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文檔簡介

2.3

半導體二極管

一、半導體二極管的結(jié)構(gòu)P型襯底PN負極引線結(jié)構(gòu)：PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。PN結(jié)面積大，結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。不適合高頻電路。PN結(jié)面積可大可小，往往用于集成電路制造工藝中。特點：分類：表示符號：（陽極）負極（陰極）11.正向特性（①段）二極管的死區(qū)電壓：硅管Vth=0.5V左右，鍺管Vth=0.1V左右。當0＜vD＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區(qū)電壓或開啟電壓。

當vD

＞0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段：當vD

＞Vth時，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。iDiDvD圖二極管的伏安特性曲線①②③

二、二極管的V-I

特性2iDiDvD圖二極管的伏安特性曲線①②③2.反向特性（②③段）

當vD＜0時，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜vD＜0時，反向電流(少數(shù)載流子的漂移)很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS

。當vD≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。一般地：

IS（硅）<IS（鍺）3溫度對二極管伏安特性曲線的影響

4三、二極管的參數(shù)1.最大整流電流IF：二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。2.反向擊穿電壓VBR：二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓VBR

。為安全計，在實際工作時，最大反向工作電壓一般為反向擊穿電壓VBR的一半。3.反向電流IR：管子在未擊穿時的反向電流，其值愈小，管子的單向?qū)щ娦栽胶?。反向電流隨溫度升高而增加。4.級間電容：勢壘電容擴散電容Nowcareful…5常見的半導體二極管6半導體二極管的型號國家標準對半導體器件型號的命名舉例如下：代表器件的類型，P為普通管，Z為整流管，K為開關(guān)管。2AP9用數(shù)字代表同類器件的不同規(guī)格。代表器件的材料，A為N型Ge，B

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