半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體概要pn結(jié)BJTMOSFET器件基礎(chǔ)JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體概要基本概念BipolarJunctionTransistorN+NPPEBCEBCEBCNPNPNP基本概念BipolarJunctionTransisto晶體管的發(fā)明第一個(gè)點(diǎn)接觸式的晶體管

(transistor)Bardeen,Brattain,andSchockley獲1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)晶體管的發(fā)明第一個(gè)點(diǎn)接觸式的晶體管(transistor)晶體管的特性晶體管的特性半導(dǎo)體器件原理和工藝2-課件理想NPN摻雜分布集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入ebc理想NPN摻雜分布集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入ebc兩個(gè)獨(dú)立的PN結(jié)構(gòu)成晶體管的靜電特性N+PN兩個(gè)獨(dú)立的PN結(jié)構(gòu)成晶體管的靜電特性N+PN背靠背二極管背靠背二極管工作原理工作原理特性參數(shù)發(fā)射效率(PNP)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)特性參數(shù)發(fā)射效率(PNP)特性參數(shù)-1共基極直流電流增益特性參數(shù)-1共基極直流電流增益特性參數(shù)-2共發(fā)射極直流電流增益特性參數(shù)-2共發(fā)射極直流電流增益晶體管的電流放大原理平衡晶體管的能帶和載流子分布晶體管的電流放大原理平衡晶體管的非平衡晶體管的能帶和載流子分布非平衡晶體管的能帶和載流子分布半導(dǎo)體器件原理和工藝2-課件理想晶體管模型(I-V關(guān)系）基本假設(shè)少于在基區(qū)的運(yùn)動(dòng)是一維的?；鶇^(qū)寬度大于載流子的平均自由程、因而能夠?qū)⑤d流子在基區(qū)的輸運(yùn)看作是擴(kuò)散+漂移;基區(qū)中準(zhǔn)中性近似成立。小注入。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡態(tài)密度。忽略基區(qū)復(fù)合，對(duì)于現(xiàn)代高晶體管這一條是成立的。穩(wěn)態(tài)條件下工作發(fā)射區(qū)和集電區(qū)足夠?qū)?雜質(zhì)在三個(gè)區(qū)中是均勻分布的理想晶體管模型(I-V關(guān)系）基本假設(shè)晶體管中的電流晶體管中的電流電流電壓關(guān)系只要求出IE,nIE,pIr,dIr,B電流電壓關(guān)系只要求出IE,nIE,pIr,dIE,nIE,nIE,pIE,pIr,BIr,B均勻晶體管的電流放大系數(shù)均勻晶體管的電流放大系數(shù)半導(dǎo)體器件原理和工藝2-課件理論和實(shí)驗(yàn)的偏差共基極輸入特性理論特性中發(fā)射極電流與VCB無關(guān)實(shí)際特性:IE隨VCB增加顯著增加共基極輸出特性理論:VCB無限制實(shí)際:最大為VCB0理論和實(shí)驗(yàn)的偏差共基極輸入特性理論和實(shí)驗(yàn)的偏差-1共發(fā)射極輸入特性大部分是一致的共發(fā)射極輸出特性理論:完全水平實(shí)際:向上傾斜,有最大VCE限制理論和實(shí)驗(yàn)的偏差-1共發(fā)射極輸入特性基區(qū)寬度調(diào)制W與外加電壓有關(guān)WWB基區(qū)寬度調(diào)制W與外加電壓有關(guān)WWB基區(qū)寬度調(diào)制-1對(duì)共基極Early效應(yīng)基區(qū)寬度調(diào)制-1對(duì)共基極基區(qū)寬度調(diào)制-2Early電壓的定義基區(qū)寬度調(diào)制-2Early電壓的定義基區(qū)穿通雙極晶體管在基極開路條件下工作，隨著外加VCE上升，未發(fā)生雪崩擊穿而出現(xiàn)集電極電流急劇增加的現(xiàn)象W0基區(qū)穿通雙極晶體管在基極開路條件下工作，隨著外加VCE上升，雪崩倍增和擊穿共基極與單個(gè)PN結(jié)類似,最大擊穿電壓為VCB0共發(fā)射極現(xiàn)象:VCE0小于VCB0CBEVCE雪崩倍增和擊穿共基極CBEVCE雪崩倍增和擊穿-1M1雪崩倍增和擊穿-1幾何效應(yīng)器件尺寸有限,必須考慮二維效應(yīng)發(fā)射區(qū)面積不等于集電區(qū)面積有效基區(qū)橫向擴(kuò)展W’B幾何效應(yīng)器件尺寸有限,必須考慮二維效應(yīng)W’B幾何效應(yīng)-1串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)幾何效應(yīng)-1串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)幾何效應(yīng)-2串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)等功率法計(jì)算內(nèi)基區(qū)的電阻幾何效應(yīng)-2串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)幾何效應(yīng)-3幾何效應(yīng)-3幾何效應(yīng)-4串聯(lián)電阻(集電區(qū)電阻)VCBrcsVjc=0時(shí),幾何效應(yīng)-4串聯(lián)電阻(集電區(qū)電阻)VCBrcsVjc=0時(shí),幾何效應(yīng)-5發(fā)射極電流集邊效應(yīng)由于發(fā)射結(jié)上電壓降的差異,發(fā)射極電流趨向于集聚到發(fā)射結(jié)邊緣附近，這就是發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，又稱基極電阻自偏壓效應(yīng)幾何效應(yīng)-5發(fā)射極電流集邊效應(yīng)幾何效應(yīng)-6發(fā)射極有效寬度幾何效應(yīng)-6幾何效應(yīng)-7可以不考慮集邊效應(yīng)強(qiáng)集邊狀態(tài)叉指結(jié)構(gòu)減小了集邊效應(yīng)幾何效應(yīng)-7可以不考慮集邊效應(yīng)叉指結(jié)構(gòu)減小了集邊效應(yīng)復(fù)合-產(chǎn)生電流發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流復(fù)合-產(chǎn)生電流發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流復(fù)合-產(chǎn)生電流-1發(fā)射結(jié)側(cè)向注入及基區(qū)表面復(fù)合復(fù)合-產(chǎn)生電流-1發(fā)射結(jié)側(cè)向注入及基區(qū)表面復(fù)合發(fā)射區(qū)重?fù)诫s發(fā)射區(qū)重?fù)诫s緩變基區(qū)緩變基區(qū)非平衡少子分布MollRoss法:少于在基區(qū)的運(yùn)動(dòng)是一維的?；鶇^(qū)寬度大于載流子的平均自由程、因而能夠?qū)⑤d流子在基區(qū)的輸運(yùn)看作是擴(kuò)散+漂移;基區(qū)中準(zhǔn)中性近似成立。載流子遷移率等于常數(shù)，雜質(zhì)濃度超過1016cm-3時(shí)引入平均遷移率；小注入。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡態(tài)密度。忽略基區(qū)復(fù)合，對(duì)于現(xiàn)代高晶體管這一條是成立的。非平衡少子分布MollRoss法:非平衡少子分布-1MollRoss法:非平衡少子分布-1MollRoss法:非平衡少子分布-2MollRoss法:非平衡少子分布-2MollRoss法:非平衡少子電流令x=0,

小注入時(shí)有:基區(qū)Gummel數(shù)的定義:非平衡少子電流令x=0,基區(qū)Gummel數(shù)的定義:品質(zhì)因素Gummel圖與IC的對(duì)數(shù)關(guān)系曲線IBICVEBIC,IB品質(zhì)因素Gummel圖IBICVEBIC,IB現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)第一個(gè)集成的BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)第一個(gè)集成的BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-1多晶硅發(fā)射結(jié)BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-1多晶硅發(fā)射結(jié)BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-2HBT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-2HBT小結(jié)理想晶體管模型實(shí)際與理想的偏離BJT結(jié)構(gòu)小結(jié)理想晶體管模型晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型高頻時(shí),晶體管內(nèi)寄生電容的影響加大分類:低頻晶體管(0~3MHz)高頻晶體管(3~750MHz)超高頻晶體管(>750MHz)晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型高頻時(shí),晶體管內(nèi)寄生電容的頻率對(duì)晶體管電流放大系數(shù)的影響頻率增大,器件的電流放大系數(shù)將下降頻率對(duì)晶體管電流放大系數(shù)的影響頻率增大,器件的電流放大系數(shù)將晶體管交流小信號(hào)的傳輸過程X1X2X3X4iCTeiCDeiVBIp(X1)In(X1)In(X3)In(X4)iCTc晶體管交流小信號(hào)的傳輸過程X1X2X3X4iC發(fā)射效率和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)發(fā)射效率和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型小信號(hào)工作條件：輸入信號(hào)電壓以及輸出信號(hào)電壓都遠(yuǎn)小于熱電壓(kT/q)晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型小信號(hào)工作條件：小信號(hào)模型-1i1i2v1v2T

短路輸入導(dǎo)納短路正向跨導(dǎo)納短路反向跨導(dǎo)納短路輸出導(dǎo)納小信號(hào)模型-1i1i2v1v2T短路輸入導(dǎo)納小信號(hào)模型-2短路輸入阻抗短路正向電流傳輸系數(shù)、即電流增益開路反向電壓傳輸系數(shù)，即電壓反饋系致開路輸出導(dǎo)納h參數(shù)小信號(hào)模型-2短路輸入阻抗短路正向電流傳輸系數(shù)、即電流增益開小信號(hào)模型-3ebcvbevce共發(fā)射極h參數(shù)等效電路小信號(hào)模型-3ebcvbevce共發(fā)射極h參數(shù)等效電路小信號(hào)等效電路混合模型ggm-ggo由E-M方程：正向有源區(qū)小信號(hào)等效電路混合模型g-g由E-M方程：正向有源區(qū)混合模型-1跨導(dǎo)gmgm正比于Ic，反比于T。gm只決定于工作電流及工作溫度，與器件所用材料無關(guān)?？鐚?dǎo)與器件的結(jié)面積的大小無關(guān)。混合模型-1跨導(dǎo)gmgm正比于Ic，反比于T?；旌夏Ｐ?2輸入電導(dǎo)g輸出電導(dǎo)go混合模型-2輸入電導(dǎo)g混合模型-3反饋電導(dǎo)g混合模型-3反饋電導(dǎo)g混合模型-4現(xiàn)代高晶體管混合模型-4現(xiàn)代高晶體管完整的混合模型等效電路完整的混合模型等效電路上升過程-3縮短開啟時(shí)間的措施：盡可能減小結(jié)電容CTE和CTC提高fT,有利于縮短td2及tr適當(dāng)提高增大IB1上升過程-3縮短開啟時(shí)間的措施：特征頻率和截止頻率特征頻率fT和截止頻率f是根據(jù)hFE隨頻率的變化關(guān)系定義的特征頻率和截止頻率特征頻率fT和截止頻率f是根據(jù)hFE隨頻特征頻率和截止頻率-1特征頻率和截止頻率-1特征頻率和截止頻率-2特征頻率和截止頻率-2特征頻率和截止頻率-3截止頻率的定義特征頻率和截止頻率-3截止頻率的定義特征頻率和截止頻率-4當(dāng)時(shí)，特征頻率和截止頻率-4當(dāng)時(shí)，最高振蕩頻率和高頻優(yōu)值PEBiBicRcEcNNUin最高振蕩頻率和高頻優(yōu)值PEBiBicRcEcNNUin提高特征頻率的措施基區(qū)渡越時(shí)間發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容集電結(jié)勢(shì)壘電容提高fT的方法減小基區(qū)寬度減小發(fā)射結(jié)面積減小集電結(jié)面積提高特征頻率的措施基區(qū)渡越時(shí)間晶體管的噪聲晶體管的噪聲晶體管的噪聲信噪比信號(hào)功率與噪聲功率之比噪聲系數(shù)NF輸入信噪比/輸出信噪比晶體管的噪聲來源熱噪聲，rB散粒噪聲,少子的影響大1/f噪聲晶體管的噪聲信噪比晶體管的開關(guān)特性開關(guān)工作器件在開態(tài)和關(guān)態(tài)之間切換開關(guān)晶體管的靜態(tài)參數(shù)包括臨界飽和電流增益、飽和深度、開態(tài)阻抗及關(guān)態(tài)阻抗。臨界飽和電流增益：晶體管的開關(guān)特性開關(guān)工作臨界飽和電流增益：瞬態(tài)響應(yīng)-1飽和深度（過驅(qū)動(dòng)因子）關(guān)態(tài)阻抗開態(tài)阻抗過驅(qū)動(dòng)電流瞬態(tài)響應(yīng)-1飽和深度（過驅(qū)動(dòng)因子）過驅(qū)動(dòng)電流開關(guān)時(shí)間開啟時(shí)間關(guān)斷時(shí)間開關(guān)時(shí)間開啟時(shí)間瞬態(tài)開啟特性基極輸入電壓脈沖的上升沿到來之后，集電極電流從截止態(tài)小電流上升到飽和態(tài)大電流的過程。包含延遲過程和上升過程延遲過程是發(fā)射結(jié)過渡區(qū)電容的充電過程延遲過程：瞬態(tài)開啟特性基極輸入電壓脈沖的上升沿到來之后，集電極電流從截延遲過程延遲過程上升過程BJT始終在正向放大區(qū)工作狀態(tài)上升過程BJT始終在正向放大區(qū)工作狀態(tài)上升過程-1上升過程-1上升過程-2上升過程-2關(guān)斷時(shí)間始于基極輸入電壓脈沖的下降沿，集電極電流下降到反向電流值結(jié)束包含退飽和過程和下降過程退飽和過程和下降過程的界限是VBC=0總超量存儲(chǔ)電荷飽和延遲時(shí)間關(guān)斷時(shí)間始于基極輸入電壓脈沖的下降沿，集電極電流下降到反向電關(guān)斷時(shí)間-1邊界:關(guān)斷時(shí)間-1邊界:關(guān)斷時(shí)間-2下降過程(上升過程的逆過程)關(guān)斷時(shí)間-2下降過程(上升過程的逆過程)關(guān)斷時(shí)間-3減小關(guān)斷時(shí)間的方法縮短飽和延遲時(shí)間s減小CTE、CTC、提高fT適當(dāng)減小增大IB2非飽和邏輯、抗飽和電路等關(guān)斷時(shí)間-3減小關(guān)斷時(shí)間的方法半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體概要pn結(jié)BJTMOSFET器件基礎(chǔ)JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體概要基本概念BipolarJunctionTransistorN+NPPEBCEBCEBCNPNPNP基本概念BipolarJunctionTransisto晶體管的發(fā)明第一個(gè)點(diǎn)接觸式的晶體管

(transistor)Bardeen,Brattain,andSchockley獲1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)晶體管的發(fā)明第一個(gè)點(diǎn)接觸式的晶體管(transistor)晶體管的特性晶體管的特性半導(dǎo)體器件原理和工藝2-課件理想NPN摻雜分布集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入ebc理想NPN摻雜分布集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入ebc兩個(gè)獨(dú)立的PN結(jié)構(gòu)成晶體管的靜電特性N+PN兩個(gè)獨(dú)立的PN結(jié)構(gòu)成晶體管的靜電特性N+PN背靠背二極管背靠背二極管工作原理工作原理特性參數(shù)發(fā)射效率(PNP)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)特性參數(shù)發(fā)射效率(PNP)特性參數(shù)-1共基極直流電流增益特性參數(shù)-1共基極直流電流增益特性參數(shù)-2共發(fā)射極直流電流增益特性參數(shù)-2共發(fā)射極直流電流增益晶體管的電流放大原理平衡晶體管的能帶和載流子分布晶體管的電流放大原理平衡晶體管的非平衡晶體管的能帶和載流子分布非平衡晶體管的能帶和載流子分布半導(dǎo)體器件原理和工藝2-課件理想晶體管模型(I-V關(guān)系）基本假設(shè)少于在基區(qū)的運(yùn)動(dòng)是一維的?；鶇^(qū)寬度大于載流子的平均自由程、因而能夠?qū)⑤d流子在基區(qū)的輸運(yùn)看作是擴(kuò)散+漂移;基區(qū)中準(zhǔn)中性近似成立。小注入。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡態(tài)密度。忽略基區(qū)復(fù)合，對(duì)于現(xiàn)代高晶體管這一條是成立的。穩(wěn)態(tài)條件下工作發(fā)射區(qū)和集電區(qū)足夠?qū)?雜質(zhì)在三個(gè)區(qū)中是均勻分布的理想晶體管模型(I-V關(guān)系）基本假設(shè)晶體管中的電流晶體管中的電流電流電壓關(guān)系只要求出IE,nIE,pIr,dIr,B電流電壓關(guān)系只要求出IE,nIE,pIr,dIE,nIE,nIE,pIE,pIr,BIr,B均勻晶體管的電流放大系數(shù)均勻晶體管的電流放大系數(shù)半導(dǎo)體器件原理和工藝2-課件理論和實(shí)驗(yàn)的偏差共基極輸入特性理論特性中發(fā)射極電流與VCB無關(guān)實(shí)際特性:IE隨VCB增加顯著增加共基極輸出特性理論:VCB無限制實(shí)際:最大為VCB0理論和實(shí)驗(yàn)的偏差共基極輸入特性理論和實(shí)驗(yàn)的偏差-1共發(fā)射極輸入特性大部分是一致的共發(fā)射極輸出特性理論:完全水平實(shí)際:向上傾斜,有最大VCE限制理論和實(shí)驗(yàn)的偏差-1共發(fā)射極輸入特性基區(qū)寬度調(diào)制W與外加電壓有關(guān)WWB基區(qū)寬度調(diào)制W與外加電壓有關(guān)WWB基區(qū)寬度調(diào)制-1對(duì)共基極Early效應(yīng)基區(qū)寬度調(diào)制-1對(duì)共基極基區(qū)寬度調(diào)制-2Early電壓的定義基區(qū)寬度調(diào)制-2Early電壓的定義基區(qū)穿通雙極晶體管在基極開路條件下工作，隨著外加VCE上升，未發(fā)生雪崩擊穿而出現(xiàn)集電極電流急劇增加的現(xiàn)象W0基區(qū)穿通雙極晶體管在基極開路條件下工作，隨著外加VCE上升，雪崩倍增和擊穿共基極與單個(gè)PN結(jié)類似,最大擊穿電壓為VCB0共發(fā)射極現(xiàn)象:VCE0小于VCB0CBEVCE雪崩倍增和擊穿共基極CBEVCE雪崩倍增和擊穿-1M1雪崩倍增和擊穿-1幾何效應(yīng)器件尺寸有限,必須考慮二維效應(yīng)發(fā)射區(qū)面積不等于集電區(qū)面積有效基區(qū)橫向擴(kuò)展W’B幾何效應(yīng)器件尺寸有限,必須考慮二維效應(yīng)W’B幾何效應(yīng)-1串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)幾何效應(yīng)-1串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)幾何效應(yīng)-2串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)等功率法計(jì)算內(nèi)基區(qū)的電阻幾何效應(yīng)-2串聯(lián)電阻(基區(qū)電阻)幾何效應(yīng)-3幾何效應(yīng)-3幾何效應(yīng)-4串聯(lián)電阻(集電區(qū)電阻)VCBrcsVjc=0時(shí),幾何效應(yīng)-4串聯(lián)電阻(集電區(qū)電阻)VCBrcsVjc=0時(shí),幾何效應(yīng)-5發(fā)射極電流集邊效應(yīng)由于發(fā)射結(jié)上電壓降的差異,發(fā)射極電流趨向于集聚到發(fā)射結(jié)邊緣附近，這就是發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，又稱基極電阻自偏壓效應(yīng)幾何效應(yīng)-5發(fā)射極電流集邊效應(yīng)幾何效應(yīng)-6發(fā)射極有效寬度幾何效應(yīng)-6幾何效應(yīng)-7可以不考慮集邊效應(yīng)強(qiáng)集邊狀態(tài)叉指結(jié)構(gòu)減小了集邊效應(yīng)幾何效應(yīng)-7可以不考慮集邊效應(yīng)叉指結(jié)構(gòu)減小了集邊效應(yīng)復(fù)合-產(chǎn)生電流發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流復(fù)合-產(chǎn)生電流發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流復(fù)合-產(chǎn)生電流-1發(fā)射結(jié)側(cè)向注入及基區(qū)表面復(fù)合復(fù)合-產(chǎn)生電流-1發(fā)射結(jié)側(cè)向注入及基區(qū)表面復(fù)合發(fā)射區(qū)重?fù)诫s發(fā)射區(qū)重?fù)诫s緩變基區(qū)緩變基區(qū)非平衡少子分布MollRoss法:少于在基區(qū)的運(yùn)動(dòng)是一維的?；鶇^(qū)寬度大于載流子的平均自由程、因而能夠?qū)⑤d流子在基區(qū)的輸運(yùn)看作是擴(kuò)散+漂移;基區(qū)中準(zhǔn)中性近似成立。載流子遷移率等于常數(shù)，雜質(zhì)濃度超過1016cm-3時(shí)引入平均遷移率；小注入。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡態(tài)密度。忽略基區(qū)復(fù)合，對(duì)于現(xiàn)代高晶體管這一條是成立的。非平衡少子分布MollRoss法:非平衡少子分布-1MollRoss法:非平衡少子分布-1MollRoss法:非平衡少子分布-2MollRoss法:非平衡少子分布-2MollRoss法:非平衡少子電流令x=0,

小注入時(shí)有:基區(qū)Gummel數(shù)的定義:非平衡少子電流令x=0,基區(qū)Gummel數(shù)的定義:品質(zhì)因素Gummel圖與IC的對(duì)數(shù)關(guān)系曲線IBICVEBIC,IB品質(zhì)因素Gummel圖IBICVEBIC,IB現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)第一個(gè)集成的BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)第一個(gè)集成的BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-1多晶硅發(fā)射結(jié)BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-1多晶硅發(fā)射結(jié)BJT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-2HBT現(xiàn)代BJT結(jié)構(gòu)-2HBT小結(jié)理想晶體管模型實(shí)際與理想的偏離BJT結(jié)構(gòu)小結(jié)理想晶體管模型晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型高頻時(shí),晶體管內(nèi)寄生電容的影響加大分類:低頻晶體管(0~3MHz)高頻晶體管(3~750MHz)超高頻晶體管(>750MHz)晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型高頻時(shí),晶體管內(nèi)寄生電容的頻率對(duì)晶體管電流放大系數(shù)的影響頻率增大,器件的電流放大系數(shù)將下降頻率對(duì)晶體管電流放大系數(shù)的影響頻率增大,器件的電流放大系數(shù)將晶體管交流小信號(hào)的傳輸過程X1X2X3X4iCTeiCDeiVBIp(X1)In(X1)In(X3)In(X4)iCTc晶體管交流小信號(hào)的傳輸過程X1X2X3X4iC發(fā)射效率和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)發(fā)射效率和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型小信號(hào)工作條件：輸入信號(hào)電壓以及輸出信號(hào)電壓都遠(yuǎn)小于熱電壓(kT/q)晶體管的頻率特性---小信號(hào)模型小信號(hào)工作條件：小信號(hào)模型-1i1i2v1v2T

短路輸入導(dǎo)納短路正向跨導(dǎo)納短路反向跨導(dǎo)納短路輸出導(dǎo)納小信號(hào)模型-1i1i2v1v2T短路輸入導(dǎo)納小信號(hào)模型-2短路輸入阻抗短路正向電流傳輸系數(shù)、即電流增益開路反向電壓傳輸系數(shù)，即電壓反饋系致開路輸出導(dǎo)納h參數(shù)小信號(hào)模型-2短路輸入阻抗短路正向電流傳輸系數(shù)、即電流增益開小信號(hào)模型-3ebcvbevce共發(fā)射極h參數(shù)等效電路小信號(hào)模型-3ebcvbevce共發(fā)射極h參數(shù)等效電路小信號(hào)等效電路混合模型ggm-ggo由E-M方程：正向有源區(qū)小信號(hào)等效電路混合模型g-g由E-M方程：正向有源區(qū)混合模型-1跨導(dǎo)gmgm正比于Ic，反比于T。gm只決定于工作電流及工作溫度，與器件所用材料無關(guān)。跨導(dǎo)與器件的結(jié)面積的大小無關(guān)?；旌夏Ｐ?1跨導(dǎo)gmgm正比于Ic，反比于T?；旌夏Ｐ?2輸入電導(dǎo)g輸出電導(dǎo)go混合模型-2輸入電導(dǎo)g混合模型-3反饋電導(dǎo)g混合模型-3反饋電導(dǎo)g混合模型-4現(xiàn)代高晶體管混合模型-4現(xiàn)代高晶體管完整的混合模型等效電路完整的混合模型等效電路上升過程-3縮短開啟時(shí)間的措施：盡可能減小結(jié)電容CTE和CTC提高fT,有利于縮短td2及tr適當(dāng)提高增大IB1上升過程-3縮短開啟時(shí)間的措施：特征頻率和截止頻率特征頻率fT和截止頻率f是根據(jù)hFE隨頻率的變化關(guān)系定義的特征頻率和截止頻率特征頻率fT和截止頻率f是根據(jù)hFE隨頻特征頻率和截止頻率-1特征頻率和截止頻率-1特征頻率和截止頻率-2特征頻率和截止頻率-2特征頻率和截止頻率-3截止頻率的定義特征頻率和截止頻率-3截止頻率的定義