅硅錠（（晶棒棒）經(jīng)經(jīng)切切割割、、研研磨磨和和拋拋光光嚴(yán)嚴(yán)格格清清洗洗后后制制成成的的像像鏡鏡面面一一樣樣光光滑滑的的圓圓形形薄薄片片，，稱(chēng)稱(chēng)為為硅拋拋光光片片硅平平面面工工藝藝，它它包包括括氧化化，，光光刻刻，，摻摻雜雜和互連連等多多項(xiàng)項(xiàng)工工序序。。把把這這些些工工序序反反復(fù)復(fù)交交叉叉使使用用，，最最終終在在硅硅片片上上制制成成包包含含多層層電電路路及電子子元元件件的集集成成電電路路，，每每一一硅硅拋拋光光片片上上可可制制作作出出成百百上上千千個(gè)獨(dú)獨(dú)立立的的集集成成電電路路(晶粒粒)，，硅硅片片稱(chēng)稱(chēng)為為晶圓圓對(duì)晶晶圓圓上上的的每個(gè)晶粒（每一個(gè)獨(dú)立的的集成電路路）進(jìn)行檢測(cè)，，將不合格的的晶粒用磁漿點(diǎn)上上記號(hào)。然后將晶圓圓分割成一顆顆單單獨(dú)的晶粒粒（集成電）把廢品剔除，把合格的的集成電路分類(lèi)，再封封裝成一個(gè)個(gè)個(gè)獨(dú)立的的集成電路路將單個(gè)的芯芯片固定在在塑膠或陶陶瓷制的芯芯片基座上上，并把芯芯片上蝕刻刻出的一些些的引線與基座底部部伸出的插腳進(jìn)行連接，，以作為為與外界電電路板連接接之用，最最后蓋上塑塑膠蓋板，，用膠水封封死，封焊焊這樣樣就就制制成成了了一一塊塊集集成成電電路路。。跳出出硅拋拋光光片片厚度度：：不不足足1mm直徑徑：：6、、8、、12英英寸寸晶棒棒單晶晶硅硅錠錠集成成電電路路是是在在硅襯底底上制作而而成的的。硅襯底底是將單晶硅硅錠經(jīng)切切割、、研磨磨和拋拋光后后制成成的像像鏡面面一樣樣光滑滑的圓圓形薄薄片，，硅拋光光片經(jīng)經(jīng)過(guò)嚴(yán)嚴(yán)格清清洗（（凈化化率10級(jí)）可可用于于集成成電路路制造造硅襯底底晶棒生生長(zhǎng)晶棒裁裁切與與檢測(cè)測(cè)外徑研研磨切片圓邊表層研研磨蝕刻去疵拋光清洗檢驗(yàn)包裝硅拋光片厚度：不足1mm直徑：6、8、12英寸晶棒單晶硅錠集成電電路是是在硅襯底底上制作而而成的的。硅襯底底是將單晶硅硅錠經(jīng)切切割、、研磨磨和拋拋光后后制成成的像像鏡面面一樣樣光滑滑的圓圓形薄薄片，，硅拋光光片經(jīng)經(jīng)過(guò)嚴(yán)嚴(yán)格清清洗（（凈化化率10級(jí)）可可用于于集成成電路路制造造硅襯底底晶棒生生長(zhǎng)晶棒裁裁切與與檢測(cè)測(cè)外徑研研磨切片圓邊表層研研磨蝕刻去疵拋光清洗檢驗(yàn)包裝硅平面面工藝藝、晶圓硅平面面工藝藝，它包包括氧化，，光刻刻，摻摻雜和互連等多項(xiàng)項(xiàng)工序序。把把這些些工序序反復(fù)復(fù)交叉叉使用用，最最終在在硅片片上制制成包包含多層電電路及電子元元件（如晶晶體管管、電電容、、邏輯輯開(kāi)關(guān)關(guān)等））的集集成電電路，，就形成成了一一個(gè)個(gè)個(gè)的小小格，，即晶粒。每一硅硅拋光光片上上可制制作出出成百上上千個(gè)獨(dú)立立的集集成電電路(晶粒)，這這種整整整齊齊齊排排滿了了晶粒(集成電電路)的硅硅片稱(chēng)稱(chēng)作““晶圓”。晶圓切切片（（簡(jiǎn)稱(chēng)稱(chēng)晶圓）像鏡子子一樣樣的光光滑圓圓形薄薄片，，是供供芯片片生產(chǎn)產(chǎn)的后后道工工序作作深加加工的的原材材料。。剔除分分類(lèi)晶圓針針測(cè)：晶圓制制成后后，用用集成成電路路檢測(cè)測(cè)儀對(duì)對(duì)每個(gè)晶粒（每一個(gè)獨(dú)獨(dú)立的的集成成電路路）檢測(cè)其其電氣氣特性性，將不不合格格的晶粒用磁漿漿點(diǎn)上上記號(hào)號(hào)。晶圓切切割：：將晶圓圓切開(kāi)開(kāi)，分分割成成一顆顆顆單單獨(dú)的的晶粒粒（集成電電）。通過(guò)電電磁法法把點(diǎn)點(diǎn)了磁磁漿的的廢品品剔除除，將將合格格的集集成電電路按按其電電氣特特性進(jìn)進(jìn)行分分類(lèi)。。這些些集成成電路路小片片就稱(chēng)稱(chēng)為芯片。集成電電路芯芯片（（簡(jiǎn)稱(chēng)稱(chēng)芯片）直接應(yīng)用用在計(jì)算算機(jī)、電電子、通通訊等許許多行業(yè)業(yè)上的最最終產(chǎn)品品。包括括CPU、內(nèi)存存單元和和其它各各種專(zhuān)業(yè)業(yè)應(yīng)用芯芯片。封裝——1將單個(gè)的芯芯片固定在在塑膠或陶陶瓷制的芯芯片基座上上，并把芯芯片上蝕刻刻出的一些些的引線與基座底部部伸出的插腳進(jìn)行連接，，以作為為與外界電電路板連接接之用，最最后蓋上塑塑膠蓋板，，用膠水封封死，封焊這樣就制成成了一塊集集成電路常見(jiàn)的封裝裝形式有：：?jiǎn)瘟兄辈迨绞剑⊿IP）雙列直插式式（DIP）陣列式（PGA）集成電電路封封裝的的目的的：電功能能：傳傳遞芯芯片的的電信信號(hào)散熱功功能：：散發(fā)發(fā)芯片片內(nèi)部部產(chǎn)生生的熱熱量機(jī)械化化學(xué)保保護(hù)功功能：：保護(hù)護(hù)芯片片本身身及及導(dǎo)電電絲封裝——2塑料有引線芯片載體PLCC(PlasticLeadedChipCarrier)(主板BIOS芯片)雙列直插封裝DIP(DualIn-linePackage)(主板BIOS芯片)封裝——3FC-PGA2封裝方式（Pentium4處理器）插座封裝——4塑料四邊引出扁平封裝PQFP(PlasticQuadFlatPackage)(主板集成的聲卡芯片)球柵陣列封裝BGA(BallGridArrayPackage)(主板北橋芯片)封裝——5小外形封裝SOP(SmallOutlinePackage)（主板頻率發(fā)生器芯片）Micro-BGA2封裝的筆記本電腦CPU478腳P4CPU的BGA插座成品測(cè)測(cè)試一般測(cè)測(cè)試：：將芯片片置于于各種種環(huán)境境下測(cè)測(cè)試其其電氣氣特性性，如如消耗耗功率率、運(yùn)運(yùn)行速速度、、耐壓壓度等等。經(jīng)經(jīng)測(cè)試試后的的芯片片，依其電電氣特特性劃劃分為為不同同等級(jí)級(jí)。特殊測(cè)測(cè)試：：根據(jù)客客戶(hù)特特殊需需求的的技術(shù)術(shù)參數(shù)數(shù)，從從相近近參數(shù)數(shù)規(guī)格格、品品種中中拿出出部分分芯片片，做做有針針對(duì)性性的專(zhuān)專(zhuān)門(mén)測(cè)測(cè)試，，看是是否能能滿足足客戶(hù)戶(hù)的特特殊需需求，，以決決定是是否須須為客客戶(hù)設(shè)設(shè)計(jì)專(zhuān)專(zhuān)用芯芯片。。經(jīng)一一般測(cè)測(cè)試合合格的的產(chǎn)品品貼上上規(guī)格格、型型號(hào)及及出廠廠日期期等標(biāo)標(biāo)識(shí)的的標(biāo)簽簽并加加以包包裝后后即可可出廠廠。而而未通通過(guò)測(cè)測(cè)試的的芯片片則視視其達(dá)達(dá)到的的參數(shù)數(shù)情況況定作作降級(jí)級(jí)品或或廢品品。介紹集集成電電路制制造過(guò)過(guò)程的的網(wǎng)站站：1.2.3.集成電電路的的發(fā)展展趨勢(shì)勢(shì)集成電電路的的工作作速度度:主要取取決于于組成邏邏輯門(mén)門(mén)電路路的晶晶體管管的尺尺寸。晶體體管的的尺寸寸越小小，其其極限限工作作頻率率越高高，門(mén)門(mén)電路路的開(kāi)開(kāi)關(guān)速速度就就越快快。芯片上上電路路元件件的線線條越越細(xì)，相同同面積積的晶晶片可可容納納的晶晶體管管就越越多，，功能能就越越強(qiáng)，，速度度也越越快。。隨著微微米、、亞微微米量量級(jí)的的微細(xì)細(xì)加工工技術(shù)術(shù)的采采用和和硅拋拋光片片面積積的增增大，，集成成電路路的規(guī)規(guī)模越越來(lái)越越大。1.2.3.集成電電路的的發(fā)展展趨勢(shì)勢(shì)集成電電路特特點(diǎn)：：Moore定律單塊集集成電電路的的集成成度平平均每每18～24個(gè)月翻翻一番番——GordonE.Moore,1965年Intel公司司創(chuàng)始始人體積小小、重重量輕輕、可可靠性性高。。按電子子器件件的比比例縮縮小法法則，，集成電電路的的工作作速度度主要要取決決于組組成邏邏輯門(mén)門(mén)電路路的晶晶體管管的尺尺寸。芯片片上電電路元元件的的線條條越細(xì)細(xì)，相相同面面積的的晶片片可容容納的的晶體體管就就越多多。提提高集集成度度，關(guān)關(guān)鍵在在縮小小邏輯輯門(mén)電電路面面積。1.2.3.集成成電電路路的的發(fā)發(fā)展展趨趨勢(shì)勢(shì)Intel公司司微微處處理理器器集集成成度度的的發(fā)發(fā)展展19701975198019851990199520001,00010,000100,0001,000,00010,000,000100,000,0004004800880808086802868038680486PentiumPentiumIIPentiumIIIPentium4晶體管數(shù)2010年年達(dá)達(dá)到到18英英寸寸晶晶圓圓和和0.070.05μμm工工藝藝水水平平集成成電電路路技技術(shù)術(shù)的的發(fā)發(fā)展展趨趨勢(shì)勢(shì)19992001200420082014工藝(μm)0.180.130.090.060.014晶體管(M)23.847.61355393500時(shí)鐘頻率(GHz)1.21.62.02.65510面積(mm2)340340390468901連線層數(shù)678910晶圓直徑(英寸)1212141618引腳數(shù)目7009573350功耗（w）90130183問(wèn)題題與與出出路路出路路：：在納米尺尺寸下，納納米結(jié)結(jié)構(gòu)會(huì)會(huì)表現(xiàn)現(xiàn)出一一些新新的量子現(xiàn)現(xiàn)象和和效應(yīng)應(yīng)，可以以利用用這些些量子子效應(yīng)應(yīng)研制制具有有新功功能的的量子子器件件，從從而把把芯片片的研研制推推向量量子世世界的的新階階段———納米芯芯片技技術(shù)。同時(shí)，，人們們還在在研究究光作作為信信息的的載體體，發(fā)發(fā)展光光子學(xué)學(xué)，研研制集集成光光路，，或把把電子子與光光子并并用，，實(shí)現(xiàn)現(xiàn)光電子子集成成。線寬進(jìn)進(jìn)一步步縮小小、線線路間間的距距離越越來(lái)越越窄，，干擾擾將越越益嚴(yán)嚴(yán)重。。為了減減少這這種干干擾，，可以以采取取減小電電流，降低低電壓壓的方方法來(lái)來(lái)解決決。但是，，當(dāng)晶晶體管管的基基本線線條小小到納納米級(jí)級(jí)，線線路的的電流流微弱弱到僅僅有幾幾十個(gè)個(gè)甚至至幾個(gè)個(gè)電子子流動(dòng)動(dòng)時(shí)，，晶體體管已已逼近近其物物理極極限，，它將將無(wú)法法正常常工作作集成電路朝朝著納米技技術(shù)、集成成光路、光光電子集成成方向發(fā)展展。問(wèn)題：納米技術(shù)在半導(dǎo)體世世界，基于于傳統(tǒng)原理理的元件到到了50納納米就將達(dá)達(dá)到極限限。1（（nm納米米）=10-9（m米）所謂納米技技術(shù)，就是是以0.1至100納米尺度度為研究對(duì)對(duì)象的新技技術(shù)。納納米技術(shù)術(shù)通過(guò)操縱縱原子、分分子、原子子團(tuán)、分子子團(tuán)使其重重新排排列列組合，形形成新的物物質(zhì)，制造造出具有新新功能的機(jī)機(jī)器。在信息、生生物工程、、醫(yī)學(xué)、光光學(xué)、材料料科學(xué)等領(lǐng)領(lǐng)域均具有有

廣闊闊的應(yīng)用前前景。集成光學(xué)技術(shù)**集集成光學(xué)學(xué)是研究媒媒質(zhì)薄膜中中的光學(xué)現(xiàn)現(xiàn)象，以及及光學(xué)元器器件集成化化的一門(mén)學(xué)學(xué)科。它是是在激光技技術(shù)發(fā)展過(guò)過(guò)程中，由由于光通信信、光學(xué)信信息處理等等的需要，，而逐步形形成和發(fā)展展起來(lái)的。。它要解決決的實(shí)質(zhì)問(wèn)問(wèn)題，是獲獲得具有不不同功能、、不同集成成度的集成成光路，以以實(shí)現(xiàn)光學(xué)學(xué)信息處理理系統(tǒng)的集集成化和微微小型化。。因?yàn)楣獠úúㄩL(zhǎng)比波長(zhǎng)長(zhǎng)最短的無(wú)無(wú)線電波還還要短四個(gè)個(gè)數(shù)量級(jí)，，因而它具具有更大的的傳遞信息息和處理信信息的能力力。然而傳傳統(tǒng)的光學(xué)學(xué)系統(tǒng)體積積大、穩(wěn)定定性差、光光束的對(duì)準(zhǔn)準(zhǔn)和準(zhǔn)直困困難，不能能適應(yīng)光電電子技術(shù)發(fā)發(fā)展的需要要。采用類(lèi)類(lèi)似于半導(dǎo)導(dǎo)體集成電電路的方法法，把光學(xué)學(xué)元件以薄薄膜形式集集成在同一一襯底上的的集成光路路，是解決決原有光學(xué)學(xué)系統(tǒng)問(wèn)題題的一種途途徑。這樣樣的器件具具有體積小小、性能穩(wěn)穩(wěn)定可靠、、效率高、、功耗低，，使用方便便等優(yōu)點(diǎn)。。閱讀文獻(xiàn)：：1.2.4IC卡IC卡：：集成電路卡卡（chipcard、smartcard）把集成電路路芯片密封封在塑料卡卡基片內(nèi)，，使其成為為能存儲(chǔ)、、處理和傳傳遞數(shù)據(jù)的的載體。特點(diǎn)：存儲(chǔ)信息量量大保密性能強(qiáng)強(qiáng)可以防止偽偽造和竊用用抗干擾能力力強(qiáng)可靠性高應(yīng)用舉例：：作為電子證證件，記錄錄持卡人的的信息，用用作身份識(shí)識(shí)別（如身身份證、考考勤卡、醫(yī)醫(yī)療卡、住住房卡等））作為電子錢(qián)錢(qián)包（如電電話卡、公公交卡、加加油卡等）IC分類(lèi)IC從功能上分分為三類(lèi)：：存儲(chǔ)器卡帶加密邏輯輯的存儲(chǔ)器器卡CPU卡IC分類(lèi)IC從功能上分分為三類(lèi)：：帶加密邏輯輯的存儲(chǔ)器器卡。這種卡除了了存儲(chǔ)器外外，還專(zhuān)設(shè)設(shè)有加密電電路，因此安全性性強(qiáng)，常用用于安全性性要求高的的場(chǎng)合存儲(chǔ)器卡。封裝的集集成電路為為存儲(chǔ)器，，其容量大大約為幾KB到幾幾十KB，信息可長(zhǎng)長(zhǎng)期保存，，也可通過(guò)過(guò)讀卡器改改寫(xiě)。存儲(chǔ)儲(chǔ)卡結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)簡(jiǎn)單，使用用方便，讀讀卡器不必必聯(lián)網(wǎng)就可可工作。主要用于安安全性要求求不高的場(chǎng)場(chǎng)合，如電電話卡、水水電費(fèi)卡、、公交卡、、醫(yī)療卡等等。CPU卡。?？ㄉ霞闪肆酥醒胩幚砝砥鳎–PU）、程程序存儲(chǔ)器器和數(shù)據(jù)存存儲(chǔ)器，還還配有操作作系統(tǒng)COS(ChipOperatingSystem)。這種卡處理理能力強(qiáng)，，保密性更更好，常用用于作為證證件和信用用卡使用的的重要場(chǎng)合合。手機(jī)中中使用的SIM卡就就是一種特特殊的CPU卡，它它不但存儲(chǔ)儲(chǔ)了用戶(hù)的的身份信息息，而且將將電話號(hào)碼碼本也存儲(chǔ)儲(chǔ)在卡上。。1.2.4IC卡IC卡按按使用方式式可分為兩兩種：接觸式IC卡（如電話IC卡），，其表面有有一個(gè)方型型鍍金接口口，共有8個(gè)或6個(gè)個(gè)鍍金觸點(diǎn)點(diǎn)。使用時(shí)時(shí)必須將IC卡插入入讀卡機(jī)卡卡口內(nèi)，通通過(guò)金屬觸觸點(diǎn)傳輸數(shù)數(shù)據(jù)。這種種IC卡多多用于存儲(chǔ)儲(chǔ)信息量大大、讀寫(xiě)操操作比較復(fù)復(fù)雜的場(chǎng)合合。接觸式式IC卡易易磨損、怕怕油污，壽壽命不長(zhǎng)非接觸式式IC卡卡，又叫射頻頻（RadioFrequency）卡卡、感應(yīng)應(yīng)卡，它它采用電電磁感應(yīng)應(yīng)方式無(wú)無(wú)線傳輸輸數(shù)據(jù)，，解決了了無(wú)源（（卡中無(wú)無(wú)電源））和免接接觸這一一難題，，操作方方便，快快捷。這這種IC卡記錄錄的信息息簡(jiǎn)單，，讀寫(xiě)要要求不高高，常用用于身份份驗(yàn)證等等場(chǎng)合。。由于采采用全密密封膠固固化，防防水、防防污，所所以使用用壽命很很長(zhǎng)。(a)接觸式IC卡(b)接觸式IC卡的結(jié)構(gòu)(c)非接觸式IC卡非接觸式式IC卡卡的工作作原理（（選學(xué)））讀卡器發(fā)發(fā)出一組組固定頻頻率的無(wú)無(wú)線電波波(射頻頻信號(hào))，通過(guò)過(guò)天線向向外發(fā)射射IC卡激激活后，，通過(guò)輻輻射電磁磁信號(hào)將將卡內(nèi)數(shù)數(shù)據(jù)發(fā)射射出去(或接收收讀卡器器送來(lái)的的數(shù)據(jù))當(dāng)IC卡卡處在讀讀卡器有有效范圍圍(一般般為5~10cm)內(nèi)內(nèi)時(shí)，卡卡內(nèi)的一一個(gè)LC串聯(lián)諧諧振電路路(諧振振頻率相相同的)便產(chǎn)生生電磁共共振，使使電容充充電，從從而為卡卡內(nèi)其它它電路提提供2V的工作作電壓讀卡器收收到數(shù)據(jù)據(jù)后，通通過(guò)接口口將IC卡數(shù)據(jù)據(jù)傳送給給PC，，PC將將判斷該該卡的合合法性，，作出相相應(yīng)處理理非接觸式式IC卡卡在身份份證中的的使用第二代身身份證使使用非接接觸式CPU卡卡，可實(shí)實(shí)現(xiàn)“電電子防偽偽”和““數(shù)字管管理”兩兩大功能能：電子防偽偽措施：：個(gè)人數(shù)數(shù)據(jù)和人人臉圖像像經(jīng)過(guò)加加密后存存儲(chǔ)在芯芯片中，，需要時(shí)時(shí)可通過(guò)過(guò)非接觸觸式讀卡卡器讀出出進(jìn)行驗(yàn)驗(yàn)證。需需要時(shí)還還可以將將人體生生物特征征如指紋紋等保存存在芯片片中，以以進(jìn)一步步提高防防偽性能能數(shù)字字